瓷介电容器

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陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全

陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全谈论起陶瓷电容器，我们会想到电子元件器工业。

电子元件器工业在在20世纪出现并得到飞速发展，使得整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。

继电器、二极管、电容器、传感器等产品的出现，给我们的生活带来了极大地便利。

而电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。

英文名称：capacitor。

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。

文章开篇所提到的陶瓷电容器（ceramiccapacitor；ceramiccondenser）就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。

它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。

一、陶瓷电容器基础知识简介1、陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。

它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。

这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

高频瓷介电容器适用于高频电路。

2、陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。

低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。

高频瓷介电容器适用于高频电路。

3、陶瓷电容器有四种材质分类：这四种是：Y5V，X5R，X7R，NPO(COG)。

那么这些材质代表什么意思呢？第一位表示低温，第二位表示高温，第三位表示偏差。

Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦，但容量一般做不大。

瓷介电容器技术要求

CT1
T=25℃,F=1KHz
在两端子间施加额定充电电流＜50mA 电压1min 充电时间1-5s 电容器
SL:≤0.015 2B/2E:≤0.02 2F:≤0.025
≥4000MΩ
1KV≤UE≤10KV: 1.5UE＋500V 成型短插间距 7.5mm
－25/＋85℃ 镀锡铜包钢
电容量范围 C 14.25-15.75PF 17.1-18.8PF 20.9-23.1PF 37.5-40.9PF 53.2-58.8PF 171-189PF 209-231PF T=25℃,F=10KHz 351-429PF 423-517PF 900-1100PF 1080-1320PF 1760-2640PF 8-18NF 900-1100PF 1760-2640PF 3510-4290PF T=25℃,F=1KHz 209-231PF 423-517PF 900-1100PF 209-231PF 423-517PF 612-748PF 900-1100PF T=25℃,F=1KHz
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文件名称
拟制胡良友审核
瓷介电容器技术要求
批准损耗角正切 d 绝缘电阻 Rj
文件编号实施日期版本/修改总页/页次抗电强度 Vt 脚型温度范围引线材质
CC1
型号规格 50V/15J 低 50V/18J 损 50V/22J 耗 50V/39J 瓷 50V/56J 介 50V/181J 电 500V/221J 容器测试条件高介电常数瓷介电容器 50V/391K 50V/471K 50V/102K 50V/122K 50V/222M 50V/103Z 50V/104K 500V/102K 500V/222K 500V/392K 测试条件 1KV221K 1KV471K 1KV102K 2KV221K 2KV471K 2KV681 2KV102K 2KV332K 测试条件

电容选用资料(2)瓷介电容器(公布)

三、瓷介电容器（一）概述1、电容器用陶瓷的分类方法：适合做电容器的陶瓷很多，为了生产和使用上的规范，将电容器用陶瓷材料按照其性能特点进行分类，分类的主要依据是介电常数ε、损耗角正切tgδ、频率特性、温度特性、电压特性等综合考虑，我国已有完整的电容器用陶瓷材料分类标准，将电容器瓷分成三类（1、2、3类），由此也将陶瓷电容器分成1、2、3类瓷介电容器。

通常将1类瓷称做高频瓷（顺电体陶瓷），2类瓷称为低频瓷（铁电体陶瓷），3类瓷称为半导体瓷。

2、电容器瓷的介电常数并非一个恒定值，是一个与温度有关的电参数，为了描述介电常数这种温度特性，对1类瓷用温度系数TC(也用α表示，单位10-6/℃)来表达，对2、3类瓷用介电常数ε随温度的变化率△ε/ε（%）来表达。

温度特性是各类陶瓷电容器瓷分组的主要依据。

3、陶瓷电容可以有引线，也可以无引线（比如MLCC：贴片陶瓷电容）；其包封材料可以是酚醛树脂（液体涂封）、环氧树脂（粉末涂装，兰色、红色、绿色各种颜色）、釉膜涂装（烧结涂装）。

