高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层下

“半导体技术”2008年第二期趋势与展望

93－高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层（下）

翁妍，汪辉98－塑封微电子器件失效机理研究进展

李新，周毅，孙承松102－光电光窗的封接技术

李成涛，沈卓身技术专栏（新型半导体材料）

106－(Bi3.7Dy0.3)(Ti2.8V0.2)O12铁电薄膜的制备

及退火影响唐俊雄, 唐明华, 杨锋, 等109－掺Al富Si/SiO2薄膜制备及紫外发光特性研究

王国立, 郭亨群113－氧分压对锰掺杂氧化锌结构及吸收性能的影响

杨兵初, 张丽, 马学龙, 等117－升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积

多晶Si薄膜崔洪涛, 吴爱民, 秦福文, 等121－用XPS法研究SiO2/4H-SiC界面的组成

赵亮, 王德君, 马继开, 等126－Al在生长InGaN材料中的表面活化效应

袁凤坡, 尹甲运, 刘波, 等器件制造与应用

129－4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型

任学峰, 杨银堂, 贾护军133－6H-和4H-SiC功率VDMOS的比较与分析

张娟, 柴常春, 杨银堂, 等137－智能LED节能照明系统的设计赵玲, 朱安庆141－InP基谐振隧穿二极管的研究

李亚丽，张雄文，冯震，等144－氧化硅在改善双极型晶体管特性上的作用

王友彬，汪辉工艺技术与材料

147－低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触

陈素华, 王海波, 赵亮, 等151－精密掩模清洗及保护膜安装工艺赵延峰封装、测试与设备

155－测量计算金属－半导体接触电阻率的方法

李鸿渐，石瑛160－热超声倒装过程中的建模和多参量仿真

李丽敏，吴运新，隆志力集成电路设计与开发

164－微波宽带单片集成电路二分频器的

设计与实现陈凤霞，默立冬，吴思汉167－基于分组网络结构NOC的蚁群路由算法

陈青, 郝跃, 蔡觉平171－基于ARM＋FPGA的大屏幕显示器

控制系统设计陈炳权176－新型异步树型仲裁器设计

徐阳扬，周端，杨银堂，等179－一种用于高速ADC的采样保持电路的设计

林佳明，戴庆元，谢詹奇，等技术产品专栏

183－飞思卡尔升级高品质车用i.MX应用处理器产业新闻

184－综合新闻

趋势与展望

93－高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层（下）

翁妍，汪辉

（上海交通大学微电子学院，上海２０００３０）

摘要：随着45nm及32nm技术节点的来临，高介电常数（high k）材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的较好选择，但是大多数高k材料是离子金属氧化物，其基本物理性能和材料特性不仅导致了很多不可靠因素，还会造成电学性能的损失。简述了高k材料的一些电学性能以及频率变化的电荷泵技术在高k栅介质薄层探测到的缺陷深度，总结了高k材料的基本限制及主要问题，并且介绍了未来技术节点的可能解决方案。

关键词：栅介质薄层；高介电常数；电学结果

98-塑封微电子器件失效机理研究进展

李新，周毅，孙承松

（沈阳工业大学信息科学与工程学院，沈阳１１００２３）

摘要：塑封器件在现在的封装产业中具有无可比拟的优势，相关研究引起了人们广泛关注。简要介绍了塑封微电子器件的发展史，以及国内外塑封器件可靠性的研究现状。对塑封器件的主要失效机理研究进展进行深入探讨，如腐蚀、分层、开裂等，提出了几种提高塑封器件可靠性的措施。论述了用于塑封器件质量评估的试验方法，并展望了塑封器件在军工领域的潜在应用前景。

关键词：失效机理；塑封；微电子器件

102-光电光窗的封接技术

李成涛，沈卓身

（北京科技大学材料科学与工程学院北京１０００８３）

摘要：光电器件的封接技术作为MOEMS技术中的重要组成部分，影响着光电器件的应用和发展。光窗是光电器件主要的封装形式之一，一直受到科学研究的重视。新技术被不断地引入到光窗生产实践中，希望能够达到降低生产成本，提高光电器件性能的要求，并能形成统一的工业生产方法和标准。介绍光电光窗封接技术在微电子封装中的应用及其所需要的一般条件。比较现有各种光窗封接技术的优缺点，

指出在此领域内未来封接技术的发展趋势。

关键词：微光机电系统；光窗；光电光窗封接技术

技术专栏（新型半导体材料）

106－(Bi3.7Dy0.3)(Ti2.8V0.2)O12 铁电薄膜的制备

及退火影响

唐俊雄，唐明华，杨锋，张俊杰，周益春，郑学军

（湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及应用技术教育部重点实验室，

湖南湘潭４１１１０５）

摘要：铁电材料在铁电存储器等领域具有良好的应用前景，受到极大的关注，其中铋层状铁电薄膜因为其良好的铁电性，得到了广泛的研究。采用溶胶-凝胶法在Pt(111) / Ti / SiO2 / Si(100) 基底成功沉积出(Bi3.7Dy0.3)(Ti2.8V0.2)O12 (BDTV)的A、B位同时掺杂的铁电薄膜，发现这种双掺能够显著改善薄膜的铁电性。研究了650～800℃不同退火温度下，BDTV铁电薄膜的铁电性能、晶体结构及表面形貌变化。通过SEM分析发现，温度为750℃时，薄膜的颗粒生长较好，薄膜的铁电性能最佳。

关键词：BDTV铁电薄膜；溶胶凝胶；表面形貌；铁电性

109－掺Al富Si/SiO2薄膜制备及紫外发光特性研究

王国立，郭亨群

（华侨大学信息科学与工程学院，福建泉州３６２０２１）

摘要：采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si/SiO2复合薄膜，以不同退火温度对样品进行热处理。对样品进行X射线衍射（XRD）、X 射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（FTIR）、光致发光（PL）和光致发光激发谱（PLE）检测。结果表明SiO2薄膜中存在纳米Si 晶粒，并且含有AlO x成分。室温下，可以观察到位于3.24～3.42eV 的较强紫外光致发光，其发光强度随退火温度和Al含量的变化而变化。分析表明该发光带与SiO2中的氧空位缺陷有关，缺陷分布与纳米Si的形成以及不同Al含量的氧化有关，从而影响薄膜发光强度。

关键词：纳米硅／二氧化硅；铝掺杂；紫外光致发光；射频磁控溅射113－氧分压对锰掺杂氧化锌结构及吸收性能的影响