1电子线路作业答案
大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案
大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案大工18秋《模拟电子线路》在线作业1PN结加正向电压时,()。
A.扩散运动大于漂移运动B.扩散运动小于漂移运动C.扩散运动与漂移运动平衡D.没有运动正确答案:A发光二极管发光时,其工作在()。
A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.反向饱和区正确答案:A当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A.前者反偏、后者反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者正偏D.前者反偏,后者正偏正确答案:AXXX工作在放大区的工作条件是:()。
A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏精确答案:A稳压管的稳压区是其事情在()。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.反向饱和精确答案:C用万用表鉴别放大电路中处于正常事情的某个晶体管的类型(指NPN型照旧PNP型),以测出()最为方便。
A.各极间电阻B.各极对地电位C.各极电流D.各极间的电压正确答案:B在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。
A.五价B.四价C.三价D.二价精确答案:A整流的目的是()。
A.将交流变成直流B.将高频变成低频C.将正弦波变成XXXD.以上均正确正确答案:APN结加正向电压时,空间电荷区将()。
A.变窄B.基本不变C.变宽D.完全不变精确答案:A共发射极放大电路输入输出电压相位关系是()。
A.同相B.反相C.不确定D.随机正确答案:B三极管构成的放大电路首要有:共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路。
A.对B.错正确答案:A因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
T.对F.错正确答案:B晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。
T.对F.错正确答案:A杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。
T.对F.错精确答案:A在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
电子线路试题及参考答案
电子线路试题及参考答案试 题一、单项选择题(在下列各题的四个选项中,只有一项是最符合题意的。
本大题共35小题,每小题2分,共70分)1.在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于( )A .掺杂工艺B .温度C .杂质浓度D .晶体缺陷2.在半导体材料中,其正确的说法是( )A .P 型半导体和N 型半导体材料本身都不带电。
B .P 型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电。
C .N 型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带负电。
D .N 型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带负电。
3.由理想二极管组成的电路如图1所示,其A 、B 两端的电压为( )A .–12VB .+6VC .–6VD .+12V 4.使用万用表直流电压挡,测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在( )A .饱和状态B .放大状态C .截止状态D .倒置状态5.对于图3所示复合管,设r be1和r be2分别为T 1、T 2管的输入电阻,则复合管的输入电阻r be 为( )A .r be =r be1B .r be =r be2C .r be =r be1+(1+ )r be2D .r be =r be1+r be26.在图4电路中,设c 1、c 2对交流信号影响可忽略不计。
当输入f =1kHz 的正弦电压信号后,用示波器观察V i 和V o ,则二者相位关系为( )A .相差90°B .相差45°C .同相D .相差180° 7.为了减小温漂,通用型运放的输入级大多采用( ) A .共射电路 B .差分放大电路C .OCL 电路(互补对称电路)D .共集电路8.差分放大电路用恒流源代替长尾电阻R e 是为了( )A .提高共模电压放大倍数B .提高差模电压放大倍数C .提高差模输入电阻图 1图 2 图 3图4D .提高共模抑制比9.测得放大电路的开路电压放大倍数为6V ,接入2k Ω负载电阻后,其输出电压降为4V ,则此放大器的输出电阻R o 为( )A .R o =1K ΩB .R o =2K ΩC .R o =4K ΩD .R o =6K Ω10.电路如图5所示,设集成电路具有理想的特性,电阻R 2=10K Ω,当R 1的阻值为下列哪种情况时,可以产生较好的正弦波振荡。
电子线路试题及答案
电子线路试题及答案### 电子线路试题及答案#### 一、选择题(每题2分,共20分)1. 电阻串联时,总电阻值等于各电阻值之和。
这种说法是()。
- A. 正确- B. 错误2. 一个电路中的电流源可以等效为一个()。
- A. 电压源- B. 电阻- C. 电容3. 在并联电路中,总电阻的倒数等于各并联电阻的倒数之和。