4、相关词语解释：1）结构类似元件：用相同的工艺和材料制造的电容器，即使它们的外形尺寸和数值可能不同，也可以认为是结构类似的电容器。

2）初始制造阶段：单层电容器的初始制造阶段是形成电极的介质金属化（即被银瓷片生产）。

多层电容器的初始制造阶段是介质-电极叠压后的第一次共同烧结。

3）1类瓷介固定电容器：专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器。

例如，在电路中做温度补偿之用。

该类陶瓷介质是以标称温度系数来确定的。

4）2类瓷介固定电容器：适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。

该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。

5）3类瓷介固定电容器：是一种具有半导体特征的瓷介电容器。

该类电容器适于作旁路、耦合之用。

该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。

片式叠层陶瓷电容器(MLCC)

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片式电容器(MLCC)
16
MLCC的制造工艺
17
陶瓷介质薄膜制作-配料

陶瓷介质薄膜制备方法应用最多的是流延法。在流延前，需将陶瓷材料与黏合剂、有机溶剂、分散剂等按一定比例混合在一起，通过球磨等方式使之混合均匀，形成具有一定流动性的陶瓷浆料，这个过程叫配料。这是制造MLCC的第一步，也是极为关键的一步。
38
内电极剖面SEM
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内电极制作-叠层
将印刷好内电极图形的陶瓷介质膜片按产品设计要求，借助于膜片本身的黏性和叠层机的压力将膜片叠在一起形成一个整体，简称电极巴块。
40
电容芯片制作-层压
目的：提高烧结后瓷体的致密性
41
电容芯片制作-切割
切割是将产品切割成设计尺寸大小的一粒粒芯片的过程。切割方式有直刀式和圆刀式
MLCC的结构
Cu/Ag引出层，Ni热阻挡层，Sn可焊层
7
MLCC剖面的SEM
8
MLCC的分类-按温度特性分类

第Ⅰ类: 温度补偿型固定电容器，包括通用型高频CG、CH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、 UJ、SL电容器; 第Ⅱ类 :固定电容器，一般有X7R、X5R 以及Y5V、Z5U温度特性系列。
12
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MLCC不同尺寸规格
尺寸规格
长×宽 (英寸) 长×宽 (毫米)
0402 0603 0805
0.08× 0.05
1206
0.12× 0.06 3.20× 1.60
1808
0.18× 0.08 4.50× 2.00
2225
0.22× 0.25 5.70× 6.30
0.04× 0.06× 0.02 0.03

高压瓷介电容低电压失效分析及预防

高压瓷介电容低电压失效分析及预防摘要：在电路中，电容元件发挥的作用非常大。

因此，在实际应用期间，应该着力对电容器件的质量以及可靠性进行提高，保证整机的运行能更加稳定。

在电源设计中，高压瓷介电容器一直是重点内容故而，必须对高压瓷介电容低电压失效问题深入分析，找出成因，并在此基础上，科学制定预防办法，保证高压瓷介电容的使用能更加高效合理。

关键词：高压瓷介电容；低电压失效；预防引言高压瓷介电容器属于无源器的一种，在电力电子设备中的应用较为普遍。

在对高压瓷介电容器运用阶段，低电压失效问题比较常见，对装置整机的运行稳定性和可靠性影响很大。

因此，应该对这一现象合理分析，深入剖析成因，加大预防力度，确保装置在使用期间不会出现任何故障。

1、高压瓷介电容低电压失效分析1.1高压瓷介电容低电压失效基本信息某款开关电源在使用期间，输电压出现偏低问题，经过认真地检查之后发现，主要是在输出电压反馈回路中应用了CT81型瓷介电容，最终导致低电压失效问题发生。

