集成电路技术及应用.共40页文档
超大规模集成电路.pptx
第29页/共155页
1）P阱CMOS集成电路工艺过程简介
一、硅片制备 二、前部工序
Mask 掩膜版
CHIP
29
第30页/共155页
• 掩膜1： P阱光刻
Si-衬底
P-well
具体步骤如下： 1．生长二氧化硅：
SiO2
Si-衬底
30
第31页/共155页
2．P阱光刻： 涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀
§1 双极型（NPN）集成电路工艺 (典型的PN结隔离工艺)
1
第2页/共155页
思考题
1.与分立器件工艺有什么不同？ 2.埋层的作用是什么？ 3.需要几块光刻掩膜版(mask)? 4.每块掩膜版的作用是什么？ 5.器件之间是如何隔离的？ 6.器件的电极是如何引出的？
2
第3页/共155页
1.衬底准备 2.第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻
18
第19页/共155页
1.P阱CMOS工艺
P阱CMOS工艺以N型单晶硅为衬底， 在其上制作P阱。NMOS管做在P阱内， PMOS管做在N型衬底上。
19
第20页/共155页
P阱CMOS工艺
电连接时，P阱接最负电位，N衬底接最正 电位，通过反向偏置的PN结实现PMOS器件和 NMOS器件之间的相互隔离。P阱CMOS芯片剖 面示意图见下图。
艺有时已不满足要求，双阱工艺应 运而生。
26
第27页/共155页
双阱CMOS工艺
• 通常双阱CMOS工艺采用的原始材料是在 N+或P+衬底上外延一层轻掺杂的外延层， 然后用离子注入的方法同时制作N阱和P阱。
27
第28页/共155页
双阱CMOS工艺
集成电路光刻工艺.pptx
六甲基二硅亚胺HMDS反应机理
OH
SiO2 ＋(CH3) 3SiNHSi(CH3)
3
OH
O-Si(CH3) 3
SiO2
+NH
O-Si(CH3) 33
1
第2页/共40页
2
第3页/共40页
3
第4页/共40页
4
曝光方法
曝光有多种方法：光学曝光就可分为接 触式、接近式、投影式、直接分步重复 曝光。此外，还有电子束曝光和X射线 曝光等。曝光时间、氮气释放、氧气、
第29页/共40页
分步重复曝光光学原理图
29
第30页/共40页
• （3）由于采用了逐步对准技术可补偿硅片尺寸的变化，提高了 对准精度。逐步对准的方法 也可以降低对硅片表面平整度的要 求。
30
第31页/共40页
七、深紫外线曝光
• “深紫外光”大致定义为180nm到330nm间的光谱能量。它进一步分为三个光带：200nm到260nm；260nm 到285nm以及285nm到315nm。
20
二、接近式曝光
接近式曝光是以牺牲分辨率来延长了掩膜版的寿命 大尺寸和小尺寸器件上同时保持线宽容限还有困难。另外，与 接触式曝光相比，接近式曝光的操作比较复杂。
第21页/共40页
21
三、投影式曝光
避免了掩膜版与硅片表面的摩擦，延长了 掩膜版的寿命。
掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多，克 服了小图形制版的困难。
第12页/共40页
二、光刻胶的感光机理
聚乙烯醇肉桂 酸酯 KPR胶的 光交联(聚合)
12
第13页/共40页
1.负性胶由光产 生交联
常用负胶有聚肉桂酸 酯类、聚酯类和聚烃 类,
数字集成电路中的基本模块演示文稿
VDD C3
C0
C1
C2
C3
在预充电阶段（Ø＝0），传输管进位链中的所有中间节点都被预充电到
VDD，在求值阶段，当有输入进位且传播信号为PK为高电平，或进位产
设计生运算信功能号块（. 28GK）为高电平，节点CK放电
第28页，共83页。
• 棍棒图
数据通道版图由三排组织成位片式的单元组成:
Propagate/Generate Row
• 数据通路常常组织成位片式结构 • 每一个对一位进行操作——位片式
设计运算功能块. 7
第7页，共83页。
设计运算功能块. 8
第8页，共83页。
