掺杂有机发光二极管的研究
Dy3+、Tm3+共掺杂Ca2MgSi2O7的发光特性
Dy3+、Tm3+共掺杂Ca2MgSi2O7的发光特性胡莲莲;艾尔肯·斯地克;万英;苏晓娜;王琇【摘要】采用高温固相法合成了系列Ca2MgSi2O7:Dy3+,Tm3+发光材料.对样品进行了XRD结构表征,测量了激发光谱、发射光谱、色温和荧光寿命.研究结果表明,Ca2MgSi2O7:Tm3+在355 nm激发下显示出蓝色发光,在CIE1931中的色坐标为x=0.1659,y=0.0822,色纯度为89%.通过Dy3+和Tm3+的叠加激发谱带激发,即在349,353,365 nm激发下,Ca2MgSi2 O7:Dy3+,Tm3+显示出青白、冷白和暖白光,相关色温值分别为5193,9672,4685 K.300~500 nm区域间可以有效地激发Ca2MgSi2 O7:Dy3+,Tm3+,并在400~600 nm之间产生蓝光和黄光复合产生的白光,表明该体系可用作白光LED的发光材料.【期刊名称】《发光学报》【年(卷),期】2018(039)007【总页数】7页(P948-954)【关键词】Ca2MgSi2O7:Dy3+,Tm3+荧光粉;光致发光;白光LED;叠加激发谱带【作者】胡莲莲;艾尔肯·斯地克;万英;苏晓娜;王琇【作者单位】新疆师范大学物理与电子工程学院,新疆矿物发光材料及其微结构实验室,新疆乌鲁木齐 830054;新疆师范大学物理与电子工程学院,新疆矿物发光材料及其微结构实验室,新疆乌鲁木齐 830054;新疆师范大学物理与电子工程学院,新疆矿物发光材料及其微结构实验室,新疆乌鲁木齐 830054;新疆师范大学物理与电子工程学院,新疆矿物发光材料及其微结构实验室,新疆乌鲁木齐 830054;新疆师范大学物理与电子工程学院,新疆矿物发光材料及其微结构实验室,新疆乌鲁木齐830054【正文语种】中文【中图分类】O482.311 引言近年来,由于稀土离子或过渡元素离子激活的无机荧光粉具有很好的发光性能,并且能满足LED用荧光粉的要求,得到了广泛关注。
基于TADF共掺杂的蓝光OLED器件性能研究
第36卷第2期Vol.36No.22021年04月Apr.2021湖北工业大学学报Journal of Hubei University of Technology[文章编号]1003—4684(2021)02-0019-05基于TADF共掺杂的蓝光OLED器件性能研究王豪杰X周远明2(1湖北工业大学电气与电子工程学院,湖北武汉430068;2湖北工业大学理学院,湖北武汉430068)[摘要]为提升蓝光OLED的发光性能,采用DPEPO和DMAC-DPS两种热活化延迟荧光(TADF)材料构成的主客体掺杂结构作为蓝光OLED器件的发光层,研究器件结构、客体掺杂浓度等因素对器件性能的影响。
实验结果表明:采用M o()3薄膜作为空穴注入层有助于增强空穴注入和传输能力,进而提升器件性能。
当DMAC-DPS掺杂浓度为30%时,器件性能是最优的,最大亮度为5650cd/m2,最大外量子效率(EQE)为&63%。
掺杂浓度进一步增大会导致器件性能的衰退,可能是因为高浓度导致的激子淬灭导致的。
TADF有助于提升蓝光OLED器件的性能并有望应用于商业化的蓝光OLED器件中。
[关键词]热活化延迟荧光材料(TADF);蓝光OLED器件;发光[中图分类号]TN383[文献标识码]A因色纯度高、耗能低、自发光等多种优点,有机电致发光二极管(OLED)被广泛应用于显示和照明领域。
目前,主要采用荧光材料和磷光材料制备器件的发光层(EML),但这两种材料分别存在效率低、价格贵的问题。
为解决上述问题,具有反向系间窜越(RISC)特点的热活化延迟荧光(TADF)材料成为继荧光材料和磷光材料之后的新一代有机发光材料[18]。
荧光材料通过单重态激发发光,磷光材料通过系间穿越一单重态转化为三重态跃迁发光,然而新一代的TADF材料因具有比较小的单三重态能极差AEST,较小的能极差可以使TADF材料在室温热能活化下发生反向系间窜越(RISC)现象,实现激子从三重态到单重态能级反向跃迁,达到更高的量子效率。
β-Ga2O3的p型掺杂研究进展
第 45 卷第 3 期2024年 3 月Vol.45 No.3Mar., 2024发光学报CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCELi(Sc, M)Si2O6∶Cr3+(M = Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+)的近红外发光性能卢紫微1,2,刘永福2*,罗朝华2,孙鹏2,蒋俊2*(1. 宁波大学材料科学与化学工程学院,浙江宁波 315211;2. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江宁波 315201)摘要:荧光转换型近红外发光二极管(NIR pc‐LED)具有体积小、谱带宽、峰位易调谐等优点,是新一代NIR光源发展的前沿,其关键在于研发可被蓝光有效激发的高效率宽带近红外荧光粉。
LiScSi2O6∶Cr3+荧光材料的激发波长为460 nm,发射峰位在845 nm,光谱带宽为156 nm,内量子效率为64.4%。
基于该体系,本文通过M离子(M = Ga3+,Lu3+,Y3+,Gd3+)取代Sc3+的方式对其性能进行调控。
结果表明,引入M离子易生成杂相或发生相变,降低了材料的发光性能。
本文从晶体结构出发对其调控过程进行了分析。
