PESD0201MS05超低电容高分子ESD静电保护二极管TVS厂家DCY品牌推荐

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0201超小封装ESD保护器件

0201超小封装ESD保护器件

0201封装的超小型ESD保护器件上海英联电子科技有限公司徐宁杨永华一、前言ESD被认为是电子产品质量最大的潜在杀手,影响产品的可靠性,静电防护也就成为电子产品质量控制的一项重要内容。

最有效的ESD保护方法是设备的连接器或端口处放置外部保护元件。

0201尺寸的硅基ESD器件比上一代0402型的器件大约缩小了70%,能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠性。

上海英联电子推出的UM5051/5052是一款低容值(12pF)的ESD保护器件,实际大小仅为0.6mm x 0.3mm x 0.3mm,为设计师们在空间受限的应用中提供了灵活性。

双向保护消除了在PCB板上安装时的方向限制,而且也不会损失负电平信号。

二、UM5051/5052的重要参数英联的UM5051、UM5052具有低漏电流、低容值、低钳位电压等特点,DFN的封装可以有效的降低抛料率,降低成本,增加贴片效率。

0201的超小封装,其ESD抗冲击性能达到了IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV (空气)和±25kV(接触)的标准。

主要参数如表1所示:表1 特性参数表为方便理解参数,图1为单向ESD保护管的特性曲线图。

图 1 单向ESD保护管特性曲线图图 2 ESD放电波形图1、击穿电压V BR (Reverse Breakdown Voltage): 在指定测试电流下ESD保护管发生雪崩击穿时的电压,它是ESD保护管最小的击穿电压。

为了满足IEC61000-4-2标准,ESD保护管必须达到可以处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的冲击,有的半导体生产厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。

上海英联电子的UM5051、UM5052,达到了IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV (空气)和±25kV(接触)的标准。

2、反向关断电压V RWM(Reverse Peak Working Voltage)和反向漏电流I D(Reverse Leakage Current):指 ESD保护管最大连续工作的直流或脉冲电压。

TVS ESD 二极管介绍与应用说明

TVS ESD 二极管介绍与应用说明

TVS ESD 二极管介绍与应用说明便携式设备的ESD保护十分重要,而TVS二极管是一种十分有效的保护器件,与其它器件相比有其独特的优势,但在应用时应当针对不同的保护对象来选用器件,因为不同的端口可能受到的静电冲击有所不同,不同器件要求的保护程度也有不同。

要注意相应的参数鉴别以及各个生产商的不同设计,同时还要进行合理的PCB布局。

本文介绍在便携式设备的ESD保护中如何应用TVS二极管器件。

便携式设备如笔记本电脑、手机、PDA、MP3播放器等,由于频繁与人体接触极易受到静电放电(ESD)的冲击,如果没有选择合适的保护器件,可能会造成机器性能不稳定,或者损坏。

更坏的情况是查不出确切的原因,使用户误认为是产品质量问题而损坏企业信誉。

一般情况下,对此类设备暴露在外面可能与人体接触的端口都要求进行防静电保护,如键盘、电源接口、数据口、I/O口等等。

现在比较通用的ESD标准是IEC61000-4-2,应用人体静电模式,测试电压的范围为2kV~15kV(空气放电),峰值电流最高为20A/ns,整个脉冲持续时间不超过60ns。

在这样的脉冲下所产生的能量总共不超过几百个微焦尔,但却足以损坏敏感元器件。

便携式设备所采用的IC器件大多是高集成度、小体积产品,精密的加工工艺使硅晶氧化层非常薄,因而更易击穿,有的在20V左右就会受到损伤。

传统的保护方法已不再普遍适用,有的甚至还会造成对设备性能的干扰。

TVS二极管的特点可用于便携式设备的ESD保护器件有很多,例如设计人员可用分立器件搭建保护回路,但由于便携设备对于空间的限定以及避免回路自感,这种方法已逐渐被更加集成化的器件所替代。

多层金属氧化物器件、陶瓷电容还有二极管都可以有效地进行防护,它们的特性及表现各有不同,TVS二极管在此类应用中的独特表现为其赢得了越来越大的市场。

TVS二极管最显着的特点一是反应迅速,使瞬时脉冲在没有对线路或器件造成损伤之前就被有效地遏制,二是截止电压比较低,更适用于电池供电的低电压回路环境。

瞬变抑制二极管(TVS)