（二） 数据通路的特点：（它在很大程度上决定了整个系统的性 能） •规整性：（Bit-slice）优化版图
•局域性：（时间、空间，算子相邻布置）版图紧凑
设计运算功能块. 14
第14页，共83页。
加法器的反向特性
设计运算功能块. 15
第15页，共83页。
逐位(行波、串行)进位加法器
（1）结构：一个N位加法器可以通过把N个一位的全加器电路串联起来构成，第i 级的 Carry−out用来产生第i+1 级的 SUM和Carr y （2 ）特点：结构直观简单，运行速度慢，最坏情形下关键路径的
FA
FA
FA
FA
P0 G1
P0 G1
P2 G2
P3 G3
BP=P oP1P2P3
Ci,0
C o,0
Co,1
C o,2
FA
FA
FA
FA
C o,3
Multiplexe页，共83页。
例11.3 曼彻斯特进位链加法器中的进位旁路
P0
光波导理论
1.2.1 集成光学系统与离散光学器件(qìjiàn)系统的比较
? (1)光波在光波导中传播，光波容易控制(kòngzhì)和保持其能量。
? (2)集成化带来的稳固(wěngù)定位。
? (3) 器件尺寸和相互作用长度缩短；相关的电子器件的工作电
压也较低。
? (4) 功率密度高。沿波导传输的光被限制在狭小的局部空间，
平板波导几何光学分析 2012 年2月
集成光学(guāngxué)主要应—用—（光三纤）传感
? 光纤传感器具有抗电磁干扰和原子(yuánzǐ)辐射、重量轻、
体积小、绝缘(juéyuán)、耐高温、耐腐蚀等众多优异的性
能，能够对应变、压力、温度、振动、声场、折
射率、加速度、电压、气体等各种参数进行精确
多样，研究开发中
第二十页，共40页。
平板波基导本几平何光面学工分艺析 ，已2成012熟年2月
§1.3 集成光学(guāngxué)的发展和现状
1.3.1 发展(fāzhǎn)简史
1962 年开发(kāifā)出了第一个半导体同质结激光二极管，但其效率
较低，阈值电流较大，不能在室温下连续工作。
1967 年异质结外延生长技术的出现，拉开了半导体激光器实 用化的序幕 。
器、窄带响应集成光电探测器、路由选择
的波长变换器、快速响应光开关矩阵、低 损耗多址波导分束器等。
第十二页，共40页。平板波Leabharlann 几何光学分析2012 年2月
集成光学主要(zhǔyào)应用—（—二光）子(guāngzǐ)
? 光子(guāngzǐ)计算机：
光子计算机是一种全新的计算机，是以光子作为主要的信息载
导致较高的功率密度，容易达到必要的器件工作阈值和利用非
太赫兹检测技术
THz成像所依据的基本原理是:透过成像样品(或从样品反射)的THz电磁波的强度和相位包含了样品复介电函数的空间分布。将透射THz电磁波的强度和相位的二维信息记录下来，并经过适当的处理和分析，就能得到样品的THz图像。
第15页/共40页
THz成像系统的构成和工作原理与THz时域谱测试系统相似。THz波被聚焦元件聚焦到样品的某一点上，收集元件则将透过样品(或从样品反射)的THz波收集后聚焦到THz探测元件上。THz探测元件将含有位置信息的THz信号转化为相应的电信号，图像处理单元将此信号转换为图像。利用反射扫描或透射扫描都可以成像，主要取决于成像样品及成像系统的性质。THz成像系统的构成如图所示。
第38页/共40页
第39页/共40页
第29页/共40页
第30页/共40页
Materials and Methods
1.Patients and Specimen PreparationFrom 22 nonconsecutive female patients( mean age 59 years; range,39-80 years) undergoing either wide local excision or mastectomy(乳房切除术）.Samples-freshTwo samples that had been fixed in formalin.2.Imagge Acquisition
第18页/共40页
