模拟电路第二章习题
模电第二章 习题
I BQ
VCC
U BEQ Rb
U BEQ RS
22μ
A
I CQ I BQ 1.76mA
rbe
rbb'
(1
)
26mV I EQ
1.3k
空载时,静态管压降、 电压放大倍数、输入 电阻和输出电阻分别 为
Rb
VCC U BEQ I BQ
565k
Au
Uo Ui
100
RL 2.63k
Au
Rc // RL rbe
Rc // RL 1.4k
2.11 电路如图P2.13所示,晶体管的=100,rbb' =100Ω。
(1)求电路的Q点、Au 、Ri和Ro; (2)若改用=200的晶体管,则Q 点如何变化?
2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的=80,rbe
=1kΩ,Ui=20mV;静态时UBEQ=0.7V,UCEQ= 4V,IBQ=20μA。判断下列结论是否正确,凡对的 在括号内打“”,否则打“×”。
Au
Uo Ui
IC (RC // RL) IB rbe
RL rbe
32.3μ A
I EQ (1 )I BQ ICQ 2.61mA
U CEQ VCC I EQ Re 7.17V
⑵求解电压放大倍数、输入电阻 和输出电阻:
RL=∞时
Ri Rb ∥[rbe (1 )Re ] 110k
Au
(1 )Re rbe (1 )Re
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
七、
1.电容C的位置错,可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路:
微变等效电路:
九、解:
1. 、 、
2.交流负载线:过Q点,与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ;到截止区的最大 。因此这道题要出现失真,应该是饱和失真,答同时出现也可以。
二、选择题
1.B,A,A2.B,A3.A,B,C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是:
观察放大电路的波特图。当 时,若幅频响应曲线在零点以下,则电路稳定;否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入C
(2)为了实现电流-电压转换,应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力,应引入A
(4)为了实现电流放大,应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈?
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈?
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念
三种组态为:BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏
BJT
FET
差放
共射 共射 共集 共基 共源 共漏 共栅 差模 共模 (带反馈Re)
微变等效电路
p74
Ri
Ro
Av
15
模拟电路习题课(一)
共射小信号(微变)等效分析 输入电阻、输出电阻和增益
Ri
vi ii
rbe // Rb
Av
vo vi
(1 1)R'L rbe (1 1)R'L
1
R'o
rbe
1 1
//
rce1
rbe
1 1
Ro R'o // ro2 R'o
共集放大器的Ri比共射大很多
电压放大倍数接近于1(小于1)因此称为射随器
共集放大器的Ro比共射的小很多
17
模拟电路习题课(一)
共基小信号(微变)等效分析
R'i
U
反向击穿 电压VBR
2
二极管的电阻
模拟电路习题课(一)
直流等效电阻 RD:
RD
VD ID
交流(动态)电阻 rd:
rd
(
diD dvD
)Q1
2vd 2id
rd
(
diD dvD
)Q1
VT ID
3
模拟电路习题课(一)
共射(共E)BJT工作原理
以发射极(E极)作为公共端,EB结正偏,CB结反偏。
iC
参见 P12 图1.3.4
7
3. 饱和区
vCE<vBE vCB<0
4
集电结正偏
模电第二章习题参考答案
第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时,应使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。
2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。
3.温度升高时,三极管的电流放大系数β增大,反向饱和电流I CBO增大,正向结电压U BE下降。
4. 有两只三极管:A管β=200,I CEO=200μA;B管β=80,I CEO=10μA,其他参数大致相同,一般应选B管。
5.共射基本电路电压放大倍数为负值,说明输出信号与输入信号相位相差180o。
6.放大电路未输入信号时的状态称为静态,其在特性曲线上的点称为静态工作点;有输入信号时的状态称为动态,动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。
7.在放大电路的下限截止频率处,幅度的放大倍数为中频处的0.707倍,这主要是由电路的频率失真引起的。
8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流(输出电流),所以它是一个电压控制电流源(或电压控制)器件。
二、判断题1.由于放大的是变化量,所以在输入直流信号时,任何放大电路的输出量都没有变化。
(×)提示:直接耦合放大电路就有变化。
2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立,(√)它只能放大交流信号。
(√)3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。
(×)提示:增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常,JFET在漏极与源极互换时,仍有正常放大作用。
(√)三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V,U2=6V,U3=2.7V,则三极管三个电极为(B)。
