《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案
一、填空题：
1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定
于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为
反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。在NPN型三极管
中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当I
B 从10μA增大到20μA，I
C
从1mA增大到2mA，
它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进
入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、
2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、
发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12
伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B
为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状
态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。共基极电路比
共射极电路高频特性好。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识
1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1
解：波形如解图P1.1所示。
2电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2
解：u O 的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2
3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3
解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA
电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为
Ω=-=
k 8.136.0Z
Z
I ～I U U R
4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
图P1.4
解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
V
33.3I L
L
O ≈⋅+=
U R R R U
当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
模拟电子技术基础例题与习题解答
= I CS = 11.7 mA ， U CE = U CES = 0.3 V
由于 I B > I BS ，故三极管处于饱和区， I C 则
IB = 3 − 0.7 10 × 103 + 20 × 103
③当开关置于 c 处时， UBB＝+3V， 三极管发射结也导通， UBE＝0.7V，
通后 U A0 = −15 V ，这时 U AB1 截止状态。
= U A − U B1 = ( −15) − ( −12) = −3 V ，所以二极管 D1 最终处于
对 于 例 2-1 图 (c) 所 示 电 路 , 当 二 极 管
D1
、
D2
都断开后，
U B1 A = U B1 − U A = 12 − 9 = 3 V , U B 2 A = U B 2 − U A = 10 − 9 = 1 V ，由于 U B1 A > U B 2 A ， 因此 ，
ID = U 6 = = 1.28 mA R1 4.7 × 103
6V U
R1
4.7 kΩ
ID
20V
UD
R1
4.7kΩ
300Ω
R2
U
ID
UD
D
300Ω
R2
D
(a)原理电路图
《模拟电子技术基础》习题答案
( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
UI
图题 1.5 解： （1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。 （2）在测二极管的反向电阻时，黑表笔接负极，红表笔接正极。 （3）第一次测量中指针偏转的角度大，偏转角度大的一次阻值小。 1.6．有两个三极管分别接在放大电路中，今测得它们的管脚对地的电位分别如表题 1.6 所列，试判断（1）三极 管的管脚，并在各电极上注明 e、b、c； （2）是 NPN 管还是 PNP 管，是硅管还是锗管？
+UCC Rb1 Rc Rt Rb1 Rc +UCC
Rt
Rb2
Re
Rb2
Re
(a)
(b)
图题 2.6 解： （a）能稳定 Q 点，过程如下：
T
IC Rt VBE I B I C
（b）不能稳定 Q 点，因为
T
IC Rt VBE I B I C
2. 7 画出图题 2.7 所示电路的等效电路，设电路中各电容容抗均可忽略，并注意标出电压、电流的正方向。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件
1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：
二极管正偏时，T
D U U S e
I I ≈ ， S
T D I I ln
U U ≈ 对于硅管：mV 6.179A
1mA
1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA
5.0mA
1ln mV 26U D =≈
1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。 （1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？
（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：
（1）mA 2.7e 10
1.0e
I I mA
26mA 65012
U U S T
D =⨯⨯=≈-
（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则
pA
107.72101.02)27(I )10(I pA
6.12101.02)27(I )67(I 3
7.31210
27
10S
S 41210
2767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=
T=300k(即27℃)，
300
26q K mA 26300q
K
q KT )27(U T ==⨯==即
则67℃时，
mA
7.716pA 107.7mA
2.7ln 8.22U ,C 10mA
7.655pA
6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV
8.22263300
26
)10(U mV 5.2934030026
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案
1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
o
o
(a)
(b)
(c)
(d)
图题1.1
解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。 （b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。 （c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。 （d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。 画出o u 波形如图所示。
V
u i /
u o /u o /u o /u o /
1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2
，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V
。
R L
R L
(a)
(b)
R L
R L
R L
(c) (d) (e)
1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？
U
图题1.3
解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答
习题1
客观检测题
一、填空题
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题
1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ）
2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ）
3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ）
4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ）
5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ）
6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ）
7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ）
三．简答题
1、PN 结的伏安特性有何特点？
答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V
s D -⋅=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位
与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯23
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答
第一章半导体器件的基础知识
