高分子基本加工工艺第八章节优秀课件

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《高分子加工原理》课件

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详细描述
总结词
高分子材料具有粘弹性、热塑性、热固性、绝缘性等特点。
要点一
要点二
详细描述
高分子材料具有粘弹性,表现为在外力作用下既可发生弹性形变,也可发生塑性形变;热塑性是指高分子材料在加热时可以流动,冷却后可以固化;热固性是指高分子材料在加热时可以固化,冷却后性质稳定;绝缘性是指高分子材料具有良好的绝缘性能,不易导电。这些特性使得高分子材料在现代工业和科技领域中具有广泛的应用价值。
热力学第二定律
03
成型工艺参数
介绍影响成型质量的工艺参数,如温度、压力、时间等。
01
高分子材料的加工过程
详细介绍高分子材料的加工过程,包括原料准备、成型、后处理等环节。
02
成型方法
列举常见的成型方法,如注塑、挤出、压延等,并介绍其原理和特点。
高分子材料加工设备与工艺流程
04
设备日常维护
介绍了如何进行日常的设备检查、清洁和润滑工作。
高分子加工技术基础
02
高分子材料通过加热、加压等方式进行成型加工,使其从流动的液体状态转变为固态,并形成所需的形状和结构。
成型原理
成型加工需要使用各种成型设备,如注塑机、压延机、热压机等。
成型设备
成型加工过程中,需要控制各种工艺参数,如温度、压力、时间等,以获得高质量的成型品。
成型工艺参数
二次加工方法
高性能化:随着对高分子材料性能要求的不断提高,加工技术也在不断向高性能化方向发展。通过改进加工工艺和选用高性能的助剂,可以显著提高高分子材料的强度、刚性、耐热性和耐腐蚀性等性能。
高分子材料加工技术在航空航天领域具有广泛的应用前景。由于航空航天器对材料的轻量化和高性能要求极高,高分子材料成为重要的选择之一。通过采用先进的加工技术,可以实现高分子材料的轻量化、高性能化和多功能化,为航空航天器的制造提供更加可靠的支撑。

高分子基本加工工艺PPT课件

高分子基本加工工艺PPT课件
• 1.配方:软化剂、填充剂、抗氧剂 • 2.加工:雷同于热塑性塑料进行加工 • 3.应用:制鞋业、汽车制造业、胶粘剂等。
第7页/共17页
四、新型弹性体-茂金属聚合物 茂金属等金属有机催化体系(80~90年代) ➢ 茂金属 (Metallocene) 是含有环茂二烯 (Cp) 或取代环茂二烯配体的金属有机化合物的通称。是一类均相
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• (4)m-COC
• 由于茂金属催化剂可使环烯烃无需开环和加 氢而实现类似传统聚烯烃的加成聚合反应而迅 速得到发展。茂金属催化剂不仅能使环烯烃聚 合,还可以使其与乙烯、丙烯及其它α烯烃共 聚。 Hoec-lodechst公司与日本三菱化学工业公 司联合在欧洲建成了3万吨/年的 m-COC装置, 其商品牌号为Topas。Topas系列是乙烯/降冰 片烯的共聚物,透明塑料,密度比PC小20%, 可用作光盘、光学透镜和医用制品。
形、挤出成形、压缩成形等。 • (2 )成形周期短,无需加硫及硫化作业。 • (3)经不同配方掺混可改变材料的表面质感及
物理性能,可因应不同应用调配适合材料。 • (4 )加工过程中所产生的废料溢料均可回收使
用,既能降低生产成本,又能符合环保原则。
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三、热塑性弹性体的配方、加工和应 用
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• 2.茂金属聚合物 • (1)m-PP • m-PP较普通齐格勒-纳塔催化剂聚合的PP流动性好、强度高、硬度大、耐热性好、
熔点低。 • 与m-iPP相比m-sPP熔点低5℃~10℃,透明性好、韧性高、光泽性好、弯曲模
量是iPP的一半,故m-sPP多用于包装领域。
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• (5)m-E/S共聚物