这种说法是()。
- A. 正确- B. 错误4. 一个二极管的正向导通电压通常在()伏特左右。
- A. 0.3- B. 0.7- C. 1.05. 放大电路的基本功能是()。
- A. 整流- B. 滤波- C. 信号放大#### 二、填空题(每题2分,共20分)1. 在电路中,电源的内阻越小,输出的电流能力越()。
2. 一个理想电压源的特点是无论负载如何变化,其输出电压保持()。
3. 欧姆定律的公式是 V = I * R,其中 V 代表()。
4. 一个电路的功率计算公式是 P = V * I,其中 P 代表()。
5. 在分压电路中,各电阻的分压与电阻值成()。
#### 三、简答题(每题10分,共30分)1. 简述整流电路的工作原理及其应用场景。
2. 解释滤波电路的作用,并简述其基本类型。
3. 描述反馈放大电路的基本概念及其优点。
#### 四、计算题(每题15分,共30分)1. 已知一个串联电路中有三个电阻,分别为R1 = 100Ω,R2 = 200Ω,R3 = 300Ω。
求该串联电路的总电阻。
2. 假设有一个并联电路,其中包含两个电阻,R1 = 500Ω 和 R2 = 1000Ω。
求该并联电路的总电阻,并计算当总电压为 10V 时,通过R1 的电流。
3. 给定一个电路,其中包含一个 5V 的理想电压源和一个1000Ω 的电阻。
计算通过电阻的电流,并简述电路的功率。
#### 答案#### 一、选择题1. A2. A3. A4. B5. C#### 二、填空题1. 强2. 恒定3. 电压4. 功率5. 正比#### 三、简答题1. 整流电路将交流电转换为直流电,常用于电源适配器和电池充电器。
梁明理电子线路课后习题答案
1.5 限幅电路如图P1.5所示,设D 为理想二极管,输入电压v i 为正弦波,其振幅大于V R 。
试绘出输出电压v O 的波形。
解:(1)当v i <V R 时(V R >0),二极管D 导通,相当于短接,v O =v i ,输出为正弦波。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =V R ,被限幅在V R 值上。
分析结果是,本电路只输出小于V R 值的正弦波部分,大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(a )所示。
(2)当v i <V R (V R <0)时,二极管D 导通,相当于短接,v O =v i ,输出为正弦波(输出为负半周部分波形)。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =V R 。
分析结果是,本电路只输出小于V R 值的正弦波部分,大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(b )所示。
(3)当v i <V R (V R >0)时,二极管D 导通,相当于短路,v O =V R ,输出直流电压V R 。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =v i ,输出正弦波。
分析结果是,本电路只输出大于V R 值的正弦波部分,小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(c )所示。
(4)当v i <V R (V R >0)时,二极管D 截止,相当于断路,v O =V R ,输出直流电压V R 。
当v i >V R 时,二极管D 导通,相当于短接,输出电压v O =v i ,输出正弦波。
分析结果是,本电路只输出大于V R 值的正弦波部分,小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(d )所示。
1.6 双向限幅电路如图P1.6所示,设D 1、D 2为理想二极管,输入电压v i 为正弦波,其振幅大于V im =3V R 。
(完整版)电子线路-梁明理第五版全答案
第1章 半导体器件的特性1.1知识点归纳1.杂质半导体与PN 结在本征半导体中掺入不同杂质就形成N 型和P 型半导体。
半导体中有两种载流子,自由电子和空穴,载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动,因电位差而产生的运动成为漂移运动。
在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体,在它们的交界面上,上述两种运动达到动态平衡,就形成了PN 结。
其基本特性是单向导电性。
2.半导体二极管一个PN 结引出电极后就构成了二极管,加上正向偏压时形成扩散电流,电流与电压呈指数关系,加反向电压时,产生漂移电流,其数值很小。
体现出单向导电性。
3晶体管晶体管具有电流放大作用,对发射极正向偏置集电极反向偏置时,从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合,形成基极电流B I ,而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流C I ,体现出B I 对C I 的控制,可将C I 视为B I 控制的电流源。
晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。
4.场效应管场效应管是电压控制器件,它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流,因输入回路的PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。
场效应管局又夹断区(即截止区)、横流区(即线性区)和可比阿安电阻区三个工作区域。