（2）利用时域谱的应用研究：对于太赫兹波与物质的相互作用，通过振幅和相位变化的测量，可以表征固体、液体和气体材料的电子、晶格振动和化学成分等性质。可以研究材料的吸收系数、折射率、介电常数、频移等性质。许多对可见光不透明而对X光完全透明的材料，可以用太赫兹波进行测量。（3）利用THZ波能够多种非金属和非极性材料的特性。
拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答案中文共40页文档
53、 伟 大 的 事 业，需 要决心 ，能力 ，组织 和责任 感。 ——易 卜 生 54、 唯 书 籍 不 朽。——乔 特
拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答 案中文
1、合法而稳定的权力在使用得当时很 少遇到 抵抗。 ——塞 ·约翰 逊 2、权力会使人渐渐失去温厚善良的美 德。— —伯克
3、最大限度地行使权力总是令人反感 ；权力 不易确 定之处 始终存 在着危 险。— —塞·约翰逊 4、权力会奴化一切。——塔西佗
5、虽然权力是一头固执的熊，可是金 子可以 拉着它 的鼻子 走。— —莎士 比
集成电路应用基础
集成电路应用基础
集成电路应用基础是一门学科，主要介绍集成电路的基本概念、原理和应用。
集成电路是将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能的微型电子部件。
它采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。
集成电路应用基础的主要内容包括集成电路的基本原理、设计方法、制造工艺、测试技术以及集成电路的应用等。
其中，集成电路的基本原理包括PN 结、晶体管、放大器等基本电子器件的工作原理；设计方法包括集成电路的设计流程、版图绘制、性能分析等；制造工艺包括晶圆制备、薄膜制备、掺杂、刻蚀、金属化等工艺流程；测试技术包括集成电路的电学性能测试、可靠性测试等；应用则涵盖了数字电路、模拟电路、射频电路、功率电路等多个领域。
此外，集成电路应用基础还包括了集成电路的可靠性分析和失效分析等相关内容，这些内容对于理解和应用集成电路非常重要。
总结来说，集成电路应用基础是一门介绍集成电路的基本概念、原理和应用的学科，它涵盖了集成电路的基本原理、设计方法、制造工艺、测试技术以及应用等多个方面。
通过学习这门学科，人们可以更好地理解集成电路的工作原理和应用，为进一步研究和应用集成电路打下基础。
摩尔定律与集成电路
从摩尔定律看集成电路所谓摩尔定律，就是指当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻一倍以上。
它是由英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出来的。
这一定律揭示了信息技术进步的速度。
尽管这种趋势已经持续了超过半个世纪，摩尔定律仍应该被认为是观测或推测，而不是一个物理或自然法。
预计定律将持续到至少2015年或2020年。
然而，2010年国际半导体技术发展路线图的更新增长已经放缓在2013年年底，之后的时间里晶体管数量密度预计只会每三年翻一番。
1965年4月19日，《电子学》杂志（Electronics Magazine）第114页发表了摩尔（时任仙童半导体公司工程师）撰写的文章〈让集成电路填满更多的组件〉，文中预言半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年增加一倍。
1975年，摩尔在IEEE国际电子组件大会上提交了一篇论文，根据当时的实际情况对摩尔定律进行了修正，把“每年增加一倍”改为“每两年增加一倍”，而现在普遍流行的说法是“每18个月增加一倍”。
但1997年9月，摩尔在接受一次采访时声明，他从来没有说过“每18个月增加一倍”，而且SEMATECH路线图跟随24个月的周期。
大抵而言，若在相同面积的晶圆下生产同样规格的IC，随着制程技术的进步，每隔一年半，IC产出量就可增加一倍，换算为成本，即每隔一年半成本可降低五成，平均每年成本可降低三成多。
就摩尔定律延伸，IC技术每隔一年半推进一个世代。
