《模拟电子技术基础》期末考试试题参考答案(A)
模拟电子技术(西安交大2版)试题及答案
《模拟电子技术基础》试题（A 卷）一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
（10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
（ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。
（ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
（ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。
（ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。
（ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。
（ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
（ ） 二、选择填空 （10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。
（A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
（A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。
（A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。
（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分)1、PN结正偏时（导通)，反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关,而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时,结电阻为（0 ）,等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷）,等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏)，集电结（反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）.7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射)、( 共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=( ）BW,其中BW=( ），（）称为反馈深度.11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为( )信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（)类互补功率放大器.13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（)电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数( )，输入电阻（），输出电阻（）等特点,所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（)漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为( )，未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为（)。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=( ），电路符号是（).二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在( ）状态,但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于（)状态。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
《模拟电子技术》期末试卷及答案
《模拟电子技术》期末试卷及答案（本题每空1分，共20分）一、填空题：1. 二极管的伏安特性上分有四个区，分别是区、区、区和。
2. 双极型三极管属于控制型器件，单极型三极管属于控制型器件。
3. 理想运放的电路模型中，开环电压放大倍数A O＝，差模输入电阻r i= ，输出电阻r O= ，共模抑制比K CMR= 。
4. 击穿属于碰撞式的击穿，击穿属于场效应式的击穿，这两种击穿均属于击穿，具有互逆性。
5. 共发射极组态、共集电极组态和共基组态这三种放大电路中，其中组态的放大电路放大能力最强，组态的放大电路只有电流放大能力而没有电压放大能力，组态的放大电路只有电压放大能力而没有电流放大能力。
6. 放大电路中的负反馈类型可分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。
（本题每小题1分，共10分）二、判断下列说法的正确与错误：1. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会造成永久型损坏。
（）2. 无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。
（）3. 甲类、乙类和甲乙类功放均存在“交越失真”现象。
（）4. 射极输出器是典型的电流串联交流负反馈放大电路。
（）5. 共模信号和差模信号都是放大电路需要传输和放大的有用信号。
（）6. 所有放大电路的输入电压信号和输出电压信号都是反相的。
（）7.设置静态工作点的目的，就是让交流信号叠加在直流载波上全部通过放大器。
（）8.三极管工作中若耗散功率超过它的最大耗散功率P CM时，该管必须烧损。
（）9. 理想集成运放构成的线性应用电路中，电压增益与其内部参数无关。
（）10.即使是单门限电压比较器，其输出也必定是两种状态。
（）（本题每小题2分，共16分）三、单选题1. P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。
A．三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价2. 测得NPN三极管各电极对地电压分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，则该管必工作在（）。
模拟电子技术基础期末试题
填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ 增大，ICQ增大，UCEQ减小。
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为，经过电容滤波后为，二极管所承受的最大反向电压为 14 V。
3．差分放大电路，若两个输入信号uI1 uI2，则输出电压，uOu I1=100μV，u I2=80μV则差模输入电压uId μV；共模输入电压uIcV。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。
5．若三级放大电路中Au1 Au2 30 dB，Au3 20 dB，则其总电压增益为dB，折合为4倍。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQPDC=效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。
7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为V。
二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率fL 降低，应（ D ）。