学完本章后应掌握:1.熟悉下列定义、概念和原理:自由电子与空穴,扩散与漂移,复合,空间电荷区,PN 结,耗尽层,导电沟道,二极管单向导电性,晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。
2.掌握二极管、稳压管、晶体管,场效应管的外特性,主要参数的物理意义。
1.2习题与思考题详解1-1试简述PN 结的形成过程。
空间电荷压,阻挡层,耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。
答:PN 结的形成过程:当两块半导体结合在一起时,P 区的空穴浓度高于N 区,于是空穴将越过交界面由P 区向N 区扩散;同理,N 区的电子浓度高于P 区,电子越过交界面由N 区向P 区扩散。
多子由一区扩散到另一区时,形成另一区的少子并与该区的多子复合,因此,在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子,另一侧留下带正电荷的施主离子。
电子线路 非线性部分 习题完全答案 谢嘉奎第四版
电子线路(非线性部分)1-2 一功率管,它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制?为什么?解:否。
还受功率管工作状态的影响,在极限参数中,P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。
第二章2-1 为什么谐振功率放大器能工作于丙类,而电阻性负载功率放大器不能工作于丙类?解:因为谐振功放的输出负载为并联谐振回路,该回路具有选频特性,可从输出的余弦脉冲电流中选出基波分量,并在并联谐振回路上形成不失真的基波余弦电压,而电阻性输出负载不具备上述功能。
2-2 放大器工作于丙类比工作于甲、乙类有何优点?为什么?丙类工作的放大器适宜于放大哪些信号?解:(1)丙类工作,管子导通时间短,瞬时功耗小,效率高。
(2) 丙类工作的放大器输出负载为并联谐振回路,具有选频滤波特性,保证了输出信号的不失真。
为此,丙类放大器只适宜于放大载波信号和高频窄带信号。
2-4 试证如图所示丁类谐振功率放大器的输出功率2)sat (CE CC L2o )2(π2V V R P -=,集电极效率CC)sat (CE CC C 2V V V -=η。
已知V CC = 18 V ,V CE(sat) = 0.5 V ,R L = 50 Ω,试求放大器的P D 、P o 和ηC 值。
解:(1) v A 为方波,按傅里叶级数展开,其中基波分量电压振幅。
)2(π2)sat (CE CC cm V V V -=通过每管的电流为半个余弦波,余弦波幅度,)2(π2)sat (CE CC LL cm cm V V R R V I -==其中平均分量电流平均值 cm C0π1I I =所以 2)sat (CE CC L2cm cm o )2(π221V V R I V P -== )2(π2)sat (CE CC CC L2C0CC D V V V R I V P -==CC)sat (CE CC D o C 2/V V V P P -==η(2) W 24.1)2(π2)sat (CE CC CC L2D =-=V V V R P W 17.1)2(π22)sat (CE CC L2o =-=V V R P %36.94/D o C ==P P η2-5 谐振功率放大器原理电路和功率管输出特性曲线如图所示,已知V CC = 12 V ,V BB = 0.5 V ,V cm = 11 V ,V bm = 0.24 V 。
模拟电子线路习题习题答案解析
第一章1.1 在一本征硅中,掺入施主杂质,其浓度D N =⨯21410cm 3-。
(1)求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值,并说明半导体为P 型或N 型。
(2 若再掺入受主杂质,其浓度A N =⨯31410cm 3-,重复(1)。
(3)若D N =A N =1510cm 3-,,重复(1)。
(4)若D N =1610cm 3-,A N =1410cm 3-,重复(1)。
解:(1)已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =⨯5.11010 cm3-,施主杂质D N =⨯21410cm 3->> i n =⨯5.11010 cm 3-,所以可得多子自由浓度为0n ≈D N =⨯21410cm 3-少子空穴浓度0p =02n n i =⨯125.1610cm 3-该半导体为N 型。
(2)因为D A N N -=14101⨯cm 3->>i n ,所以多子空穴浓度 0p ≈14101⨯cm 3-少子电子浓度0n =02p n i =⨯25.2610cm 3-该半导体为P 型。
(3)因为A N =D N ,所以0p = 0n = i n =⨯5.11010cm 3-该半导体为本征半导体。
(4)因为A D N N -=10-161014=99⨯1014(cm 3-)>>i n ,所以,多子自由电子浓度0n =⨯991410 cm 3-空穴浓度0p =02n n i =142101099)105.1(⨯⨯=2.27⨯104(cm 3-)该导体为N 型。
1.3 二极管电路如图1.3所示。
已知直流电源电压为6V ,二极管直流管压降为0.7V 。
(1) 试求流过二极管的直流电流。
(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少?解:(1)流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流,即 D I =A 1007.06-=53mA (2) D R =AV310537.0-⨯=13.2Ω D r =D T I U =AV3310531026--⨯⨯=0.49Ω1.4二极管电路如题图1.4所示。
电子线路试题及参考答案