1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2
解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2
1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3
解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA
电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为
Ω
=-=k 8.136.0Z
Z I ～I U U R
1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
图P1.4
解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
V
33.3I L L
O ≈⋅+=U R R R U
当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案
一、填空题：
1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定
于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为
反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。在NPN型三极管
中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当I
B 从10μA增大到20μA，I
C
从1mA增大到2mA，
它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进
入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、
2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、
发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12
伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B
为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状
态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。共基极电路比
共射极电路高频特性好。
模拟电子技术基础习题及其解答(唐治德)
（2）一电压放大电路输出端接 1kΩ负载电阻时，输出电压为 1V；负载电阻断开时，输 ） ； 出电压上升到 1.1V，则该放大电路的输出电阻R o 为（ （3）某放大电路输入信号为 10pA 时，输出为 500 mV，它的互阻增益是（ ） 。 10 答案： （1）1V /5mV =200 1/2kΩ/5μA =100 20000 （2） 0.1kΩ （3） 5×10 2.3 某放大电路输入电阻为R i =10kΩ，如果用 1μA电流源驱动，放大电路短路输出电流为 10 mA，开路输出电压为 10V。求该放大电路接 4 kΩ负载电阻时的电压增益Av，电流增益 A i 和功率增益A p ，并分别转换成dB数表示。 解：
v
VS t o T 题图 1.2 2T
题型:计算题 分析: 周期方波电压信号的傅里叶分解，即频谱为
1
V 2V 2V 2V v(t ) = S + S sin ω0t + S sin 3ω0t + S sin 5ω0t + 3 π 2 3π 5π ω = 2π 1 = 2πf 0 0 T
设：Voo − −开路电压 Ro = ( Voo − 1) RL VOL
VOL − −负载电压 Voo Voo 5 = = VOL (1 − 0.2)Voo 4 Ro = 0.25kΩ
） 。
（5）电路如题图 2.1 所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻R o（
《模拟电子技术基础》习题参考答案
18.
《模拟电子技术基础》习题及参考答案
、填空题：
半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由 少数载流子形成，其大小决定 于温度，而与外电场
无关。
10. 一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是： A 脚为12
伏，B 脚为11.7伏，C 脚为6伏，则该管为PNP 型锗管,A 为发射（E ）极,B 为基（B ）极，C 为集电（C ）极。 11. 稳压二极管工作在 反向击穿区，主要用途是稳压。
12. 稳压二极管稳压时是处于 反向偏置状态，而二极管导通时是处于 正向偏置状
态。
13. 晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而 下降。共基极电路比 共射极电路高频特性
好。
场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是 可变电阻区、恒流区、击穿区。 电子线路中常用的耦合方式有 直接耦合和电容耦合。
通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级 放大电路称为输出
级，它们之间的放大电路称为中间级。
某放大电路空载输出电压为4V,接入3KQ 负载后，输出电压变为3V ,该放大电路 的输出电阻为
1KQ 。 为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用 直流负反馈。为稳定交流输出电
1. 2. 3. 4. 5. PN 结的P 型侧接高电位，N 型侧接低电位称为 正向偏置（正偏），反之称为 反向偏置（反
偏）。
PN 结最重要的特性是 单向导电性，它是一切半导体器件的基础。在 NPN 型三极管 中，掺杂浓度
最大的是 发射区。
晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。 6. 7. 8. 9. 晶体三极管的集电极电流lc=XL B 所以它是电流控制元件。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案
1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
o
o
(a)
(b)
(c)
(d)
图题1.1
解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。 （b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。 （c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。 （d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。 画出o u 波形如图所示。
V
u i /
u o /u o /u o /u o /
1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2
，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V
。
R L
R L
(a)
(b)
R L
R L
R L
(c) (d) (e)
1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？
U
图题1.3
解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答
习题1
客观检测题
一、填空题
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题
1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ）
2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ）
3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ）
4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ）
5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ）
6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ）
7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ）
三．简答题
1、PN 结的伏安特性有何特点？
答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V
s D -⋅=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位
与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯23
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与问题详解
第一章 半导体基础知识
自测题
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V
五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。
六、1、
V
2V mA
6.2 A μ26V C C CC CE B C b
BE
BB B =-====-=
R I U I I R U I β
U O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以
Ω
≈-=
==
=-=
k 4.45V μA
6.28mA
86.2V B
BE
BB b C
B c CES
CC C I U R I I R U I β
七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
t
t
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝
2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
18.
