TTL与CMOS高低电平区别比较
ttl与cmos高低电平区别比较
T T L与C M O S高低电平区别比较一.T T LT T L集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(t r a n s i s t o r-t r a n s i s t o r l o g i c g a t e),TT L大部分都采用5V电源。
1.输出高电平U o h和输出低电平U o lU o h≥2.4V,U o l≤0.4V2.输入高电平和输入低电平U i h≥2.0V,U i l≤0.8V二.C M O SC M O S电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上。
C M OS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小。
1.输出高电平U o h和输出低电平U o lU o h≈V C C,U o l≈G N D2.输入高电平U o h和输入低电平U o lU i h≥0.7V C C,U i l≤0.2V C C(V C C为电源电压,G N D为地)从上面可以看出:在同样5V电源电压情况下,C O M S电路可以直接驱动T T L,因为C M O S的输出高电平大于 2.0V,输出低电平小于0.8V;而T T L电路则不能直接驱动C M O S电路,T T L的输出高电平为大于 2.4V,如果落在 2.4V~3.5V之间,则C M O S电路就不能检测到高电平,低电平小于0.4V满足要求,所以在T T L电路驱动C O M S电路时需要加上拉电阻。
如果出现不同电压电源的情况,也可以通过上面的方法进行判断。
如果电路中出现3.3V的C O M S电路去驱动5V C M O S电路的情况,如 3.3V单片机去驱动74H C,这种情况有以下几种方法解决,最简单的就是直接将74H C换成74H C T(74系列的输入输出在下面有介绍)的芯片,因为 3.3V C M O S可以直接驱动5V的T T L电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏,然后加上拉电阻到5V,这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小,以保证信号的上升沿时间。
TTL和CMOS区别及应用特点
TTL和CMOS区别及应用特点1.工作原理:TTL(Transistor-Transistor Logic)是由双极晶体管构成的数字逻辑家族。
它使用负反馈电路来实现逻辑门的功能。
TTL电路在逻辑高电平(通常为5V)时使输出引脚与电源连接,逻辑低电平(通常为0V)时使输出引脚与地连接。
2.功耗:TTL电路在逻辑高电平和逻辑低电平时都会消耗功耗,无论是否有电流流过。
由于负反馈线性放大,TTL电路的功耗相对较高,通常比CMOS电路高几倍。
CMOS电路只在切换时才会存在短暂的功耗,因为当CMOS器件处于静止状态时,几乎不会有电流流过它们。
因此,CMOS电路的平均功耗更低,适用于低功耗应用。
3.速度:TTL电路的工作速度相对较快。
这是因为TTL电路是由活动区的双极晶体管构成的,具有较低的输出电阻和快速开关速度。
CMOS电路的工作速度相对较慢,因为它是由MOSFET构成的,具有相对较高的输出电阻和较慢的开关速度。
4.应用特点:TTL适用于需要较高的速度和较低的输出电阻的应用,如计算机接口、射频器件等。
CMOS适用于功耗要求较低并且速度要求不高的应用,如移动设备、嵌入式系统、传感器等。
由于CMOS电路具有较低的功耗和较高的抗噪声能力,它还常用于大规模集成电路(LSI)和微处理器设计。
总结:TTL和CMOS是两种不同类型的数字逻辑电路家族,它们在工作原理、功耗、速度和应用特点上有区别。
TTL适用于需要较高速度和较低输出电阻的应用,CMOS适用于功耗要求较低和抗噪声能力要求较高的应用。
根据具体应用需求,选择适合的电路家族可以提供更好的性能和效率。
CMOS电平和TTL电平的区别讲解
CMOS 电平和TTL 电平的区别讲解
晶体管组成了TTL 集成电路,TTL 大多采用5V 电路。
用二进制来进行
表示的话,5V 正好等于逻辑上的“1”,0V 等于逻辑上的“0”,因此,TTL 电
平在电路中得以被大量应用。
而在此领域中,同样被大量应用的还有CMOS 电平。
除了逻辑电平范围的不同,TTL 电平和CMOS 电平之间还有哪些不同呢?