瞬变抑制二极管(TVS)
¾ ESD是以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、 静电放电效应、电磁效应(如电磁干扰)及静电 防护等的学科
¾ 近年来静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI) 及电磁兼容性(EMC)问题也日益严重,ESD防护 的重要性被提到前所未有的高度
Protection Components & Devices 4
TVS的应用
TVS广泛应用于: 1.各类电源系统 2.家用电器 3.工控回路及仪器仪表(电度表) 4.通讯设备 5.计算机及网络设备系统 6. I/O端口
Protection Components & Devices 25
பைடு நூலகம்
高精度TVS产品列表
(1)高精度微封TVS系列 (2)高精度600W TVS系列
深圳市威特科电子有限公司 VTVS
Room B98, 2nd Section, 4th Floor, 207 Building, NanYou 2nd industrial Estate, NanShan, Shenzhen, China
Sales @
双向TVS IV特性曲线图
Protection Components & Devices 23
TVS的优点
优点: 1.箝位系数小 2.体积小 3.响应速度快(10-12s) 4.可重复使用,可靠性高等。
Protection Components & Devices 24
低压低电容TVS 的应用
1.高速数据线保护 B端口保护 3.便携式设备保护(如手机,PDA等) 4.局域网和宽带网设备保护 5.交换系统保护以及以太网
交换机保护
Protection Components & Devices 36

esd二极管选择参数

esd二极管选择参数

ESD二极管选择参数引言静电放电(Electrostatic Discharge,简称ESD)是指由于静电的积累而导致的突发放电现象。

ESD事件可以对电子设备和元器件造成严重的损害,例如引起功能失效、数据丢失或器件完全损坏。

为了保护电子设备免受ESD的影响,常常需要在电路中使用ESD保护元件,其中ESD二极管是一种常用的解决方案。

本文将从ESD二极管的基本原理、选择参数以及应用注意事项等方面进行详细介绍,以帮助读者了解如何正确选择和使用ESD二极管。

ESD二极管的基本原理ESD二极管(ESD Diode)是一种可控的击穿二极管,也称作防护二极管(Protection Diode)。

ESD二极管通常由静电击穿电压比较低的反向击穿结构构成,用于提供对静电放电的保护。

ESD二极管通常由硅材料制成,具有快速响应时间、低电压降和高电流负载能力等特点。

当外部静电放电事件发生时,ESD二极管会迅速响应并将电流导向地或电源,有效保护被保护器件。

ESD二极管的选择参数选择适合的ESD二极管参数对于正确实现ESD保护至关重要。

下面是一些常见的ESD二极管的选择参数说明:1. 反向击穿电压(Vr)反向击穿电压是指ESD二极管在反向工作电压下发生击穿的电压,也是表征ESD二极管耐受静电放电能力的重要指标。

根据设计需求,选择一个适当的反向击穿电压是非常重要的。

一般来说,反向击穿电压应大于预期的最高工作电压。

2. 响应时间(tR)ESD二极管的响应时间是指从外部静电放电事件开始到ESD二极管完全响应并进入低阻态的时间。

响应时间越短,ESD二极管对静电放电的保护效果越好。

选择具有快速响应时间的ESD二极管可以提供更好的ESD保护。

3. 最大浪涌能量最大浪涌能量是指在一定时间内ESD二极管能够吸收的能量。

选择具有更高最大浪涌能量的ESD二极管可以提供更好的ESD保护能力。

4. 最大工作电流最大工作电流是指ESD二极管在正向工作电流模式下能够持续工作的最大电流。

esd二极管的主要参数

esd二极管的主要参数

esd二极管的主要参数摘要:一、ESD 二极管的概念与作用二、ESD 二极管的主要参数1.钳位能力2.响应速度3.电容4.电流5.电压三、ESD 二极管的应用领域四、ESD 二极管的优点及选购注意事项正文:一、ESD 二极管的概念与作用ESD 二极管,即静电放电保护二极管,是一种用于静电防护的半导体器件。

其主要作用是在电路中对静电放电进行保护,防止静电放电对电路造成损害。

二、ESD 二极管的主要参数1.钳位能力:ESD 二极管的钳位能力是指其能够在多大的电压范围内限制电压波动。

当电路中出现静电放电时,ESD 二极管能够快速响应,将电压限制在安全范围内,保护电路免受损坏。

2.响应速度:ESD 二极管的响应速度是指其对静电放电的反应速度。

ESD二极管具有较快的响应速度,能够在纳秒级别内快速响应,有效抑制静电放电对电路的影响。

3.电容:ESD 二极管的电容是指其存储电荷的能力。

低电容的ESD 二极管可以减少对电路中信号的影响,保持信号的完整性。

4.电流:ESD 二极管的电流是指其导通电流。

当电路中出现静电放电时,ESD 二极管能够迅速导通,将电流引入地线,消除静电放电对电路的影响。

5.电压:ESD 二极管的电压是指其工作电压范围。

ESD 二极管通常具有较低的工作电压,以降低对电路中其他元件的影响。

三、ESD 二极管的应用领域ESD 二极管广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域,如USB 接口、HDMI 接口、显示器接口等,以保护电路免受静电放电的损害。