关键词:LiScSi2O6∶Cr3+;阳离子取代;晶体结构中图分类号:O482.31 文献标识码:A DOI: 10.37188/CJL.20230325Near-infrared Luminescence ofLi(Sc, M)Si2O6∶Cr3+(M = Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+)LU Ziwei1,2, LIU Yongfu2*, LUO Zhaohua2, SUN Peng2, JIANG Jun2*(1. School of Materials Science and Chemical Engineering, Ningbo University, Ningbo 315211, China;2. Ningbo Institute of Materials Technology & Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, China)* Corresponding Authors, E-mail: liuyongfu@; jjun@Abstract:Near-infrared phosphor-converted light-emitting diodes (NIR pc-LEDs) are expected to be the next-gen‐eration NIR light sources,which have the advantages of small size,broad bandwidth,and easy tuning of emission peaks. The key for NIR pc-LEDs is to develop highly efficient broadband NIR phosphors that can be effectively excit‐ed by blue light. LiScSi2O6∶Cr3+can be excited by blue light and emits NIR light peaked at 845 nm with a broad band‐width of 156 nm and an internal quantum efficiency of 64.4%. Herein, Sc3+ is replaced by M ions (M = Ga3+, Lu3+,Y3+, Gd3+) to regulate the NIR luminescence. The introduction of M ions is easy to form heterogeneous phases or un‐dergo phase transformation, thus reducing the NIR luminescence of the titled material. The regulation processes are analyzed based on the crystal structure.Key words:LiScSi2O6∶Cr3+; cation substitution; crystal structure1 引 言近红外光谱技术具有无损伤、穿透性好等优点,在无损检测、食品安全、夜视与医疗成像等领域具有广泛应用[1-5]。
有机半导体Alq的“n型掺杂”研究
有机半导体Alq的“n型掺杂”研究有机半导体Alq的“n型掺杂”研究近年来,有机半导体材料在光电器件领域广泛应用。
相较于无机半导体材料,有机半导体具有柔性、低成本和易加工等优点,对于柔性显示器、有机太阳能电池和有机发光二极管等领域的发展具有重要意义。
其中,全名为铝三甲基金属配合物(Alq),是一种具有优异的发光特性和电学性质的有机半导体材料,因此备受关注。
虽然Alq作为p型半导体在有机电子器件中发挥重要作用,但作为n型半导体的应用却受到了一定的限制。
由于其本征半导体通常表现为p型输运,其中空穴作为主要载流子。
因此,探索一种有效的方法实现Alq的“n型掺杂”具有重要意义。
在Alq中实现n型掺杂的方法有很多,如掺杂杂质、引入异质结、利用界面修饰等。
对于掺杂杂质来说,通过引入含有氧、氮或硫等原子的分子,可以改变Alq的电学性质,扩展其载流子输运特性。
此外,通过将Alq与其他n型有机半导体或无机半导体材料形成异质结,也可以实现Alq的n型掺杂。
在界面修饰方面,通过调整Alq与介质界面之间的电子态分布,也能够影响Alq的导电性能。
在掺杂杂质方面,研究人员发现通过掺入具有强电子亲和力的分子,如铁酞菁和硝基苯酚等,可以显著提高Alq的电子迁移率。
与此同时,这些掺杂杂质还会降低Alq的工作函数,提高电子注入性能。
通过实验可得,Alq与铁酞菁掺杂体系的电子迁移率较纯净Alq明显提高了一个数量级。
此外,研究人员还发现使用异质结的方法,如Alq与Alq衍生物或C60形成的异质结,也能够实现Alq的n型掺杂。
实验结果表明,与纯净Alq相比,Alq与Alq衍生物形成的异质结具有更高的电子迁移率和更佳的n型输运性能。
在界面修饰方面,研究发现通过导入适量的钠离子或锂离子,可以有效调节Alq与介质之间的电子分布情况,实现Alq 的n型掺杂。
通过这种方式,在Alq与介质之间形成适当的势垒,可以增加电子的输运能力。
这一方法不仅实现了Alq的n 型掺杂,还改善了器件的电流注入性能。
有机电致发光材料的研究进展及应用
有机电致发光材料的研究进展及应用材化1111班王蒙 1120213122摘要:简要论述有机电致发光设备的发光机理、器件结构及彩色显示方法,详细介绍有机电致发光材料的种类、组成、特点和研究近况,并对其用途和前景,尤其在军事领域的应用作了一定介绍。
另外还指出了有机电致发光在商业化过程中一些急待解决的问题。
关键词:有机发光材料,进展,应用。
正文:信息技术的持续快速发展对信息显示系统的性能,如亮度、对比度、色彩变化、分辨率、成本、能量消耗、质量和厚度等均提出了高的要求。
在已有的成熟显示技术中,电致发光显示设备能够满足上述性能要求,另外它还具有宽视角、较宽的工作温度范围和固有的强度等优点。
电致发光显示设备一般包括发光二极管(LED)、粉末磷设备、薄膜电致发光设备(TFEL)和厚介质电致发光设备等。
目前的信息显示市场上真正的参与者主要是TFEL和有机LED (OLED)。
OELD技术的发展时间并不很长,但发展速度较快。
近几年,随着市场对高质量、高可靠性、大信息量显示器件的需求日益增加,OLED技术更是得到了长足的发展,目前已有多种OLED产品投入市场。
1997年,日本Pioneer公司推出配备有绿色点阵OLED的车载音响,并建立了世界上第一条OELD生产线。