TTL 集成电路
TTL 集成电路的主要形式为晶体管-晶体管逻辑门,且大部分都采用5V 电源。
输出高电平Uoh 和输出低电平Uol 时:Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V;
输入高电平和输入低电平时:Uih≥2.0V,Uil≤0.8V;
CMOS
CMOS 电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因
此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上。
CMOS 电路的优点是噪声容
限较宽,静态功耗很小。
输出高电平Uoh 和输出低电平Uol 时:Uoh≈VCC,Uol≈GND;
输入高电平Uoh 和输入低电平Uol 时:Uih≥0.7VCC,Uil≤0.2VCC(VCC 为电源电压,GND 为地);
从以上的数据对比中我们可以看出,在同样5V 电源电压情况下,COMS
电路可以直接驱动TTL,因为CMOS 的输出高电平大于2.0V,输出低电平
小于0.8V;而TTL 电路则不能直接驱动CMOS 电路,TTL 的输出高电平为
大于2.4V,如果落在2.4V~3.5V 之间,则CMOS 电路就不能检测到高电平,低电平小于0.4V 满足要求,所以在TTL 电路驱动COMS 电路时需要加。
什么是TTL电平
什么是TTL电平,什么是CMOS电平,他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准输出 L: <0.8V ; H:>2.4V。
输入 L: <1.2V ; H:>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。
输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。
CMOS电平:输出 L: <0.1*Vcc ; H:>0.9*Vcc。
输入 L: <0.3*Vcc ; H:>0.7*Vcc.一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下,同电压的是可以的,不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值,看是否能够匹配(VOL要小于VIL,VOH 要大于VIH,是指一个连接当中的)。
有些在一般应用中没有问题,但是参数上就是有点不够匹配,在某些情况下可能就不够稳定,或者不同批次的器件就不能运行。
例如:74LS的器件的输出,接入74HC的器件。
在一般情况下都能好好运行,但是,在参数上却是不匹配的,有些情况下就不能运行ttl与coms电平使用起来有什么区别1.电平的上限和下限定义不一样,CMOS具有更大的抗噪区域。
同是5伏供电的话,ttl一般是1.7V和3.5V的样子,CMOS一般是2.2V,2.9V的样子,不准确,仅供参考。
TTL与COM
TTL与CMOS(超级详细!)2推荐TTL与CMOS1,TTL电平:输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。
2,CMOS电平:1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3,电平转换电路:因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。
哈哈4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。
5,TTL和COMS电路比较:1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。
3)COMS电路的锁定效应:COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。
防御措施: 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。
2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。
3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS电路的电源。
什么是TTL电平和CMOS电平-ttl电平和cmos电平区别和比较
什么是TTL电平和CMOS电平?ttl电平和cmos电平区别和比较1、TTL电平(什么是TTL电平):TTL电平信号被利用的最多是由于通常数据表示采纳二进制规定,+5V等价于规律“1”,0V等价于规律“0”,这被称做TTL(晶体管-晶体管规律电平)信号系统,这是计算机处理器掌握的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL电平信号对于计算机处理器掌握的设备内部的数据传输是很抱负的,首先计算机处理器掌握的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低,另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路;再者,计算机处理器掌握的设备内部的数据传输是在高速下进行的,而TTL接口的操作恰能满意这个要求。
TTL型通信大多数状况下,是采纳并行数据传输方式,而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。
这是由于牢靠性和成本两面的缘由。
由于在并行接口中存在着偏相和不对称的问题,这些问题对牢靠性均有影响。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平。
输出高电平2.4V,输出低电平0.4V。
在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平:输入高电平=2.0V,输入低电平=0.8V,噪声容限是0.4V。
2、CMOS电平:1规律电平电压接近于电源电压,0规律电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成规律混乱。
另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
3、电平转换电路:由于TTL和COMS的凹凸电平的值不一样(ttl 5v==cmos 3.3v),所以相互连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。
哈哈4、OC门,又称集电极开路与非门门电路,Open Collector(Open Drain)。
TTL与CMOS(超级详细!)