A.①管脚为发射极,②管脚为基极,③管脚为集电极;B.①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极;C.①管脚为集电极,②管脚为基极,③管脚为发射极;D. ①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极。
2.在共射基本放大电路中,集电极电阻R C的作用是(C)。
A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短,把放大了的电流转换成电压。
模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路
在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中,负载电阻RL 减小时,输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中,可用作电压跟随器的是[ ] A.差分放大电路 B.共基电路C.共射电路 D.共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管,穿透电流为(设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流)A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =(1+2)ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路, Rb 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中,信号源内阻RS 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3K的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为。
模电电子线路第二章习题课
不能实现正常放大。因为输入信号被CB短 路了,所以不能进行电压放大。
不能正常放大,集电结正偏,发射结正偏,晶体管 饱和
(c)不能实现正常放大。错在静态工作点IBQ=0, 放大器截止失真;
(d)能实现小信号正常放大。
2-14 试画出图P2-14所示电路的直流通路和交流通 路。
直流通路
交流通路
(1)如工作点变为图(b)中的Q’和Q”,试分 析是出电路中哪一元件参数改变而引起的?
(2)如工作点变为图 (c)中的Q’和Q”,又是 电路中哪一元件参数改变而引起的?
解:(1)UCC不变.RB不变,IBQ不变,而变化, 工作点的变化可见(b)。若原工作点为Q, RC减小 时,移至Q’,RC增加时,移至Q”。
(2) RC不变,负载线斜率不变,UCC和RB同时变 化,上作点的变化如图(c)所示。若原工作点为Q,
UCC增加,RB也增加,工作点可移至Q’,反之, UCC下降,RB也下降.工作点可移至Q”。
2—19 放大电路如图P2—19(a)所示,已知β=50,
UBE=0.7V,UCES=0V,RC=2kΩ, RL=20k Ω ,UCC=12V。
2—13 试判别回P2—13各电路是否具有正常放 大作用?若无放大作用则说明理由并将错误处加 以改正。
因c极短接电路不能正常放大。应在c极到Ucc 之间接集电极负载电阻Rc。
因IB=0,管子截止,电路不能正常放大。应将RB 改接在b极与UCC之间。
(4)会使e结烧坏且输入信号短路,因而电路不能正 常放大,应在b极到Ucc之间接偏置电阻RB。
R1 20KΩ R2 80KΩ
R3 3KΩ
10V
V RL
31)若要求放大电路有最大的输出动态范围,问 RB应调到多大?
模拟电路2习题及解答
Au Uo / Ui 1.2 / 0.02 60
Ai
io
/ ii
Uo / RL
Us Ui /
Rs
1.2 /1
0.03 0.02 / 0.6
72
Ap Au Ai 60 72 4320
Au dB 20 lg Au 20 lg(60) 35.6dB Ai dB 20 lg Ai 20 lg(72) 37.1dB
Au=60(35.6dB),Ai=72(37.1dB),Ap=4320(36.4dB),Ri=1.2kΩ,Ro=0.5kΩ
4
2. NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示,已知晶体管参数为β=80,
UBE(on)=0.7V,rbb'=200,忽略rce。电阻为Rs=3.3k,RB=470k,RC=
(2)Au=-75,Aus=-43,Ri=1.37kΩ,Ro =3kΩ
7
5.NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示,已知晶体管参数为β=
100,UBE(on)=0.7V,rbb'=200,忽略rce。电阻为Rs=500,RB1=33k,
RB2=10k,RC=4.7k,RE=2k,RL=5.1k,电源电压+VCC=+12V。
91
Ri RB1 / / RB2 / /rbe
1
1 1
1
2kΩ
33 10 2.68
Ro RC 4.7kΩ
Aus
Ri
Ri Rs
Au
2 0.5
2
91
73
Rs 500Ω
us
ui
RB2 10kΩ
RL 5.1kΩ
uo
+
RE 2kΩ CE
(1)IBQ=10.5μA ,ICQ=1.05mA,UCEQ=5V (2)Au=-91,Aus=-73,Ri=2kΩ,Ro=4.7kΩ 8
第二章模拟电路(康华光)课后习题答案
模拟电路(康光华)第二章课后习题答案2.4.1电路如图题2.4.1所示。
(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==(2)求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即1.406V ~1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。
图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。
图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。
图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止,为什么? 解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
模电第二章习题课
UOPP=?