四、ESD 二极管的优点及选购注意事项ESD 二极管具有体积小、钳位能力强、响应速度快、电容低、电流大、电压低等优点,是静电防护的理想选择。

TVS管与ESD保护二极管的区别

TVS管与ESD保护二极管的区别

TVS管与ESD保护二极管的区别TVS瞬态电压抑制这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.ESD静电放电保护这里的ES主要是三种模型所表述.其中主要应用是HBM 和MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏. 典型的HBM CLASS 1C模型规定一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了.典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样.ESD和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高.通过分别对其进行符合IEC61000-4-2标准的+/-8KV接触放电,分析捕获的IEC应波型可以得知,TVS保护性能强过贴片压敏很多倍.压敏电阻采用物理吸收原理,每经过一次ESD事件,材料就会受到一定物理损伤,形成永久性的漏电通道,而TVS是采用的半导体钳位原理,在经历ESD事件时,瞬间将能量传递出去,对器件本身并无影响.在结电容方面两者都可以做到1pF以下.0603-060E0R20P-LF 压敏电阻是0603封装工作电压5v,容值0.2pf是业界中目前最低的容值.主要用在HDMI和VGA端口,但是其它端口也可以使用.性能及特点:1.极低电容量(<0.2pF),提供理想的高速数据传输端口保护.2.频率响应范围:0-6GHZ3.接触放电: 8KV (IEC 61000-4-2)空气放电:15KV (IEC 61000-4-2)ESD静电放电保护快速反应时间<1ns,完全通过IEC 61000-4-2静电放电抗扰度国际试验标准.BS0060SS(SOD-123)超小结电容TSS管特点:满足IEC61000-4-5 浪涌承受能力:15A(10/1000μS)IEC 61000-4-2 (ESD) ± 15 kV (air), ± 8 kV (contact)无极性、双向浪涌保护、吸收特性良好他们应用的场合不同,TVS一般用于处级和次级保护,而ESD主要用于板级保护.TVS(transient voltage suppressor) ,而ESD( Electrolstatic discharge ).选择TVS 一般是看器件的功率和封装,ESD器件一般看中的是它的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O很重视它的C.当然他们的ppk.IPP.VC.Vbr.Vm 也都很重要.具体的内容大家可以参考MICROSEMI/ONSEMI/PROTECKDEVICES等公司的网站.一般都有比较专业的介绍.提供系统可靠性及稳定性的重要措施---ESD保护器件ESD脉冲、电源瞬变、浪涌等现象是损坏芯片的主要原因。

esd保护二极管参数

esd保护二极管参数

esd保护二极管参数ESD保护二极管是一种用于保护电子设备免受静电放电(ESD)损害的重要元件。

它在电子设备中起到了关键的作用,能够有效地吸收和分散静电能量,保护设备免受损坏。

本文将从ESD保护二极管的参数入手,介绍其重要性、工作原理以及常见的参数。

ESD保护二极管的参数是评估其性能和适用性的重要指标。

以下是一些常见的ESD保护二极管参数:1. 静电击穿电压(ESD Rating):静电击穿电压是指ESD保护二极管能够承受的最大静电放电电压。

一般来说,静电击穿电压越高,说明ESD保护二极管对静电放电的抵抗能力越强,保护效果越好。

2. 耗散功率(Power Dissipation):耗散功率是指ESD保护二极管能够承受的最大功率。

在正常工作状态下,ESD保护二极管会将静电能量转化为热能进行耗散。

耗散功率越大,说明ESD保护二极管能够吸收和分散更多的静电能量,保护设备的能力越强。

3. 容量(Capacitance):容量是指ESD保护二极管两端之间的电容。

ESD保护二极管的容量会对信号传输产生影响,因此需要根据具体应用场景选择合适的容量。

一般来说,容量越小越好,以减少对信号的影响。

4. 动态电阻(Dynamic Resistance):动态电阻是指ESD保护二极管在工作时的电阻值。

它能够衡量ESD保护二极管对静电放电的响应速度,越小越好。

动态电阻的大小直接影响到ESD保护二极管的保护效果,因此需要根据具体需求选择合适的动态电阻。

5. 电流(Current):电流是指ESD保护二极管能够承受的最大电流。

在静电放电时,ESD保护二极管需要能够承受瞬时的大电流。

因此,较高的电流能力是ESD保护二极管的重要参数。

6. 响应时间(Response Time):响应时间是指ESD保护二极管从静电放电开始到吸收和分散静电能量的时间。

响应时间越短,ESD 保护二极管对静电放电的响应速度越快,保护效果越好。

7. 封装类型(Package Type):封装类型是指ESD保护二极管的外包装形式。

esd静电管类型

esd静电管类型

esd静电管类型
ESD静电管(Electrostatic Discharge Protection Devices)是用于电子设备中保护电路免受静电损害的器件。

根据其工作原理和应用,ESD静电管有多种类型,以下是一些常见的类型:
1. 瞬态电压抑制二极管(TVS Diodes):这是一种特殊的晶体二极管,能够在遇到瞬态电压时提供低阻抗路径,从而保护电路不受损坏。