1)COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。
5,TTL和COMS电路比较:
1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。
3)COMS电路的锁定效应:
COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。
防御措施: 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。
1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。
8,TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0,而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出:OC门的输出就是开漏输出;OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。所以,为了能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
TTL电平和CMOS电平总结
TTL电平和CMOS电平总结1,TTL电平:输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。
2,CMOS电平:1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3,电平转换电路:因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。
哈哈4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。
5,TTL和COMS电路比较:1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。
3)COMS电路的锁定效应:COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。
防御措施:1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。
2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。
3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭C OMS电路的电源。
6,COMS电路的使用注意事项1)COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。
高电平低电平
负载才能正常工作。
匹配的,有些情况下就不能运行。
ttl与coms电平使用起来有什么区别
1.电平的上限和下限定义不一样,CMOS具有更大的抗噪区域。
同是5伏供电的话,ttl一般是1.7V和3.5V的样子,CMOS一般是
2.2V,2.9V的样子,不准确,仅供参考。
2。电流驱动能力不一样,ttl一般提供25毫安的驱动能力,而
CMOS一般在10毫安左右。
3。需要的电流输入大小也不一样,一般ttl需要2.5毫安左右,CMOS
几乎不需要电流输入。
3。很多器件都是兼容ttl和CMOS的,datasheet会有说明。如果不考虑
速度和性能,一般器件可以互换。但是需要注意有时候负载效应可能
引起电路工作不正常,因为有些ttl电路需要下一级的输入阻抗作为
TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。
CMOS电平:
输出 L: <0.1*Vcc ; H:>0.9*Vcc。
输入 L: <0.3*Vcc ; H:>0.7*Vcc.
一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下,同电压的是可以的,不过最好是要好
高电平和低电平
2007-06-19 08:56:13| 分类: 专业知识 | 标签:专业知识 |字号 订阅
什么是TTL电平,什么是CMOS电平,他们的区别 什么是TTL电平,什么是CMOS电平,他们的区别
(一)TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4V
CMOS电平Vcc可达到12V
(二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。
TTL电平与CMOS电平,RS232电平的区别
TTL电平与CMOS电平,RS232电平的区别关于电平,是日常电气电子技术工作中经常遇到的问题,那么TTL电平、CMOS电平、RS232电平到底有哪些区别?TTL电平(一)TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。
TTL电路电源电压Vcc是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准输出 L: <0.4V ; H:>2.4V。
输入 L: <0.8V ; H:>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.4V,高电平要大于2.4V。
输入,低于0.8V就认为是0,高于2.0就认为是1。
CMOS电平:输出 L: <0.1*Vcc ; H:>0.9*Vcc输入 L: <0.3*Vcc ; H:>0.7*Vcc.RS232电平标准逻辑1的电平为-3~-15V,逻辑0的电平为+3~+15V,注意电平的定义反相了一次。
TTL和CMOS的逻辑电平转换CMOS电平能驱动TTL电平。
TTL电平不能驱动CMOS电平,需加上拉电阻。
#自动化#plc#电气。