用逻辑抽象掉的。但是到了二十世纪,随着科学实验的发展,特别 是在微观物理学的研究领域中, 由于微观物理的特殊本性以及观测 仪器与被观测系统之间不可避免的干扰的存在, 主体在认识过程中 的巨大的能动作用已成为现代科学方法的一个基本特点。 经典物理学时期,也是科学注重于本体论的探索的时期,人们 把“现象-规律-实体”作为把科学研究向纵深推进的基本线索。这 无疑是一种有效的方法, 今后也还会继续发挥其认识的作用, 不过, 在现代物理学的研究中,人们更注重于关系和模型,这是一个能动 的认识论的时代,一些学者认为,把西方科学中的重视实体,强调 经验、分析和定量表述的方法与中国传统哲学中重视关系,强调整 体、协调和转化的思想结合起来,将会导致一种更加符合我们时代 的科学精神的新的自然面和科学认识方法。 科学活动更加社会化和体制化的趋势, 在物理学研究中也体 现出来,十九世纪前期,科学的进步基本上是通过科学家个人的自 由研究实现的,然而,由于工业革命的发展、生产规模的扩大和科 学作用的增强,从十九世纪下半叶开始,科学活动日益集中于工业 实验室、高等学校以及专门的机构中 ,二十世纪以来,特别是两 次世界大战中各种新式武器的研制以及作战计划的研究方面的惊 人成果, 更引起产业界、 军界和政府对维持和推进科学研究的重视, 全面推动科学和技术的振兴,已经成为各国的基本国策。特别是由 于原子能科学、航天技术、高能物理、极地考察等“大科学”的出
但是, 科学技术的长期发展也导致了一些人们最初的不曾料到 的结果。由于生产的盲目发展,造成了环境污染,生态失调,自然 资源过度消耗;一些发达国家还出现了经济危机,失业增加,犯罪 率提高等社会问题;原子能的实际应用,最初却是以毁灭性的杀人 武器的形式出现的,重大的技术突破却加剧了军备竞赛的进 行。……这些问题当然不能归罪于科学本身,其中有一些问题只能 靠社会制度的合理化和生产管理的科学化去解决; 另一些问题又是 可以靠科学的力量去解决或部分解决的,现代科学对生态系统、环 境治理和资源合理利用的研究, 将加深人们对人类与自然环境的相 互关系的规律的认识, 推进社会的科学化, 协调人类同自然的关系, 使人类能够获得更大的自由。可以预料,随着科学技术的进一步发 展,生产力的巨大提高、人类智力的充分解放以及社会制度的根本 改造都会达到新的水平。 科学在人类全面改造整个社会生活中的作 用,必将更加充分地发挥出来。
电子线路第二版部分习题答案1
(2)RL断开时:Au=0.995, Ri=282 kΩ, Ro=27Ω
RL闭合时:Au=0.970, Ri=86.8 kΩ, Ro=27Ω
习题3部分答案
3.1(1)共模输入差模输入(2)共模抑制比和差模放大倍数
(3)差动放大电路(4)直流信号缓慢变化的交流信号
2.2 Au=10-3,是衰减器
2.5(1)IBQ=20μА,ICQ=1mAห้องสมุดไป่ตู้UCEQ=7V
2.6 IBQ=10μА, Rb=600kΩ,Rc=6 kΩ
2.7 (1) IBQ=120μА,ICQ=2.4mA,UCEQ=21.6V
(2)IBQ=80μА,ICQ=1.6mA,UCEQ=22.4V
(3)IBQ=120μА,ICQ=12mA,UCEQ=8V
5.6 A1为电压跟随器, A2是减法电路Uo1=0.1V ,Uo=0.3V
5.7 A1是加法器电路, A2是反相比例运算器, Uo1=-39V, Uo2=58.5V
5.8 (1)Ri1=5MΩ,Ri2=3 MΩ,Ri3=2 MΩ,Ri4=200kΩ, Ri5=100kΩ
(2)Rf1=1 kΩ, Rf2= 4kΩ, Rf3=5kΩ, Rf4=40 kΩ, Rf5=50 kΩ
(3)500 kΩ,100 kΩ,50 kΩ
习题6部分答案
6.4(1)Pom=4.5W (2)PCM=0.9W (3)U(BR)CEO=12V
6.5 (1) CL两端的电压为6V,调整R1能满足
(2)调整R2,使R2增大
(3) Pom=2.25W
习题7部分答案
7.3 (1) U2=10V (2) URM=14.14V (3)ID=0.5A
电子线路(非线性部分)教材答案(PDF)
第一章1-2 一功率管,它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制?为什么?解:否。
还受功率管工作状态的影响,在极限参数中,P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。
1-3 一功率放大器要求输出功率P 。
= 1000 W ,当集电极效率ηC 由40%提高到70‰时,试问直流电源提供的直流功率P D 和功率管耗散功率P C 各减小多少?解:当ηC1 = 40% 时,P D1 = P o /ηC = 2500 W ,P C1 = P D1 - P o =1500 W当ηC2 = 70% 时,P D2 = P o /ηC =1428.57 W ,P C2 = P D2 - P o = 428.57 W 可见,随着效率升高,P D 下降,(P D1 - P D2) = 1071.43 WP C 下降,(P C1 - P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线,由它接成的放大器如图1-2-1(a )所示,已知V CC = 5 V ,试求下列条件下的P L 、P D 、ηC (运用图解法):(1)R L = 10Ω,Q 点在负载线中点,充分激励;(2)R L = 5 Ω,I BQ 同(1)值,I cm = I CQ ;(3)R L = 5Ω,Q 点在负载线中点,激励同(1)值;(4)R L = 5 Ω,Q 点在负载线中点,充分激励。