TVS二极管具有快速响应时间和高浪涌电流能力,常用于电子设备的端口保护,如USB端口、HDMI 端口等。

2. 半导体放电管(Semiconductor ESD Protection Devices):这类器件利用半导体材料的击穿机制来提供静电放电通路。

它们通常具有较低的电容和更快的响应速度,适用于高速数据线路和微波电路的ESD保护。

3. 金属氧化物压敏电阻(MOV Diodes):MOV二极管是一种特殊的电阻器件,能够在遇到瞬态电压时提供高阻抗,从而限制电流并防止电路受损。

这种器件常用于电源系统和总线系统的ESD保护。

4. 气体放电管(Gas Discharge Tubes):这类器件利用气体放电原理来提供静电放电通路。

它们通常具有较高的电容和较慢的响应速度,适用于低频、大电流和高电压的应用场景,如电源系统和电机控制系统的ESD保护。

此外,还有一些特殊的ESD静电管,如结型静电保护二极管(Junction ESD Protection Devices)和场效应管(Field-Effect Transistors),这些器件也广泛应用于电子设备的ESD保护中。

在选择合适的ESD静电管时,需要根据具体的应用场景和电路需求进行考虑,如电压等级、电流等级、响应速度、电容值等因素。

ESD保护电路为什么要接0.1uf电容

ESD保护电路为什么要接0.1uf电容

我们在实际的生活过程中,有很多接口都会与人直接接触,人体会带有大量的静电,由于现在的IC工艺线宽越来越小,其耐静电能力也越来越小,如果不对其防止,有可能导致静电击穿接口内部的IC,导致功能失常。

对于一般的低俗信号和电源接口防静电我们一般采用压敏电阻,简单的TVS管,或者是双向的瞬态开关管即可。

但是在一些高速信号线上我们就要采用一些的电容的TVS管来防止,因为随着信号频率的上升,对阻抗要求越来越高,如果有附件的电容接在信号线上,将会导致阻抗不匹配,影响信号的质量,如果信号频率很高的话,可能会导致信号的失真。

今天主要看了一下leiditech的两个低电容TVS防静电管。

对于信号线防静电,要在电源和地网络上接一个TVS管,然后信号先上接上以对低电容的瞬态响应二极管,当有ESD脉冲是,通过一个二极管连接到TVS管上,TVS管形成一个低阻抗通路保护ic免收静电冲击,如果只是接二极管的话,因为线上有寄生的电感,ESD脉冲的电流变化相当快,电感会感应出一个较大的电压,冲坏IC。

对于不能复位和重启的电路上,在VDD端接一个0.1uf的电容,来滤除ESD过后形成的一个脉冲。

对于高速的信号比如HDMI,DVI等口,传输速率达到GHZ,因此,我们需要更低的寄生电容,同时还需要对PCB的laylout进行优化保证一个阻抗的匹配,防止信号反射。