TTL电平与CMOS电平的区别及其转换
鉴于很多电子初学者对什么是TTL电平,什么是CMOS电平不清楚.也不能了解CMOS电平与TTL电平的区别.特别在网上找到这篇TTL和CMOS电平总结.感谢作者的工作.1,TTL电平(什么是TTL电平):输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。
2,CMOS电平:1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3,电平转换电路:因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。
哈哈4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。
5,TTL和COMS电路比较:1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。
3)COMS电路的锁定效应:COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。
防御措施:1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。
2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。
3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS 电路的电源。
TTL电平和CMOS电平总结
TTL电平和CMOS电平总结TTL电平是一种基于双极型晶体管的数字电平标准。
它使用NPN和PNP型晶体管作为信号的放大和开关元件。
TTL电平标准定义了电压范围,表示逻辑低电平(0)和逻辑高电平(1)。
通常情况下,TTL逻辑低电平的范围为0V至0.8V,逻辑高电平的范围为2.2V至5V。
TTL电平的特点包括:1.高噪声抗干扰能力:由于TTL电路中采用了差分信号传输原理,使得TTL电平对噪声和干扰的抗干扰能力较强,适用于工业控制等环境噪声较大的场合。
2.低功耗:TTL电路采用双极型晶体管,功耗相对较低,适用于需要长时间运行的场合。
3.低输入输出阻抗:TTL电路的输入输出阻抗较低,使得信号传输速度较快,适用于需要高速传输的场合。
4.灵敏度高:TTL电路的输入灵敏度较高,可以读取较低的输入电压信号,适用于处理较小的信号。
然而,TTL电平也存在一些不足之处,如功耗较高、不适用于低电压供电等。
CMOS电平是一种使用CMOS晶体管构成的数字电平标准。
CMOS电平使用PMOS和NMOS晶体管作为信号的放大和开关元件。
CMOS电平标准也定义了逻辑低电平(0)和逻辑高电平(1)的电压范围。
通常情况下,CMOS逻辑低电平的范围为0V至0.3V,逻辑高电平的范围为0.7V至VCC(供电电压)。
CMOS电平的特点包括:1.低功耗:CMOS电路以其低功耗而闻名。
由于CMOS晶体管在不同的状态下只消耗微小的电流,适用于需要长时间运行和低功耗的电子设备。
2.高噪声抗干扰能力:CMOS电路抗噪声和抗干扰能力较强,适用于高精度和高灵敏度的应用。
3.高输入输出阻抗:CMOS电路的输入输出阻抗较高,使得它对电压和电流的源和负载较为适应。
4.宽电源电压范围:CMOS电路的供电电压范围较宽,可以适应不同的供电电压要求。
然而,与TTL电平相比,CMOS电平的传输速度较慢,灵敏度略低。
总的来说,TTL和CMOS电平各有优势,应根据具体的应用场景和需求来选择。
TTL和CMOS电平总结
TTL和CMOS电平总结1.TTL电平:TTL是早期使用广泛的数字电平标准,其电平定义如下:- 高电平 (logic 1):大约2.4V到5V之间。
- 低电平 (logic 0):大约0V到0.4V之间。
-高电平噪声容限:1.3V。
-低电平噪声容限:0.8V。
-输出电流:约为-0.4mA至+16mA。
TTL电平的优点包括:速度较快、抗噪声能力较好、成本较低。
然而,TTL电平的缺点是功耗较高,因为它使用了较高的供电电压和较大的电流来驱动逻辑门。
此外,TTL信号电平的电压范围相对较窄,容易受到电源电压波动的影响。
2.CMOS电平:CMOS是现代数字电路中使用较多的电平标准,其电平定义如下:- 高电平 (logic 1):大约0.7V到VDD(供电电压)之间。
- 低电平 (logic 0):大约0V到0.3V之间。
-高电平噪声容限:VDDx0.7-低电平噪声容限:0.3V。
-输出电流:接近0mA。
CMOS电平的优点包括:功耗较低、较高的噪声容限、较宽的电压范围和较大的输入输出电阻。
CMOS因其低功耗特性而广泛应用于便携式设备和低功耗电子设备。
此外,它对电源电压波动的容忍度更高,因此在电源电压不稳定的环境下工作更可靠。
然而,CMOS电平的缺点是速度相对较慢,尤其在大容量的负载下。
此外,由于其输入输出电阻较大,CMOS信号对于电磁干扰更敏感。
总之,TTL和CMOS是两种常见的数字电平标准。
TTL电平使用高电流和较高的电压,速度较快但功耗较高;CMOS电平使用较低的电压和电流,功耗较低但速度相对较慢。
选择哪种电平标准取决于具体的应用要求和设计约束。
TTL和CMOS电平汇总
TTL和CMOS电平汇总1. TTL(Transistor-Transistor Logic)TTL电平是一种基于双极型晶体管的逻辑电平标准。
它使用晶体管的导通和截止来表示逻辑电平的高低。
TTL电平通常具有以下特点:-高电平(H):在TTL中,高电平通常定义为2.6V到5V之间的电压范围,其中2.6V以下被认为是低电平。
高电平表示逻辑“1”。
TTL电平的高电平较高,可以有效地减小误差和干扰。
-低电平(L):TTL的低电平通常在0V到0.4V之间,其中0.4V以上被认为是高电平。
低电平表示逻辑“0”。
-噪声容忍度差:由于TTL电平的高电平较高,因此对噪声和干扰的容忍度较低。
-低功耗:与CMOS相比,TTL电路的功耗较高。