1998年,日本NEC、Pioneer公司各自研制出5英寸无源驱动全彩色四分之一显示绘图阵列(QVGA)有机发光显示器。
2000年,Motorola公司推出了有机显示屏手机。
2002年,Toshiba公司推出了17英寸的全彩色显示器。
清华大学与北京维信诺公司共同开发出国内首款多色OLED手机模块。
2003年,台湾奇美电子公司与IBM合作推出加英寸的OELD显示器。
2004年5月,日本精工爱普生公司研制成功的40英寸大屏幕OLED显示器以全彩、超薄、动态影像显示流畅的特点成为OELD显示市场上最大的亮点。
2006年,首尔半导体株式会社的子公司SeoulOptodeviceCo.Lid.以控股方式与美国SensorElectronicTechnology公司共同开发生产的世界唯一的短波长紫外发光二极管(UVEL D)产品已开始量产。
n型掺杂PTCDA复合材料对有机发光二极管性能的提高
(-u o nl o lm n m( l ) “ 等 , 常使 用 8qi l o t)a iu Aq 经 ni a u
的掺 杂 剂 有 碱 金 属 ( s I c 、_ ) 碱 金 属 碳 酸 盐 j等 和
( sC L。 O 等 ) C O 、i , 。在 O E C L D中使用 1型掺杂 层 3
N B Aq 异 质 结 有 机 电致 发 光 器 件 中 。 研 究 发 现 , L C B P 14 / 1 构 和 LF A 结 构 相 比 ,i O : P / l, 同 i O :C (:)A 结 i/ 1 L C
P C A( : ) A 结 构 能显 著 提 高 发 光 器 件 的 亮 度 , 件 功 率 效 率 也 有 所 增 加 。发 光 器 件 性 能 的 提 高 可 以归 T D 11 / 1 器
p e a trl e B h n)6 b to u rie( C 』 h n nhoi ( p e Ls 、 ah c p on B P) 、 n - J
属碳 酸盐 ) 成 高功 能 的 1 形 1型掺 杂 复合 体 系 , 如 例 5 a掺杂 的 P C A复 合材料 的电导 率为 13 %N TD .3×
p rln tt cro yi in y r e FF D 以 及 eye eer ab x l da h di , C A) a c d
IF掺杂 的 C 1 。这 些 电子受 体 材料 的最 低未 J i l 等 占据分 子轨 道 ( U O) L M 能级 明显 低 于 B hn B P pe 、C 、 A q( l 这些 材 料 的 L MO能 级 一般 位 于 3 2e U . V左 右 ) 因此 , , 它们更容易 和 n型掺杂剂( 金属和碱金 碱
基于红光染料掺杂的有机电压调制发光器件
1 引 言
t rcn , 过 调 节 D h ae e 通 CM 在 MADN 的 掺 杂 浓 度 和 MADN :D M 掺 杂 膜 层 厚 度 , 得 发 光颜 色 发 生 了 C 使
屏 幕平 板显 示像 素 的分辨 率 和颜 色质 量 。许 多发 光器
件 都是 不止 一 层 发 光 , 观察 到 的颜 色往 往 是这 些 同 所 时 发射 的光 合 并 的 结 果 。对 于这 种 双 发 射 结 构 的器 件, 通过 调 整每 层 的相 对 强 度 能 够适 当地 调 节 发光 颜 色 。为 达到 这种 电 压 调 制 发 光颜 色 器件 , 要 考虑 许 需 多 因素 , 如势 能 带 隙也 就 是 势 垒 、 例 膜层 厚 度 、 掺杂 能
MAD N( 0 m) MAD :D M ( ( 量 分 数 ) 3n / N C 2 质 ,
1 n ) B 7 m/ 0 m / CP n ALQ ( 0 m ) Li (0 5 m ) Al 3n / F . n /
3 结 果 和 讨 论
当 D M 的掺 杂 浓 度 为 2 ( 量分 数 ) 掺 杂层 C 质 且 的厚 度为 1 n 时 , 器 件 在 不 同 驱 动 电 压 下 的 归一 0m 该 化的 E L光 谱 及其 色 坐标 如 图 2所示 。从 图 2中可 以 看 出 , 了位 于 5 5 m 的 D M 的红光 发射 带 , 出现 除 6n C 还
维普资讯
牛 晶华 等 : 于 红 光 染 料 掺 杂 的有 机 电 压 调 制 发 光 器 件 基
ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理
ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理一、本文概述氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带直接带隙半导体材料,因其独特的物理和化学性质,在发光二极管、太阳能电池、透明导电薄膜、气体传感器等领域具有广泛的应用前景。
然而,ZnO中本征缺陷和掺杂的存在对其性能产生了显著影响。
因此,深入研究ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理,对于优化ZnO基器件的性能和推动相关领域的科技进步具有重要意义。
本文旨在全面综述ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理。
我们将介绍ZnO的基本性质和制备方法,为后续研究奠定基础。
接着,我们将详细分析ZnO中的本征缺陷类型及其对发光性能的影响,包括氧空位、锌空位、锌间隙原子等。
在此基础上,我们将进一步探讨掺杂元素对ZnO发光性能的影响,包括掺杂类型、掺杂浓度等因素。
我们将总结ZnO中本征缺陷和掺杂的作用机理,并提出未来研究方向和潜在应用。
通过本文的综述,我们期望能够为相关领域的研究人员提供有益的参考和启示,推动ZnO基器件的性能优化和科技进步。
二、ZnO的本征缺陷与发光ZnO作为一种宽禁带半导体材料,其本征缺陷在发光性质中起着至关重要的作用。
ZnO的本征缺陷主要包括锌间隙原子(Zn_i)、氧空位(V_O)、锌空位(V_Zn)以及反位缺陷(O_Zn和Zn_O)等。