chapter高分子加工全解实用PPT课件

chapter高分子加工全解实用PPT课件
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塑料的成型加工
3.润滑剂 • 为改进塑料熔体的流动性能,减少或避免对
设备的粘附摩擦作用,使制品表面光洁,而 加入塑料中的一类助剂称为润滑剂。 • 通常把润滑剂分为内润滑剂和外润滑剂。
• 内润滑剂与聚合物有一定的相容性,其作用在于 减少聚合物分子间的内摩擦。常用的内润滑剂有 硬脂酸及其盐类,硬脂酸丁酯、硬脂酰胺、油酰 胺等。
线缆包覆物、单丝、棒材等,应用范围广;生产过程连续,生产效率高;投资少,见效快。
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塑料的成型加工
• 实际挤出过程中物料在螺杆各段所经历的状态变化和流动行为都是十分复杂的,可归结为固体输送、熔融 和熔体输送三个过程。
• 挤出成型新技术 • 为扩大可成型材料的范围和增加挤出制品的类型,在传统的挤出技术基础上又发展了一些新的挤出技 术,主要有共挤出、挤出复合、发泡挤出和交联挤出等。
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塑料的成型加工
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塑料的成型加工
⑶制品的后处理 • 注射制品经脱模或机械加工,修饰之后,常需要进行适当的后处理,借以改善和提高制品的性能,制品的
后处理主要指热处理和调湿处理。
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塑料的成型加工
3.注射成型新技术 • 为了满足塑料制品对不同性能,不同色彩,不同品种塑料的要求,发展了一些新的注射工艺,有共注射工
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塑料的成型加工
• 以上所述的增塑作用称为外增塑。 • 如果用化学方法,在分子链上引入其它取代基,或在分子链上或分子链
中引入短的链段,从而降低了大分子间的吸引力,也可达到使刚性分子 链变柔和易于活动的目的,这种增塑称为内增塑。
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塑料的成型加工
• 理想的增塑剂,必须在一定范围内能与聚合物很好的相容(所谓相容性,即聚合物能够容纳尽可能多的增塑 剂并形成均一、稳定体系的性能),且挥发性、迁移性、溶浸性等要小,并有良好的耐热、耐光、不燃及无 毒等性能,而且保证在混合和使用的温度范围内与聚合物形成“真溶液”

高分子成型加工工艺课件

高分子成型加工工艺课件
01 02 03 04
吹塑成型工艺是一种通过将高分子材料吹胀成各种形状的容器,如瓶 子、罐子等,再经过冷却定型后获得制品的工艺方法。
吹塑成型工艺具有生产效率高、成本较低等优点,广泛应用于塑料加 工领域。
吹塑成型工艺可以生产各种形状和容量的容器制品,如洗发水瓶、食 用油罐等。
吹塑成型工艺的关键在于吹塑机的选择、模具的设计与制造、温度和 压力的控制等环节,这些因素都会影响制品的质量和性能。
时间对高分子材料性能的影响
时间பைடு நூலகம்长
在加工过程中,时间的延长可以使高分子链有足够的时间进行运动和重排,有利 于加工成型。但过长的加工时间可能导致高分子链的降解和老化,影响材料的性 能。
时间缩短
缩短加工时间可以减少高分子链的运动时间和重排时间,但可能使材料未完全塑 化和流动,导致加工成型不完全或出现缺陷。
03
高分子材料在成型加工中的 性能变化
温度对高分子材料性能的影响
温度升高
高分子链的运动速度加快,材料的可 塑性增强,流动性增大,有利于加工 成型。但过高的温度可能导致高分子 链的降解,影响材料的性能。
温度降低
高分子链的运动速度减慢,材料的硬 度增加,脆性增大,不利于加工成型 。低温还可能导致高分子材料变脆或 产生应力裂纹。
热压成型工艺
热压成型工艺是一种通过加热软化高 分子材料,然后在模具中加压使其贴 合模具表面,再经过冷却定型后获得 制品的工艺方法。
热压成型工艺可以生产各种厚度的板 材和片材制品,如装饰板、绝缘板等 。
热压成型工艺具有制品尺寸精度高、 表面光滑等优点,广泛应用于塑料加 工领域。
热压成型工艺的关键在于加热的温度 和时间、压力的调节以及冷却定型等 环节,这些因素都会影响制品的质量 和性能。