esd静电二极管工作电压

esd静电二极管工作电压

esd静电二极管工作电压ESD静电二极管是一种用于保护电子设备免受静电损害的重要元件。

它的工作电压是指在正常工作条件下,静电二极管所能承受的最大电压。

本文将详细介绍ESD静电二极管的工作电压及其相关知识。

我们需要了解ESD静电二极管的基本结构和原理。

ESD静电二极管通常由一对PN结组成,其中P型区域寄生在N型区域中。

当静电电荷接触到二极管时,会产生电场,将电荷引导到P型区域中,从而消除静电电荷的积累。

ESD静电二极管的工作电压是指在正常工作条件下,静电二极管所能承受的最大电压。

工作电压通常由制造商在规格书中给出。

ESD 静电二极管的工作电压范围一般从几伏到几百伏不等,具体取决于其结构和材料。

静电二极管的工作电压对于保护电子设备免受静电损害至关重要。

静电产生的高电压脉冲有可能瞬间击穿电子器件,导致设备损坏甚至失效。

而ESD静电二极管能够在静电电荷接触到设备时迅速导流,将电压降低到安全范围,从而保护设备的正常运行。

ESD静电二极管的工作电压与其结构和材料有关。

一般来说,工作电压越高,静电二极管的保护能力就越强。

因此,在选择ESD静电二极管时,需要根据实际应用的电压需求来确定合适的工作电压范围。

ESD静电二极管的工作电压还受到环境条件的影响。

在高温、高湿度或高海拔等特殊环境下,静电二极管的工作电压可能会有所下降。

因此,在这些特殊环境下应特别注意选择合适的静电二极管。

除了工作电压外,ESD静电二极管还有其他重要的参数需要考虑,如静电耐受能力、响应时间、漏电流等。

这些参数都会影响静电二极管的保护性能和适用范围,因此在选择和应用时都需要综合考虑。

ESD静电二极管的工作电压是指在正常工作条件下,静电二极管所能承受的最大电压。

工作电压的选择与实际应用的电压需求密切相关,同时还需要考虑其他参数的影响。

在电子设备的设计和制造中,合理选择ESD静电二极管的工作电压,能够有效保护设备免受静电损害,提高设备的可靠性和稳定性。

TVS管与ESD保护二极管的区别

TVS管与ESD保护二极管的区别

TVS管与ESD保护二极管的区别TVS瞬态电压抑制这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.ESD静电放电保护这里的ES主要是三种模型所表述.其中主要应用是HBM 和MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏. 典型的HBM CLASS 1C模型规定一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了.典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样.ESD和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高.通过分别对其进行符合IEC61000-4-2标准的+/-8KV接触放电,分析捕获的IEC应波型可以得知,TVS保护性能强过贴片压敏很多倍.压敏电阻采用物理吸收原理,每经过一次ESD事件,材料就会受到一定物理损伤,形成永久性的漏电通道,而TVS是采用的半导体钳位原理,在经历ESD事件时,瞬间将能量传递出去,对器件本身并无影响.在结电容方面两者都可以做到1pF以下.0603-060E0R20P-LF 压敏电阻是0603封装工作电压5v,容值0.2pf是业界中目前最低的容值.主要用在HDMI和VGA端口,但是其它端口也可以使用.性能及特点:1.极低电容量(<0.2pF),提供理想的高速数据传输端口保护.2.频率响应范围:0-6GHZ3.接触放电: 8KV (IEC 61000-4-2)空气放电:15KV (IEC 61000-4-2)ESD静电放电保护快速反应时间<1ns,完全通过IEC 61000-4-2静电放电抗扰度国际试验标准.BS0060SS(SOD-123)超小结电容TSS管特点:满足IEC61000-4-5 浪涌承受能力:15A(10/1000μS)IEC 61000-4-2 (ESD) ± 15 kV (air), ± 8 kV (contact)无极性、双向浪涌保护、吸收特性良好他们应用的场合不同,TVS一般用于处级和次级保护,而ESD主要用于板级保护.TVS(transient voltage suppressor) ,而ESD( Electrolstatic discharge ).选择TVS 一般是看器件的功率和封装,ESD器件一般看中的是它的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O很重视它的C.当然他们的ppk.IPP.VC.Vbr.Vm 也都很重要.具体的内容大家可以参考MICROSEMI/ONSEMI/PROTECKDEVICES等公司的网站.一般都有比较专业的介绍.。

请问,TVS管,和PESD类的器件(如PESD5V0L1BA)有什么不一样?电磁兼容(E...

请问,TVS管,和PESD类的器件(如PESD5V0L1BA)有什么不一样?电磁兼容(E...

请问,TVS管,和PESD类的器件(如PESD5V0L1BA)有什么
不一样?电磁兼容(E...
TVS是瞬间电压抑制器件(Transient Voltage Suppressor)的总称和简称. TVS目前常用两大类: 二极管和压敏电阻(Varistor). 二极管类是利用反向PN节的雪崩效应实现电压嵌位。

没有正正意义上的防ESD的器件,因为上升沿实在是太陡了。

器件根本响应不了。

而我们的TVS管可以适当靠近这个值。

其实,现在市面上常用的静电防护器件除了TVS和Varistor外,还有一种叫做PESD。

但是NXP的这个型号并不是PESD器件。

所谓的PESD器件其电容值一般在0.05pf到0.3pf,主要是为了满足现在日趋增加的信号频率。

其静电防护原理主要是通过电极之间的高分子材料。

PESD是基于高分子材料的一种具有嵌位特点的过压保护器件,只能是双向保护,电容比较低,但是嵌位电压较高。

TVS管是基于硅材料齐纳或雪崩击穿实现的二极管,可以是双向也可以为单向,嵌位电压比较低
PESD的箝位电压比较高其实是以前的概念。

现在的PESD性能日趋成熟,其箝位电压可以做到20V或者十几V,在静电防护效果方面已经远远超过了Varistor。

优恩半导体新品0201系列TVS管

优恩半导体新品0201系列TVS管

UN Semiconductor unsemi 优恩半导体新品0201系列TVS 管
优恩半导体新推出0201/DFN0603封装尺寸ESD 静电保护器ESD05V02D-C,ESD05V 02D-C 是低电容TVS 阵列,封装尺寸小、体积小、漏电流低、结电容低。

该0201封装系列产品经过特别设计,用于ESD 保护和低级别的电涌保护,由于其封装小,非常适用于便携式电子产品的ESD 防护,从而帮助电路设计人员降低成本、节约电路板空间,可以通过IE C61000-4-2国际标准。

特性:
工作电压:5V
钳位电压:12V
漏电流:100nA
结电容:6pF 可通过IEC61000-4-2标准
优势:
封装尺寸小,可以满足可携式电子产品轻薄小巧对于组件封装的严苛要求,易于小的电路板空间设计,从而节省了PCB 占用和成本。