并且，通过研究得知，失效分布较为集中。

1.2高压瓷介电容低电压失效原因分析通过对高压瓷介电容低电压失效的深入分析可知，导致这一问题出现的原因有很多，具体可以体现在以下几个方面。

（1）“人机料法环”环节分析。

针对本次研究的型号装置，整个生产线十分成熟，但在实际焊装阶段，因为电容焊装所处的位置比较高，所以对相邻元件焊接产生了较大影响。

同时，在焊接环节，针对电容引脚，出现被折弯的现象。

由于这一操作不在工艺文件规定的范围内，因此会对电容的机械结构产生极大影响。

在开展清洗工作期间，对有机溶剂进行了使用，加强对线路板的刷洗。

为了能提升烘干的效果，选择在恒温箱中将这一工作完成。

为确保不会对器件造成任何影响，需要对储存温度严格管控，必须在元件储存的温度范围内。

针对失效电容，部分应用的是国内比较知名的品牌，还有的部分采用的是普通品牌。

对于故障模块的其他部分，电路中的使用的电容型号相同[1]。

电容的分类、作用及图解

11.云母微调电容器（CY）
结构：云母微调电容器由定片和动片构成，定片为固定金属片，其表面贴有一层云母薄片作为介质，动片为具有弹性的铜片或铝片，通过调节动片上的螺钉调节动片与定片之间的距离，来改变电容量。云母微调电容器有单微调和双微调之分。
用途：应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。
12.瓷介微调电容器（CC）
8.金属化纸介电容器（CJ）
结构：金属化纸介电容器采用真空蒸发技术，在涂有漆膜的
纸上再蒸镀一层金属膜作为电极而成。
优点：与普通纸介电容相比，体积小，容量大，击穿后能自愈能力强。
常见有CJ10、CJ11等系列。
9.铝电解电容器（CD）
结构：有极性铝电解电容器是将附有氧化膜的铝箔（正极）和浸有电解液的衬垫纸，与阴极（负极）箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。
用途：一般应用于中、低频电路中。
常用的型号有CL11、CL21等系列。
3.聚苯乙烯电容器（CB）
结构：有箔式和金属化式两种类型。
用途：一般应用于中、高频电路中。
常用的型号有CB10、CB11（非密封箔式）、CB14~16（精密型）、CB24、CB25（非密封型金属化）、CB80（高压型）、 CB40 （密封型金属化）等系列。
4.聚丙烯电容器（CBB）
结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类型。
用途：一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、CBB11、CBB60、 CBB61 等；金属化式聚丙烯电容： CBB20、CBB21、CBB401 等系列。
14.空气可变电容器（CB）

电子制作基础知识篇-常用电容器优缺点及其主要应用

常用电容器优缺点及其主要应用1、铝电解电容器用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。

电容量：0.47～10000u额定电压：6.3～450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等2、钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。

电容量：0.1～1000u额定电压：6.3～125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容应用：在要求高的电路中代替铝电解电容3、薄膜电容器结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。

a 聚酯（涤纶）电容（CL）电容量：40p～4u额定电压：63～630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路b 聚苯乙烯电容（CB）电容量：10p～1u额定电压：100V～30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路c 聚丙烯电容（CBB）电容量：1000p～10u额定电压：63～2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路4、瓷介电容器穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。

引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路。

贴片叠层瓷介电容器(SMD贴片电容)详细介绍

北京芯联科泰电子有限公司贴片叠层瓷介电容器（SMD贴片电容）详细介绍：贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。

英文缩写：MLCC。

基本概述贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。

下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册尺寸贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法， 04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸（mm）英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.301808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.001812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.502225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.503035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00命名贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。