高分子加工原理优秀PPT

高分子加工原理优秀PPT

②急冷:Tc,0<Tg很多, △T大, 冷却速率快。大分子链来不及重排 松弛, 呈过冷液体的非晶结构, 制品具有明显的体积松散性;
Note: 厚制品内仍有微晶结构。制品内层与表层结晶程度的不均
匀性使制品的内应力提高; 同时, 制品中的过冷液体和微晶结构
具有不稳定性;PE/PP/POM。 ③中等冷却速率:Tc,0在Tg以上,△T不很大。有利于晶核的生 成和晶体的长大, K也较大。理论上这一冷却速率或冷却程度能
1.4 结晶速率曲线 结晶规律:初期υ缓慢、 中期最快、后期趋于缓慢 结晶速率常数K: 将结晶 度达到50%的时间(t1/2) 的倒数, 作为高分子材料 结晶速率的比较标准。 1.5 二次结晶/后结晶 和退火处理
二次结晶:是在一次结晶完成之后,在一些残留的非晶区和晶 体不完整的部分继续结晶和进一步完整化的过程。 实际 在位/在线结晶/一次结晶:指在成型模具中的结晶 生产 Байду номын сангаас结晶现象/二次结晶:离开加工设备后发生的结晶过程
Tmax在实际生产中的应用 ●T1.经m3a结x验=(晶公0.度8式0f-估c0:.8算5结)高T晶m分部;子分T的m含aTx=量m0a.的x85量Tm度;。Tmax=0.63Tm-0.37Tg-18.5
质量百分数fcw=[mc/(mc+ma)]×100%; 体积百分数fcw=[Vc/(Vc+Va)]×100% Note: 高分子材料的晶区与非晶区界限不明确, 缺乏明确物理意 义; 各种测试方法对不同有序状态认识不同, fc差别较大, fc必须说 明测量方法。但PE和顺1,4-聚异戊二烯的fc比较一致.
类似于分子链中交联点, 再热定型, 使获得弹性。
① 恢复其结晶度, 改善结晶结构;

第8章 干刻工艺

第8章 干刻工艺

第八章干刻工艺8.1 Dry Etch工序的目的广义而言,所谓的刻蚀技术,是将显影后所产生的光阻图案忠实地转印到光阻下的材质上,形成由光刻技术定义的图形。

它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除,可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。

第五章中已经对湿式刻蚀进行了较详细的介绍。

湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比(selectivity)。

然而,由于化学反应没有方向性,因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。

当刻蚀溶液做纵向刻蚀时,侧向的刻蚀将同时发生,进而造成底切(Undercut)现象,导致图案线宽失真,如下图所示。

图8.1 底切现象自1970年以来,元件制造首先开始采用电浆刻蚀技术(也叫等离子体刻蚀技术),人们对于电浆化学性的了解与认识也就越来越深。

在现今的半导体集成电路或LCD制造过程中,要求精确地控制各种材料尺寸至次微米大小,而且还必须具有极高的再现性,电浆刻蚀是现今技术中唯一能极有效率地将此工作在高良率下完成的技术,因此电浆刻蚀便成为半导体制造以及TFT LCD Array制造中的主要技术之一。

干式刻蚀通常指利用辉光放电(glow discharge)方式,产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆,来进行图案转印(pattern transfer)的刻蚀技术。