A．减小C，减小Ri B. 减小C，增大RiC. 增大C，减小 RiD. 增大C，增大 Ri 5.如图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题1. 下列选项中，哪种元器件可以将一个信号的幅度提高到较高水平？A. 电感B. 二极管C. 发射管D. 收音机答案：C. 发射管2. 以下哪个不是模拟电子技术中常见的电子元器件？A. 电阻B. 电容C. 电子管D. 电池答案：D. 电池3. 在模拟电子技术中，下面哪个元器件常用于放大电压信号？A. 开关B. 反射器C. 放大器D. 混频器答案：C. 放大器4. 下面哪个元器件可以将直流电信号转换成交流电信号？A. 容器B. 反射器C. 变压器D. 调制器答案：D. 调制器5. 在模拟电子技术中，以下哪个元器件常用于对电流进行控制？A. 电流计B. 混频器C. 电容D. 二极管答案：D. 二极管二、填空题6. 电阻的单位是________。
答案：欧姆（Ω）7. 二极管有两个基本电极，分别是阳极（A）和________。
答案：阴极（K）8. 在放大器中，输入信号的强度被放大器增大到预期的输出水平，这个功能叫做________。
答案：放大9. 电容存储的电荷量与其电压的关系是________。
答案：线性关系10. 以下哪个元器件可以将交流信号转换成相同频率的直流信号？答案：整流器三、解答题11. 请简要阐述电子管的工作原理及其在模拟电子技术中的应用。
答案：电子管是一种由真空或带有特殊气体的封闭空间中的电子流控制器件。
电子管工作原理基于热电子发射和电子聚焦的原理，通过在电子管中加入电场和磁场，可以控制电子流的流动和放大信号。
在模拟电子技术中，电子管经常用于放大电压信号。
它具有高放大系数和低噪声的特点，因此在音频放大器、射频放大器等方面得到广泛应用。
同时，电子管还常用于整流、调制和混频等电路中。
12. 请列举并简要介绍两种常见的放大器类型。
答案：两种常见的放大器类型分别是：a. 甲类放大器：甲类放大器是一种线性放大器，输出信号的整个周期都以较小的偏置电流进行放大，即电流在整个传输特性曲线上运行。
《模拟电子技术基础》期末考试试卷标准答案
河北科技大学 学年第 学期《 模拟电子技术基础 》期末考试试卷标准答案学院 班级 姓名 学号 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分得分一、选择填空题（每空1分，共10分）（ A ）1.在晶体管放大电路的三种基本接法中, 的输出电压与输入电压不同相。
A. 共射电路B.共集电路.C.共基电路（ C ）2.选用差分放大电路的原因是。
A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂（ A ）3.若要实现电流—电压转换电路，应引入。
A.电压并联负反馈B.电流串联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈（ A ）4.二极管外加正向电压时处于_______状态。
A.导通B.放大C.截止（ A ）5.正弦波振荡电路必须由以下四个部分组成：放大电路、、正反馈网络和稳幅环节。
A.选频网络B.消除失真电路C.负反馈网络D.滤波环节（ C ）6.直流稳压电源中滤波电路的目的。
A.将高频变为低频B.将交流变为直流C.减小脉动，使输出电压平滑（ B ）7.在某电路中测得晶体管的e、b、c三个极的直流电位分别为0V 、0.7V、4.0V，则该晶体管工作在状态。
A.饱和B.放大C.截止（ C ）8.直流负反馈是指：。
A.只有放大直流信号时才有的负反馈B.直接耦合放大电路中引入的负反馈C.在直流通路中的负反馈（ D ）9.对于放大电路，所谓开环是指。
A.无负载B.无信号源C.无电源D.无反馈通路（ D ）10.集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数电路。
A. 阻容耦合多级放大B. 共发射极放大C. 变压器耦合多级放大D. 直接耦合多级放大模拟电子技术A卷，共（ 6 ）页，第（ 1 ）页模拟电子技术A 卷，共（ 6 ）页，第（ 2 ）页ZU R R R R Uo 3321++=ZU R R R R R Uo 32321+++=二、判断题（共10分）1．（请在括号中标明“√”或“×”;每空1分，共5分）（ √ ）1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立，它只能放大交流信号。
模拟电子技术期末试卷含答案
试 题_ 2007 _年~__2008__年第 1 学期课程名称： 模拟电子技术 专业年级： 自动化06级 考生学号： 考生姓名： 试卷类型： A 卷 ■ B 卷 □ 考试方式: 开卷 □ 闭卷 ■………………………………………………………………………………………………………一、选择正确答案填入空内。
(每空2分，共20分)1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A ．温度B ．掺杂工艺C ．杂质浓度2、在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察o u 和i u 的波形，发现波形相位相反，则该电路为（ ）。
A ．共基极放大电路B ．共射级放大电路C ．共集电极放大电路3、三级放大电路中dB 20V3V2V1===A A A ，电路将输入信号放大了（ ）倍。
A ．60 B ．103 C ．1064、多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（ ）。
A ．输入级 B ．增益最高的一级 C ．输出级5、差分放大电路中，当m V 300i1=v ，m V 200i2=v 时，共模信号=ic v （ ）。
A ．500mV B ．100mV C ．250mV6、为了提高放大电路的输入电阻并稳定输出电流，则应在放大电路中引入（ ）。
A ．电压并联负反馈 B ．电流串联负反馈 C ．电压串联负反馈7、某二阶滤波器的传递函数表达式为：24522+++S S S ，则该滤波器是（ ）。
A ．二阶高通滤波器B ．二阶带通滤波器C ．二阶带阻滤波器8、单相桥式整流电路由四个二极管组成，流过每个二极管的电流为（ ）。
A ．4O I B ．2O IC ．O I 9、在图1所示电路中，设运算放大器是理想器件，输出电压约为（ ）。
A ．─7.5 VB ．─3.5VC ．─2.5 V图110、与甲类功率放大方式比较，乙类OCL 互补对称功率放大方式的主要优点是（ ）。
A ．不用输出变压器 B ．不用输出端大电容 C ．效率高二、填空题。
模拟电子技术模拟期末试卷和答案
模拟电子技术基础期末试卷及参考答案一、选择题（本大题共10道小题，每小题2分，共10分。
在每小题给出的四个备选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内）1．利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的（ ）。
(a) 直流参数 (b) 交流参数(c) 静态工作点 (d) 交流和直流参数2．整流电路的主要目的是将（ ）。
(a) 交流信号变成直流信号 (b) 直流信号变成交流信号(c) 正弦波变成方波 (d) 高频信号变成低频信号3．若要设计一个振荡频率在kHz 1~Hz 100范围内可调的正弦波振荡电路，则应采用最为合适的振荡电路为（ ）正弦波振荡电路。
(a) RC 型 (b) LC 型(c) 石英晶体 (d) 555G 5 4．在放大电路中，场效应管应工作在（ ）。
(a) 可变电阻区 (b) 饱和区(c) 截止区 (d)击穿区5 .阻容耦合放大电路的直流负载线与交流负载线的关系为（ ）。
（a ） 不会重合 （b ）一定会重合 （c ） 平行 （d ）有时会重合 6．功率输出级电路如题1.6图所示，已知V sin 102i t u ω=，V 18=CC V ，Ω=8L R 则电路的输出功率约为（ ）。
(a) 12.5W (b) 25W(c) 50W (d) 100W 题1.6图7．电路如题1.7图所示，122R R =，Ω=k 3R ，μF 047.0=C ，该电路能输出（ ）。
(a) 1.13kHz 方波 (b) 1.13kHz 三角波(c) 520Hz 正弦波 (d) 1.13kHz 正弦波 8. 共模抑制比CMR K 越大，表明电路（ ）。
放大倍数越稳定(b) 交流放大倍数越大(c) 抑制温漂的能力越强(d) 输入信号中的差模成份越大9．为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般采用( )。