这些缺陷的存在不仅影响了ZnO的电子结构,还在很大程度上决定了其发光性质。
锌间隙原子(Zn_i)和氧空位(V_O)作为施主型缺陷,它们可以在ZnO的导带中引入额外的电子,从而改变其电子浓度和费米能级位置。
这种电子浓度的变化会进一步影响ZnO的光致发光(PL)性质,导致可见光波段的发光增强。
锌空位(V_Zn)和反位缺陷(O_Zn和Zn_O)通常作为受主型缺陷存在,它们可以在价带中引入空穴。
这些空穴与导带中的电子复合时,会释放出能量,表现为发光现象。
特别是深能级缺陷,如锌空位和反位缺陷,它们的发光通常位于近红外或红外波段,对于ZnO在光电器件中的应用具有重要意义。
掺杂型异质结构有机电致发光二极管的稳定性研究
理 论广 角
C hi n a S C i e nc e a n d T e c h n o l o g y R ev i e w
●l
掺 杂 型 异 质 结 构 有 机 电 致 发 光二 极 管 的稳 定 性 研 究 东 南 方职 业学 院 5 2 9 0 3 0 )
不同的 变动 , 也 不会破 坏它 的稳定 性 。 反而 可以增 加材料 的抗 热性 , 这样一 来 ,
掺 杂异质 结 构有机 聚 合物 的器件 稳定 性 就可 以提高 。 第=, 采 用 聚合物 掺 杂型结 构 的工作 原理 。
采用 掺 杂 型异 质 结 构 的方法 , 其 实 是先 在 空穴 传 输层 填 充P T P D, 而 用 A l q 3作为 电子传 输层 ( 圈 ) 和 发光层 ( E ML ) 材料 , 这样 就组 成 了新 型的P T P D /
Al q 3 异质 结L E D, 然后 添 加高校 荧 光染料 , 红荧 稀来 作为 掺杂 剂 , 对HT L 或/
管需 要着 手解 决它 的器件 稳定性 和 效率 , 要尽 可 能地改 善它 的器件 性 能 , 使 得 有机 电致发光 二极管 的工 作效率越 来越高 , 而且 , 在 高效率 工作 的同时 , 还要 同 时满足 高稳定 性的特 点 , 这样, 它 的运 用层面 和运 用前景才 会不断 地扩 大。 要 改
【 摘 要] 发光 二极 管 的运用 越 来越广 泛 , 而 提高 发光 二极 管 的稳定 性 和工作 效 率 是改善 发光二 极 管 的工作 性质和 降 低成 本的 主要途 径 , 提高 发光 二极 管 的 稳 定性可 以利 用掺杂 型异 质结构 来 实现 , 采用一 种稳 定性 高的 , 分子结 构 稳定 的聚合物 和荧光 染剂 来分 别做掺杂 质和 掺杂剂 可以加 强掺杂 型异质 结构有机 电致 发 光 二极 管 的稳定 性 。 本 文就 掺杂 型异 质结 构展 开讨论 。 [ 关键 词】 掺 杂型 异质 结 构 发光 二极 管 稳定 性 高 效率 中 图分类 号 : T N1 1 1 文献 标识码 : A 文 章编号 : 1 0 0 9 — 9 1 4 X( 2 0 1 3 ) 0 6 — 0 2 2 9 — 0 1
主客体掺杂结构的磷光OLED发光特性研究的开题报告
主客体掺杂结构的磷光OLED发光特性研究的开题报告一、研究背景随着有机发光二极管(OLED)技术的发展,其在显示和照明领域的应用越来越广泛。
OLED的发光机理是通过有机材料在电压作用下发生复合,产生发光,并且其色彩鲜艳、亮度高、能耗低等优点也是成为了其广泛应用的重要原因。
同时,OLED也具备着可塑性和柔性等特性,在未来的应用场景中,其有着巨大的潜力。
然而,目前OLED在研究和应用中还存在一些问题,其中最常见的是器件效率和寿命的问题。
针对这些问题,研究人员通过掺杂不同的材料进入OLED中来提高器件的发光效率和寿命,并且掺入材料的种类和浓度也可以影响OLED的发光性能。
其中,主客体掺杂结构的OLED成为了研究的热点之一。
二、研究内容和意义本文将研究主客体掺杂结构的磷光OLED的发光特性。
其中,主客体掺杂结构是指在有机发光材料中添加主体和客体两种材料,其中主要作用是通过能级分布和能量传递来提高OLED的发光效率和色纯度等性能。
在该结构下,不仅可以控制器件的发光色彩,还能提高器件的寿命和效率。
通过对主客体掺杂结构磷光OLED的研究,可以探究其发光特性和机理,为优化OLED的设计和制备提供理论和实验基础。
同时,研究主客体掺杂结构也有助于极大地提升OLED在实际应用中的性能和表现,推进其在显示和照明领域的应用。
三、研究思路和方法在本研究中,将采用化学合成、器件制备和光电性能测试等方法进行研究。
主要步骤包括以下几个方面:1. 合成主客体材料。
在研究中将使用TCTA作为主体材料,通过掺入不同的客体材料来制备主客体结构的材料。
2. 制备OLED器件。
将制备好的主客体材料溶液的电子传输层、发光层和阳极等材料均匀地涂覆在基底上,制备成OLED器件。
3. 测量器件的发光特性。
通过测量OLED器件的光电性能,如电流密度、光谱和发光时效等指标来探究主客体掺杂结构对于OLED的影响。
四、预期结果本研究主要预期结果如下:1. 制备出不同浓度、不同种类主客体掺杂结构的材料。
高p型掺杂对高亮度发光二极管的作用
H i h P do i g m e ho a uf c ur d h g r g t g p n t d m n a t e ih b ih lg m itn i d s i hte ti g d o e
DE n ln ,L AO C a gj n L U o gh o NG Yu — g o I h n — , I S n — a u
少 电极对 光输出能量 的吸收量 ,从 而达到提高器件
的 外 量 子 效 率 的 目的 。 按 此 方 法 进 行 MOC VD器 件 外 延 . 外 延 片 解 理 成 3 0 × 3 uT 管 芯 后 , 在 0 00 I I
室外 的大 屏幕 显 示 有 着广 泛 的应用 前 景 , 特 别 是 因 为 可 以成 为一 代 新 的照 明光 源而 引起广 泛 的关
上 。P 掺 杂 是 影 响 器 件 的 光 电 特 性 的 主 要 因 素 之
一
2 器件 中 D型掺 杂 的分 析
2 1 上限制层的 p型掺杂 .
