样品厚度对表面光电压法测试少子扩散长度的影响
样品厚度对实验室无源效率刻度技术测定~(137)Cs和~(210)Pb的影响
2 1焦 1 00 , q
原
子
能
科
学
技
术
Vo . 4。 . 1 4 N0 1
A t i om c Ene g inc n e h l gy r y Sce e a d T c no o
Jn 00 a .2 1
样 品厚 度 对 实 验 室 无 源 效 率 刻 度 技 术 测 定 s P 7 和2 b的 影 响 C
率 分 别 减 少 6 和 8 。样 品 厚度 对 L h O S技 术 测 定 ” c 和 。 b比活 度 的 影 响均 不 明显 , 对 8 3 aS C s P 但
C 的 分 析误 差 有 明显 的 影 响 , s 对 P b分 析 误 差 的 影 响 较 小 , 5 m 是 影 响 L b O S技 术 测 定 C 1 m aS C s 和 P 分 析 误 差 的 临界 样 品厚 度 。这 一 结 论 对 于 提 高 L b O S技 术 测 定 土 壤 样 品 中” C 。b aS C s和 P b的 分析 精 度 具 有 指 导 意义 。 关键 词 : 验 室 无 源 效 率 刻度 ; s P ; 实 ” C ; b 分析 误 差 ; 品厚 度 。 样 中图 分 类 号 : L 9 T 9 文献标志码 : A 文 章 编 号 : 0 0 6 3 ( 0 0 0 - 0 00 1 0 —9 1 2 1 ) 10 8 — 4
ObetC l rt nS fwae( a S S .An ice s n t es mpet ik esrs l e jc a i ai o t r L b OC ) b o ra ei h a l hc n s eut i ad — n sn
cie o h ee to fiin y o 。Csa d 。 ss o o a ih f cin ( l ft e d tc in e f e c n n Pba h wn al g rt m un t n c o P< O 0 ) . 01 .
少子寿命测试方法
合部分与过剩载流子浓度的关系不是简单的线性关
系, 而从( 2) 中可以知道, Joe 与过剩载流子浓度成线 性关系, 因此可以通过在不同的载流子浓度下测试
少子有效寿命的方法来得到 Joe 的值, 这种方法在高 注入情况下尤其有效。
当片子在只有一面扩散( 通过饱和电流密度 Joe 来表征) , 而另外一面没有进行扩散( 通过表面复合
了材料的电导随着光照的变化。利用光电导测量少
子寿命的方法有几种。所有的技术都是无接触的, 工
作原理就是光激发产生过剩载流子, 这些过剩载流
子在样品的暗电导基础上产生额外的光电导, 载流
子浓度的变化导致了半导体的电导 σ的变化:
ΔσL=( μnΔn+μpΔp) qW=qΔn( μn+μp) W
( 3)
态光电导方法( QSSPC) :
τeff = G(
Δn( t) -
t) "Δn
( 6)
"t
QSSPC 包含了以上两种 PCD 方法的优点, 特别是它
可以非常准确地测试短和长寿命。实际上, 瞬态和稳
态 PCD 是两个光电导随着时间衰减的特殊例子, 是
可以应用于载流子寿命独立于光脉冲宽度情况下的
分析方法。瞬态和准稳态方法常用在测试半导体的
图 1 微波反射测试系统示意图
假设光注入处于小注入时, 认为测量得到的微
波反射信号正比于样品电导率, 对微波反射功率 P
与电导 σ之间的关系进行一级泰勒级数展开:
样品的有效寿命的表达式[1]:
1 - 1 = 1 + Sfront +Sback
τ τ τ eff
intrinsic
SRH
W
( 1)
式 中 , τeff 为 有 效 寿 命 , τintrinsic 为 体 硅 材 料 的 本 征 寿
太阳能电池各参数的含义
J L max qN ph E g
式中 GL Q1 R a e a x , 为入射到电池上波长 为 ,带宽为d 的光子数, Q为量子产额,及一个能量大于Eg的 R 光子产生一对光生载流子的几率,通常情况下可以令Q=1, 为和波长有关的发射因数, a 为对应波长的吸收系数, dx 为距 电池表面x处厚度为dx的薄层,H为电池总厚度, GL ( x) 表示x处的 光生载流子的产生率.