体积小,从而帮助电路设计人员降低成本、节约印刷电路板(PCB)空间,以达到在PCB 设计上兼具高聚集度及高度弹性的优势。

漏电流小,对信号的影响小。

业界领先的ESD 保护,满足IEC61000-4-2标准,为工程师带来更多的设计空间和更高的终端产品可靠性。

支持保护充满微型芯片的现代电子设备所需的低箝位电压。

应用领域:
可穿戴设备
笔记本、PC 机、服务器
手机及配件
个人数字助理(PDA's) 医疗设备
产品外观:。

TVS管,ESD保护,压敏电阻,自恢复保险丝之间的区别

TVS管,ESD保护,压敏电阻,自恢复保险丝之间的区别

TVS管,ESD保护,压敏电阻,自恢复保险丝之间的区别(一)一、TVS管TVS(Transient Voltage Suppresser瞬态电压抑制器)是普遍使用的一种新型高效电路保护器件,它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。

当它的两端经受瞬间的高能量冲击时,TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗,以吸收一个瞬间大电流,从而把它的两端电压钳制在一个预定的数值上,从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。

正因为如此,TVS可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压,以及感应雷所产生的过电压TVS管是瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor)的简称。

它的特点是:响应速度特别快(为ps级);耐浪涌冲击能力较放电管和压敏电阻差,其10/1000μs波脉冲功率从400W~30KW,脉冲峰值电流从0.52A~544A;击穿电压有从6.8V~550V的系列值,便于各种不同电压的电路使用。

TVS管有单向与双向之分(单向的型号后面的字母为“A”,双向的为“CA”),单向TVS管的特性与稳压二极管TVS管使用时,一般并联在被保护电路上。

为了限制流过TVS管的电流不超过管子允许通过的峰值电流IPP,应在线路上串联限流元件,如电阻、自恢复保险丝、电感等。

相似,双向TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联。

二、压敏电阻压敏电阻是一种限压型保护器件。

利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。

压敏电阻的主要参数有:压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。

压敏电阻的响应时间为ns级,比空气放电管快,比TVS管稍慢一些,一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。

压敏电阻主要可用于直流电源、交流电源、低频信号线路、带馈电的天馈线路。

压敏电阻的失效模式主要是短路,当通过的过电流太大时,也可能造成阀片被炸裂而开路。

静电保护二极管符号

静电保护二极管符号

静电保护二极管符号(最新版)目录1.静电保护二极管的概念2.静电保护二极管的符号3.静电保护二极管的作用4.静电保护二极管的应用场景5.静电保护二极管的选型要点正文静电保护二极管是一种用于保护电子设备免受静电放电损害的半导体元件。

当设备遭受静电放电时,静电保护二极管能够将大部分的静电电荷导入地线,从而保护设备免受损害。

下面我们将详细介绍静电保护二极管的符号、作用、应用场景以及选型要点。

一、静电保护二极管的概念静电保护二极管,又称 ESD 保护二极管,是一种特殊的二极管,用于防止静电放电对电子设备造成损害。

二、静电保护二极管的符号静电保护二极管的符号通常用英文字母“ESD”表示,其中的“E”代表 Electrostatic(静电),“S”代表 Static(静止),“D”代表 Diode (二极管)。

三、静电保护二极管的作用静电保护二极管主要有以下作用:1.将静电放电导入地线,保护设备免受损害。

2.限制放电电流,避免设备受到过大的电流冲击。

3.提高设备的抗干扰能力,保证设备正常工作。

四、静电保护二极管的应用场景静电保护二极管广泛应用于以下场景:1.电子产品制造生产线,如手机、电脑等设备。

2.电子设备维修、检测和调试。

3.实验室、研究所等研发场所。

4.电子元器件仓库、物流运输等环节。

五、静电保护二极管的选型要点在选择静电保护二极管时,需要考虑以下要点:1.静电保护能力:根据设备的静电敏感程度选择合适的静电保护二极管。

2.耐压值:选择耐压值略高于设备最大工作电压的静电保护二极管。

3.响应速度:选择响应速度快的静电保护二极管,以确保在静电放电发生时能够快速导入地线。

4.封装形式:根据设备的安装空间和外观要求选择合适的封装形式。

总之,静电保护二极管是保护电子设备免受静电放电损害的重要元件。

ESD二极管SRV05-4在SIM卡端口防护方案的静电防护应用

ESD二极管SRV05-4在SIM卡端口防护方案的静电防护应用

ESD二极管SRV05-4在SIM卡端口防护方案的静电防护应用SIM 卡数据线路保护一直是各个公司的产品重点,而且专门为此类端口设计的集ESD(TVS)/EMI/RFI 防护于一个芯片的器件,充分体现了片式器件的无限集成方案。