图 1 Ga n / Ga ) n 是 I P ( AI I。P的双 异 质 结 结 构 的 器 件 能 带 , 当提 高 P型 限制 层 的 掺 杂 浓 度 ,
注 。 红 光 ( 8 n ) 到 绿 光 ( 0 m ) 波 段 的 6 0 m 5 n 6
2 mA的工作 电流 下 ,得 到波 峰为 6 8 m.平均亮 0 4n 度达 到 3 mc ,最 高 为 4 . mc 89 d 9 8 d,实现 了 L D E
的 高亮 度 发 光 ,从 而证 明 了理 论 分 析是 正 确 的 。
。
对 于 Gan I A l P异 质 结 . 可 以 通 过 提 高 l P Ga ln
发光二极管 有机空穴传输层材料
1. 引言发光二极管(Light Emitting Diode,LED)作为一种能够通过电致发光实现能量转换的半导体器件,已经在各种领域得到了广泛的应用,比如照明、显示、通信和生物医学等。
而有机空穴传输层材料(Organic Hole Transport Layer,OHTL)则是有机电子器件中的一种重要材料,具有良好的电学性能和化学稳定性。
本文将对发光二极管和有机空穴传输层材料进行深入探讨,以帮助读者更好地理解这两个主题。
2. 发光二极管发光二极管是一种半导体器件,具有正向电压下正向导通,反向电压下反向断开的特性。
其工作原理是通过载流子的复合发光来实现能量的转换。
在发光二极管中,P型掺杂层和N型掺杂层之间存在能隙,当电子从N型区域穿越PN结到达P型区域时,与空穴复合并释放出能量,产生光子。
这些光子经过不断的反射和折射,在半导体材料中形成激发态的激发态复合辐射,最终形成可见光或红外线的辐射。
3. 有机空穴传输层材料有机空穴传输层材料是有机电子器件中的一种重要材料,可用于有机发光二极管(OLED)、有机太阳能电池等器件中。
它主要的作用是在有机半导体材料与电极之间形成连续平整的电子传输通道,从而提高器件的电学性能和光学性能。
有机空穴传输层材料通常是由有机小分子或聚合物材料构成,具有良好的可溶性、可加工性和光学性能,能够有效地提高器件的稳定性和寿命。
4. 深入探讨在发光二极管中,光的产生过程是通过载流子的复合发光来实现的。
而有机空穴传输层材料则是在有机电子器件中起到了重要的作用。
它不仅能够提高器件的电学性能和光学性能,还能够增强器件的稳定性和寿命。
发光二极管与有机空穴传输层材料都是有机电子器件中不可或缺的组成部分,对于推动有机电子器件的发展具有重要意义。
5. 我的观点作为文章写手,我认为发光二极管和有机空穴传输层材料的深入探讨对于推动有机电子器件的发展具有重要意义。
通过对这两个主题的深入了解,可以更好地理解有机电子器件的工作原理和性能特点,为未来的有机电子器件的设计和应用提供重要的参考和指导。
ce3+掺杂无机发光材料的介绍
ce3+掺杂无机发光材料的介绍1. 介绍ce3+掺杂无机发光材料是一种具有广泛应用前景的新型材料,其在发光二极管、荧光显示器、荧光材料等领域有着重要的作用。
本文将深入探讨ce3+掺杂无机发光材料,从其基本概念、物理特性、制备方法以及应用领域等多个方面进行全面解析。
2. ce3+掺杂无机发光材料的基本概念ce3+掺杂无机发光材料是指将铈离子(Ce3+)掺入无机材料的晶格中,通过其特殊的物理性质实现发光效应。
铈离子是一种具有激发态和基态之间跃迁能级的稀土离子,在激发态和基态之间跃迁时会发光。
将铈离子掺入无机材料中可以实现发光效应。
3. 物理特性ce3+掺杂无机发光材料具有多种优异的物理特性,例如激发光谱宽、发射光谱窄、高发光效率等。
其发光波长可根据不同的应用需求进行调控,从可见光到紫外光都有相应的发光材料。
ce3+掺杂无机发光材料还具有良好的化学稳定性和光学稳定性,可以在各种环境下稳定发光。
4. 制备方法ce3+掺杂无机发光材料的制备方法多种多样,常见的包括溶胶-凝胶法、共沉淀法、溶剂热法等。
这些方法可以根据不同的无机基质和掺杂离子的特性灵活选择,能够实现对材料结构和性能的精确控制。
5. 应用领域ce3+掺杂无机发光材料在发光二极管、荧光显示器、荧光材料等领域有着广泛的应用。
在LED照明中,ce3+掺杂无机发光材料可以有效提高光效和色纯度,具有替代传统荧光粉的潜力。
在荧光显示器中,ce3+掺杂无机发光材料可以实现更高的亮度和更广的色域。
在荧光材料中,ce3+掺杂无机发光材料可以实现更高的发光效率和更长的寿命。
6. 个人观点和理解从个人角度来看,ce3+掺杂无机发光材料是一种非常具有潜力的新型材料,其在LED照明和显示领域有着重要的应用前景。
通过对其物理特性和制备方法的深入研究,可以进一步提高其发光效率和色彩表现,实现更广泛的应用。
总结ce3+掺杂无机发光材料作为一种具有潜力的新型材料,其在LED照明、显示器和荧光材料等领域有着广泛的应用前景。
有机光电材料的光学性能研究与调控