电容器的分类介绍讲解

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聚丙烯电容器（CBB）
结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类型。优点：损耗小，性能稳定，绝缘性好，容量大。用途：一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、CBB11、CBB60、 CBB61 等金属化式聚丙烯电容： CBB20、CBB21、CBB401 等系列。外形实例：
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云母电容器（CY）
结构：云母电容器是采用云母作为介质，在云母表面喷一层金属膜（银）作为电极，按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳（或陶瓷、塑料外壳）内构成。优点：稳定性好、分布电感小、精度高、损耗小、绝缘电阻大、温度特性及频率特性好、工作电压高（50 V~7 kV）等优点。用途：一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等使用。常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。外形实例：
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独石电容器
结构：独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器优点：它具有性能可靠、耐高温、耐潮湿、容量大（容量范围1 pF ~ 1 μF）、漏电流小等优点。缺点：工作电压低（耐压低于100 V）。用途：广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。常用的有CT4 （低频）、CT42（低频）；CC4（高频）、CC42 （高频）等系列。外形实例：

多层瓷介电容常见失效模式及机理

多层瓷介电容常见失效模式及机理多层瓷介电容器是一种常见的电子元件，广泛应用于电子设备中的电源滤波、信号耦合、阻隔和信号耦合等电路中。

然而，由于一些外部因素或者内部因素的影响，多层瓷介电容器可能会出现失效情况。

以下是多层瓷介电容器常见的失效模式及机理：1.电容值下降：多层瓷介电容器的电容值一般是在制造过程中通过氧化物的添加精确控制的。

然而，由于一些外部因素（如温度、湿度等）或内部因素（如电场应力、材料老化等）的影响，电容值可能会下降。

例如，当电容器暴露在高温环境下，氧化物可能会发生渐进性脱溶，导致电容值下降。

2.漏电流增加：多层瓷介电容器的漏电流也可能会增加。

漏电流是指在正常工作条件下，绝缘材料内部的电流。

漏电流的增加可能是由于绝缘材料的老化、微小裂纹的扩展、结构松散等造成的。

例如，当电容器在高温环境下长时间工作，绝缘材料可能会老化，导致漏电流增加。

3.短路：在一些极端情况下，多层瓷介电容器可能会发生短路。

短路可能是由于多层瓷介电容器的内部结构松散，导致不同电极之间的直接接触。

此外，如果电容器在电压过高的情况下工作，也可能导致短路。

4.温升：多层瓷介电容器在正常工作中会产生一定的热量，但是如果电容器的散热不良，温度可能会升高。

高温可能会导致电容器内部材料的老化，从而引发其他失效模式。

以上是多层瓷介电容器常见的失效模式及机理。

需要注意的是，不同的厂家可能有不同的设计和制造工艺，因此，失效模式和机理可能会有一定的差异。

此外，电容器的使用条件也会对失效模式和机理产生影响。

因此，在实际应用中，需要根据具体情况评估多层瓷介电容器的失效风险，并采取必要的预防措施。

片式叠层陶瓷电容器MLCCPPT课件

企业在BME制造技术的垄断。同时，风华、宇阳
及三环这三家国内元器件企业也相继完成了BME
技术的改造和产业化，成为MLCC主流产品本地化
制造供应源。
.
6
MLCC的结构
Cu/Ag引出层，N. i热阻挡层，Sn可焊层
7
MLCC剖面的SEM
.
8
MLCC的分类-按温度特性分类
第Ⅰ类: 温度补偿型固定电容器，包括通用型高频CG、CH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、 UJ、SL电容器;
9
美国电子工业协会对电容温度特性的规定（ EIA RS-198D标准）
第一号 X
Y
Z
-55 -30 +10
第二号 2
4
5
6
7
+45 +65 +85 +105 +125
EI
A 第三号
E
F
P
R
T
U
V
±4.7 %
±7.5%
±10%
±15 %
+22- +22- +2233% 56% 82%
1～ 2为工作温度范围，3为容量变化率。如X7R表示为当温度在-55℃～ +125℃时其容量变化为15%
.
10
国标与EIA标准
如美国EIA标准的Y5V瓷料、Z5U瓷料、 X7R瓷料电容器瓷料分别对应国标 GB/T5596-1996标准的2F4瓷料、2E4瓷料、 ZX1瓷料，其Tc值分别对应： +22%～-82%、+22%～-56%、±15%，这是目前在低频MLCC领域使用最为广泛的三种低频温度特性类别电容器瓷料。

