晶体结构5

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常见的晶体结构

常见的晶体结构

常见的晶体结构晶体结构是材料科学中的基础概念之一,也是研究材料性质和应用的重要手段。

通过研究晶体结构,可以了解材料的晶格结构、晶体缺陷、晶体生长以及物理性质等信息。

在本文中,我们将主要介绍几种常见的晶体结构。

1.立方晶系。

立方晶系是最简单、最对称的晶体结构之一,其中所有三个晶轴都是等长且互相垂直。

立方晶系包括体心立方晶体(bcc)和面心立方晶体(fcc)。

在体心立方晶体中,每个原子位于一个正八面体的中心和另外八个顶点之一,而在面心立方晶体中,每个原子位于一个正方形面的中心和其四个相邻原子分别组成的正方形的四个角上。

2.六方晶系。

六方晶系包括一个长度为a和两个垂直于晶轴的长度为c的晶轴,其正交晶面呈六边形。

六方晶系中最常见的是六方密堆积结构,其中每个原子最近的邻居原子共有12个,六个在同一水平面上,另外六个分别位于上下两个平面上。

3.正交晶系。

正交晶系包括三个长度分别为a、b和c的互相垂直的晶轴,其六个面分别为长方形。

正交晶系中最常见的结构是析出相结构,例如钛钶合金中的钛纤维基板。

4.单斜晶系。

单斜晶系包括两个长度不等、互相成锐角的晶轴,以及垂直于这两个轴的垂轴。

单斜晶系中最常见的结构是某些金属、半导体和陶瓷材料中的基体结构。

5.斜方晶系。

斜方晶系包括两个长度不等但互相垂直的晶轴以及一个垂直于晶面的垂轴。

斜方晶系的晶体结构非常多样,但最常见的是钙钛矿结构,这是一种广泛存在于氧化物中的晶体结构。

总结。

以上介绍的几种晶体结构是最常见的晶体结构之一,它们共同构成了材料科学中的基础知识。

了解晶体结构对于研究材料性质和开发新型功能材料非常重要。

另外,随着实验技术和计算方法的不断优化,我们对于各种晶体结构的了解将会越来越深入。

晶体材料基础---第六、七讲 晶体结构及对称性(5) 单形和聚形

晶体材料基础---第六、七讲 晶体结构及对称性(5) 单形和聚形
与六方双锥的区别是 横截面不是正六边形 形
复三方双锥:12
中级晶族各晶系的单形
①柱类:三方柱、复三方柱、四方 柱、复四方柱、六方柱、复六方柱
注意:晶面和交棱都平行于高次轴。
中级晶族各晶系的单形
②单锥类:三方单锥、复三方单锥、 四方单锥、复四方单锥、六方单锥、复 六方单锥
注意:出现在没有对称中心和其它水平对称要素 的对称型中。所有晶面交高次轴于一点。
实例⑴
正交晶系以L22P(mm2)为例:
将L2为Z轴,对称面的法线分别为X、Y轴,进行极射 赤平投影。
在1/4的扇形区域内,原始晶面与对称要素之间的相 对位置关系有7种: 3个角顶(1、2、3号晶面) 3条边上(4、5、6号晶面) 中部(7号晶面)
六 单形的推导
Z Y Y X X
位置1:单面{001} 位置2:平行双面{100} 位置3:平行双面{010} 位置4:双面{h0l} 位置5:双面{0kl} 位置 6:斜方柱{hk0} 位置 7:斜方单锥{hkl}
称型逐一进行推导,能导出146种不同的单
形,称为结晶单形。
实际晶体单形的对称型判断
实际晶体的单形都是结晶单形.可根据晶 面花纹、蚀像、物性等特点判断。 如黄铁矿立方体晶面 上常发育有相互垂直的不是3L44L36L29PC
四 47种几何单形的形态特点
五角十二面体的三个变形
有关单形的几个概念:
⒋左形(left-hand form)和右 形(right-hand form) :形状完全 相同而在空间的取向正好彼此相反 的两个形体,若相互间不能借助于 旋转、但可借助于反映而使两者的 取向达到一致,此二同形反向体即 构成左形和右形。
三方偏方面体 的左形和右形
六四面体:

结构化学第5章--晶体结构-5-04

结构化学第5章--晶体结构-5-04

结构 类型
点阵型 式
caesium chloride
CsCl
sodium chloride NaCl
立方P
立方 F
Zine blende structure
wurtzide structure
立方 ZnS
六方 ZnS
立方F 六方
calsium fluoride CaF2
rutile structቤተ መጻሕፍቲ ባይዱre TiO2
NaCl rNa+/rCl-=959pm/181pm=0.525 Na+填在Cl-堆积的八面体空隙中. CsCl rCs+/rCl-=169pm/181pm=0.934 Cs+填在Cl-堆积的正方体空隙中。
⑵正、负离子的配位数和离子晶体结构参数 对于简单的二元离子晶体来说,除正负离子半径比决定离 子晶体的结构类型外,离子晶体堆积的紧密程度(负离子 堆积产生的空隙是否被正离子填充满等)也影响着晶体的 结构型式。若Z+、Z-分别为正负离子的电荷数,n+、n-分 别为正负离子数,CN+、 CN-分别为正负离子的配位数, 有
电负性较大的非金属元素和电负性较小的金属元 素生成的化合物一般都是离子化合物。在离子化合物 中,金属元素将价电子转移给非金属,形成具有较稳 定电子结构的正、负离子。正、负离子由于静电力互 相吸引靠近,当它们充分靠近时又会因电子云重叠而 相互排斥。当吸引和排斥相平衡时,形成稳定的离子 化合物。由此可知,离子化合物中存在的结合力是以 正、负离子间静电力为基础的离子键。正、负离子具 有球对称的电子云(Unsöld定理),所以离子键也和金属 键一样没有饱和性和方向性。离子键向空间各个方向 发展,即形成了离子晶体。
立方F 四方P