解:(1)要求动态范围最大,应满足
I CQ RL U CEQ U CES U CC I CQ RC U CES 即I CQ ( 2 // 20 ) 12 2 I CQ 3 解得I CQ 3mA, I BQ 0.06mA 50 U U BE 12 0.7 RB CC 188K I BQ 0.06 I CQ
(2)RE短路时ICQ、UCEQ的值。
R (3) UB=0V ,RB开路时ICQ、UCEQ的值。
E
解:(1)要求UBQ=0,则有
IE U EE U BE RE 12 0.2 1mA 12
U CC I E RC RB U CC
IE RB 1 I E RC 1 12 1 1 51 561k IE 1
2.12电路如题图2.12所示。已知晶体管的β
=50,UBE=-0.2V,试求:
(1)UBQ=0时,RB的值。
(2)RE短路时ICQ、UCEQ的值。
(3) UB=0V ,RB开路时ICQ、UCEQ的值。
( 2) I BQ U EE U CC U BE 12 12 0.2 0.039mA RB (1 ) RC 561 51 1
第二章习题课
2.1 已知晶体管工作在线性放大区,并测得各电极对 地电位如题图2.1所示。试画出各晶体管的电路符号, 确定每管的b、e、c极,并说明是锗管还是硅管。
-8V
8V 0.7V 硅NPN 0V 题图(a) -0.7V 硅PNP 0V 题图(b) 9V 4.3V 锗NPN 4V 题图(d)
1V
2.26 电路如题图2.26所示,其中所有电容对信号可视为短路;
模拟电子技术基础第二章练习题
模拟电⼦技术基础第⼆章练习题注意:答案仅供参考!⼀、填空题1. 半导体三极管属于电流控制器件,⽽场效应管属于电压控制器件。
2. 放⼤器有两种不同性质的失真,分别是线性失真和⾮线性失真。
3. 共射极放⼤电路中三极管集电极静态电流增⼤时,其电压增益将变⼤;若负载电阻R L 变⼩时,其电压增益将变⼩。
4. 单级共射极放⼤电路产⽣截⽌失真的原因是静态Ic 偏⼩;产⽣饱和失真的原因是 Ic 偏⼤;若两种失真同时产⽣,其原因是输⼊信号太⼤。
5.静态⼯作点Q 点⼀般选择在交流负载线的中央。
6.静态⼯作点Q 点选得过低会导致截⽌失真;Q 点选得过⾼会导致饱和失真。
7.对于下图所⽰电路,设V CC =12V ,R b =510k Ω,R c =8 k Ω,V BE =,V CE (sat )=,当β=50,静态电流I BQ = 22µA ,I CQ = ,管压降V CEQ = ;若换上⼀个当β=80,静态电流I BQ = 22µA ,I CQ = ,管压降V CEQ = ,三级管⼯作在饱和状态。
8.对于下图所⽰电路,设V CC =12V ,三级管β=50,V BE =,若要求静态电流I CQ =2mA ,V CEQ =4V ,则电路中的R b = k Ω,R C = 4 k Ω。
9.对于下图所⽰电路,已知VCC =12V,Rb1=27 kΩ,Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,VBE=,现要求静态电流ICQ =3mA,则R= 12 kΩ。
10.已知图⽰的放⼤电路中的三级管β=40,VBE =,稳压管的稳定电压VZ=6V,则静态电流IBQ = ,ICQ= 11mA ,管压降VCEQ= 3V 。
11. 当环境温度升⾼时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放⼤系数β增⼤,穿透电流ICEO 增加,当IB不变时,发射结正向压降|UBE| 减⼩。
12.若下图所⽰放⼤电路在冬天调试时能正常⼯作,当到了夏天后,发现输出波形失真,且幅度增⼤,这时发⽣的失真是饱和失真,失真的主要原因是由于夏天室温升⾼后,三级管的 ICBO 、 V和β三个参数的变化,引起⼯作点上移;输出波形幅度增⼤,则是因为β参数随温度升⾼⽽增⼤所造成,输出波形幅度增⼤也是引起失真的⼀个原因。
模拟电路习题2
《模拟电路》习题2一、单项选择题1.三极管工作于放大状态的条件是()。
A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏2.带射极电阻R e的共射放大电路,在并联交流旁路电容C e后,其电压放大倍数将()。