在这里硕凯电子要提醒各位电子工程师的是:在针对不同用途选择器件时,要避免使器件工作在其设计参数极限附近,还应根据被保护回路的特征及可能承受ESD 冲击的特征选用反应速度足够快、敏感度足够高的器件,这对于有效发挥保护器件的作用十分关键,另外集成它功能的器件也应当首先考虑。

应用器件:硕凯SOCAY瞬态抑制二极管:SRV05-4SRV05-4是低电容、低漏电流的瞬态抑制二极管(TVS)阵列,SOT-26封装,5V 工作电压,保护4 条I/O 高速数据线。

以下是SRV05-4的具体参数及静电防护原理。

SRV05-4的参数:封装:SOT-26电压:5V钳位电压:12.5V容值:1.2pF功率:350WSRV05-4是低电容、低漏电流的瞬态抑制二极管(TVS)阵列,SOT-26封装,5V 工作电压,保护4 条I/O 高速数据线。

SIM卡静电防护使用SRV05-4集成芯片,它由8支控向二极管构成两个“桥式”电路,共用了一支“雪崩二极管”,此种“桥式”电路对“正”的ESD经过导向由雪崩二极管进行箝位,而对“负”的ESD由控向二极管直接箝位,是非常好的ESD防护方案。

它可以保护四条数据线的安全,“桥式”电路的输出端接雪崩二极管,用来进行箝位吸收侵扰的ESD。

当有ESD侵扰时,正的浪涌进入”桥式”电路后,经正向的控向二极管导向传递到雪崩二极管,ESD浪涌被雪崩管箝位吸收,ESD浪涌从侵入到箝位吸收,经过了一只控向二极管和一个雪崩二极管串联到“地浪涌从侵入到箝位吸收,经过了一只控向二极管和一个雪崩二极管串联到“地”,控向二极管和雪崩二极管的串联减少了极间电容,称为“补偿”;负的浪涌进入”桥式”电路后,由负向的控向二极管直接箝位导向到地,不经过雪崩二极管,此积成芯片专门用于SIM/UIM卡的ESD防护。

基于静电防护的TVS保护电路与电容保护电路的对比评估

基于静电防护的TVS保护电路与电容保护电路的对比评估

基于静电防护的TVS保护电路与电容保护电路的对比评估作者:孙红艳童瑞婷谢伟来源:《科技资讯》2014年第33期摘要:针对静电放电(ESD)电流对设备内部芯片造成的功能性破坏,该文基于静电放电电流在电路板中传导的电气模型,并对静电放电波形进行频谱分析,分析表明静电放电干扰含有大量高频成分,丰富的高频成分会干扰到设备的正常工作。

然后,通过对比分析了典型的TVS电路和电容电路对ESD电流的抑制能力,并从理论和实验进行分析验证。

实验结果表明,两者的滤波效果在频域和时域两个方面有着一定的差别。

该文在此基础上提出基于TVS 和电容的芯片级保护方案,为产品的设计和整改提供借鉴。

关键词:静电放电滤波频谱分析静电放电保护中图分类号:TN432 文献标识码:A 文章编号:1672-3791(2014)11(c)-0092-03随着半导体工艺的不断发展,设备的工作电压越来越低,随之而来的ESD耐压能力也越来越差,由于ESD导致的电子设备功能失效或损坏的情况频频出现[1]。

TVS是一种新型高效电路保护器件,它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。

当它的两端经受瞬间的高能量冲击时,TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗,以吸收一个瞬间大电流,从而把它的两端电压箝制在一个预定的数值上,以保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。

传统的电容滤波也可以起到ESD保护作用,相比于TVS,其特点是体积小,成本低,易更换,不用考虑结电容问题[2]。

1 静电防护原理与建模静电放电通过两种渠道在传播,一种是感应的空气放电;另外一种是传导,感应的空气放电主要防护措施是屏蔽,主要考虑结构等方面的问题;传导的防护主要是吸收,一方面在入口处需要旁路低阻抗电路,另一方面需要对工作电压进行嵌位。

GB17626.2中对ESD抗扰度试验用的模型为HBM人体金属模型,为150 pf典型值电容与人体电阻330 Ω串联组成。

esd保护tvs阵列器件工作原理

esd保护tvs阵列器件工作原理

esd保护tvs阵列器件工作原理ESD保护TVS阵列器件工作原理引言:在当今的电子设备中,静电放电(ESD)问题是一个十分常见且严重的挑战。

如果不采取适当的防护措施,ESD可能会对电子设备造成损害,导致维修或更换零部件,从而增加了成本和维护时间。

为了解决这一问题,工程师们开发了许多不同类型的ESD保护器件,其中最常见和广泛使用的是TVS(Transient Voltage Suppression)阵列器件。