晶体结构5

晶体结构5

所示,硅氧单链[Si2O6]平行于c轴方向伸展,图中两个重叠的硅氧
链分别以粗黑线和细黑线表示。单链之间依靠Ca2+、Mg2+连接。 Ca2+的配位数为8,Mg2+为6。Ca2+负责[SiO4] 底面间的连接, Mg2+负责顶点间的连接。 若透辉石结构中的Ca2+全部被Mg2+取代,则形成斜方晶系 的顽火辉石Mg2[Si2O6]。
(a)立体图
(b)投影图
图1-37 层状结构硅氧四面体
按照硅氧层中活性氧的空间取向不同,硅氧层分为单网层和复网
层。单网层结构中,硅氧层的所有活性氧均指向同一个方向。而复网 层结构中,两层硅氧层中的活性氧交替地指向相反方向。活性氧的电 价由其它金属离子来平衡,一般为6配位的Mg2+或Al3+离子,同时,水 分子以OH-形式存在于这些离子周围,形成所谓的水铝石或水镁石层。
1-32(b)中25、75的Mg2+被Ca2+取代,则形成钙橄榄石
CaMgSiO4。如果Mg2+全部被Ca2+取代,则形成-Ca2SiO4,
即-C2S,其中Ca2+的配位数为6。另一种岛状结构的水泥熟
料矿物-Ca2SiO4,即-C2S属于单斜晶系,其中Ca2+有8和6
两种配位。由于其配位不规则,化学性质活泼,能与水发生
堇青石Mg2Al3[AlSi5O18] 与绿宝石结构相同,但六节环中有一
个Si4+被Al3+取代;同时,环外的正离子由(Be3Al2)变为
(Mg2Al3),使电价得以平衡。此时,正离子在环形空腔迁移阻力
增大,故堇青石的介电性质较绿宝石有所改善。堇青石陶瓷热学性 能良好,但不宜作无线电陶瓷,因为其高频损耗大。 应该注意,有的研究者将绿宝石中的[BeO4]四面体归到硅氧骨 架中,这样绿宝石就属于架状结构的硅酸盐矿物,分子式改写为 Al2[Be3Si6O18]。至于堇青石,有人提出它是一种带有六节环和四节 环的结构,化学式为Mg2[Al4Si5O18]。

晶体结构

晶体结构
高, 硬度大.如 W和Re, m.p. 达 3500K, K 和 Na 单电子少, 金属键弱, 熔点低, 硬度小.
金属能带理论中, 成键的实质是, 电子填充 在低能量的能级中, 使晶体的能量低于金属原子 单独存在时的能量总和.
2. 金属晶体的堆积模型
金属原子堆积在一起,形成金属晶体。金 属原子最外层价电子脱离核的束缚,在 晶体中自由运动,形成“自由电子”, 留下的金属正离子都是满壳层电子结构, 电子云呈球状分布,所以在金属结构模 型中,人们把金属正离子近似为等径圆 球。
面心立方紧密堆积, 配位数12, 空间利用率74% 六方紧密堆积: 配位数12,空间利用率74% 体心立方紧密堆积: 配位数8, 空间利用率68%
金属元素中具有面心立方,密集六
方和体心立方三种典型结构的金属占了 绝 大 多 数 , 如 表 3-33 所 示 。 许 多 金 属 中 存在多种结构转变现象,这说明三种结 构之间能量差异不大。
点阵是一组无限的点,点阵中每个点都
具有完全相同的周围环境。在平移的对 称操作下,(连结点阵中任意两点的矢 量,按此矢量平移),所有点都能复原, 满足以上条件的一组点称为点阵。
平移——点阵:
平移是晶体结构中最基本的对称操作,可用T 来表示 Tmnp=ma+nb+pc m,n,p为任意整数 即一个平移矢量Tmnp作用在晶体三维点阵上, 使点阵点在a方向平移m单位,b方向平移n单 位,c方向平移p单位后,点阵结构仍能复原。
3.4 金属晶体
1. 金属键
金属键的形象说法: “失去电子的金属 离子浸在自由电子的海洋中”. 金属离子 通过吸引自由电子联系在一起, 形成金属 晶体. 这就是金属键.
金属键无方向性, 饱和性。金属键的 强弱和自由电子的多少有关, 也和离子半 径、电子层结构等其它许多因素有关, 很 复杂. 金属键的强弱可以用金属原子化热 等来衡量. 金属原子化热是指 1mol 金属 变成气态原子所需要的热量. 金属原子化 热数值小时, 其熔点低, 质地软; 反之, 则 熔点高, 硬度大.

晶体结构

晶体结构

第五章 晶体结构安徽师范大学化学与材料科学学院§5­1晶体的点阵理论晶体具有按一定几何规律排列的内部结构,即晶 体由原子(离子、原子团或离子团)近似无限地、在三 维空间周期性地呈重复排列而成。

这种结构上的长 程有序,是晶体与气体、液体以及非晶态固体的本 质区别。

晶体的内部结构称为晶体结构。

1. 晶体的结构特征(1)均匀性(2) 各向异性(3) 自发形成多面体外形(4) 具有确定的熔点(5) 对称性(6) X射线衍射2.周期性下面两个图形均表现出周期性:沿直线方向,每 隔相同的距离,就会出现相同的图案。