《模拟电子技术基础》习题及参考答案
、填空题：
半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由 少数载流子形成，其大小决定 于温度，而与外电场
无关。
10. 一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是： A 脚为12
伏，B 脚为11.7伏，C 脚为6伏，则该管为PNP 型锗管,A 为发射（E ）极,B 为基（B ）极，C 为集电（C ）极。 11. 稳压二极管工作在 反向击穿区，主要用途是稳压。
12. 稳压二极管稳压时是处于 反向偏置状态，而二极管导通时是处于 正向偏置状
态。
13. 晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而 下降。共基极电路比 共射极电路高频特性
好。
场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是 可变电阻区、恒流区、击穿区。 电子线路中常用的耦合方式有 直接耦合和电容耦合。
通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级 放大电路称为输出
级，它们之间的放大电路称为中间级。
某放大电路空载输出电压为4V,接入3KQ 负载后，输出电压变为3V ,该放大电路 的输出电阻为
1KQ 。 为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用 直流负反馈。为稳定交流输出电
1. 2. 3. 4. 5. PN 结的P 型侧接高电位，N 型侧接低电位称为 正向偏置（正偏），反之称为 反向偏置（反
偏）。
PN 结最重要的特性是 单向导电性，它是一切半导体器件的基础。在 NPN 型三极管 中，掺杂浓度
最大的是 发射区。
晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。 6. 7. 8. 9. 晶体三极管的集电极电流lc=XL B 所以它是电流控制元件。
模拟电子技术基础典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识
1电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1解图P1.1
解：波形如解图P1.1所示。
2电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2
解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2
3已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。试求图P1.3所示电路中电阻R的取值范围。
图P1.3
解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA
电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为
Ω=-=
k 8.136.0Z
Z
I ～I U U R
4已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
图P1.4
解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
V
33.3I L
L
O ≈⋅+=
U R R R U
当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
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半导体器件的基础知识
1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u
与u O的波形，并标出幅值。
i
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2
解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2
1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值围。
图P1.3
解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA
电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值围为
Ω
=-=k 8.136.0Z
Z I ～I U U R
1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
图P1.4
解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
V
33.3I L
L
O ≈⋅+=
U R R R U
当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
L
O I L 5V
R U U R R =⋅≈+
当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。试分别画出u O1和u O2的波形。
图P1.5
解图P1.5
解：波形如解图P 1.5所示
1.6测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.6所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.6
解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.6所示。
管号T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6 上 e c e b c b
中 b b b e e e
下 c e c c b c
管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN
材料Si Si Si Ge Ge Ge 1.7电路如图P1.7所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
图P1.7
解：取U CES＝U BE，若管子饱和，则
C
b
C
BE
CC
b
BE
CC
R
R
R
U
V
R
U
V
β
β
=
-
=
-
⋅
所以，
100
C
b=
≥
R
R
β
时，管子饱和。
1.8 分别判断图P1.8所示的各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图P1.8
解：（a）可能
（b）可能
（c）不能
（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。
（e）可能
第二章基本放大电路
2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图P2.1
解：（a）将－V CC改为＋V CC。
（b）在＋V CC与基极之间加R b。
（c）将V BB反接，且在输入端串联一个电阻。
（d）在V BB支路加R b，在－V CC与集电极之间加R c。
2.2 电路如图P2.2（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时U BEQ＝0.7V。利用图解法分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压U om（有效值）。
图P2.2
解：空载时：I BQ＝20μA，I CQ＝2mA，U CEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。
带载时：I BQ＝20μA，I CQ＝2mA
，U CEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。
如解图P2.2所示。
解图P2.2
2.3电路如图P2.3所示，晶体管的b＝80，'bb r=100Ω。分别计算R L＝∞和R L＝3k Ω时的Q点、u A
、R i和R o。
图P2.3
解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r be均相等，它们分别为
Ω
≈
+
+
=
≈
=
≈
-
-
=
k3.1
mV
26
)
1(
mA
76
.1
A
μ
22
EQ
bb'
be
BQ
CQ
BEQ
b
BEQ
CC
BQ
I
r
r
I
I
R
U
R
U
V
I
β
β
空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为