干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,广泛应用于半导体或LCD 前段制程。

在本章节中,将针对干刻蚀技术加以说明。

8.2 Dry Etch 的分类及工艺的基本原理8.2.1蚀刻技术中的术语1.各向同性与各向异性蚀刻( Isotropic and Anisotropic Etching)不同的蚀刻机制将对蚀刻后的轮廓(Profile)产生直接的影响。

如图8.2所示,纯粹的化学蚀刻通常没有方向选择性,上下左右刻蚀速度相同,蚀刻后将形成圆弧的轮廓,并在遮罩(Mask)下形成底切(Undercut),这种刻蚀被称为各向同性蚀刻。

高分子基本加工工艺第八章5节

高分子基本加工工艺第八章5节

例如:
动力学认为:
1 2
N2

3 2
H2
NH3(g)
需一定的T,p和催化剂
H2

1 2
O2

H2O(l)
点火,加温或催化剂
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2019/11/30
2 化学反应速率的表示法
速度 velocity 是矢量,有方向性。 速率 rate 是标量 ,无方向性,都是正值。
如果令
: Qa


g Gຫໍສະໝຸດ Aah H b B
非平衡
则:
rGm RT ln K a RT ln Qa
这就是化学平衡等温方程式,也是非标准态时一 个化学反应的吉布斯函数变的表达式。
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2019/11/30
有等温方程式,可以判断一个化学反应的方向:
rGm 0则反应正向自动进行;


r
Gm

0则反应逆向自动进行;
rGm o则化学反应达到平衡。
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2019/11/30
5.化学平衡特征
可逆反应的平衡状态是反应进行的限度,它具有 以下五个特征: (1)化学平衡最主要的特征是正反应的速度与逆反 应的速度相等。
2019/11/30
(2) 用摩尔分数表示的平衡常数 K x
对理想气体,符合Dalton分压定律,pB pxB
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2019/11/30
(3) 用物质的量浓度表示的平衡常数 Kc
对理想气体,p cRT
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2019/11/30
(4) 液相反应用活度表示的平衡常数 Ka

第8章 已加工表面质量

第8章  已加工表面质量

零件受周期作用的载荷时,表面粗糙度越大,越易 产生应力集中,因而疲劳强度越低。此外,表面粗糙度 大的零件,在粗糙表面的凹谷和细裂缝处,腐蚀性的物 质容易吸附和积聚,从而使零件易于被腐蚀。 但是不能说表面粗糙度越小越好,例如,机床导轨 的表面粗糙度以Rα1.25~0.36µm较为合理,表面粗糙 度太小反而不利于润滑油的储存,使导轨磨损加快。此 外,表面粗糙度过小还将造成制造成本的增加;因此, 研究减小表面粗糙度的同时,还应注意表面粗糙度的合 理选用。
(3)表面纹理零件耐磨性的影 响 1)表面纹理的形状和刀纹 方向对耐磨性也有影响,这是 因为它能影响金属表面的实际 接触面积和润滑液的存留情况。 一般,圆弧状、凹坑状表面纹 理的耐磨性好,尖峰状的耐磨 性差。 2)在运动副中,轻载时, 两相对运动零件的刀纹方向和 相对运动方向一致时,耐磨性 较好,磨损最小;两者的刀纹 方向和运动方向垂直时,耐磨 性最差,磨损最大。 但是在重载情况下,由于压 强、分子亲和力和润滑液的储 存等因素的变化,其规律与上 述有所不同。
第一节 已加工表面质量的概念 已加工表面质量也可称为表面完整性,它不 仅指加工精度,还包括加工表面质量,它是零件 加工后表面层状态完整性的表征。机械加工后的 表面,总存在一定的微观几何形状的偏差,表面 层的物理力学性能也发生变化。因此,机械加工 表面质量包括加工表面的几何特征和表面层物理 力学性能(材质)两个方面的内容。
(2)表面层加工硬化对零件疲劳强度的影响 1)适度的表面层加工硬化可以在零件表面形成一个硬 化层,它能阻碍表面层疲劳裂纹的出现,从而使零件疲劳 强度提高。 2)但零件表面层硬化程度过大,反而易于产生裂纹, 故零件的硬化程度与硬化深度也应控制在一定的范围之内。 (3)表面层残余应力对零件疲劳强度的影响 1)残余应力有拉应力和压应力之分,残余拉应力容易 使已加工表面产生裂纹并使其扩展而降低疲劳强度 2)残余压应力则能够部分地抵消工作载荷施加的拉应 力,延缓疲劳裂纹的扩展,从而提高零件的疲劳强度。