解:(1) R L = 10 Ω 时,作负载线(由V CE = V CC - I C R L ),取Q 在放大区负载线中点,充分激励,由图得V CEQ1 = 2.6V ,I CQ1 = 220mA ,I BQ1 = I bm = 2.4mA因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ,I cm = I CQ1 = 220 mA所以mW 26421cm cm L ==I V P ,P D = V CC I CQ1 =1.1 W ,ηC = P L / P D = 24%(2) 当 R L = 5 Ω 时,由V CE = V CC - I C R L 作负载线,I BQ 同(1)值,即I BQ2 = 2.4mA ,得Q 2点,V CEQ2 = 3.8V ,I CQ2 = 260mA这时,V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ,I cm = I CQ2 = 260 mA所以 mW 15621cm cm L ==I V P ,P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ,ηC = P L / P D = 12%(3) 当 R L = 5 Ω,Q 在放大区内的中点,激励同(1),由图Q 3点,V CEQ3 = 2.75V ,I CQ3= 460mA ,I BQ3 = 4.6mA , I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ,i Cmax = 700mA 。
数字电子线路测试题
2.Y= +C
3.Y=A+B+C
五1(1)驱动方程J0=K0=1,
J1=Q K1=Q
J2=Q Q K2=Q
(2)状态方程Q =
Q = Q + Q
Q = Q Q + Q
(3)真值表
Q
Q
Q
Q
Q
Q
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
0
0
1
0
0
1
1
0
1
1
1
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0
1
0
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1
0
1
1
0
1
0
0
0
1
1
0
1
1
1
1
1
1
4、TTL集成电路74LS138是3/8线译码器,译码器为输出低电平有效,若输入为A 2 A 1 A 0 =101时,输出: 为()。
A . B. C. D.
5、属于组合逻辑电路的部件是()。
A、编码器B、寄存器C、触发器D、计数器
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ6.存储容量为8K×8位的ROM存储器,其地址线为()条。
A、8 B、12 C、13 D、14
数字电子线路测试题编号001
一、填空题: (每空1分,共10分)
1.八进制数(34.2 ) 8的等值二进制数为()2;
十进制数98的8421BCD码为()8421BCD。
2 . TTL与非门的多余输入端悬空时,相当于输入()电平。
3 .图1所示电路中的最简逻辑表达式为。
图1
4.一个JK触发器有个稳态,它可存储()位二进制数。
(完整版)电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。
7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
梁明理电子线路课后习题答案
1.5 限幅电路如图P1.5所示,设D 为理想二极管,输入电压v i 为正弦波,其振幅大于V R 。
试绘出输出电压v O 的波形。
解:(1)当v i <V R 时(V R >0),二极管D 导通,相当于短接,v O =v i ,输出为正弦波。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =V R ,被限幅在V R 值上。
分析结果是,本电路只输出小于V R 值的正弦波部分,大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(a )所示。
(2)当v i <V R (V R <0)时,二极管D 导通,相当于短接,v O =v i ,输出为正弦波(输出为负半周部分波形)。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =V R 。
分析结果是,本电路只输出小于V R 值的正弦波部分,大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(b )所示。
(3)当v i <V R (V R >0)时,二极管D 导通,相当于短路,v O =V R ,输出直流电压V R 。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =v i ,输出正弦波。
分析结果是,本电路只输出大于V R 值的正弦波部分,小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(c )所示。
(4)当v i <V R (V R >0)时,二极管D 截止,相当于断路,v O =V R ,输出直流电压V R 。
当v i >V R 时,二极管D 导通,相当于短接,输出电压v O =v i ,输出正弦波。
分析结果是,本电路只输出大于V R 值的正弦波部分,小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(d )所示。
1.6 双向限幅电路如图P1.6所示,设D 1、D 2为理想二极管,输入电压v i 为正弦波,其振幅大于V im =3V R 。
电子线路课后习题答案
1.5 限幅电路如图P1.5所示,设D 为理想二极管,输入电压v i 为正弦波,其振幅大于V R 。
试绘出输出电压v O 的波形。