如果在图形 中划出一个最小的重复单位(阴影部分所示),通 过平移,将该单位沿直线向两端周期性重复排列, 就构成了上面的图形。

最小重复单位的选择不是唯一的,例如,在图(a) 中,下面任何一个图案都可以作为最小的重复单位。

点的位置可以任意指定,可以在单位中或边缘的任 何位置,但一旦指定后,每个单位中的点的位置必须 相同。

如,不论点的位置如何选取,最后得到的一组点在空间 的取向以及相邻点的间距不会发生变化。

3.结构基元在晶体中,原子(离子、原子团或离子团)周期性地重 复排列。

上面我们在图形找出了最小的重复单位,类似 的,可以在晶体中划出结构基元。

结构基元是指晶体中 能够通过平移在空间重复排列的基本结构单位。

【例1】一维实例:在直线上等间距排列的原子。

一个原子组成一个结构基元,它同时也是基本的化学组成单位。

结构基元必须满足如下四个条件:化学组成相同;空间结构相 同;排列取向相同;周围环境相同。

【例2】一维实例:在伸展的聚乙烯链中,­CH2­CH2­组成一个 结构基元,而不是­CH2­。

【例3】二维实例:层状石墨分子,其结构基元由两个C原子组 成(相邻的2个C原子的周围环境不同)。

结构基元可以有不同的选法,但其中的原子种类和数目应保 持不变。

mof5晶体结构

mof5晶体结构

mof5晶体结构Mof5晶体结构Mof5晶体是一种金属有机骨架材料,也称为金属有机框架材料(MOFs)。

它是由金属离子或金属簇与有机配体相互作用形成的一种晶体结构。

Mof5晶体具有多孔性和高度有序的结构,可以用于气体吸附、分离和催化等领域。

Mof5晶体的结构由金属离子或金属簇与有机配体的配位作用形成。

金属离子或金属簇充当节点,有机配体连接在节点之间,形成一个三维的网状结构。

这种结构中的孔道和空隙可以容纳小分子的吸附和储存,因此具有很大的应用潜力。

Mof5晶体的具体结构取决于金属离子或金属簇的选择,以及有机配体的类型和长度。

不同的组合可以导致不同的孔径大小和形状,从而适应不同的气体吸附和分离需求。

例如,一些Mof5晶体具有较大的孔径,适用于吸附较大分子,而另一些具有较小的孔径,适用于吸附小分子。

Mof5晶体的制备方法多种多样,包括溶剂热法、水热法和气相沉积法等。

这些方法可以控制晶体的形貌和尺寸,并调节孔径大小和形状。

制备过程中的温度、压力和反应时间等因素对晶体结构的形成和性能具有重要影响。

Mof5晶体在气体吸附和分离方面具有广泛的应用。

由于其孔道和空隙的特殊结构,Mof5晶体可以选择性地吸附和分离不同大小和性质的气体分子。

例如,Mof5晶体可以用于二氧化碳的吸附和分离,对于减少温室气体排放和碳捕获具有重要意义。

此外,Mof5晶体还可以用于储氢和分离其他有机气体等领域。

除了气体吸附和分离,Mof5晶体还具有催化性能。

由于其高度有序的结构和可调控的孔道,Mof5晶体可以作为催化剂载体,提高催化反应的效率和选择性。

例如,Mof5晶体可以用于有机合成反应、氧化反应和还原反应等。

Mof5晶体作为金属有机骨架材料,具有多孔性和高度有序的结构,具有广泛的应用潜力。

它在气体吸附、分离和催化等领域具有重要的应用价值。

随着对Mof5晶体结构和性能的深入研究,相信它将在能源、环境和化学工程等领域发挥越来越重要的作用。

晶体结构的分类

晶体结构的分类

晶体结构的分类晶体是由原子、离子或分子有序排列而形成的固体物质。

它们的结构可以根据晶体中原子的排列方式进行分类。

下面将介绍晶体结构的几种常见分类。

1. 共价晶体共价晶体由共价键连接的原子或分子构成。

共价键的形成依赖于原子间电子的共享。

这种晶体通常具有高熔点和硬度,如金刚石和石英。

在共价晶体中,原子或分子沿着晶胞内构成三维排列。

2. 离子晶体离子晶体是由正离子和负离子通过离子键结合而形成的固体。

正负离子之间的电荷吸引力使晶体保持稳定。

离子晶体通常具有高熔点和脆性。

最常见的离子晶体是盐,例如氯化钠。

在离子晶体中,正负离子按照比例均匀地排列在晶胞中。

3. 金属晶体金属晶体是由金属元素的原子组成。

金属晶体具有可变的导电性和可形变性。

金属晶体的特点是原子间的金属键,通过电子云形成。

这些电子云是自由移动的电子,使得金属晶体具有良好的导电性和热导性。

金属晶体通常以球形或立方形排列。

4. 分子晶体分子晶体是由分子之间的弱范德华力相互作用而形成的晶体。

这种晶体通常具有较低的熔点和易溶性。

分子晶体的结构取决于分子的形状和大小。

分子通常在晶体中排列成规则的网格,如冰。

5. 复合晶体复合晶体是由不同类型的原子、离子或分子组成的晶体。

它们通常具有混合晶体结构,也就是说,晶胞中的原子或离子具有不同的组合方式。

复合晶体可以是金属与非金属的混合物,例如铜铁合金。

在实际应用中,晶体的分类可以更加复杂,并且还有其他种类的晶体,如有机晶体、半导体晶体等等。

晶体结构的分类有助于我们理解和研究不同材料的性质和行为。

总结:晶体结构的分类包括共价晶体、离子晶体、金属晶体、分子晶体和复合晶体。

这些分类基于晶体中原子、离子或分子的排列方式。

了解晶体的结构分类有助于我们深入了解材料的性质和特点,从而实现更好的应用和研究。

常见九种典型的晶体结构

常见九种典型的晶体结构

反萤石型结构
球键图
阳离子四面体配位 阴离子立方体配位
反萤石型结构可看作:阴离子做立方最紧密堆积,阳离 子充填在全部的四面体空隙中。
结构类型 物质名称 萤石(CaF2)
萤石型结 氯化锶(SrCl2)