第八章 孔加工【Drill】

第八章 孔加工【Drill】

第八章孔加工【Drill】【简述】本章节重点讲解钻孔加工,使用户掌握创建点位加工的操作和如何合理地调整钻孔的顺序以及避免撞刀现象。

针对模型工件上的小孔位,往往就会采用孔加工的操作方法做加工,操作简单,减少加工时间,有利于提高模型加工的整体效率。

在NX CAM中,点位加工包括钻孔、扩孔、铰孔、镗孔和攻螺纹等加工操作,使用在“DRILL”加工模板,便可以编写这些加工操作。

在本章以钻孔为例,来讲述孔加工的各参数选项与应用。

【案例操作】为了使用学者更加工容易理解钻孔加工操作以及操作参数,钻孔操作的参数选项内容均用案例模型讲解。

附件部件为Drill-1.prt如图8-1所示。

在钻孔加工操作里,所有公共参数选项在前面章节介绍过的,在本章不再详述。

本章节的案例中,先介绍【标准钻】功能,给模型孔位置打个中心点的作用,为后面深钻孔起到定位的作用。

图8-1 Drill-1.prt一、定义加工几何打开Part文件(…\...\Drill-prt),并进入加工模块,在【加工环境】对话框里选择“DERILL”模块初始化进入加工界面。

在【操作导航器】切换为“几何视图”,编辑节点(MCS_MILL)设定机床坐标与安全平面,如图8-2所示。

加工几何节点(WORKPIECE),此模型为“指定部件”;毛坯几何体不需要设定。

图8-2 加工坐标与安全平面二、创建刀具在操作导航器切换到“机床”视图里,选择节点“GENERIC_MACHINE”并点击右键(MB3)→【插入】→【刀具】,然后弹出【创建刀具】对话框,如图8-3所示。

按指定要求创建钻头刀具,刀具类型为“DEILL”,刀具子类型为【SPOTDRILLING_TOOL】图标、刀具名称为“JMSK_ZD_5”,在【钻刀】对话框中,设置“直径”为5,其他参数选项均为默认值。

单击【确定】完成刀具的创建。

图8-3 创建钻头刀具三、创建标准钻孔操作在操作导航器“程序视图”里,选择节点“PROGRAM”并单击〖MB3〗→〖插入〗→〖操作〗,将弹出【创建操作】对话框。

第8章_干刻工艺

第8章_干刻工艺

第八章干刻工艺8.1 Dry Etch工序的目的广义而言,所谓的刻蚀技术,是将显影后所产生的光阻图案忠实地转印到光阻下的材质上,形成由光刻技术定义的图形。

它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除,可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。

第五章中已经对湿式刻蚀进行了较详细的介绍。

湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比(selectivity)。

然而,由于化学反应没有方向性,因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。

当刻蚀溶液做纵向刻蚀时,侧向的刻蚀将同时发生,进而造成底切(Undercut)现象,导致图案线宽失真,如下图所示。

图8.1 底切现象自1970年以来,元件制造首先开始采用电浆刻蚀技术(也叫等离子体刻蚀技术),人们对于电浆化学性的了解与认识也就越来越深。

在现今的半导体集成电路或LCD制造过程中,要求精确地控制各种材料尺寸至次微米大小,而且还必须具有极高的再现性,电浆刻蚀是现今技术中唯一能极有效率地将此工作在高良率下完成的技术,因此电浆刻蚀便成为半导体制造以及TFT LCD Array制造中的主要技术之一。