摩尔定律是简单评估半导体技术进展的经验法则，其重要的意义在于长期而言，IC制程技术是以一直线的方式向前推展，使得IC产品能持续降低成本，提升性能，增加功能。
1998年时，台积电董事长张忠谋曾表示，摩尔定律在过去30年相当有效，未来10到15年应依然适用。
但最新的一项研究发现，摩尔定律的时代将会退出，因为研究和实验室的成本需求十分高昂，而有财力投资在创建和维护芯片工厂的企业很少。
集成电路版图基础知识练习
一、填空1.ls (填写参数)命令用于显示隐藏文件。
（-a）2.进入当前目录的父目录的命令为(%cd ..)3.查看当前工作目录的命令为：（%pwd）4.目录/home/www/uuu已建立，当前工作目录为/home/www，采用绝对路径进入/home/www/uuu的命令为：（%cd /home/www/uuu）5.假设对letter文件有操作权限，命令%chmod a+rw letter会产生什么结果：（对所有的用户增加读写权限。
）6.显示当前时间的命令为：（%date）7.打开系统管理窗口的命令为：（%admintool）8.与IP地址为166.111.4.80的主机建立FTP连接的命令为：（%ftp 166.111.4.80or %ftp %open 166.111.4.80）9.建立FTP连接后，接收单个文件的命令为：（%get）10.建立FTP连接后，发送多个文件的命令为：（%mput）11.有一种称为0.13um 2P5M CMOS单井工艺, 它的特征线宽为______，互连层共有_____层，其电路类型为_______。
0.13um 7 CMOS12.请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序：a.生成多晶硅b.确定井的位置和大小c.定义扩散区，生成源漏区d.确定有源区的位置和大小e.确定过孔位置正确的顺序为：___ _________________。
bdace13.集成电路中的电阻主要有__________, ____________, _____________三种。
井电阻，扩散电阻，多晶电阻14.为方便版图绘制，通常将Contact独立做成一个单元，并以实例的方式调用。
若该Contact单元称为P型Contact，由4个层次构成，则该四个层次分别为：_________，_________, _________, ___________. active, P+ diffusion, contact, metal.15.CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为___________________________________。
AT89S51单片机原理及应用技术第2章
双功能引脚，ALE功能是输出端，PROG功能是输入端。 ALE功能：是为CPU访问外部程序存储器或外部数据存储器时提供低 8位地址锁存信号输出，将低8位地址信号锁存在外部的低8位地址锁存器中 。ALE信号是下降沿有效。当单片机正常运行时，不包括访问外部数据存 储器操作，ALE引脚一直有周期性正脉冲信号输出，信号频率固定为单片 机时钟振荡器频率fosc的1/6，此信号可用作外部定时或触发信号；每当单片
AT89S51单片机的主要特性参数如下： 与MCS-51系列产品完全兼容。 4K字节在系统编程(ISP) Flash存储器，承受10000次擦写周期。 4.0-6.0V的工作电压范围。 全静态工作方式：0MHz-33 MHz。 3级程序加密位。 128×8位内部RAM。 32个可编程I/O端口线。 2个16位定时/计数器。 5个中断源。 全双工UART串行口。 低功耗空闲和掉电方式。 掉电方式的中断唤醒功能。
2.1 AT89S51的内部结构及外部引脚特性
通用I/O端口：没有第三态，为准双向I/O端口。P1口作为通用I/O端口 输入时，应先向端口锁存器写入1（FFH），然后再输入（读引脚）；作为 通用I/O端口输出时，P1口可驱动4个LS型TTL负载。