氯化钡(BaCl2)
氟化铅(PbF2)
氧化钾(K2O)
反萤石型 结构
氧化钠(Na2O)
氧化锂(Li2O)
闪锌矿的晶体结构:球键图(左)、配位多面体连接图(右)
结构中,S2- 和Zn2+配位数都是4,配位多面体都 是四面体。四面体共角顶相联。
从图可看出,[SZn4] 四面体([ZnS4] 四面体 也是一样)共角顶联成的 四面体基元层与[111]方 向垂直。
由于S2-和Zn2+都呈配位四面体,所以闪锌矿只用一种配位 多面体结构形式表达(S和Zn互换是一样的)。
(Fe3+(Fe2+Fe3+)2O4)。
当结构中四、八面体孔隙被A2+和B3+无序占据时, 叫混合尖晶石结构,代表晶相是镁铁矿(Fe, Mg)3O4。
具有尖晶石型结构的部分物质
Fe3O4 VMn2O4 NiAl2O4 NiGa2O4 Co3S4 TiZn2O4 γ-Fe2O3 LiTi2O4 CoAl2O4 MgGa2O4 NiCo2S4 VZn2O4 MnFe2O4 MnTi2O4 ZnAl2O4 MnGa2O4 Fe2SiO4 SnMg2O4 MgFe2O4 ZnCr2O4 Co3O4 ZnIn2S4 Ni2SiO4 TiMg2O4 Ti Fe2O4 CoCr2O4 GeCo2O4 MgIn2O4 Co2SiO4 WNa2O4 LiMn2O4 CuMn2O4 VCo2O4 CuV2S4 Mg2SiO4 CdIn2O4

晶体的结构及性质

晶体的结构及性质

1 晶系
6.单斜晶系(m):有1个二重对称轴或对称 面(α=γ=90º )
7.三斜晶系(a):没有特征对称元素
1 晶系
c αβ a bγ
立方 Cubic a=b=cห้องสมุดไป่ตู้ ===90°
c
ba
四方 Tetragonal a=bc, ===90°
c ba
正交 Rhombic abc, ===90°
面体单位称为晶胞。矢量a,b,c的长度a,b, c及其相互间的夹角α ,β ,γ 称为点阵参数或
晶胞参数。
晶胞结构图
晶胞
晶 胞 与 晶 格
对称性
晶胞的划分
晶系
正当晶胞
正当晶胞
素晶胞:含1个结构基元
复晶胞:含2个以上结构基元
晶胞的二个要素
晶胞的二个基本要素: 一是晶胞大小和形状; 二是晶胞中各原子坐标位置。
三、晶体的点阵结构
概念:在晶体内部原子或分子周期性地排列 的每个重复单位的相同位置上定一个点,这 些点按一定周期性规律排列在空间,这些点 构成一个点阵。点阵是一组无限的点,连结 其中任意两点可得一矢量,将各个点阵按此 矢量平移能使它复原。点阵中每个点都具有 完全相同的周围环境。
晶体结构 = 点阵 + 结构基元
晶体的结构和性质
第一节 晶体的结构
1、晶体的分类 按来源分为: 天然晶体(宝石、冰、 砂子等) 人工晶体(各种人工晶体材料等)
一、晶体的分类
按成键特点分为: 原子晶体:金刚石 离子晶体:NaCl 分子晶体:冰 金属晶体: Cu
晶体的定义
“晶体是由原子或分子在空间按一定规律周 期性地重复排列构成的固体物质。” 注意: (1)一种物质是否是晶体是由其内部结 构决定的,而非由外观判断; (2)周期性是晶体结构最基本的特征。

第二章晶体结构缺陷(五)

第二章晶体结构缺陷(五)

3 电价因素 外来杂质原子进人间隙时, 外来杂质原子进人间隙时,必然引起晶体结 构中电价的不平衡,这时可以通过生成空位, 构中电价的不平衡,这时可以通过生成空位,产 生部分取代或离子的价态变化来保持电价平衡。 生部分取代或离子的价态变化来保持电价平衡。 例如YF 加入到CaF2中: 例如 3加入到
1 2 1
2、晶体结构类型的影响 、 若溶质与溶剂晶体结构类型相同, 若溶质与溶剂晶体结构类型相同 , 能形成 连续固溶体, 连续固溶体 , 这也是形成连续固溶体的必要条 而不是充分必要条件。 件,而不是充分必要条件。 NiO-MgO 都 具 有 面 心 立 方 结 构 , 且 ∆r<15%,可形成连续固溶体; ,可形成连续固溶体; MgO-CaO两两结构不同 , 只能形成有限 两两结构不同, 两两结构不同 型固溶体或不形成固溶体。 型固溶体或不形成固溶体。
YF3 → Y + 2 FF + Fi
CaF2
• Ca
'
当F-进入间隙时,产生负电荷,由Y3+进入 2+位 进入间隙时,产生负电荷, 进入Ca 置来保持位置关系和电价的平衡。 置来保持位置关系和电价的平衡。 间隙式固溶体的生成, 般都使晶格常数增 间隙式固溶体的生成,—般都使晶格常数增 增加到一定的程度, 大,增加到一定的程度,使固溶体变成不稳定而 离解,所以填隙型固溶体不可能是连续的固溶体 填隙型固溶体不可能是连续的固溶体。 离解,所以填隙型固溶体不可能是连续的固溶体。 晶体中间隙是有限的, 晶体中间隙是有限的,容纳杂质质点的能力 ≤10%。 。
实例
在面心立方结构中,例如 在面心立方结构中,例如MgO中,氧八面体 中 间隙都已被Mg离子占满 离子占满, 间隙都已被 离子占满,只有氧四面体间隙是 空的。 空的。在TiO2中,有二分之一的八面体空隙是 空的。在萤石结构中,氟离子作简单立方排列, 空的。在萤石结构中,氟离子作简单立方排列, 而正离子Ca 只占据了有立方体空隙的一半, 而正离子Ca2+只占据了有立方体空隙的一半,在 晶胞中有一个较大的间隙位置。 晶胞中有一个较大的间隙位置。在沸石之类的具 有网状结构的硅酸盐结构中,间隙就更大, 有网状结构的硅酸盐结构中,间隙就更大,具有 隧道型空隙。 因此,对于同样的外来杂质原子, 隧道型空隙。 因此,对于同样的外来杂质原子, 可以预料形成填隙式固溶体的可能性或固溶度大 小的顺序将是沸石>萤石 萤石>TiO2>MgO.实验证明 小的顺序将是沸石 萤石 . 是符合的。 是符合的。