干式刻蚀通常指利用辉光放电(glow discharge)方式,产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆,来进行图案转印(pattern transfer)的刻蚀技术。

干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,广泛应用于半导体或LCD 前段制程。

在本章节中,将针对干刻蚀技术加以说明。

8.2 Dry Etch 的分类及工艺的基本原理8.2.1蚀刻技术中的术语1.各向同性与各向异性蚀刻( Isotropic and Anisotropic Etching)不同的蚀刻机制将对蚀刻后的轮廓(Profile)产生直接的影响。

如图8.2所示,纯粹的化学蚀刻通常没有方向选择性,上下左右刻蚀速度相同,蚀刻后将形成圆弧的轮廓,并在遮罩(Mask)下形成底切(Undercut),这种刻蚀被称为各向同性蚀刻。

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c
(5). 标准平衡常数(standard equilibrium constant)
对于任意溶液 反应:aA+bB=dD+eE
当反应达到平衡时,

([D] ([A]
cθ )d ([E] cθ )a ([B]
cθ )e cθ )b
Kθ称为标准平衡常数。
当反应物、产物中有气体物质(平衡分压
为 p ),则气体物质用 p / pθ 代替浓度项。
说明
★ Kθ是单位为一的量。 ★ Kθ越大,化学反应向右进行得越彻底。 • 因此标准平衡常数是一定温度下,化学反应可能
进行的最大限度的量度。 ★ Kθ只与反应的本性和温度有关, 与浓度或分压无
关。
3. 标准反应吉布斯自由能的变化值 在温度T时,当反应物和生成物都处于标准态, 发生反应进度为1mol的化学反应Gibbs自由能的 变化值,称为标准摩尔反应吉布斯自由能变化值, 用 rGm(T表) 示。
(3)化学平衡是一种动态平衡。当体系达到平衡 时,表面上看反应似乎“停顿”了。
(4)化学反应的平衡可以从正反应方向达到,也 可以由逆反应方向实现。
(5)化学平衡是有条件的。
二、化学平衡体系的计算
1.标准平衡常数的计算 (1)由平衡常数预计反应实现的可能性
(2)由平衡常数预计反应的方向和限度
(1)由平衡常数预计反应实现的可能性
< Kθ, △rGm <0 ,原有平衡被破坏,正向移动; ▪ 如果减少反应物浓度或增加生成物浓度,将使Q >
Kθ, △rGm > 0 ,原有平衡被破坏,逆向移动。
Qc
cGg
c
h H
c
a A
c
b BΒιβλιοθήκη Qc<Kc,平衡向右移动 Qc=Kc,体系达到平衡 Qc>Kc,平衡向左移动
2、压力对化学平衡的影响
rG m RlTnKa Ka exp rG (m /R)T
4. 非标准反应吉布斯自由能的变化值
设在封闭体系中进行下面的化学反应
aA + bB → gG + hH
经过推导可得:
rGmrGm RT ln G g A a H B h b
当反应在指定温度和压力下达到平衡状态
时, rGm = 0,上式变为:
① 改变气体分压 ▪ 对于气体参与的任意一反应,增加反应物的
分压或减小产物的分压,将使Q< Kθ, △rGm <0, 平衡向右移动。反之,平衡逆向 移动. ▪ 压力的变化对液相和固相反应的平衡位置几 乎没有影响。
rGm
RTlnG gAaH B hb
平衡
所以: rGmRT lnKaRT ln G g A a H B h b非平衡
如果令
: Qa
GgHh AaBb
非平衡
则:
rG m RlT K n a RlT Q n a