串行编程接口：引脚P1.5/MOSI、P1.6/MISO和P1.7/SCK（Serial Clock）可用于对片内Flash存储器串行编程和校验，分别是串行数据输入 、串行数据输出和串行移位脉冲（串行时钟）引脚。
另外，该引脚可接上备用电源，当主电源发生故障，降低到低电平 规定值或掉电时，该备用电源为片内RAM供电，以保证RAM中的数据不 会丢失。
EN50129中文
前言 本欧洲标准由 SC9XA 准备，属于技术委员会 CENECEC TC 9X 铁路电子和电子
设备的通信，信号和处理系统。 属于正式文件文本的草稿在 2002－11－01 作为 EN50128 由 CENECEC 提出。
这个欧洲标准取代了 ENV50129：1998
这个欧洲标准是在 CENELEC 的授权下通过欧洲委员会和欧洲自由贸易组织、
本标准包括主要部分（第一章到第五章）和附录 A，B，C，D，E。在此标准中 主要部分和附录 A，B，C 中定义的要求是规范的，而附录 D 和 E 是非正式的。
本标准和 EN50126（铁路装置 RAMS）中相关的章节有关联。本标准和 EN50126 都是基于系统的生命周期和 EN61508—1。在涉及到铁路通信信号和外部系统时， EN61508—1 被 EN50126/ EN50128/ EN50129 取代了。买组这些标准的要求将来遵守 未评价的 EN61508—1 是足够的。
54功能和技术措施除了满足52和53中提到的质量和安全管理的措施之外要使系统子系统仪器设备的预期应用能被安全的接受那么还要满足这第三个条件也就是功能和技术安全措施这其中包括为了满足设计的安全要求所提到的技术措施这一措施应该在安全技术报告中记录下来即是系统子系统仪器设备的安全案例的第四部分参照51技术安全报告对与安全完整性水准的1到4来说是强制执行的参照安全完整性水准的附录a然而这些信息的深度和做支持文献的广度对于仔细检查下的系统子系统仪器设备的安全完整性水准应该是相吻合的对于安全完整性水准为050129：2003
表 E.5－设计特色……………………………………………………………89 表 E.6－故障和危险分析的方法……………………………………………90 表 E.7－系统/子系统/设备的设计和研发…………………………………91 表 E.8－设计的阶段性文档…………………………………………………91 表 E.9－系统和产品设计的鉴定和确认……………………………………92 表 E.10－应用，运行和维护…………………………………………………93
电子技术的发展和应用
电子技术的发展和应用电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，它的起源可追溯于18世纪末19世纪初这个时期，首先库仑于1785年首先从实验室确定了电荷间的相互作用力，电荷的概念开始有了新的定义。
1820年奥斯特实验时发现了电流对磁针有力的作用，揭开了电学理论的新一页。
同年安培确定了通有电流的线圈的作用与磁铁相似，这就指出了此现象的本质问题。
欧美定律是在1826年欧姆通过实验而得出。
楞次之后在1833年建立确定感应电流方向的定则，并在之后致力于电机理论的研究，并阐明了电机可逆性的原理。
楞次在1844年还与英国物理学家焦耳分别独立确定了电流热效应定律。
与楞次一道从事电磁现象研究工作的雅可比在1834年制造出世界上第一台电动机，从而证明了实际应用电能的可能性。
1888年，赫兹通过实验获得电磁波，证实了麦克斯韦理论，为无线电技术的发展开辟了道路。
电子技术最初的阶段可称为分立元件阶段。
第一代电子产品以电子管为核心。
电子管，是一种最早期的电信号放大器件。
被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上。
利用电场对真空中的控制栅极注入电子调制信号，并在阳极获得对信号放大或反馈振荡后的不同参数信号数据。
早期应用于电视机、收音机和扩音机等电子产品中。
等时间推移至20世纪40年代末，出现了晶体三极管，同电子管相比，晶体管具有诸多优越性：1.构件没有消耗，无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。