晶体结构缺陷-5非化学计量缺陷

晶体结构缺陷-5非化学计量缺陷
0.6 e 1.0 1.4 1.8 Zni O ZnO 2.2 2 2 Log PO2 (mmHg) 2.6 3.0
-2.3
[ Zn i ] P
.
1/ 2 Zn

1 图2.24 在 650℃下, ZnO 电导率与氧分压的关系 [ ZnO ] [ ZnO ] 4 K [ e ] P 1/ 2 1/ 2 O2 [ Zni][e][ PO2 ] [e]PO2
对于UO2+x。中的缺焰反应可以表示为:
U 3O8 U 2O6 UO2 U 2O6 UO3
UO2
1 O2 2h Oi ' ' 的浓度增大,这种类型的缺陷化合 等价于: 2
物是P型半导体
[ O ' ' ][ h ] i 根据质量作用定律 K 1/ 2 PO 2
UO U 2O O ' '
典型的非化学计量的二元化合物
类型 I II III 半导体 n n p 化合物 KCl, NaCl, KBr, TiO 2, CeO 2, PbS ZnO , CdO UO 2 类型 IV 半导体 P 化合物 Cu2O , FeO , NiO , ThO2, KBr, KI, PbS , SnS ,CuI,FeS ,CrS
[OO●]≈1 [h●]=2[VFe’’]
2
由此可得: [h●]∝PO21/6 随着氧压力的增大,电子空穴浓度增大,电 导率也相应增大。
h
图2.26由于正离子空位的存在,引起负离子过剩型结构缺陷(IV)
小结:非化学计量缺陷的浓度与气氛的性质及大小有关,这
是它和别的缺陷的最大不同之处。此外,这种缺陷的浓度也 与温度有关。这从平衡常数K与温度的关系中反映出来。以 非化学计量的观点来看问题,世界上所有的化合物,都是非 化学汁量的,只是非比学汁量的程度不同而已,

5 晶体结构查询、绘图及面网间距计算-精选文档

5 晶体结构查询、绘图及面网间距计算-精选文档

x 0 0.3057(7)
y 0 0.3057(7) 0 0
z
SOF 1. 1.
H 0 0
Ti:2a (0,0,0) (½ ½ ½) O: 4f (0.3057,0.3057,0) (0.6943,0.6943,0)(0.6943,0.8057,0.5)(0.8057,0.6943,0.5)
½,½,½ 0.8057,0.6943,0.5
晶胞参数 a b c α βγ 晶胞体积 volume 单位晶胞分子数 空间群 P42/mnm 空间群编号 136 晶系
四方原始格子,单位晶胞6个原子
晶体结构的Pearson符号=晶系(小写)+格子类型(大写)+单位晶胞原子数
晶系 三斜 单斜 斜方 四方 六方 三方 立方
OX
SITE
x
y
0 0
z
Beta12 -.0001(3) -.0001(9) 1. 1. Beta13
SOF
0 0 Beta23 0 0
H
1 +4 2 a 0 0 1 -2 4 f 0.3057(7) 0.3057(7) Type Beta11 Beta22 Beta33 Ti4+ 0.0068(3) 0.0068(3) 0.0175 O2- 0.0075(5) 0.0075(5) 0.0176 for ICSD #9161
等效点系占位 f,a R Value 可信度因子,该结构误差率5.6% (一般小于5-6%即认可) Red Cell (Reduced Cell) 约化晶胞 Trans Red 转换矩阵
该两项在晶体结构测定时 运用
Comments Cell of 2nd reference: 4.5937(3), 2.9581/2), Dm=4.2493(5), at 298 K Stable from 800 to 1800 K (3rd ref., Tomaszewski), 300-800 K: Pbca Compound with mineral name: Rutile The structure has been assigned a PDF number (calculated powder diffraction data): 01-072-1148 The structure has been assigned a PDF number (experimental powder diffraction data): 21-1276 New refinement based on previously measured intensities Structure type : TiO2(tP6) X-ray diffraction from single crystal

第二章 晶体结构

第二章 晶体结构

二、结合力与结合能(续)
1-3 双原子结合力、结合能模型
双原子互作用力模型
双原子互作用能模型
三、原子半径(Ra)
1.计算公式 当R=R0时,两个正离子间的 中心距,称为原子直径(2Ra),亦 即R0=2Ra;
2.影响因素 ① 致密度越高,则Ra越小;
②键合力越高,则Ra越小;
③不同方向上Ra也可能不同;
1. 立方晶系的晶向与晶面指数
1) 建立坐标系 以晶胞中需要确定的晶向上的某一个阵点O作为原点,以 通过原点的晶轴作为坐标轴。一般规定从书指向读者的 方向作为x轴的正方向,指向右边的方向作为y轴的正方 向,指向上方的方向作为z轴的正方向;以晶胞的三个 点阵常数a、b、c分别作为x、y、z轴的单位长度。 2) 确定晶胞中原子的坐标值 在通过原点的待定晶向OP上确定离原点最近的一个阵点 在坐标系中的坐标值。 3) 将指数化为整数并加方括号表示 将三个坐标值化为最小整数u、v、w,并加上方括号, 就得到了晶向OP的晶向指数[uvw]。如果uvw中某一个 数值为负数,则将该负号标注在这个数的上方。
4. 极化键
某些分子之间,中性原子之间,依赖两个偶极子之间的静电引力相结合。范 德华力比较微弱。
二、结合力与结合能
1.结合力
1-1 概念
所有键型都以静电力结合,静电作用产生引力和吃力。
Si原子电子轨道
1-2 原因
原子相互结合后,电子能带叠加:①原来已填满,则能量上升, 体现为斥力;②原来未填满,则能量下降,体现为引力。
③点阵参数 晶胞三条棱边的边长a、b、c及晶轴之间的夹角 α、β、γ称为晶胞参数
晶胞及晶胞参数
晶胞选取的原则
同一空间点阵可因选取方式不同而得到不相同的晶胞