A、减小B、增大C、不变D、变为零3.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为()。
A、10kΩB、2kΩC、4kΩD、3kΩ4.三极管电流源电路的特点是()。
A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大5.某NPN 型三极管的输出特性曲线如图所示,当V CE =6V ,其电流放大系数β为( )。
A 、100 B 、50 C 、150D 、256.多级放大电路的级数越多,则其( )。
A 、放大倍数越大,而通频带越窄B 、放大倍数越大,而通频带越宽C 、放大倍数越小,而通频带越宽D 、放大倍数越小,而通频带越窄7. 如图所示复合管,已知V1的β1=30,V2的β2=50,则复合后的β约为( )。
A 、1500B 、 80C 、 50D 、 308. RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( )。
A 、基本共射放大电路 B 、基本共集放大电路C 、反相比例运算电路D 、同相比例运算电路V 2V 19. 已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是()。
A、积分运算电路B、微分运算电路C、过零比较器D、滞回比较器二、填空题1.三极管工作在放大区时,它的发射结保持偏置,集电结保持偏置。
2.在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带。
3.在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是和电容,影响高频信号放大的是电容。
模拟电子技术复习题
( 2) 若 测 得 U i 和 U o 的 有 效 值 分 别 为 1 mV 和 100 mV, 则 负 载 电 阻 R L 为 多 少 千 欧 ?
2. 下图所示电路中,已知晶体管的β=100,UBEQ=0.6V,rbb'=100Ω,Vcc=10V。 (1) 求静态工作点; (2) 画中频微变等效电路图; (3) 求 Au 和 Aus;
(2)晶体管的 rbe 为 rbe= rbb + (1 + 放大电路的电压放大倍数为
)
I2E(6(Q mmVA))
300
+
61
26 1.32
1502W
Au
Ui
Ic (RC // RL ) I b rbe
RL rbe
60
放大电路的输入电阻和输出电阻为
Ri= Rb1// Rb2// rbe =1.36 kW Ro Rc =3 kW
3. 电 路 如 图 所 示 , 晶 体 管 的 = 80, rbe=1kΩ 。 (1)求 出 Q 点; ( 2) 分 别 求 出 R L= ∞ 和 R L= 3kΩ 时 电 路 的 Au 和 R i; (3)求出 Ro。
4. 电路如图所示,设VCC=15V,Rb1=60kΩ,Rb2=20KΩ,RC=3kΩ,Re=2kΩ, RS=600Ω,电容 C1,C2 和 C3 都足够大,β=60,UBE=0.7V,RL=3KΩ。试计算:
I BQ
I CQ
20μA
Rb
VCC U BEQ I BQ
565kW
( 2) 求 解 RL:
A u
Uo Ui
100
Au
RL'
模拟电路第二章习题
h
3
三、看图填空
h
4
解题分析:共发射放大电路(1)会静态工作点的求 解即可。565K;6K
(2)共射放大电路输出与输入相位相反。—120;
0.3V
四、解题分析:(1)图解法(如习题2.4)A(2) 利用基本共射放大电路的波形分析(书90页图) C(3)了解饱和失真,饱和失真时输出电压波形 产生底部失真B(4)为消除饱和失真,就要适当 降低Q点,可以增大基极电阻减小基极静态电流 从而减小集电极静态电流。也可以减小集电极电 阻以改变负载线斜率,从而增大管压降。B
h
17
即求共射放大电路的动态参数(微变等效电路法)
h
18
2.6 电路如图P2.6所示,已知晶体管β=120, UBE0.7V
饱和管压降UCES 0.5V.在下列情况下,用直流电压表测 晶体管的集电极电位,应分别为多少?