解:(1)当v i <V R 时(V R >0),二极管D 导通,相当于短接,v O =v i ,输出为正弦波。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =V R ,被限幅在V R 值上。
分析结果是,本电路只输出小于V R 值的正弦波部分,大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(a )所示。
(2)当v i <V R (V R <0)时,二极管D 导通,相当于短接,v O =v i ,输出为正弦波(输出为负半周部分波形)。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =V R 。
分析结果是,本电路只输出小于V R 值的正弦波部分,大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(b )所示。
(3)当v i <V R (V R >0)时,二极管D 导通,相当于短路,v O =V R ,输出直流电压V R 。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =v i ,输出正弦波。
分析结果是,本电路只输出大于V R 值的正弦波部分,小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(c )所示。
(4)当v i <V R (V R >0)时,二极管D 截止,相当于断路,v O =V R ,输出直流电压V R 。
当v i >V R 时,二极管D 导通,相当于短接,输出电压v O =v i ,输出正弦波。
分析结果是,本电路只输出大于V R 值的正弦波部分,小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(d )所示。
1.6 双向限幅电路如图P1.6所示,设D 1、D 2为理想二极管,输入电压v i 为正弦波,其振幅大于V im =3V R 。
电子线路试题及答案
电子线路试题及答案要在诺基亚手机上实现一个二进制反向计数器的任务电路。
构形如下其中Vcc=5V, R1=R2=4.7k, R8=1.5k, RL=10k。
a) 试设计线路,运输线路及电路逻辑表,同时给出电路两个端口的电压;要求最大功耗不超过1mW。
[12]b) 试分析和解释当CLK的频率提高到5kHz时,电路逻辑的运输线的延迟怎样变化?[8]a) 设计线路,运输线路及电路逻辑表,给出电路两个端口的电压根据题意,电路需要实现一个二进制反向计数器,即将输入的二进制数逐个递减输出。
根据给定的构形,我们可以进行如下设计。
首先我们需要设计一个递减器,将输入的二进制数减一输出。
根据二进制数减一的原理,我们只需要对输入的二进制数进行取反操作即可。
因此我们可以使用一组异或门实现递减器。
根据构形,我们可以将Vcc和R1连接形成一个电压分压器,用来为电路提供电源电压。
电压分压计算公式为:Vcc' = Vcc * (R2 / (R1 + R2))= 5 * (4.7k / (4.7k + 4.7k))= 2.5V根据题目要求,电路的两个端口的电压为2.5V,即V1 = V2 = 2.5V。
接下来,我们需要根据递减器的输出设计一个可以实现递减功能的线路。
根据递减器的输出,我们可以将递减器的输出和一个与门相连,使得当递减器的输出为1时,与门的输出为1。
根据题目要求,电路的最大功耗不超过1mW。
我们可以通过计算电路的功耗来验证是否满足要求。
电路的功耗计算公式为:P = Vcc * I= Vcc * (Vcc / RL)= 2.5 * (2.5 / 10k)= 0.625mW由计算可知,电路的功耗为0.625mW,小于1mW,因此满足要求。
b) 分析和解释当CLK的频率提高到5kHz时,电路逻辑的运输线的延迟怎样变化?当CLK的频率提高到5kHz时,电路逻辑的运输线的延迟会有所增加。
这是因为,高频率的信号在传输过程中会受到一些信号衰减和传播延迟的影响,从而导致延迟的增加。
电子线路1课后习题答案
《电子线路(I )》 董尚斌编 课后习题(1到7章)第1章1—1 本征半导体与杂质半导体有什么区别?解:本征半导体是纯净的,没有掺杂的半导体,本征半导体的导电性能较差,在温度为0K 时,半导体中没有载流子,它相当于绝缘体。
在室温的情况下,由本征激发产生自由电子—空穴对,并达到某一热平衡值,本征载流子浓度kTE i g eT A n 22300-=与温度有关。
杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的,若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体,N 半导体中的多子为自由电子,少子为空穴,由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善,其电导率是本征半导体的好几个数量级。
在杂质半导体中,多子的浓度取决于杂质的浓度,而少子的浓度与2i n 或正比,即与温度有很大的关系。
若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。
1—2 试解释空穴的作用,它与正离子有什么不同?解:空穴的导电实际上是价电子导电,在半导体中把它用空穴来表示,它带正电是运载电流的基本粒子,在半导体中,施主杂质电离后,它为半导体提供了一个自由电子,自身带正电,成为正离子,但由于它被固定在晶格中,是不能移动的。