这是由于TTL使用了较高的工作电压和功耗较大的双极型晶体管。
-输出电流较大:TTL电路的输出电流能达到较大数值,通常在20mA 左右。
这使得TTL电路可以驱动多个输入负载。
TTL电平由于其较高的工作电压和较大的输出电流,适用于需要较高工作稳定性和较强驱动能力的应用,比如数据传输、时序控制和数字信号处理等。
CMOS电平是一种基于互补金属氧化物半导体的逻辑电平标准。
它使用n型和p型金属氧化物半导体场效应管(NMOS和PMOS)来实现逻辑门电路。
CMOS电平通常具有以下特点:-高电平(H):在CMOS中,高电平通常在3.5V以上,其中3.5V以下被认为是低电平。
高电平表示逻辑“1”。
CMOS电平的高电平较低,功耗较少,也有助于噪声和干扰的抑制。
-低电平(L):CMOS的低电平通常在0V到1.5V之间,其中1.5V以上被认为是高电平。
低电平表示逻辑“0”。
-噪声容忍度好:由于CMOS电平的高电平较低,因此对噪声和干扰的容忍度较好。
-低功耗:与TTL相比,CMOS电路的功耗较低。
这是由于CMOS使用了较低的工作电压和功耗较小的场效应管。
-输出电流较小:CMOS电路的输出电流较小,一般在几毫安以下。
TTL和CMOS区别及应用特点
TTL和CMOS的区别什么是TTL电平,什么是CMOS电平,他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准输出L:<0.8V ;H:>2.4V。
输入L:<1.2V ;H:>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。
输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。
CMOS电平:输出L:<0.1*Vcc ;H:>0.9*Vcc。
输入L:<0.3*Vcc ;H:>0.7*Vcc.一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下,同电压的是可以的,不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值,看是否能够匹配(VOL要小于VIL,VOH要大于VIH,是指一个连接当中的)。
有些在一般应用中没有问题,但是参数上就是有点不够匹配,在某些情况下可能就不够稳定,或者不同批次的器件就不能运行。
例如:74LS的器件的输出,接入74HC的器件。
在一般情况下都能好好运行,但是,在参数上却是不匹配的,有些情况下就不能运行。
74LS和54系列是TTL电路,74HC是CMOS电路。
如果它们的序号相同,则逻辑功能一样,但电气性能和动态性能略有不同。
如,TTL的逻辑高电平为> 2.7V,CMOS为> 3.6V。
CMOS与TTL电路的区别
一、CMOS与TTL电路的区别1.CMOS是场效应管构成(单极性电路),TTL为双极晶体管构成(双极性电路)S的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当6.CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大7.通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。
影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。
电阻数值越大,工作速度越低。
管子的开关时间越长,门的工作速度越低。
门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。
将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”,做为器件性能的一个重要指标,其值越小,表明器件的性能越好(一般约为几十皮(10-12)焦耳)。
与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL。
CL是主要影响器件工作速度的原因。
由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
8.TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
二、CMOS使用注意事项1)COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。
所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。
3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。
4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。
电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
5)COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。
三、什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?TTL集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC门。
TTL和CMOS的区别(全面-自己整理)
TTL和CMOS的区别TTL和COMS电平比较:(一)TTL高电平~5V,低电平0V~CMOS电平Vcc可达到12VTTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
(二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准输出L:< ;H:>。