(1)正常情况 (2)Rb1短路 (3)Rb1 开路 (4)Rb2 开 路 (5)Rb2 短路(5)RC短路
答案:根据电路接法可能是耗尽型场效应 管:N、P沟道
h
7
习题
2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误, 使它们有可能放大正弦波信号。要求保留 电路原来的共射接法。
h
8
解题分析:类似自测题二。答案略
h
9
2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交 流通路。设所有电容对交流信号均可视为 短路。
h
10
解题分析:对于直流通路:电容视为开路;电感线圈视为 短路;信号源视为短路但应保留其内阻。
对于交流通路:容量大的电容视为短路;无内阻的直流电 源视为短路
第2章模拟电子技术练习题
第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示,二极管为理想元件,t sin 3u i ω=V ,U=3V ,当ωt = 0 瞬间,输出电压 u O 等于何值? A . 0 V B . 3 VC . —3 VD . 0.7Vu O题2-1图2-1正确答案是A .提示:ωt = 0 瞬间u i = 0,二极管D 的阳极为电位最低点,因而此时二极管D 承受反向电压截止,0u u i 0==。
2-2 电路如题2-2图所示,二极管D 为理想元件,U S =5 V ,则电压u 0等于多少? A .U s B .U S / 2 C .0V D .0.7Vu O题2-2图2-2正确答案是A .提示:二极管承受正向电压而导通,二极管D 为理想元件,所以电阻两端电压应等于电压源电压,即u O = U s 。
2-3 电路如题2-3图所示,D 1,D 2 均为理想二极管,设V 6U 2=, U 1 的值小于 6V , 则U 0 为多大?A .+12VB .+6VC .U 1D .U 1 - U 2O题2-3图2-3正确答案是C .提示:D 1,D 2 均承受正向电压而导通,二极管为理想元件。
所以 u O = U 1 。
2-4 在同一测试条件下,测得三个同型号二极管的参数如下表所示,其中性能最好的一个二极管是哪一个?2-4提示:其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。
2-5 电路如题2-5图所示,A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少?A .0.3VB .-2.3VC .1.0VD .1.3VΩ100k Ω18k Ω6k ΩB题2-5图2-5正确答案是A .提示:先将二极管摘开,求出A 点和B 点的电位:Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况:二极管承受正向电压而导通,2AP15是锗管,导通管压降为0.3V 。
《电路与模拟电子技术》第二版 第二章习题解答
第二章 电路的基本分析方法2.1 求题2.1图所示电路的等效电阻。
解:标出电路中的各结点,电路可重画如下:(b)(a)(c)(d)6Ω7ΩΩaaabb bddcb(a)(d)(c)(b)bΩ4Ω(a )图 R ab =8+3||[3+4||(7+5)]=8+3||(3+3)=8+2=10Ω (b )图 R ab =7||(4||4+10||10)=7||7=3.5Ω(c )图 R ab =5||[4||4+6||(6||6+5)]=5||(2+6||8)=5||(2+3.43)=2.6Ω(d )图 R ab =3||(4||4+4)=3||6=2Ω(串联的3Ω与6Ω电阻被导线短路)2.2 用电阻的丫-△的等效变换求题2.2图所示电路的等效电阻。
解:为方便求解,将a 图中3个6Ω电阻和b 图中3个2Ω电阻进行等效变换,3个三角形连接的6Ω电阻与3个星形连接的2Ω电阻之间可进行等效变换,变换后电路如图所示。
(a ) R ab =2+(2+3)||(2+3)=4.5Ω (b ) R ab =6||(3||6+3||6)=6||4=2.4Ω2.3 将题2.3图所示电路化成等效电流源电路。
bab a(b)(a)题2.2图(b)(a)题2.3图babΩ(a)(b)解:(a )两电源相串联,先将电流源变换成电压源,再将两串联的电压源变换成一个电压源,最后再变换成电流源;等效电路为(b )图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去(断开),与5A 恒流源串联的9V 电压源亦可除去(短接)。
两电源相并联,先将电压源变换成电流源,再将两并联的电流源变换成一个电流源,等效电路如下:2.4 将题2.4图所示电路化成等效电压源电路。
解:(a )与10V 电压源并联的8Ω电阻除去(断开),将电流源变换成电压源,再将两串联的电压源变换成一个电压源,再变换成电流源,最后变换成电压源,等效电路如下:(b )图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去(断开),与2A 恒流源串联的4Ω亦可除去(短接),等效电路如下:(a)(b)题2.4图abaababab abb bbb2.5 用电源等效变换的方法,求题2.5图中的电流I 。