1—3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么? 解:漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流,扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4 在PN 结两端加反向偏压时,为什么反向电流几乎与反向电压无关?解:PN 结加反偏电压,外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽,外加电压全部降落在PN 结上,而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来.漂移大于扩散,由于在P 区及N 区中少子的浓度一定,因而反向电流与反偏电压无关。
1—5 将一个二极管看作一个电阻,它和一般由导体构成的电阻有何区别?解:将二极管看作一个电阻,其明显的特点是非线性特性.而一般由导体构成的电阻,在有限的电压、电流范围内,基本上是线性的.(1) 二极管的正反向电阻,其数值相差悬殊。
梁明理电子线路课后习题答案
1.5 限幅电路如图P1.5所示,设D 为理想二极管,输入电压v i 为正弦波,其振幅大于V R 。
试绘出输出电压v O 的波形。
解:(1)当v i <V R 时(V R >0),二极管D 导通,相当于短接,v O =v i ,输出为正弦波。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =V R ,被限幅在V R 值上。
分析结果是,本电路只输出小于V R 值的正弦波部分,大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(a )所示。
(2)当v i <V R (V R <0)时,二极管D 导通,相当于短接,v O =v i ,输出为正弦波(输出为负半周部分波形)。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =V R 。
分析结果是,本电路只输出小于V R 值的正弦波部分,大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(b )所示。
(3)当v i <V R (V R >0)时,二极管D 导通,相当于短路,v O =V R ,输出直流电压V R 。
当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =v i ,输出正弦波。
分析结果是,本电路只输出大于V R 值的正弦波部分,小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(c )所示。
(4)当v i <V R (V R >0)时,二极管D 截止,相当于断路,v O =V R ,输出直流电压V R 。
当v i >V R 时,二极管D 导通,相当于短接,输出电压v O =v i ,输出正弦波。
分析结果是,本电路只输出大于V R 值的正弦波部分,小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—(d )所示。
1.6 双向限幅电路如图P1.6所示,设D 1、D 2为理想二极管,输入电压v i 为正弦波,其振幅大于V im =3V R 。
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1
1-5
1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线,由它接成的放大器如图1-2-1(a )所示,已知V CC = 5 V ,试求下列条件下的P L 、P D 、ηC (运用图解法):(1)R L = 10Ω,Q 点在负载线中点,充分激励;(2)R L = 5 Ω,I BQ 同(1)值,I cm = I CQ ;(3)R L = 5Ω,Q 点在负载线中点,激励同(1)值;(4)R L = 5 Ω,Q 点在负载线中点,充分激励。
解:(1) R L = 10 Ω 时,作负载线(由V CE = V CC - I C R L ),取Q 在放大区负载线中点,充分激励,由图得V CEQ1 = 2.6V ,I CQ1 = 220mA ,I BQ1 = I bm = 2.4mA
因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ,I cm = I CQ1 = 220 mA
所以mW 2642
1
cm cm L ==I V P ,P D = V CC I CQ1 =
1.1 W ,ηC = P L / P D = 24%
(2) 当 R L = 5 Ω 时,由V CE = V CC - I C R L
作负载线,I BQ 同(1)值,即I BQ2 = 2.4mA ,得Q 2点,V CEQ2 = 3.8V ,I CQ2 = 260mA
这时,V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ,I cm = I CQ2 = 260 mA
所以 mW 1562
1
cm cm L ==I V P ,P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ,ηC = P L / P D = 12%
(3) 当 R L = 5 Ω,Q 在放大区内的中点,激励同(1),
由图Q 3点,V CEQ3 = 2.75V ,I CQ3= 460mA ,I BQ3 = 4.6mA , I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ,i Cmax = 700mA 。
因为V cm = V CEQ3 - v CEmin = 1.2 V ,I cm = i Cmax - I CQ3 = 240 mA 所以mW 1442
1
cm cm L ==I V P ,P D = V CC I CQ3 = 2.3 W ,ηC = P L / P D = 6.26%