(a) 共射极放大电路 (b) 共集电极放大电路（c ）共基极放大电路 (d) 差动放大电路 题1.7图 10 .题1.10图所示电路的负载L R 中所获得的电流=L I ( )。
模拟电子技术基础期末考试试题参考答案(A)
浙江理工大学模拟电子技术基础期末考试试题参考答案（A ）1。
2．解：（1）静态分析：V7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f cEQ CEQ EQ BQ ef BEQ BQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV 26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，ef 'L R R R A u +-≈ ≈－1.92。
3．解：R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下：mA 517.02222e W BEQ EE EQ EE e EQ W EQ BEQ ≈-==+⋅+R R U V I V R I R I U ＋ A d 和R i 分析如下：Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972)1( k 18.5mV 26)1(W be i W be cd EQ bb'be R r R R r R A I r r ββββ4．解：（1）静态及动态的分析估算：∥178)(mA/V 2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV 26)1(V3mA8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s i sm T EQm b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ b BEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ（2）估算'πC ：pF1602)1(pF 214π2)(π2μc m 'μT e b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz 14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=C R R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥ （4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A5． 解：设A 2的输出为u O 2。
《模拟电子技术》试卷A（答案）
2011—2012学年春季学期《模拟电子技术基础》考试试卷（A ）卷（答案）考试形式： 闭卷 考试时间： 120 分钟 满分： 100 分2、密封线左边请勿答题，密封线外不得有姓名及相关标记。
一、选择题（共15空，每空2分，共30分）1. 杂质半导体中多数载流子浓度( B )。
A 、只与温度有关B 、取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C 、与温度无关D 、与掺杂浓度和温度都无关2. 稳压管的稳压区是其工作在( C ) 。
A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿D. 无偏置状态3. P 沟道增强型MOS 管的电路符号为( B )。
4. 工作在放大状态的某PNP 晶体三极管，各电极电位关系为( A )。
A.V C <V B <V E B. V C >V B >V E C.V C <V E <V BD. V C >V E >V B5. 在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E ，电压放大倍数将（ A ）。
A. 增加B. 减小C. 不变D. 不能确定6. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e ，将使电路的（ B ）。
A. 差模放大倍数数值增大 B. 抑制共模信号能力增强 C. 差模输入电阻增大 D. 共模抑制比变小学号： 姓名： 学院： 年级： 专业：------------------------------------------------- 密 － 封 － 线 ------------------------------------------------------7.某两级阻容耦合共射放大电路，不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍，接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍，第二级的电压放大倍数为50倍，则该电路总电压放大倍数为（ B ）。
A.5000倍B. 2500倍C. 150倍D. 200倍8.基本差动放大电路中，两个单边放大器的电压增益为100。
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd=A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。
a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
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《模拟电子技术基础》期末考试试题参考答案（A ）
一、填空（18分，每空1分）
1、实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证发射结正偏 ；而集电结 反偏 。
针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。
3、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。
多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。
4、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。
二、选择正确答案填空（20分 每空2分）
ADCDA DBDCC
三. （15分）解：（1）静态分析：
V
7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ
EQ BQ e
f BEQ BQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=
≈+-==⋅+≈
R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω
==Ω
≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV 26)1(c o f be b2b1i f
be L c EQ
bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥ （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，e
f 'L R R R A u
+-≈ ≈－1.92。
四. （4分）解：（a ）可能 （b ）不能 五. （20分）7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω
六.（15分）
8o 2
13i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-⋅-=∥∥∥∥β
2
七. （8分）解：设1R 上电流为1I ，2R 上电流为2I ，f R 上电流为f I 。
根据“虚断”可得
f I I I =+21
根据“虚短”可得
V U U 0==-+
推导可得：
f
o i
i R v R v R v =+2211
22
11i f
i f
o v R R v R R v +
=。