(完整版)模拟电路部分习题答案
1.放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ计算如下。
根据题3-9图所示电路列写直流负载线方程如下:
分别令IC=0,UCE=0,代入直流负载线方程,得到负载线上两个坐标点,M(3,0),N(0,1),连接M、N得到直流负载线。
根据直流通路,得基极静态工作电流为
直流负载线MN与iB=IB=15.3μA的输出特性曲线的交点Q就是静态工作点。Q点坐标为
(5)错;晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过,只有在截止状态时没有电流流过。
(6)对;N型半导体中掺入足够量的三价元素,不但可复合原先掺入的五价元素,而且可使空穴成为多数载流子,从而形成P型半导体。
(7)对;PN结在无光照、无外加电压时,处于动态平衡状态,扩散电流和漂移电流相等。
(8)错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零,有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3.怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏?
2.RL=∞时,输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。
若RL=∞,交流负载线斜率与直流负载线斜率相同,为
如题3-9图b所示。
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3.若RL=7kΩ,交流负载线斜率为
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3-6如题3-12图所示放大电路中,已知晶体管的β=100,UBE=-0.3V。
3.输入电阻和输出电阻。
解:
1.静态工作点计算
2.电压增益AU。
本题目电路中,有旁路电容C,此时放大电路的电压增益为,
3.输入电阻和输出电阻的计算。
解:
a不能。没有直流偏置,不能提供合适的静态工作点。
模电第二章习题参考答案
第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时,应使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。
2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。
3.温度升高时,三极管的电流放大系数β增大,反向饱和电流I CBO增大,正向结电压U BE下降。
4. 有两只三极管:A管β=200,I CEO=200μA;B管β=80,I CEO=10μA,其他参数大致相同,一般应选B管。
5.共射基本电路电压放大倍数为负值,说明输出信号与输入信号相位相差180o。
6.放大电路未输入信号时的状态称为静态,其在特性曲线上的点称为静态工作点;有输入信号时的状态称为动态,动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。
7.在放大电路的下限截止频率处,幅度的放大倍数为中频处的0.707倍,这主要是由电路的频率失真引起的。
8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流(输出电流),所以它是一个电压控制电流源(或电压控制)器件。
二、判断题1.由于放大的是变化量,所以在输入直流信号时,任何放大电路的输出量都没有变化。
(×)提示:直接耦合放大电路就有变化。
2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立,(√)它只能放大交流信号。
(√)3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。
(×)提示:增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常,JFET在漏极与源极互换时,仍有正常放大作用。
(√)三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V,U2=6V,U3=2.7V,则三极管三个电极为(B)。
A.①管脚为发射极,②管脚为基极,③管脚为集电极;B.①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极;C.①管脚为集电极,②管脚为基极,③管脚为发射极;D. ①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极。