晶体结构缺陷5非化学计量缺陷

晶体结构缺陷5非化学计量缺陷

K
[Oi ''][h• ] P 1/ 2
O2
又 [h●]=2[Oi’’] 由此可得: [Oi’’]∝PO21/6。
四、由于正离子空位的存在,引起负离子过剩
Cu2O、FeO属于这种类型的缺陷。以FeO为例
缺陷的生成反应:
2
FeFe
Fe232OO23(g) FeOF eO2F2FeFeeF•e
3OO
2h•
随着氧压力的增大,电子空穴浓度增大,电
导率也相应增大。
h
图2.26由于正离子空位的存在,引起负离子过剩型结构缺陷(IV)
小结:非化学计量缺陷的浓度与气氛的性质及大小有关,这 是它和别的缺陷的最大不同之处。此外,这种缺陷的浓度也 与温度有关。这从平衡常数K与温度的关系中反映出来。以 非化学计量的观点来看问题,世界上所有的化合物,都是非 化学汁量的,只是非比学汁量的程度不同而已,
VFe ''
3OO VF''e
等价于:
1 2
O2 (g)
Oo
2h•
VF''e
从中可见,铁离子空位本身带负电,为了保持电中性;
两个电子空穴被吸引到这空位的周围,形成一种V一色心。
根据质量作用定律
K
[OO ][h• ]2[VFe ''] P 1/ 2
O2
[OO●]≈1 [h●]=2[VFe’’] 由此可得: [h●]∝PO21/6
实际的化合物中,有一些化合物不符合定比定律,负离 子与正离子的比例并不是一个简单的固定的比例关系,这些 化合物称为非化学计量化合物。 非化学计量化合物的特点:
1)非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有 关;

典型晶体结构类型

典型晶体结构类型

典型晶体结构类型晶体结构是指晶体中原子、离子或分子的排列方式。

根据晶体中化学键和原子排列的性质,可以将晶体结构分为许多不同的类型。

下面将介绍一些典型的晶体结构类型。

1.离子晶体结构:离子晶体是由离子通过静电力相互作用形成的晶体。

其中,阳离子和阴离子通过离子键连接。

离子晶体的典型例子包括氯化钠(NaCl)和氧化铝(Al2O3)。

在这些晶体中,正离子在晶体中形成一个晶格,负离子在晶体中形成另一个晶格。

离子晶体结构稳定,具有高熔点和良好的电导性。

2.共价晶体结构:共价晶体是由共价键连接的原子或分子形成的晶体。

在共价晶体中,原子通过共用电子形成稳定的化学键。

典型的共价晶体结构包括金刚石、石英和硅晶体。

这些晶体具有高硬度、高熔点和良好的热导性。

3.金属晶体结构:金属晶体是由金属元素形成的晶体。

金属晶体的特点是原子间有大量自由电子可以运动,因此具有良好的导电性和导热性。

金属晶体结构可以分为紧密堆积结构和体心立方结构。

紧密堆积结构中,原子排列紧密,如铜和铝。

体心立方结构中,原子在晶格的每个球站的中心和每个面心站位的中心分别占据一个位置,如铁和钨。

4.分子晶体结构:分子晶体是由分子通过范德华力连接形成的晶体。

在分子晶体中,分子通过互相排列并通过弱范德华力相互作用形成3D晶体结构。

分子晶体具有较低的熔点和较弱的化学键。

典型的分子晶体包括蓝绿宝石和冰。

5.共价网络晶体结构:共价网络晶体是由每个原子通过共价键连接形成的大的晶体结构。

共价网络晶体具有非常高的熔点和硬度。

典型的共价网络晶体包括石墨和二硫化碳。

除了这些典型的晶体结构类型,还有许多其他类型的晶体结构,例如层状晶体、孔隙晶体和液晶体等。

每种晶体结构具有独特的性质和应用。

了解不同类型的晶体结构有助于我们理解晶体的性质,并在材料科学和工程中应用晶体材料。

常见九种典型的晶体结构

常见九种典型的晶体结构

尖晶石通式是A2+B3+2O4,表示二价阳离子A占据了 晶胞四面体空隙,三价阳离子B占据八面体空隙,此即尖晶 石结构,代表是尖晶石 MgAl2O4 。
当结构中的四面体空隙被B3+占据,而八面体空隙则被 B3+和A2+各占一半,即有分子式B3+ A2+B3+ 2O4时,这 种结构叫做反尖晶石结构,代表物质磁铁矿
从图可看出, SZn4 四 面体 ZnS4 四面体也是 一样 共角顶联成的四面 体基元层与 111 方向垂 直。
由于S2-和Zn2+都呈配位四面体,所以闪锌矿只用一种配位多 面体结构形式表达 S和Zn互换是一样的 。
如果将闪锌矿结构中的Zn和S都变成C,则结构变成金刚石
结构 Fd3m 。
具有闪锌矿型结构的物质
▪ 层电荷的来源
1 来源于四面体片的 Al->Si替代。这时,与配 平电荷的层间阳离子距离 较近,称之为“近电”。
记为 Xt
2 来源于八面体片的 Mg->Al替代。这时,于配 平电荷的层间阳离子距离 较远,称之为“远电”。
记为 Xo
▪ 层电荷的分布
在晶胞所示范围 内,每个单面只有 -0.33价的电荷。
2.51A, 上面的4个 为3.24A
2 TiO6 八面 体中,Ti亦不在 中心位置。
▪ 以上两个原因导致晶体的对称降低,由原来的立 方原始格子降低为四方原始格子。空间群Pm3m P4mm。从而晶体具有了极性 具有极轴 ,这是 导致其铁电性的最根本原因。
8 尖晶石结构
Spinel ,AB2O4
萤石晶胞中存在平行于 111 面的离子堆积层,因此, 萤石具有{111}完全解理。
阳离子配位四面体的连接:共棱联结形成的萤石结构。 晶胞中由8个 FCa4 共棱连接而成,而且四面体的每根棱 都被共用了。