有机光电材料的光学性能研究与调控近年来,随着科技的不断进步和人们对清洁能源的追求,有机光电材料的研究变得日益重要。
有机光电材料具有优异的光学特性和可调控性,使其在光电子器件、太阳能电池等领域有着广阔的应用前景。
本文将对有机光电材料的光学性能进行研究与调控进行探讨。
1. 有机光电材料的光学性能研究1.1 光学吸收性能有机光电材料的光学吸收性能是其重要的光学特性之一。
通过测量材料对不同波长光的吸收程度,可以了解材料在光学上的响应。
一些常用的测量技术包括紫外可见吸收光谱(UV-Vis)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等。
通过这些分析手段,可以确定材料的吸收峰位、吸收强度以及其他相关光学参数。
1.2 光致发光性能有机光电材料的光致发光性能是指在受到光照激发后,材料能够发出的光信号。
这个性能对于发光器件的性能和应用至关重要。
一些常见的光致发光性能测试方法包括荧光光谱、磷光光谱等。
研究材料的光致发光特性,可以帮助我们了解材料的发光机理和探索新型发光材料。
1.3 折射率和透明性能有机光电材料的折射率和透明性能对于光学器件的设计和性能有重要影响。
通过测量材料的折射率,可以帮助我们优化光学器件的对射光和导光性能。
透明性能是指材料对可见光的透过程度,也是在光学器件中需要重点考虑的因素之一。
针对这些性能的研究,可以为设计高性能的光学器件提供理论依据。
2. 有机光电材料的光学性能调控2.1 结构调控有机光电材料的光学性能可以通过调控其化学结构来实现。
通过改变分子的共轭结构、取代基团等方法,可以调整材料的吸收光谱、发光颜色、折射率等光学性能。
研究人员可以通过合成不同结构的有机分子,实现对光学性能的精确调控,满足不同应用领域的需求。
2.2 外界作用参数调控除了结构调控,外界作用参数也可以对有机光电材料的光学性能产生调控影响。
例如,通过调节温度、光照强度等外界条件,可以改变材料的发光亮度、吸收强度等。
这种方法可以用于实现对有机光电器件的光学性能的动态调节。
发光掺杂材料
发光掺杂材料发光掺杂材料是一种具有特殊发光性能的材料,通过在原材料中引入特定的杂质或掺杂物,可以改变材料的电子结构和能带结构,从而实现发光效果。
这种材料在科学研究和工程应用中有着广泛的应用前景。
一、发光掺杂材料的基本原理发光掺杂材料的发光原理主要与材料的能带结构有关。
在晶体材料中,电子和空穴分别处于能量最低的价带和能量最高的导带中。
当材料被激发时,电子从价带跃迁到导带,形成电子-空穴对。
当电子和空穴重新结合时,会释放出能量,产生光子,即发光现象。
1. 半导体材料半导体材料是最常见的发光掺杂材料之一。
通过在半导体材料中引入一些特殊的杂质,如氮、磷、锌等,可以改变材料的电子结构和能带结构,从而实现不同波长的发光。
常见的半导体发光掺杂材料有氮化镓、磷化铝、氮化铟等。
2. 稀土材料稀土材料是另一类常见的发光掺杂材料。
稀土元素具有特殊的电子结构,能够在材料中形成能带间的跃迁,从而产生发光现象。
常见的稀土材料有镧系元素、铒系元素、钆系元素等。
这些材料可以通过掺入不同的稀土元素来实现不同颜色波长的发光。
3. 有机材料有机材料也可以作为发光掺杂材料使用。
有机材料具有较高的柔性和可塑性,可以制备成各种形状和结构的发光器件。
通过在有机材料中引入特定的发光分子或掺杂物,可以实现不同颜色的发光效果。
常见的有机发光掺杂材料有有机发光二极管(OLED)和有机荧光材料等。
三、发光掺杂材料的应用1. 照明领域发光掺杂材料在照明领域有着广泛的应用。
半导体发光二极管(LED)是一种节能环保的照明光源,已经逐渐取代传统的白炽灯和荧光灯。
通过在LED材料中掺入不同的杂质,可以实现不同颜色的发光效果,满足不同场景的照明需求。
2. 显示技术发光掺杂材料在显示技术中也有着重要的应用。
有机发光二极管(OLED)作为一种新型的显示技术,具有高亮度、高对比度和快速响应等优点,广泛应用于手机、电视、平板电脑等显示设备中。
通过控制发光层中的掺杂材料,可以实现显示设备的彩色效果。
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掺杂有机发光二极管的研究1 引言阴极射线管(CRT)和液晶显示技术(LCD)是目前在商业领域最重要的两个显示技术。
例如,在过去的二十年里,阴极射线管显示器在电视、计算机领域占统治地位。
但是在最近几年,由于液晶显示器与传统的阴极射线管显示器相比具有功耗小、体积小、工作电压低、无辐射、重量轻、易于携带等优点,已经抢占了更多的市场,甚至有取代传统的阴极射线管显示器的趋势。
自从1973年第一块液晶问世,液晶显示技术已经高速发展了30多年。
目前最新的液晶显示技术与最初的技术相比,已经发生了很大的改变。
但是还是无法满足高速发展的信息时代对更薄、更轻、更高性能的平板显示(FPD)技术的需求。
有机电致发光器件作为新一代的平板显示技术进入了人们的视线。