2.在共射基本放大电路中,集电极电阻R C的作用是(C)。
A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短,把放大了的电流转换成电压。
深圳大学模拟电路第2章习题及答案
12V VCC
60k Rb1
VCEQ VCC I CQ Rc I EQ Re
Rc
3k
VCC I CQ (Rc Re )
+ vo RL 6k
C1 + vi Rb2 20k iB Re 2k
-第二章 双极结型三极管及放大电路基础-
习题:2.9
分别求电压增益、输入电阻和输出电阻。1)vs2=0,从集电极输 出;2)vs1=0,从集电极输出;3)vs2=0,从发射极输出。
ib R c R c AV ib rbe 1 ib Re rbe 1 Re Ri ib rbe 1 ib Re ib rbe 1 Re
A IA
A:集电极 2mA
IB
B: 基极
2.04mA
C
IC
B
2 50 0.04
NPN管
0.04mA
-第二章 双极结型三极管及放大电路基础-
习题:2.3
BJT输出特性曲线及电路如图所示,电流源电流30微安,集电极电阻 1k,VCC=12V。求该电路中的IBQ、ICQ和VCEQ的值。
iC 2mA 200 iB 10 A
iC
C2
12 1.15 5 6.25
iE
CE
-
I BQ
I CQ β
19.2A
-第二章 双极结型三极管及放大电路基础-
习题:2.5
2)求输入电阻rbe;3)用小信号模型分析法求AV
12V VCC
60k Rb1
ib
ic
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析:本题为共集电极电路,微变等效电路 法。按步骤套公式。
2.13 电路如图P2.13所示,晶体管的β=60, Rbb’=100Ω。 (1)求解Q点、Au、Ri和Ro; (2)设Us=10mV(有效值),问Ui=? Uo=?若C3开路,则Ui=? Uo=?
2.14改正图P2.14所示各电路中的错误,使它们有可能放大 正弦波电压。要求保留电路的共源接法。
2.17
2.18 图P2.18中的哪些接法可以构成复合管? 标出它们等效管的类型(如NPN型、PNP 型、N沟道结型……)及管脚(b、e、c、d、 g、s)。
答案:根据电路接法可能是耗尽型场效应 管:N、P沟道
习题
2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误, 使它们有可能放大正弦波信号。要求保留 电路原来的共射接法。
解题分析:类似自测题二。答案略
2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交 流通路。设所有电容对交流信号均可视为 短路。
解题分析:对于直流通路:电容视为开路;电感线圈视为 短路;信号源视为短路但应保留其内阻。 对于交流通路:容量大的电容视为短路;无内阻的直流电 源视为短路
析:参考习题2.4 3.28V和2.12V
2.11 电路如图P2.11所示,晶体管的β=100, Rbb’=100Ω。 (1)求电路的Q点、Au、Ri和Ro; (2)若改用β =200的晶体管,则Q点如何变化? (3)若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生 变化?如何变化?
Sh Dr
(2) (3)
(5)有异议(可分两种理解) (6)
VCC Rb2 Rc
Rb1
T i tl e
Si ze B
Num be r
2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80, Rbb’=100Ω。分别计算RL=∞和RL=3kΩ 时的Q点、Au、Ri 和Ro。
本题主要考查共射放大电路中基本参数的求法。 (参考习题2.4)(微变等效电路法)
五、直接耦合基本放大电路总结如下表
基本 组态 共射 居中
共集 大 共基 小 共源 很大
Ri 大小
RO
大小
电压放大 能力
电流放大 能力
输入输出 相位关系
高频特性
大 小 大 居中 居中
有 无 有 有 无
有 有 无 有 有
反相 同相 同相 反相 同相
居中 居中
频率特性 最好
共漏 很大
六、了解场效应管放大电路特性
析:(1)画出交、直流通路进行静态和动 态分析,按步骤和公式进行即可 (2)Q点降低,管子可能出现截止失真 (3)由交流通路和公式即可知道
2.12 电路如图P2.12所示,晶体管的β=80, rbe=1kΩ。(1)求出Q点; (2)分别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的 Au和Ri和Ro。
注意:在空载和带负载情况下,电路的静 态电流和be间的动态电阻均相等
2.9 已知图P2.9所示电路中晶体管的β= 100,rbe=1.4kΩ。 (1)现已测得静态管压降UCEQ=6V,估 算Rb约为多少千欧; (2)若测得ui和uo的有效值分别为1mV和 100mV,则负载电阻RL为多少千欧?