电容的分类作用及图解

1、瓷介电容器(CC)结构:用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。

瓷介电容器又分 1 类电介质(NPO、CCG));2 类电介质(X7R、2X1)与3 类电介质(Y5V、2F4)瓷介电容器。

用途:主要应用于高频电路中。

2、涤纶电容器(CL)结构:涤纶电容器,就是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数(即温度升高时,电容量变大)的无极性电容。

用途: 一般应用于中、低频电路中。

常用的型号有CL11、CL21等系列。

3、聚苯乙烯电容器(CB)结构:有箔式与金属化式两种类型。

用途: 一般应用于中、高频电路中。

常用的型号有CB10、CB11(非密封箔式)、CB14~16(精密型)、CB24、CB25(非密封型金属化)、CB80(高压型)、CB40 (密封型金属化)等系列。

4、聚丙烯电容器(CBB)结构:用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。

有非密封式(常用有色树脂漆封装)与密封式(用金属或塑料外壳封装)两种类型。

用途: 一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。

常用的箔式聚丙烯电容:CBB10、CBB11、CBB60、CBB61 等;金属化式聚丙烯电容: CBB20、CBB21、CBB401 等系列。

5、独石电容器结构:独石电容器就是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器。

用途:广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。

常用的有CT4 (低频) 、CT42(低频);CC4(高频)、CC42(高频)等系列。

6、云母电容器(CY)结构:云母电容器就是采用云母作为介质,在云母表面喷一层金属膜(银)作为电极,按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳(或陶瓷、塑料外壳)内构成。

用途:一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等使用。

常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。

7、纸介电容器(CZ)结构:纸介电容器就是用较薄的电容器专用纸作为介质,用铝箔或铅箔作为电极,经卷饶成型、浸渍后封装而成。

瓷介电容的组成

瓷介电容是一种常见的电容器类型，它由以下几个主要组成部分构成：
1.瓷质介电材料：瓷介电容的名称中的"瓷"指的就是瓷质介电材料。

瓷质介电材料通常由
陶瓷或氧化物制成，例如二氧化铝(Al2O3)、钛酸锆(ZrTiO4) 等。

这些瓷质材料具有高介电常数和良好的绝缘性能。

2.两个金属电极：瓷介电容器的内部有两个金属电极，通常是以金属箔或金属涂层的方式
存在。

这两个电极分别与瓷质介电材料接触，并用于存储和传导电荷。

3.引线和外壳：瓷介电容器通常还包括引线和外壳。

引线连接在金属电极上，用于将电容
器连接到电路中。

外壳则起到保护内部元件和提供机械支撑的作用。

总的来说，瓷介电容的组成主要包括瓷质介电材料、两个金属电极、引线和外壳。

这些组成部分共同作用，使得瓷介电容器能够存储和释放电荷，实现电容功能。

2类瓷介电容标准

2类瓷介电容标准
瓷介电容器通常分为不同类别，而这些类别受到特定的标准和规范的影响。

以下是两种常见的瓷介电容器类别及相关标准的简要概述：
1.X 类和Y 类瓷介电容器：
•X 类瓷介电容器：主要用于在交流电路中提供对高电压尖峰的抑制。

它们设计用于在电源线上连接到电源线和地
线之间，以保护设备免受电源线中的瞬态过电压的影响。

圆片陶瓷电容

圆片陶瓷电容
圆片陶瓷电容是指用高介电常数的电容器陶瓷（钛酸钡一氧化钛）挤压成圆片作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的一种电容器。

圆片陶瓷电容的特点是稳定，绝缘性好，耐高压，但其容量比较小。

此外，圆片陶瓷电容又分高频瓷介和低频瓷介两种。

其中，高频瓷介电容器通常用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器；而低频瓷介电容器则通常用于脉冲、耦合、旁路和滤波电路中。