有机电致发光显示技术,又称有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)技术,其根本性转变来自于柯达公司的实质性突破。
1987年,邓青云(C. W. Tang)博士和Vanalyke[1]采用超薄膜技术,采用透明导电玻璃(ITO)作正极,8-羟基喹啉铝(Alq3)作发光层,三共胺作空穴传输层,Mg/Ag合金作负极,制作了双层OLED器件(图1.1)。
该OLED的工作电压低至10V;亮度高达1000 cd/m2,效率为1.5 lm/W,这是OLED技术划时代的里程碑。
在过去的十年中,OLED在显示技术领域显示出了可以与液晶相比的强大的竞争力。
与目前主流的平板显示技术---液晶显示技术相比,有机发光二极管具有视角大、亮度高、响应速度快、主动发光、工作温度范围宽等优点。
此外,有机发光二极管还具有材料成本低、材料选择范围宽、驱动电压低、重量轻和可制作在柔软衬底上等优点,有机发光二极管被认为是新一代的实用显示技术[2-5]。
随着有机电致发光技术的发展,其对现代社会的影响也越来越大。
目前有机电致发光技术已经被应用在显示器、移动电话、电视、数码相机、平板显示等多个领域。
1.1 OLED的历史1963年,美国纽约大学的P. Pope小组[6]在蒽(anthracene)单晶(厚度约为10~20μm)上加上400V直流高压,首次观察到了有机材料的蓝色电致发光现象。
目前大家普遍认为这个发现为有机电致发光研究拉开了序幕。
但在接下来的20年间,由于单晶成长和大面积化困难,且驱动电压高[7-8],致使有机晶体电致发光研究处于停滞状态。
直到八十年代初,Vincett [9]通过真空蒸镀的方法制备出了小于1μm 的蒽薄膜,使得有机材料电致发光所需要的驱动电压降低至30V 。
但是由于电子注入效率低和蒽的成膜性较差,外量子效率只有0.03%左右。
正如引言中提到的,关于有机材料电致发光研究的一个里程碑式的突破发生在1987年,当时在美国柯达(Eastman Kodak )公司工作的邓青云博士通过采用真空蒸镀技术制备器件,首次制备了具有异质结双层结构的有机电致发光器件。
这个突破掀起了有机电致发光器件的研究热潮,并使有机电致发光的研究从学术性研究开始走向实用性研究。
图1.1 邓青云1987年制备的第一个异质结结构有机发光二极管的结构1989年,邓青云又报道了具有掺杂层的有机电致发光器件[10],不但提高了器件的发光效率,还可以使器件发出不同颜色的光。
1988年,日本的Adachi 提出了具有多层结构的OLED 模型,极大扩展了功能有机材料的选择[11,12]。
1990年,英国剑桥大学的Burroughs 小组用旋涂法将PPV 的预聚体制成薄膜,成功制备了单层结构聚合物电致发光器件,开创了聚合物电致发光研究的热潮[13]。
由于聚合物可以在柔性衬底上制成可弯曲的显示器件,因此聚合物发光二极管(PLED )的出现立即引起了人们的广泛关注,并作为有机电致发光器件的一个分支得到迅速发展。
聚合物电致发光薄膜被美国评为1992年度化学领域十大成果之一。
在2002年出版的美国《福布斯》杂志85周年纪念专刊上,PLED 发明人被列为“影响人类未来的十五位发明家”首位。
可见这一成果将对显示行业产生的深远影响。
早期的OLED 器件由于亮度低、发光效率低、驱动电压高以及稳定性差等原因,关注的人很少。
在邓青云博士获得突破以后,越来越多ITO 玻璃衬底Diamine ) Mg/Ag 电极 Alq 3的人开始研究OLED,随着新材料的出现,新结构的设计以及制备技术的不断完善,OLED的性能不断获得新的突破。
表1.1中列出了一些对OLED器件发展具有重大影响的突破。
表1.1 有机电致发光器件历史上的重大突破年表时间(年)取得的突破参考文献1963 1982 1987 1988 1989 1990 1993 1997 1998 1998 2004 M.Pope小组发现有机材料单晶蒽的电致发光现象。
P. S. Vincett小组采用真空蒸发法制作有机电致发光器件,将工作电压降低至30V。
C. W. Tang小组报道了第一双层OLED器件,器件在10V直流电压驱动下,发射出绿色光,其最高亮度可达1000cd/m2,量子效率为1%。
C.Adachi小组提出了包括空穴传输层,电子传输层和发光层的多层结构概念C. W. Tang小组首次报道了使用掺杂层的OLED器件J.H.Burroughs小组成功制备除了单层结构聚合物电致发光器件I. Sokolik小组发现PPV 共聚物材料L. S. Hung小组用绝缘材料LiF 作为电子注入层,提高了电子的注入S. R. Forrest 等发现电致磷光现象,突破了有机电致发光材料量子效率低于25%的限制T. R. Hebner等发明喷墨打印法制备电致发光器件C. W. Tang等报道了高效率叠层结构的有机电致发光器件其效率达到136cd/A[6][9][1][11],[12][10][13][14][15][16][17][18]虽然到目前为止,关于有机电致发光的许多基础性问题还没有理解清楚,但这并不影响世界上各大公司对OLED产业化的兴趣。