太阳电池测试原理----光电流和光电
压
受到照明的太阳电池被短路时,pn结处于零偏压,这时短路 电流密度等于光电流密度,而正比于入射光强,即:
J SC J L N ph
太阳电池测试原理----光电流和光电
压
2,光电压 由于光照而在电池两端出现的电压称为光电压.它像外加于pn结 的正偏一样,与内建电场方向相反,这光电压减低了势垒的高度,而 且使耗尽区变薄.太阳电池开路状态的光电压称为开路电压UOC光 电压. 在开路状态下,有光照时,内建电场所分离的光生载流子形成由n 区指向p区的光电流JL,而太阳电池两端出现的光电压即开路电压 UOC却产生由p区指向n区的正向结电流JD.在稳定光照时,光电流恰 好正和正向结电流相等(JL = JD).pn结的正向电流可由下式得出: 于是有
太阳电池原理----光电流Isc
充足的太阳光照射到晶体硅太阳能电池时,电池片的整个厚 度内都会产生光生载流子,其电子空穴对的产生率Gp(即单位时间 单位体积内产生的电子空穴对数目),以Goexp(- αx)衰减。 (其中Go是电子空穴对在表面时的产生率, α是材料吸收系数.) 假定1,太阳电池厚度很薄,使所有的光生载流子都能流经外电路. 假定2,lh是大于n侧厚度ln ,所以,在体积(ln+w+le)内产生的全部电 子空穴对都贡献给光电流. 假定3,在材料表面的光生载流子的复合可以被忽略.
样品厚度对薄膜法X射线荧光光谱测量的影响研究
来 已被广泛应用 于冶金 、 地质 、 煤炭 、 医疗 和环境 保护_ 8 等
领域 。X R F光谱分析 中的薄膜法 , 是将待分析样 品富集 于滤
膜 或者滤纸 上制 成薄样 进行 X R F光 谱测量 和分 析 。由于该 方 法具 有制样简 单、试样用量少 、 基 体效应小 并可忽 略等 优
X R F光谱仪测得不 同样 品厚 度下薄 膜样 品的 X RF光谱 , 根
据尼龙薄膜样 品中 C r ,P b ,C d元素及 玻璃 纤维 滤 膜 中 c a ,
As 和S r 元素特征 X R F性质 的变化 , 研究 薄膜样品的样品厚 度对 X R F光谱测 量的影响 ,进而选择 出 X R F光谱 法对薄膜
1 实验部分
1 . 1 仪 器 及 测 量 条 件
点, 已被广泛应用于 大气及 水体 中重金 属 X R F的分 析与 检 测_ 9 _ 1 3 l 】 。在薄膜法 X R F光谱分析中 , 被分析物 的富集量与 薄 膜样 品的厚度有直接关系 , 但是 近年来 在该研究 领域 中关 于
De c e mb e r ,2 0 1 6
样 品厚 度对 薄 膜 法 x射 线 荧 光光 谱 测 量 的影 响研 究
甘婷婷 , 张玉钧¨ , 赵 南京 , 殷高方 ,肖 雪 , 章 炜。 , 刘建 国 , 刘 文清
1 .中国科学 院安徽光学精 密机械研究所 ,环境 光学与技术重点实验室 ,安徽省环境光学监 测技术 重点实验 室,安徽 合肥 2 .皖江新兴产业技术发展中心 , 安徽 铜 陵 3 .中国人 民解放军陆军军官学 院,安徽 合肥 2 4 4 0 0 0 2 3 0 0 3 1 2 3 0 0 3 1
摘
要 分别 以富集有 C r , P b和 C d 三种元 素的尼龙 薄膜样 品及 玻璃纤维 滤膜为研究 对象 ,采用 滤膜叠 加
测定共混物界面层厚度的方法中的小角x射线散射法(saxs)原理
测定共混物界面层厚度的方法中的小角x射线散射法(saxs)原理下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。