这就是化学平衡等温方程式,也是非标准态时一 个化学反应的吉布斯函数变的表达式。
(1)用压力表示的经验平衡常数 K p
当 vB 时0 , 的K p单位为1。
(2) 用摩尔分数表示的平衡常数 K x
对理想气体,符合Dalton分压定律,pB pxB
(3) 用物质的量浓度表示的平衡常数 K c
对理想气体,p cRT
(4) 液相反应用活度表示的平衡常数 K a
因为
aB
BcB ,则
高分子基本加工工艺第八章节
一、化学平衡
1.分压定律
若有摩尔A气体与摩尔B气体组成的混合气体,在温度T时体积为
V,则容器中混合气体的总压力为P,很容易直接测定。
若把摩尔A气体在温度T时单独置于体积为V的容器中,实验可测
得其压力P A。 同样,摩尔B气体在T、V条件下单独存在时产生的压力为P B。
分压定律
【例】 298.15K时,反应
其ΔrGmΘ = -16.5kJ/mol。若体系中物质的量之比为 N2:H2:NH3 =1:3:2,总压力为1atm时,计算反应 的ΔrGm ,并判断反应自动正向进行的可能性。
解: rGmrGm RTlnG gA a H B hb 非平衡
-16 × +.85.3× 1 24 98× l.n 1 513 121 1 1/3 2 2 2 11 3 3213/2 =-14.426×J/mol < 0
三、化学平衡的移动
▪ 定义:由于化学平衡的条件变化导致化学平衡 移 动的过程。 化学平衡移动直到建立新的平衡。
▪ 影响因素:浓度、压力和温度。
1. 浓度对化学平衡的影响
对于任意一化学反应,在等温下其自由能变为:
△rGm =RT ln (Q / Kθ) ▪ 如果反应Q = Kθ ,△rGm = 0,反应达到平衡; ▪ 如果增加反应物浓度或减少生成物浓度,将使Q
P
PA
PB
1807年,道尔顿(Dalton J.)从实验中得出:
ppApB
也就是说:低压混合气体的总压力等于各组分的分 压力之和。这就是所谓的分压定律(或称为道尔顿 定律)。
2.化学反应平衡常数
反应达平衡时,用反应物和生成物的实际压力、摩尔分 数或浓度代入计算,得到的平衡常数称为经验平衡常数, 一般有单位。例如,对任意反应:
有等温方程式,可以判断一个化学反应的方向:
rrGGmm
0则反应正向自动进行; 0则反应逆向自动进行;
rGm o则化学反应达到平衡。
5.化学平衡特征
可逆反应的平衡状态是反应进行的限度,它具有 以下五个特征: (1)化学平衡最主要的特征是正反应的速度与逆反 应的速度相等。
(2)可逆反应达到平衡时,体系内各物质的浓度在 外界条件不变的情况下,不随时间而变化。
Qa ppG gA appH h B b 非平衡2.309Ka
因此,反应正向自动进行。
可见,我们可以通过求反应的Qa,并用它和平衡常
数进行比较,从而判断出反应进行的方向。
二、化学平衡体系的计算
2.平衡体系中各物质的量及转化率的计算
平衡转化 某 率该 反反 应应 物物 已的 经原 数 消始 量 耗 1数 掉 0% 0量 的 平衡产 转 率化该 为反 指应 定物 产 应 的 物 物 原 的 的 始 某 数 1数 反 0% 量 0量
故而,反应正向自动进行。
所以,我们可以通过计算反应的吉布斯函数变,然后看它 是负数、正数,还是等于零来判断正向或逆向反应可否实 现。
(2)由平衡常数预计反应的方向和限度
【例】 求298.15K时,上例中反应的Ka,并判断
反应自动进行的方向。
解: K a rG m e x p R R rG lm T T n K a ex 8.p 31 4 2 69 .1 5 8 5 0 7 07 .77
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