在应用方面，圆片陶瓷电容被广泛用于送电、配电系统的电力设备中，其制作原理是利用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆片作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极。

由于圆片陶瓷电容具有小的正电容温度系数，因此它被用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

但是，这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

总的来说，圆片陶瓷电容是一种重要的电子元件，其具有广泛的应用前景和市场需求。

随着科技的不断进步和电子行业的快速发展，圆片陶瓷电容作为一种重要的电子元件，其性能和应用领域也在不断拓展和创新。

电容的发展历史和基本原理

电容的发展历史和基本原理
电容的发展历史可以追溯到18世纪，以下是其发展历程：
1. 1745年，荷兰莱顿大学P.穆森布罗克发明了莱顿瓶，这是最早的电容器，也是玻璃电容器的雏形。

2. 1874年，德国M.鲍尔发明了云母电容器。

3. 1876年，英国D.斐茨杰拉德发明了纸介电容器。

4. 1900年，意大利L.隆巴迪发明了瓷介电容器。

5. 30年代，人们发现陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，从而制造
出较便宜的瓷介电容器。

6. 1921年出现了液体铝电解电容器，而1938年前后改进为由多孔纸浸渍
电糊的干式铝电解电容器。

7. 1949年出现了液体烧结钽电解电容器，1956年又制成固体烧结钽电解
电容器。

8. 50年代初，随着晶体管的发明，元件开始向小型化方向发展。

随着混合
集成电路的发展，又出现了无引线的超小型片状电容器和其他外贴电容器。

电容的基本原理是：电容是由两个电极及其间的介电材料构成的。

介电材料是一种电介质，当被置于两块带有等量异性电荷的平行极板间的电场中时，由于极化而在介质表面产生极化电荷，使束缚在极板上的电荷相应增加，维
持极板间的电位差不变。

这就是电容器具有电容特征的原因。

电容器中储存的电量Q等于电容量C与电极间的电位差U 的乘积。

电容量与极板面积和介电材料的介电常数ε成正比，与介电材料厚度（即极板间的距离）成反比。

电容分析：常用电容器的结构和特点

电容分析：常用电容器的结构和特点
电容器是电子设备中常用的电子元件,下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍,以供大家参考。

1、铝电解电容器：
它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质,插人一片弯曲的铝带做正极制成。

还需经直流电压处理,做正极的片上形成一层氧化膜做介质。

其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性,适于电源滤波或低频电路中,使用时,正、负极不要接反。

2、钽铌电解电容器：
它用金属钽或者铌做正极,用稀硫酸等配液做负极,用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。

其特点是：体积孝容量大、性能稳定、寿命长。

绝缘电阻大。

温度性能好,用在要求较高的设备中。

3、薄膜电容器
结构与纸质电容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好,介电损耗小不能做成大的容量,耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。

4、瓷介电容器
穿心式或支柱式结构瓷介电容器,它的一个电极就是安装螺丝。

引线电感极小,频率特性好,介电损耗小,有温度补偿作用不能做成大的容量,受振动会引起容量变化特别适于高频旁路。

5、独石电容器
多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次绕结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可*和耐。