文档下载后可定制修改,请根据实际需要进行调整和使用,谢谢!本店铺为大家提供各种类型的实用资料,如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等,想了解不同资料格式和写法,敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by this editor. I hope that after you download it, it can help you solve practical problems. The document can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you! In addition, this shop provides you with various types of practical materials, such as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts, other materials and so on, want to know different data formats and writing methods, please pay attention!测定共混物界面层厚度的小角X射线散射法原理1. 引言在材料科学与化学领域,理解并测定材料内部结构的方法至关重要。
algainp少子扩散长度
AlGaInP少子扩散长度1. 引言AlGaInP是一种宽禁带半导体材料,具有优异的光电特性和应用潜力。
在AlGaInP材料中,由于材料成分和晶格结构的差异,会导致少子扩散长度的变化。
本文将详细介绍AlGaInP少子扩散长度的定义、影响因素以及测量方法,并探讨其在器件设计和制备过程中的重要性。
2. AlGaInP少子扩散长度的定义AlGaInP材料中的少子扩散长度是指在该材料中自由载流子(电子或空穴)从注入区域向非注入区域扩散的距离。
它是描述载流子传输效率和器件性能的重要参数之一。
3. 影响因素AlGaInP少子扩散长度受多种因素影响,主要包括以下几个方面:3.1 材料成分AlGaInP材料中不同元素(如铝、镓、磷、氮等)的成分比例会影响少子扩散长度。
一般来说,较高的铝含量和较低的砷含量会导致较小的少子扩散长度。
3.2 温度温度对AlGaInP材料中少子扩散长度的影响也非常显著。
随着温度的升高,少子扩散长度会增加。
这是因为高温下,载流子具有更高的热能,扩散能力增强。
3.3 掺杂浓度掺杂浓度是指在AlGaInP材料中掺入的杂质原子的浓度。
较高的掺杂浓度会导致较小的少子扩散长度。
3.4 晶格缺陷和杂质晶格缺陷和杂质也会对AlGaInP材料中少子扩散长度造成影响。
晶格缺陷和杂质会引起载流子散射,从而限制了其扩散能力。
4. 测量方法测量AlGaInP少子扩散长度通常使用电学方法或光学方法。
以下是常用的两种测量方法:4.1 电学方法电学方法包括激光器阻抗谱分析法和电容-电压法。
激光器阻抗谱分析法通过对激光器结构的电学特性进行测量,推导出少子扩散长度的数值。
电容-电压法则是通过测量激光器结构中的电容和电压之间的关系,计算出少子扩散长度。
4.2 光学方法光学方法主要包括时间分辨荧光光谱法和双光子激发荧光法。
时间分辨荧光光谱法通过测量样品在不同激发脉冲下的荧光信号,分析载流子在材料中的扩散过程,从而得到少子扩散长度。
EB_PVD热障涂层热扩散系数测试方法及其影响因素_牟仁德
∑ T (x, t ) =
Q
∞
1 + 2 exp( − n 2 π 2 at / L2 )
ρ cpL
n =1
采用激光脉冲法,直接对 EB-PVD 热障涂层加基体双 层试样的热扩散系数进行测定,并对测试结果进行误 差分析,研究涂层防穿透遮挡层情况、试样热处理状 况对 EB-PVD TBCs 热扩散系数测试结果的影响。
扩散系数先减小再增大,但在 25~1 200℃的测试温度范围内,变化幅度不大;在 25 ℃时测试相对误差为 4.6%,
其余各温度的相对误差均小于 1.5%;热扩散系数的变化与陶瓷材料的本征热导率随温度的变化以及涂层的微结构
密切相关;热处理使涂层中产生了垂直于基体表面的微裂纹,部分热流通过微裂纹可直接到达涂层表面,导致热
粘结层采用 A−1000 真空电弧镀设备涂覆,厚度 为 30~50 µm,涂覆完成后于 870 ℃进行真空扩散处 理;粘结层上的陶瓷层采用 EB-PVD 工艺制备。 2.2.2 热扩散系数测试