由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。
随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。
2.消耗电能极少，仅为电子管的十分之一或几十分之一。
它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。
一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。
半导体制造工艺教材(40页)
2.1 引言
由于CMOS技术在MOS器件工艺中最有代表性，在综合尺寸缩小和 工作电压降低的同时获得了工作性能以及集成度的提高，是亚微米 集成电路广泛采用的一种器件结构，因此本章将主要介绍双极型集 成电路、CMOS集成电路的制造过程，在同学们在学习各个主要工 艺之前对各工艺在集成电路制造中的作用有一个大致的了解，在今 后章节的学习中目的性更强。由于每个器件彼此之间需要相互绝缘， 即需要隔离，因此在介绍这两种工艺之前先对器件隔离技术做简单
2)在外延层上淀积二氧化硅(SiO2)，并进行光刻和刻蚀。 3)去除光刻胶，露出隔离区上的N型外延层硅，然后在N型外延层上 进行P型杂质扩散，扩散深度达到衬底，这是双极型集成电路制造工 艺中最费时的一步，使N型的器件区域的底部和侧面均被PN结所包 围，器件就制作在被包围的器件区里。 2.2.2 绝缘体隔离 绝缘体隔离法通常用于MOS集成电路的隔离，用二氧化硅作为绝缘 体，该二氧化硅作为隔离墙，一般来说，二氧化硅隔离用于器件区 域的侧面，器件区域底部的隔离则用PN结来实现。图2⁃2所示为集成 电路中采用绝缘体隔离的例子。深度达到衬底的V型沟槽内侧形成 二氧化硅，再用多晶硅填满，达到绝缘隔离的目的。
7
2.2 器件的隔离
图2-2 绝缘体隔离
8
2.2 器件的隔离
1.局部氧化隔离(LOCOS)工艺 1)热生长一层薄的垫氧层，用来降低氮化物与硅之间的应力。 2)淀积氮化物膜(Si3N4)，作为氧化阻挡层。 3)刻蚀氮化硅，露出隔离区的硅。 4)热氧化，氮化硅作为氧化阻挡层保护下面的硅不被氧化，隔离区 的硅被氧化。 5)去除氮化硅，露出器件区的硅表面，为制作器件做准备。
34
2.4 CMOS器件制造工艺
3)使用侧墙隔离(防止对源漏区进行更大剂量注入时，源漏区的杂质 过于接近沟道以致可能发生源漏穿透)，钛硅化合物和侧墙隔离解决 了硅铝氧化问题。 4)多晶硅栅和采用钨硅化合物和钛硅化合物实现局部互连，减小了 电阻并提高了器件速度。 5)光刻技术方面使用G-line(436nm)、I-line(365nm)、深紫外线DUV(2 48nm)光源曝光，并使用分辨率高的正性光刻胶，用步进曝光取代整 体曝光。 6)用等离子体刻蚀形成刻蚀图形。 7)湿法刻蚀用于覆盖薄膜的去除。 8)采用立式氧化炉，能使硅片间距更小，更好地控制沾污。
ADC入门基础知识
第30页/共67页
逐次逼近型ADC结构图
30
第31页/共67页
逐次逼近型ADC的适用系统
逐次逼近型ADC的转换周期是从采样模拟信号开始的, 采样值与DAC初始化输出结果相减,输出的差被比较器量化, 该比较器通过输出的结果指示SAR增加还是减小DAC的输出, 然后输入采样减去新的DAC输出,该过程一直重复,直到满足 所要求的精度为止。
逐次逼近型ADC完成n位数字转换需要N个时钟周期来完 成。因此,当分辨率提高时,转换器的速度就会相应的降低。
逐次逼近型ADC的静态误差会受到DAC线性度的限制,通
过校准或者微调DAC可以获得非常高的分辨率。
因 此 逐 次 逼 近 型 A D C 常第3用2页于/共6高7页分 辨 率 、 低 速 的 系 统 及 设
我国从 70 年代开始研制 ADC，至今已经有 8 bit、10 bit、12 bit、14 bit 的 ADC产品，但产品性能还远远达不 到高端应用的要求，与国外水平相差甚远；高端 ADC还处于 高校和研究所的研究开发阶段。
6ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