晶体的结构与晶格常数

晶体的结构与晶格常数

晶体的结构与晶格常数晶体是由具有规则的、无序的、周期性重复的排列方式组成的固体材料。

它的结构是由晶格和晶体结构单元组成的。

晶格是指晶体中的原子、离子或分子按照规则、有序的方式排列成的一个平行于晶体表面、经过晶体内部的无限重复网格。

晶格常数是指晶体中晶胞平衡状态下,晶胞沿各个晶胞轴的最小长度,用a、b和c表示。

不同的晶体具有不同的结构和晶格常数。

下面将介绍几种常见的晶体结构及其对应的晶格常数。

1. 立方晶系立方晶系是最简单的晶体结构之一,其晶格常数在三个晶胞轴上相等。

具体包括以下几种类型:- 体心立方结构(BCC):其晶格常数a=4R/√3,其中R为原子半径。

- 面心立方结构 (FCC):其晶格常数a=2R/√2。

- 简单立方结构 (SC):其晶格常数a=2R。

2. 正交晶系正交晶系的晶体结构具有与立方晶系类似的特点,但其晶胞轴长度不相等。

其晶格常数表达为:- a轴:a=2R。

- b轴:b=2R。

- c轴:c=2R。

3. 单斜晶系单斜晶系的晶格常数也具有不同的长度。

其中a轴、b轴和c轴的长度分别为:- a轴:a=2R。

- b轴:b=2R。

- c轴:c=2R。

4. 菱面晶系菱面晶系的晶胞具有菱形形状,晶胞轴长度如下:- a轴:a=2R。

- b轴:b=2R。

- c轴:c=2R。

5. 六方晶系六方晶系的晶胞具有六角形形状,a轴和c轴的长度为:- a轴:a=2R。

- c轴:c=2R。

以上仅是几种常见的晶体结构及其晶格常数的示例,实际晶体的结构和晶格常数还可能受到其他因素的影响,如晶体的成分、原子尺寸等。

总结起来,晶体的结构与晶格常数密切相关,不同的晶体结构及其晶格常数决定了晶体的物理性质和化学性质。

通过深入研究晶体的结构与晶格常数,可以更好地理解晶体的性质,并为材料科学和应用提供基础。

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d HKL
d hkl n
θ 称Bragg角
衍射花样和晶体结构的关系:
由 Bragg 方程可知,在一定波长下,衍射方向是晶体面 间距的函数,根据1.3节中给出的面间距公式,有:
立方晶系:
s in
2

2 2
(H H
2
2
K
2
2
L )
2
4a
2
正方晶系:
斜方晶系: 六方晶系:
所以,一个晶胞内所有原子的相干散射振幅需要对所有原子 求和:
FHKL
Ab Ae f j e
j 1 n i
j
根据几何结构因子的定义,有:
Ab Ae

n

j 1
n
f j e x p i j

j 1
n
f j e x p i 2 (H x j K y j L z j )

F H K L f a 1 c o s ( H K L )
2 2
FH K f a
0 0 0,
2
1 1 1 2 2 2
显然,H+K+L=偶数时 H+K+L=奇数时
FHKL 4 f a
2
2
FHKL 0
2
所以只有 H+K+L=偶数的晶面才会显现衍射蜂,而 (100),(111),(210),(300),(221),(311) 等晶面的衍射峰消失。
William Lawrence Bragg (1890-1971)
除去X射线衍射外,还有中子衍射和电子衍射,三种方 法原理相同,但各有所长,经常互相配合使用。
晶体的 X射线衍射就是晶体中处在不同位置上的原子向外 散射的电磁波(不同相位)相互干涉的结果,是晶体原子 的有序排列,使某些方向上散射波始终互相叠加、某些方 向上的散射波始终相互抵消,而产生衍射线。因此每种晶 体的衍射花样都反映出晶体内部原子分布的规律。
k0
矢,故 k 1 方向发生衍
射。
k1
衍射方向
G hkl
另一种形式的作图法:
三. 实验方法简介
1. Laue 方法:一个单晶固定在一束连续波长的X射线中, 会在一些方向产生衍射斑点,在某些特定方向可以表现出明 显的对称特点,常用于单晶样品的定向。
坐落在最小波矢 k m in 和最大波矢 k m a x 两个球中间的
倒格点所代表的晶面族都会发生衍射。
k m in
k m ax
FeS2 单晶 Laue X 射线衍射图
FeS2 有两种晶型:立方晶系的黄铁矿和斜方晶系的白铁矿。 X- 衍射图具有立方对称性,因而是点群 为Th的黄铁矿 T 6 ( P ) h a3
2. 粉末衍射方法:Debye-Scherrer 方法
s in
2
(
2
K a
2