热扩散系数测试采用 NETZSCH LFA427 设备, 按照 GJB 120.1—91 进行。测试前,部分试样先进行 1 000 ℃热处理消除非平衡相(或称预氧化),然后制备 激光遮挡层。试样的厚度、遮挡层及热处理情况见 表 1。
TL max − Tr
∞
∑ 1 + 2 (−1)n exp(−n 2 π 2at / L2 ) 。
(9)
n−1
把最大温升的 50%作为计算热扩散系数的参考 点,即 V = 0.5 , π 2at0.5 / L2 = 1.37 ,可以得到如下表 达式:
a = 0.138 8 L2 。
(10)
t 0.5
∑ T(L,t) =
少子寿命wt2000+中文说明
WT-2000中文说明一.简介:可选功能:UPCD 无接触测量少子寿命LBIC 光诱导电流,反射率,计算电池内外量子效率 SHR 无接触测试方块电阻 RES 涡流法无接触测试电阻率 P/N 无接触型号测试 THCKNESS 电容法测试晶片厚度 设备概述:1.两台工控电脑,其中一台是DOS 操作系统,主要负责测量数据的处理,机器动作的控制与监控,并与另一台电脑通讯。
另一台电脑是WINDOWS 操作系统,wintau32操作软件被安装在此。
2.测试台,用来测试样品,各个功能可以集成到一个探头上,客户可根据需要来选择不同的功能。
二. 原理:1.少子寿命测试原理微波光电导衰退法(Microwave photoconductivity decay)测试少子寿命,主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号的变化这两个过程。
904nm 的激光注入(对于硅,注入深度大约为 30um )产生电子-空穴对,导致样品电导率的增加,当撤去外界光注入时,电导率随时间指数衰减,这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势,从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数载流子的寿命。
μ-PCD 测试的是少子有效寿命,它受两个因素影响:体寿命和表面寿命。
测试的少子寿命可由下式表示:111measbulkdiffsurfττττ=++ (1)式中:22,diffn pd D τπ=2surf d Sτ=τdiff 为少子从样品体内扩散到表面所需时间;τsurf 为由于样品表面复合产生的表面寿命;τmeas 为样品的测上海浦东新区商城路738号胜康廖氏大厦906A (邮编:200120)试寿命;d为样品厚度;D n,D p分别为电子和空穴的扩散系数;S为表面复合速度。
图1:不同的表面复合速率下,体寿命和测试寿命的关系由式(1)可知,表面寿命对测试寿命有很大影响,使其偏离体寿命,图1是体寿命与测试寿命的关系。
在样品厚度一定的情况下,即扩散寿命一定,如果表面复合速率很大,则在测试高体寿命样品时,测试寿命值与体寿命值就会偏差很大;而对于低体寿命的样品,不会使少子寿命降低很多。
试样厚度对微冲剪试验结果的影响
的研 究 I 中 , 6 已经 可 以确 定 常 规 拉 伸 试 验 的抗 拉 强 度R 与微 冲剪 试验 所得 抗 剪强 度 之 间存 在 的线 性
2 1 试 样厚 度对 T 4钛 合金 微 冲剪试 验 结果 的影 响 . C 把 T 4钛 合 金 材 料 加 工 成 0 3m 0 4mm,. C . m, . 05 mm,. m 和 0 7mm 厚 的 微 冲 剪 试 样 进 行 试 验 , 06m . 以
研究 试 样厚 度对 试验 结果 的影 响 。
生产应用 俘 掳
ls te n e h c re tp le lc r n b a te t n e sse lu d r h g u n u s d e e to e m ra me t J i
4 结
论
[ ] pl dSr c c n e20 ,5 :3 9— 3 4 J .A pi u aeSi c ,0 7 23 5 4 5 5 . e f e