本文将介绍TVS阵列器件的工作原理以及其在防护电子设备中的应用。

一、静电放电(ESD)的原理及危害1. 静电放电的原理静电放电是指当两个物体之间存在电势差时,被电场作用导致电荷从一个物体传递到另一个物体的现象。

当人体或其他物体装载静电电荷时,当与地面或其他低电位物体接触时,静电电荷会迅速释放,产生大量的瞬态电流和高压脉冲。

2. ESD对电子设备的危害ESD释放产生的瞬态电流和高压脉冲可能会对电子设备造成严重损害。

这些影响可能包括电路中断、电源线电压过高、电子元件损坏、系统功能损坏等。

因此,为了保护电子设备免受ESD的危害,必须采取适当的措施来抑制和消除这些ESD释放的能量。

二、TVS阵列器件的基本概念与特点1. TVS阵列器件的定义TVS阵列器件是一种用于保护电子设备,抑制ESD和其他瞬态电压峰值的主动器件。

它通常由多个并联的二极管组成,可以快速响应并吸收电流和电压的瞬变,以防止这些能量传递到电子设备中敏感的电路单元。

2. TVS阵列器件的特点与优势- 快速响应时间:TVS阵列器件能够在纳秒级的时间内启动并吸收ESD事件产生的能量,从而有效保护电子设备。

- 高能量吸收能力:TVS阵列器件能够承受较大的电流和电压瞬变,确保电子设备免受ESD和其他瞬变电压的危害。

- 低动态电阻:TVS阵列器件具有较低的动态电阻,可以快速吸收过电压能量,但在正常工作条件下,对电流和电压的传导非常小。

三、TVS阵列器件的工作原理1. 双向二极管结构TVS阵列器件采用双向二极管结构,即两个PN结反向并联在一起,形成一个并联对,分别用于处理正和负半周的变化。

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1.Features
2.Pin Description
⏹Ultra-Low capacitance:0.05pF(typ.)
⏹Low leakage current(<10nA)
⏹Fast response time(<1ns)
⏹Bi-directional,single line protection
⏹IEC61000-4-2(ESD Air):15kV
IEC61000-4-2(ESD Contact):8kV
3.Applications
4.Schematic Diagram
⏹USB3.0/3.1
⏹HDMI1.3/1.4/2.0
⏹RF Antenna
⏹SATA and eSATA Interface
5.Order Information
Type Package Size(mm)Delivery Form Delivery Quantity PESD0201MS0502010.60x0.30x0.327”T&R15,000
6.Limiting Values(T A=25°C,unless otherwise specified)
Symbol Parameter Conditions Min Max Unit
V ESD Electrostatic Discharge Voltage IEC61000-4-2;Contact Discharge-8kV IEC61000-4-2;Air Discharge-15kV
T A Operating Temperature Range--55125℃T stg Storage Temperature Range--4085℃
7.Electrical Characteristics(T A=25°C unless otherwise specified)
Symbol Parameter Conditions Min Typ.Max Unit V DC Continuous Operating Voltage--- 5.0V
V T Trigger Voltage IEC61000-4-28kV contact
discharge
-450-V
V C Clamping Voltage IEC61000-4-28kV contact
discharge
-40-V
I L Leakage Current DC5V shall be applied
on component
--10nA
C J Capacitance Measured at10MHz-0.05-pF
8.
Typical Characteristics
Fig.1Typical ESD Response
(IEC 61000-4-2,8kV contact discharge )
Fig.2Typical Device Capacitance VS.Frequency
Fig.3HDMI 1.4Mask at 3.4Gbps Fig.4USB 3.0
Mask at 5.0
Gbps
Fig.5HDMI 2.0Mask at 6.0Gbps
Time (ns)
9.ESD Protection for Signal Line
The PESD is designed for the protection of one bidirectional data line from ESD damage.
⏹Place the PESD as close to the input terminal or connector as possible.
⏹Minimize the path length between the PESD and the protected signal line.
⏹Use ground planes whenever possible.
10.
Package Dimension
L2Recommended Solder Pad Footprint
*Sizes in mm
Notes :
This solder pad layout is for reference purposes only.
11.
Soldering Parameters
FIG.5: Reflow condition
T e m p e r a t u r e
T T T
Reflow Condition
Pb-Free Assembly
Pre-heat
-Temperature Min (T s(min))
+150°C -Temperature Max(T s(max))+200°C -Time (Min to Max)(ts)
60-180secs.Average ramp up rate (Liquid us Temp (T L )to peak)3°C/sec.Max T s(max)to T L -Ramp-up Rate 3°C/sec.Max Reflow
-Temperature(T L )(Liquid us)+217°C -Temperature(t L )
60-150secs.Peak Temp (T p )
+260(+0/-5)°C Time within 5°C of actual Peak Temp (t p )30secs.Max Ramp-down Rate
6°C/sec.Max xTime 25°C to Peak Temp (T P )8min.Max Do not exceed
+260°C。

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