2 2
L c
2 2 2 2
)
4 s in
2
(
2
H a
2 2

2
K b

L c
)
2
4 s in
2
(
4 H 3
HK K a
2

L c
2 2
)
4
由此关系式可以看出,不同晶系的晶体,或者同一晶系而晶 胞大小不同的晶体,其衍射线的花样(角度分布)是不相同 的,但是,它无法反映出晶胞内原子的品种、数量及位置的 分布。
所以至今为止,晶体内部结构的观测还需要 依靠衍射现象来进行。
晶体衍射现象的重要性可以从多次获得Nobel物理学奖说明: 1914 Laue; 1915 Bragg父子; 1937 Davisson; 1994 Brockhouse和Shull.
Max von Laue (1879-1960)
William Henry Bragg (1862-1942)
2
f j c o s 2 ( H x j K y j L z j ) f j sin 2 ( H x j K y j L z j ) i 1 i 1
n n
2
2
a. 简立方情形: 只有1个原子,坐标为:000,所以 HKL 为任意整数时,都能产生衍射。 b. 体心立方情形:晶胞内有 2个原子:
j
2
O A rj x ja y jb z jc
其相位差:
如果发生衍射的是(HKL)晶面,则: k k 0 G H K L


j
rj (k k0 )
于是有: j 2 ( H x j K y j L z j )
2. 衍射条件的Laue 解释:在晶体中任选一点 O为原点, 考虑 O点 处的原子与距离它
Rn
处原子散射波之间的光程差发生衍射的
S 为方向矢量
条件是: R S R S n n 0 n 1 2 k S R n ( k 0 k 1 ) 2 n
1.5 晶体结构的实验确定
一. 晶体中的衍射现象 二. 晶体衍射的几何理论 三. 实验方法简介
四. 影响衍射强度的因素
五. 研究实例
六. 电子衍射和中子衍射
七. 原子结构的直接观察
一. 晶体中的衍射现象
虽然点群和空间群理论以及晶体点阵学说都是19世纪提出 的,但直到1912年Laue发现了晶体X射线衍射现象之后才 得以从实验上观测到晶体结构并证实了上述理论。 普通光学显微镜受分辨率的限制,无法观测原子排列,使 用X光源,至今又没有可以使X光聚焦的透镜,所以只能 依靠衍射现象来间接观测晶体中的原子排列。 1982年扫描电子显微镜发明以来,直接观察晶体中的原子 排列已成为可能,但又由于物质对电子的强烈吸收作用, 目前也只能用于观察晶体表面原子的分布。

Laue 公式:
k 0 k 1 G HKL
S0
Rn
S1
Laue衍射条件:当入射波矢和散射波矢相差一个倒格矢矢量 时将发生衍射。 kittel (p24)说:一组倒格矢G 决定了可能 存在的 X 射线反射。Laue方程还有其它表示方式: k1 G h k 0 (移项后两边平方得到下式) 2 2 2 k1 G h 2 G h k 0 k 0
c. 面心立方情形:四个原子: 0 0 0 , 2
2 2
1 1 2
0,
1 2
0
1 2
,0
1 1 2 2
,
2
FH KL f a c o s 2 ( 0 ) c o s ( H K ) c o s ( H L ) c o s ( L K ) f a s in 2 ( 0 ) s in ( H K ) s in ( H L ) s in ( L K )
1 n n f j c o s 2 ( H x j K y j L z j ) f j s in 2 ( H x j K y j L z j ) i 1 i 1 2 2
FHKL
2
FHKL
k 0 k1
2
弹性散射,波长数值不变,即波矢绝对值不变。
G h 2G h k 0
即: 2 k G G 2 h h 1 2 k Gh Gh 2
Laue 衍射条件就是布里渊边 界方程。换句话说:布里渊区 界面是由 Laue方程决定的。
3. Ewald 图解法:
fa Aa Ae f a ( , )
它和原子中电子的分布、数目、X射线的波长、以及发射角有 关,各原子的原子散射因子数值可以在有关书中查到。 一个原子的散 射波强度:
Ia fa Ie
2
0, I a z I e
2
2. 几何结构因子:
如果晶胞内只含有一个原子时,Bragg公式或 Laue 条件 给出的d 值即可确定出晶胞大小和原子位置,但当晶胞包含 两个以上的原子时,如 fcc或 bcc结构,金刚石,NaCl, CsCl 等情形就不同了,必须考虑晶胞中原子的相对位置和原子种 类不同而带来的差异,因而定义一个原胞内所有原子的散射 振幅和一个电子的散射振幅之比为晶胞几何结构因子:
四. 影响衍射强度的因素
可以分2个层次进行分析
1. 原子散射因子:根据经典理论,电子受到电磁辐射,会发生 强迫振动,而辐射出与入射电磁波相同波长的电磁波,其强度 由Thomson 公式给出:I e
I0 e
2 4 4
(
1 c o s 2
2
)
m c
2
强度和方向有关。
一个原子有许多电子,它的原子散射因子定义为:一个原子的 相干散射振幅和一个电子的相干散射振幅之比:
F Ab Ae
如何确定各种晶体结构的几何结构因子是一件重要的事情, 对了解晶体结构十分重要。
下面我们分析晶胞内原子的相干散射,给出几何结构因子的 一般表达式。
晶 假定O是晶胞的一个顶点,同时作为坐标原点,处在晶胞 A 处的原子与处在O点的原子散射波之间的光程差为:

j
rj (S S0 )
入射波波长

掠射角
2 d h k l sin n
(hkl )
对Bragg定律的一些理解:
Bragg 假定每个晶面都像镀了一层薄银的镜子一样,只对入射波反 射很小的一部分,只有在某些θ值,来自所有平行晶面的反射才会同相 位地增加,产生一个强的反射束。实际上,每个晶面只能反射入射辐射 的10-3-10-5部分,因而对于一个理想晶体,会有来自103-105个晶面 的原子对形成Bragg反射束有贡献。(对 X 射线而言)
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