(4) 当 R L = 5 Ω,充分激励时,I cm = I CQ3 = 460 mA ,V cm = V CC -V CEQ3 = 2.25 V
所以 mW 5.5172
1
cm cm L ==I V P ,P D = V CC I CQ3 = 2.3 W ,ηC = P L / P D = 22.5%
2
2-5 谐振功率放大器原理电路和功率管输出特性曲线如图所示,已知V CC = 12 V ,V BB = 0.5 V ,V cm = 11 V ,V bm = 0.24 V 。
试在特性曲线上画出动态线。
若由集电极电流i C 求得I C0 = 32 mA ,I cIm = 54 mA ,试求P D 、P o 、ηC 及所需的R e 。
解:
(1) ⎩⎨⎧+=+=-=-=V )cos 24.05.0(cos V
)cos 1112(cos bm BB BE
cm CC CE t t V V v t t V V v ωωωω
(2)
mW 384C0CC D ==I V P
mW 2972
1
cm cm o ==I V P
%34.77/D o C ==P P η R e = V cm /I c1m = 204 Ω
4
4-1 如图是用频率为1 000 kHz 的载波信号同时传输两路信号的频谱图。
试写出它的电压表达式,并画出相应的实现方框图。
计算在单位负载上的平均功率P av 和频谱宽度BW AM 。
解:(1)为二次调制的普通调幅波。
第一次调制:调制信号:F = 3 kHz
载频:f 1 = 10 kHz ,f 2 = 30 kHz
第二次调制:两路已调信号叠加调制到主载频f c = 1000 kHz 上。
令 Ω = 2π ⨯ 3 ⨯ 103 rad/s
ω1 = 2π ⨯ 104 rad/s ω2= 2π ⨯ 3 ⨯ 104 rad/s ωc = 2π ⨯ 106 rad/s
第一次调制:v 1(t ) = 4(1 + 0.5cos Ωt )cos ω1t
v 2(t ) = 2(1 + 0.4cos Ωt )cos ω2t
第二次调制:v O (t ) = 5 cos ωc t + [4(1 + 0.5cos Ωt )cos ω1t + 2(1 + 0.4cos Ωt )cos ω2t ] cos ωc t = 5[1+0.8(1 + 0.5cos Ωt )cos ω1t + 0.4(1 + 0.4cos Ωt )cos ω2t ] cos ωc t
(2) 实现方框图如图所示。
(3) 根据频谱图,求功率。
○
1 载频为10 kHz 的振幅调制波平均功率 V m01 = 2V ,M a1 = 0.5
W 5.4)211(2W 22121a 01av1201m 01=+===M P P V P ;
○
2 f 2 = 30 kHz V m02 = 1V ,M a2 = 0.4
W 08.1)211(2W 5.0212
2a 02
av2202m 02=+===M P P V P ; ○3 主载频f c = 1000 kHz V m0 = 5V
W 5.122
120m 0==V P
总平均功率P av = P 0 + P av1 + P av2 = 18.08 W ○
4 BW AM 由频谱图可知F max = 33 kHz
得 BW AM = 2F = 2(1033 -1000) = 66 kHz
4-3 试画出下列三种已调信号的波形和频谱图。
已知ωc >>Ω (1) v (t ) = 5cos Ωt cos ωc t (V); (2) v (t ) = 5cos(ωc +Ω) t ;
(3) v (t ) = (5 + 3cos Ωt ) cos ωc t 。
解:(1) 双边带调制信号(a);(2) 单边带调制信号(b);(3) 普通调幅信号(c)。
4-14
4-30 包络检波电路如图所示,二极管正向电阻R D = 100 Ω,F =(100 ~ 5000)Hz 。
图(a )中,M amax = 0.8;图(b )中M a = 0.3。
试求图(a )中电路不产生负峰切割失真和惰性失真的C 和R i2值。
图(b )中当可变电阻R 2的接触点在中心位置时,是否会产生负峰切割失真?
解:(1) 图(a)中,已知R L = R L1 + R L2 = 5 k Ω,Ωmax = 2π ⨯ 5000 rad/s ,M amax = 0.8,根据不产生惰性失真条件,得
pF 47751m ax
a m ax L 2m ax
a =-≤
M ΩR M C
(2) 根据不产生负峰切割失真条件得 Z L (Ω) ≥ M a Z L (0) = M amax R L = 4 k Ω 因为Z L (Ω) = R L1 + R L2 // R i2,
M amax = 0.8 <k Ω125
//41//)0()(2i 2
i 2L 1L 2i 2L 1L L L
>+=++=R R R R R R R Z ΩZ , (3) R L 在中间位置时
Ω5.1211//2)(i 21L =+=R R R ΩZ ,Ω28602
)0(21L =+=R
R Z
所以3.042.0)
0()
(L L
>=Z ΩZ 故不产生负峰切割失真。
5
5-1 一已调波v (t ) = V m cos(ωc + A ω1t )t ,试求它的∆ϕ(t )、∆ω (t )的表示式。
如果它是调频波或调相波,试问,它们相应的调制电压各为什么?
解:∆ϕ(t ) = A ω1t 2,∆ω(t ) =。
t A t
t 12d )
(d ωϕ=∆ 若为调频波,则由于瞬时频率变化∆ω (t )与调制信号成正比,即
∆ω (t ) = k f v Ω(t ) = 2A ω1t ,所以调制电压t A k t v Ω1f
21
)(ω=
若为调相波,则由于瞬时相位变化∆ϕ(t )与调制信号成正比,即
∆ϕ(t ) = k p v Ω(t ) = A ω1t 2,所以调制电压21p
1
)(t A k t v Ωω=
5-3 5-4。