由于OLED显示技术体积小,功耗低,已经被应用到各种手机、游戏机、MP3等小尺寸显示屏上,如图1.2所示。
SAMSUNG公司在2005年推出世界上最大的一块OLED显示面板,如图1.3所示。
图1.2 目前应用在各个领域的小尺寸OLED屏幕图1.3 SAMSUNG公司在2005年发布的40寸的OLED面板显示器尽管OLED自身具备很多优势,但有机电致发光器件在寿命、亮度、全彩化等领域研究中尚有许多关键问题还没有真正的得到解决,距离产业化还有相当长的路要走。
OLED器件在材料的优化、彩色化技术、薄膜制备工艺、有源驱动技术、封装技术等方面仍存在着重大基础问题尚不清楚,使得器件寿命短、效率低等成为制约其广泛应用的“瓶颈”问题。
要解决这一系列重大问题,必须从材料性能、新型器件结构、器件制备工艺、器件老化的物理机制、器件封装等方面入手,这些基础问题能否解决是OLED器件能否大规模走向产业化的关键。
1.2 OLED的结构和发光机理1.2.1 OLED的结构OLED的基本结构为多层式结构,发光层被夹在两个电极之间。
器件的一个电极必须保证透明,从而使得光从此透明电极发射。
阳极的功函数越高,器件的空穴注入能力越好,一般阳极多为氧化铟锡薄膜(ITO)。
再用真空蒸镀法或旋涂法在ITO上制备单层或多层有机功能薄膜,最后生长金属阴极。
金属的电子逸出功的大小影响着器件的电子注入效率,阴极应选用功函数尽可能低的金属。
经过了二十年的发展,OLED结构变得越来越复杂,各个功能层的分工也越来越细化,但基本结构未变。
传统上,人们习惯根据有机薄膜功能,把OLED分成以下几种结构[19]:(1)单层结构;(2)双层结构;(3)三层结构;(4)多层结构。
图1.4为有机电致发光器件的几种典型结构示意图。
(a)(b)图1.4 有机电致发光器件典型结构示意图(a )单层结构;(b )双层结构;(c )三层结构;(d )多层结构单层结构是在器件的正极和负极间,制作由一种或数种物质组成的发光层(EML),如图1.4(a )所示。
这种结构在聚合物电致发光器件中较为常见。
单层结构器件的最大特点就是制备简单。
但其缺点也十分明显,一个主要缺点是复合发光区靠近金属电极,非辐射复合几率大,导致器件效率降低;另一个主要缺点是由于大多数发光材料都是单极性材料,由于其对两种载流子注入不平衡,导致器件载流子的复合几率比较低,因而影响器件的发光效率。
人们为了克服单层器件的缺陷,制备出了双层结构器件。
Kodak 公司首先提出了双层结构[1],如图1.4(b )所示。
由于发光材料同时也具有电子传输特性,所以在器件结构中引入一个空穴传输层,可以调节器件中空穴和电子的注入速率,这层空穴传输材料还起着阻挡电子的作用,使注入的电子和空穴在发光层复合。
双层结构很好地解决了电子和空穴的复合区远离电极和平衡载流子注入速率问题,提高了有机电致发光器件的效率,使有机电致发光的研究进入了一个新的阶段。
1988年日本的Adachi 小组首次提出三层结构的概念,即由空穴传输层(HTL )、发光层(EML )和电子传输层(ETL )组成,如图1.4(c )所示。
通过在器件中引入电子传输层和空穴传输层,有效地改善了器件中电子和空穴的注入平衡,从而使得电子和空穴可以尽可能多的在发光层复合,提高了器件的发光效率,三层结构是目前有机电致发光器件中最常采用的器件结构。
为了进一步提高器件的性能,人们提出了层数更多的器件结构[10],见图1.4(d )。
这种结构能充分地发挥各个功能层的作用,不(c )(d )但保证了有机功能层与玻璃间的良好附着性,而且缓冲层和空穴阻挡层的引入使得载流子更容易注入到有机功能薄膜中并且使得尽可能多的电子和空穴在发光层复合发光。
1.2.2 OLED的发光原理电致发光(EL)是指实现从电能到光能的转换,从而产生发光。
OLED的发光是在外加电压下,从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在有机发光层内相遇形成激子,并由激子复合发光的现象。
而有机电致发光器件指的是利用有机电致发光原理制备的发光器件。
因为OLED出现的时间较晚,研究的时间还比较短,对于它们的发光机理目前并没有完整的认识,也没有形成完整的理论体系。
OLED的基本结构与传统的无机半导体LED没有太大的区别,并且OLED的发光原理与无机LED的发光机理相似,都属于注入型发光。
因此,目前都采用无机半导体发光器件的理论来解释它的发光原理。
虽然有机材料在一般情况下并不呈现半导体的性质,但量子化学理论[20]认为,有机化合物的分子轨道可分为成键轨道和反键轨道,在最高分子占有轨道(HOMO)和最低未被电子占据轨道(LUMO)之间存在一个能隙(Eg)。