输入L:< ;H:>TTL器件输出低电平要小于,高电平要大于。
输入,低于就认为是0,高于就认为是1。
CMOS电平:输出L:<*Vcc ;H:>*Vcc。
输入L:<*Vcc ;H:>*Vcc.TTL和COMS电路比较:TTL CMOSTTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象总体特性比较:是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
3、COMS电路的锁定效应:COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。
防御措施:(1)、在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。
(2)、芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。
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、门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理):
)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
)在门电路输入端串联电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于欧 时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。门电路就不用考虑这些了。dvzfv。dvzfv。
有关逻辑电平的一些概念 :
要了解逻辑电平的内容,首先要知道以下几个概念的含义:
:输入高电平():保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平,当输入电平高于时,则认为输入电平为高电平。
:输入低电平():保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平,当输入电平低于时,则认为输入电平为低电平。
:输出高电平():保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值,逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此。
:输出低电平():保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值,逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此。
: 阀值电平():数字电路芯片都存在一个阈值电平,就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。它是一个界于、之间的电压值,对于电路的阈值电平,基本上是二分之一的电源电压值,但要保证稳定的输 出,则必须要求输入高电平> ,输入低电平<,而如果输入电平在阈值上下,也就是~这个区域,电路的输出会处于不稳定状态。
三.系列简介
系列可以说是我们平时接触的最多的芯片,系列中分为很多种,而我们平时用得最多的应该是以下几种:,,这三种,这三种系列在电平方面的区别如下:RTCrp。RTCrp。
输入电平 输出电平
电平 电平
电平 电平
电平 电平
和电平
、电平(什么是电平):
输出高电平>,输出低电平<。在室温下,一般输出高电平是,输出低电平是。最小输入高电平和低电平:输入高电平>,输入低电平<,噪声容限是。5PCzV。5PCzV。
、和电路比较:
)电路是电流控制器件,而电路是电压控制器件。
)电路的速度快,传输延迟时间短(),但是功耗大。电路的速度慢,传输延迟时间长(),但功耗低。电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。
)电路的锁定效应:
电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,的内部电流能达到以上,很容易烧毁芯片。
门主要用于个方面:
、实现与或非逻辑,用做电平转换,用做驱动器。由于门电路的输出管的集电极悬空,使用时需外接一个上拉电阻到电源。门使用上拉电阻以输出高电平,此外为了加大输出引脚的驱动能力,上拉电阻阻值的选择原则,从降低功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;从确保足够的驱动电流考虑应当足够小。sQsAE。sQsAE。
对于一般的逻辑电平,以上参数的关系如下:
> > > >
::逻辑门输出为高电平时的负载电流(为拉电流)。
::逻辑门输出为低电平时的负载电流(为灌电流)。
::逻辑门输入为高电平时的电流(为灌电流)。
::逻辑门输入为低电平时的电流(为拉电流)。M2ub6。M2ub6。
门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端,这种形式的门称为开路门。开路的、、门分别称为集电极开路()、漏极开路()、发射极开路(),使用时应审查是否接上拉电阻(、门)或下拉电阻(门),以及电阻阻值是否合适。对于集电极开路()门,其上拉电阻阻值应满足下面条件:
.输出高电平和输出低电平
≈,≈
.输入高电平和输入低电平
≥≤ (为电源电压,为地)
从上面可以看出:
在同样电源电压情况下,电路可以直接驱动,因为的输出高电平大于,输出低电平小于;而电路则不能直接驱动电路,的输出高电平为大于,如果落在~之间,则电路就不能检测到高电平,低电平小于满足要求,所以在电路驱动电路时需要加上拉电阻。如果出现不同电压电源的情况,也可以通过上面的方法进行判断。p1Ean。p1Ean。
、什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?