瓷介电容作用

瓷介电容作用瓷介电容作用瓷介电容是一种常见的电子元件，它在电路中起着重要的作用。

本文将从多个角度详细阐述瓷介电容的作用。

一、什么是瓷介电容瓷介电容是一种介质为氧化铝或二氧化钛的固体电容器，其特点是具有高绝缘性能、稳定性和耐高温性能。

它通常被用于直流和低频交流信号的耦合、滤波和去耦等应用中。

二、瓷介电容的结构瓷介电容由两个金属板之间夹着一个薄片状的氧化铝或二氧化钛片组成。

这两个金属板被称为极板，它们与外部电路相连，而中间的氧化铝或二氧化钛片则被称为介质层。

三、瓷介电容的工作原理当两个极板之间施加了一个直流或交流信号时，由于氧化铝或二氧化钛具有良好的绝缘性能，所以信号不能通过介质层传递。

因此，在这种情况下，极板之间形成了一个等效于空气的电容器。

四、瓷介电容的应用1. 耦合瓷介电容可以用于直流和低频交流信号的耦合。

在这种应用中，瓷介电容被放置在两个电路之间，以允许信号从一个电路传输到另一个电路。

2. 滤波瓷介电容可以用于滤波器中。

在这种应用中，瓷介电容被放置在滤波器的输入和输出之间，以允许只有特定频率的信号通过。

3. 去耦瓷介电容可以用于去耦应用中。

在这种应用中，瓷介电容被放置在直流源和负载之间，以允许直流信号通过并阻止高频噪声信号通过。

4. 时钟发生器瓷介电容可以用于时钟发生器中。

在这种应用中，瓷介电容被放置在晶体管震荡器的反馈回路中，以控制震荡频率。

五、不同类型的瓷介电容1. 多层陶瓷片式固定式电容器多层陶瓷片式固定式电容器是一种常见的固定式瓷介电容器。

它由多个氧化铝片组成，这些片被压缩在一起形成一个整体。

2. 电解质固定式电容器电解质固定式电容器是一种具有极高容量的瓷介电容器。

它使用涂有电解质的铝箔作为极板，而不是纯金属极板。

3. 金属化聚酰亚胺薄膜固定式电容器金属化聚酰亚胺薄膜固定式电容器是一种使用聚酰亚胺薄膜作为介质的瓷介电容器。

它具有较高的稳定性和可靠性，并且可以承受高温和高湿度环境。

六、总结瓷介电容是一种常见的固体电容器，其具有高绝缘性能、稳定性和耐高温性能等特点。

瓷介的基本知识

瓷介的基本知识一、陶瓷介质的特性陶瓷是一个绝缘体，而作为电容器介质用的陶瓷除了具有绝缘特性外，还有一个很重要的特性：就是极化。

即它在外加电场的作用下，正负电荷会偏离原有的位置，从而表现出正负两个极性。

绝缘体的极化特性我们一般用介电常数ε来表示，即介质的K 值。

下面例举不同材料的介电常数：真空： 1.0 空气： 1.004 纸：4~6 玻璃： 3.7~19 三氧化二铝（Al2O3）：9 钛酸钡（BaTiO3）：1500 结构陶瓷：10~20000二、瓷介的分类•陶瓷是一种质硬、性脆的无机烧结体，一般分为两大类：功能陶瓷和结构陶瓷。

用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷是一种结构陶瓷，是电子陶瓷，也叫电容器瓷。

电容器瓷根据国标按其温度特性分为两类：Ⅰ类电容器瓷（COG）和Ⅱ类电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。

按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；•②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。

高频热补偿、热稳定电容器瓷属Ⅰ类瓷，•其瓷料主要成分是MgTiO3、Ti9Ba2O20、BaTi4O9 和Nd-Ba-Ti 再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。

其特点是介电常数较小（10～100），介质损耗小（小于15×10-4），介电常数一般不随温度的变化而变化。

高频热补偿电容瓷常用来制造负温产品，此类产品用途最广的地方就是振荡回路，•像彩电高频头。

大家知道，振荡回路都是由电感和电容构成，•回路中的电感线圈一般具有正的电感温度系数。

因此，为了保持振荡回路中频率(F=1/2π√LC )不随温度变化而发生漂移，•就必须先用具有适当的负温度系数的电容器来进行补偿。

低频高介电容器瓷属Ⅱ类瓷，是强介铁电陶瓷，•一般是指具有自发极化特性的非线性陶瓷材料，其主要成份是钛酸钡（BaTiO3），其特点是介电系数特别高，一般数千，甚至上。