第7页/共67页
低功耗、低电压、单片化
单元电路的一些优化设计也可以降低功耗，如动态偏置、开关电容动态共模反馈以及动态比较器等。低 电压是现在应用发展的一个趋势，主要有运放的rail-to-rail设计、模拟开关的电压自举等方法。
背景、发展
随着CMOS制作工艺的迅猛发展，越来越多的信号被移到数字领域来处理，从而达到降低成本，降低功 耗，提高速度的目的。
这就使我们迫切需要一种低功耗、低电压而且能够用标准深亚微米技术实现的ADC。
1
第2页/共67页
现状
国内在高性能芯片的研究和设计方面还比较 落后,这就造成了各种高性能芯片的巨大需求和 国内芯片产业落后之间的巨大矛盾。而且,由于 一些高端芯片产品受到国外的进口限制,这对我 国国防现代化发展以及民用电子通信工业的发展 非常不利。这就迫使我们必须自己研究设计出高 速、高精度的模数转换器。
AIP650 LED驱动控制 键盘扫描专用集成电路 产品说明书
表733-11-I 编号：AIP650-AX-BJ-78AIP650LED驱动控制/键盘扫描专用集成电路产品说明书说明书发行履历：版本发行时间新制/修订内容2010-01-A 2010-01 更换新模板2012-01-B1 2012-01 增加说明书编号及发行履历第 1 页共 12 页版本：2012-01-B11、概 述AIP650是一种带键盘扫描电路接口的LED 驱动控制专用电路。
内部集成有MCU 输入输出控制数字接口、数据锁存器、LED 驱动、键盘扫描、辉度调节等电路。
本芯片性能稳定、质量可靠、抗干扰能力强，可适应于24小时长期连续工作的应用场合。
其主要特点如下： ● 显示模式：8段×4位● 段驱动电流不小于25mA ，字驱动电流不小于150mA. ● 提供8级亮度控制 ● 键盘扫描：7×4bit ● 高速两线式串行接口 ● 内置时钟振荡电路 ● 内置上电复位电路 ● 支持3V －5.5V 电源电压● 使用时VCC 端建议加104电容，且电容尽量靠近AIP650的VCC 端口（小于2cm ） ● 封装形式：DIP16/SOP162、引脚排列图及引脚说明2.1、引脚排列图第 2 页 共 12 页版本：2012-01-B1DP/KP G/KI7F/KI6E/KI5D/KI4C/KI3VCC B/KI21211DIG1CLK DAT GND DIG2DIG3DIG4A/KI11615141312345678910第 3 页 共 12 页版本：2012-01-B12.2、引脚说明 引脚符 号引 脚 名 称功 能1 DIG1 位/键扫描输出 LED 位驱动输出，低电平有效，及作为键盘扫描输出，高电平有效。
2 CLK 时钟输入 2线串行接口的数据时钟输入，内置上拉电阻。
3 DAT 数据输入/输出 2线串行接口的数据输入输出，为内置上拉开漏模式。
4 GND接地端 接地5 DIG2位/键扫描输出 LED 位驱动输出，低电平有效，及作为键盘扫描输出，高电平有效。
基于集成电路学科的软件技术基础课程教学设计
基于集成电路学科的软件技术基础课程教学设计
张曙斌;姜岩峰;刘剑滨
【期刊名称】《集成电路应用》
【年(卷),期】2022(39)12
【摘要】阐述集成电路教学中的持续更新课程体系设置,围绕EDA软件创造具有专业特色的新教学内容,并调动学生自主学习积极性,从而快速适应产业和市场的人才需求,培养出软件技术理论和实践水平扎实的集成电路专业人才。
【总页数】2页(P32-33)
【作者】张曙斌;姜岩峰;刘剑滨
【作者单位】江南大学;无锡太湖学院
【正文语种】中文
【中图分类】TN40-4
【相关文献】
1.基于 CDIO 模式的“计算机软件技术基础”课程教学改革实践
2.基于三维应用软件技术基础上的室内效果图实训课程教学方法研究
3.基于现代信息技术及创新实践能力培养的软件技术基础课程教学改革
4.高职软件技术专业基础课程教学研究与实践——以《C语言程序设计》为例
5.主题性设计基础教学模式的新探析——艺术设计学科基础课程教学改革研究
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。