2.3分别判断图P2.2(a)、(b)所示两电路各是共 射、共集、共基放大电路中的哪一种,并写析:共什么极是指哪个极为输入回路和输出回路的公共端。(交流通 路)
(a)共射(b)共基 即求解电路的静态和动态参数
本题静态参数求解错误多!
2.4 电路如图P2.4(a)所示,图(b)是晶体管的 输出特性,静态时 U =0.7V。利用图解法分别求 出 R =∞和 R =3kΩ时的静态工作点和最大不失 U 真输出电压 (有效值)。
第二章 基本放大电路 习题
熊娟
自测题
解题分析:组成放大电路时应遵循以下原则: 第一,要有直流通路,并保证合适的直流偏置。 第二,要有交流通路,即待放大的输入信号能加到晶 体管的发射结或场效应管栅源极之间,而且放大了的信号 能从电路中取出。 用上述原则判断电路是否有放大作用。(可以画出直流和交 流通路判断,主要是交流通路)
BE
CES
b2
b2
C
解题分析:本题考查晶体管在饱和截止等状态下集电极电位的算法。 题图的直流通路如下所示:
VCC Rb2 Rc
Rb1
Ti tl e
Si ze B Dat e:
Num be r
28-Apr-2010
VCC Rb2 Rc
Rb1
解题过程:(1)
Ti tl e Si ze B Dat e: Fi le: 4 5 28-Apr-2010 E: \熊 娟盘 \软 件\MyDesi gn1.ddb Num ber
即求共射放大电路的动态参数(微变等效电路法)
2.6 电路如图P2.6所示,已知晶体管β=120, U 0.7V 饱和管压降U 0.5V.在下列情况下,用直流电压表测 晶体管的集电极电位,应分别为多少? Rb1 开路 (4) Rb1 短路 (3) (1)正常情况 (2) R 开 R 短路(5) R 短路 路 (5)
析:该电路为阻容耦合共射放大电路,取 U (1)考查 Rb 对静态工作点的影响。565K (2)考查动态参数。2.6K
BEQ
0.7V
2.10 在图P2.9所示电路中,设静态时ICQ =2mA,晶体管饱和管压降UCES=0.6V。 试问:当负载电阻RL=∞和RL=3kΩ时电 路的最大不失真输出电压各为多少伏?
BEQ
L
L
OM
对于放大电路与负载直接耦合的情况下,直流负载线与交流负载线是同 一条直线;而对于阻容耦合放大电路情况,只有在空载情况下,两条直 线才合二而一。
(一般取饱和管压降为0.7V)(最大不失真输出电压的求法参考课本92页) 本题为直接耦合共射放大电路
2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β =80,rbe=1kΩ,ui=20mV;静态时 UBEQ=0.7V,UCEQ=4V,IBQ=20μA。 判断下列结论是否正确,凡对的在括号内 打“√ ”,否则打“×”。
答案:(a)不能(b)可能(c)不能(d)不能(e)不能(f)不能(g)可能 (h)可能(i)不能
三、看图填空
解题分析:共发射放大电路(1)会静态工作点的求 解即可。565K;6K (2)共射放大电路输出与输入相位相反。—120; 0.3V 四、解题分析:(1)图解法(如习题2.4)A(2) 利用基本共射放大电路的波形分析(书90页图) C(3)了解饱和失真,饱和失真时输出电压波形 产生底部失真B(4)为消除饱和失真,就要适当 降低Q点,可以增大基极电阻减小基极静态电流 从而减小集电极静态电流。也可以减小集电极电 阻以改变负载线斜率,从而增大管压降。B