集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做门。因为就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式输出,高电平,低电平SixE2。SixE2。
器件不用的输入端必须连到高电平或低电平, 这是因为 是高输入阻抗器件, 理想状态是没有输入电流的. 如果不用的输入引脚悬空, 很容易感应到干扰信号, 影响芯片的逻辑运行, 甚至静电积累永久性的击穿这个输入端, 造成芯片失效.6ewMy。6ewMy。
(): < (-)(*+*)
(): > (-)(+*)
其中:线与的开路门数;:被驱动的输入端数。
:常用的逻辑电平
·逻辑电平:有、、、、、;、、等。
·其中和的逻辑电平按典型电压可分为四类:系列( 和 )、系列,系列和系列。
· 和 逻辑电平是通用的逻辑电平。
·以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平,常用的为电平。
、电路有集电极开路门,管也有和集电极对应的漏极开路的门,它的输出就叫做开漏输出。门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三极管截止的时候,它的基极电流约等于,但是并不是真正的为,经过三极管的集电极的电流也就不是真正的 ,而是约。而这个就是漏电流。rqyn1。rqyn1。
开漏输出:门的输出就是开漏输出;门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。所以,为了能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。门一般作为输出缓冲驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。Emxvx。Emxvx。
、电路的使用注意事项
)电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
)输入端接低内阻的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在之内。
)当接长信号传输线时,在电路端接匹配电阻。
)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为是外界电容上的电压。
. 可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。例如加上上拉电阻就可以提供电平输出等。
. 开漏不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平。一般来说,开漏是用来连接不同电平的器件,匹配电平用的。
正常的输出级是上、下两个管子,把上面的管子去掉就是了。这种输出的主要目的有两个:电平转换和线与。
由于漏级开路,所以后级电路必须接一上拉电阻,上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样你就可以进行任意电平的转换了。
、线与逻辑,即两个输出端(包括两个以上)直接互连就可以实现“”的逻辑功能。在总线传输等实际应用中需要多个门的输出端并联连接使用,而一般门输出端并不能直接并接使用,否则这些门的输出管之间由于低阻抗形成很大的短路电流(灌电流),而烧坏器件。在硬件上,可用门或三态门(门)来实现。 用门实现线与,应同时在输出端口应加一个上拉电阻。GMsIa。GMsIa。
TTL与CMOS高低电平区别比较
与高低电平区别比较
一.
集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门( ),大部分都采用电源。
.输出高电平和输出低电平
≥≤
.输入高电平和输入低电平
≥,≤
二.
电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上。电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小。b5E2R。b5E2R。
·低电压的逻辑电平还有和两种。
·和是差分输入输出。
·和是串口的接口标准,是差分输入输出,是单端输入输出。0YujC。0YujC。
门,又称集电极开路(漏极开路)与非门门电路, ( )。
为什么引入门?
实际使用中,有时需要两个或两个以上与非门的输出端连接在同一条导线上,将这些与非门上的数据(状态电平)用同一条导线输送出去。因此,需要一种新的与非门电路门来实现“线与逻辑”。eUts8。eUts8。
、三态门(门)主要用在应用于多个门输出共享数据总线,为避免多个门输出同时占用数据总线,这些门的使能信号()中只允许有一个为有效电平(如高电平),由于三态门的输出是推拉式的低阻输出,且不需接上拉(负载)电阻,所以开关速度比门快,常用三态门作为输出缓冲器。TIrRG。TIrRG。
什么是、?
集电极开路门(集电极开路 或漏极开路 )
是漏极开路输出的意思,相当于集电极开路()输出,即中的集电极开路()输出。一般用于线或、线与,也有的用于电流驱动。
是对管而言,是对双极型管而言,在用法上没啥区别。
开漏形式的电路有以下几个特点:7EqZc。7EqZc。
. 利用外部电路的驱动能力,减少内部的驱动。 或驱动比芯片电源电压高的负载.
.可以将多个开漏输出的,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系。这也是,等总线判断总线占用状态的原理。如果作为图腾输出必须接上拉电阻。接容性负载时,下降延是芯片内的晶体管,是有源驱动,速度较快;上升延是无源的外接电阻,速度慢。如果要求速度高电阻选择要小,功耗会大。所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。
、电平:
逻辑电平电压接近于电源电压,逻辑电平接近于。而且具有很宽的噪声容限。
、电平转换电路:
因为和的高低电平的值不一样( <==> ),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。jLBHr。jLBHr。
、门,即集电极开路门电路,门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。xHAQX。xHAQX。
如果电路中出现的电路去驱动 电路的情况,如单片机去驱动,这种情况有以下几种方法解决,最简单的就是直接将换成(系列的输入输出在下面有介绍)的芯片,因为 可以直接驱动的电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的口设为开漏,然后加上拉电阻到,这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小,以保证信号的上升沿时间。DXDiT。DXDiT。