c ,9 9,3( ):3 9—1 2 . a1 8 2 8 11 3 1
[ ] O en o e T ae K s n ae 1 brd r r f M,hyrK, at b urM.A pi t nl t e p l a o mi ci i s o tness esi h e o u n ut [ ] f a l t l n tep t l m id s y J .Ma r l si s e re r t as e i
譬
\
从 图 3可 以看 出 , 每个 厚 度 的 曲线 形状 基 本一 致 , 所 有试 样 都经 过 了 弹性 变 形 、 性 变 形 和 断 裂 三 个 阶 塑
浅谈表面处理对无损检测结果的影响
波高均调至 80% ;④试验仪器 PXUT-27 ;⑤ A 侧为机加工表面,
未涂油漆层 ;B 侧是在机加工表面涂有油漆层 ;⑥先涂二层油
漆,干燥后进行第一次检测对比,记录检测数据 ;再涂第三、四
层油漆,干燥后进行第二次检测对比 ;⑦由多名有经验的检测
人员对 A、B 面进行测试对比 ;⑧油漆材料第一、二层为红色防
48.5
53.1
53.3
57.6
57.6
44.1
44.4
48.3
48.6
53.1
53.3
57.6
57.7
dB 差值
0.3 0.2 0.2 0.0 0.3 0.3 0.2 0.1
由上表得出 :最大差值 =0.3dB
注 :①测试探头为 2.5P13×K2 斜探头 ;②耦合剂为机油 ;
③找出最大波后用 2kg 重的压块压实,消除人为因素影响,基准
表面覆盖物主要是指覆盖在工件检测面上的油漆、焊渣、镀 层、氧 化 皮、浮 锈 和 其 他 有 机 防 护 层 等。对 有 覆 盖 物 的 工 件 表 面,不适合做渗透检测。较薄的非金属表面覆盖物对射线检测的 影响不大。但表面覆盖物对超声检测和磁粉检测的影响较大,相 关试验结果表明 :无论是超声检测还是磁粉检测,当覆盖物的 厚度小于等于 0.5mm 且厚度均匀,并与工件表面粘合较好时,对 检测结果的影响不大 ;但当粘合较差或厚度大于 0.5mm 时,就 会严重影响超声检测和磁粉检测结果。
表面覆盖物(漆层厚度)对超声检测和磁粉检测的实验结果 见图 3- 图 6。
Copyright©博看网 . All Rights Reserved.
145
M 管理及其他 anagement and other
金属薄膜厚度的表征及其影响因素研究
金属薄膜厚度的表征及其影响因素研究随着科技的不断发展,金属薄膜的制备工艺也越来越成熟。
金属薄膜广泛应用于各个领域,如光学、电子、医学、材料学等。
在应用中,金属薄膜的厚度是一个非常重要的参数,对于金属薄膜的性能表现和应用效果有着至关重要的影响。
本文将探讨金属薄膜厚度的表征及其影响因素研究。
一、金属薄膜厚度的表征方法1.刻蚀法:通过对金属薄膜进行刻蚀,利用刻蚀速率与膜厚之间的关系,计算出薄膜的厚度。
2.激光干涉法:利用激光的干涉效应原理,测定薄膜的厚度。
3.扫描电子显微镜法:通过扫描电子显微镜的成像分析,计算出薄膜的厚度和表面形貌。
4.X射线衍射法:利用X射线的特性,通过对薄膜的衍射图谱分析,得到薄膜的晶体结构和厚度信息。
5.拉曼光谱法:通过拉曼散射光谱的检测方法,获取薄膜的厚度和组成等信息。
以上几种方法是常用的金属薄膜厚度表征方法。
在实际应用中,要根据不同金属材料和薄膜制备工艺的特性选择合适的测量方法。
二、金属薄膜厚度的影响因素1.沉积时间:金属薄膜的厚度与沉积时间有很大关系。
一般来说,沉积时间越长,膜厚越大。
但是同时也要注意避免沉积时间过长,导致薄膜的颗粒度增大、热应力大等问题。
2.沉积速率:沉积速率是金属薄膜厚度的另一个重要影响因素。
一般来说,沉积速率越快,膜厚也会越大。
但是过快的沉积速率也会导致薄膜的晶体结构紊乱,影响薄膜的质量。
3.沉积物质浓度:沉积物质浓度是影响金属薄膜厚度的关键因素。
在保证沉积物质充足的情况下,增加沉积物质浓度可以有效提高金属薄膜的厚度。
4.衬底材料:不同的衬底材料对于金属薄膜的沉积也会产生不同的影响。
一些表面粗糙度较高的衬底材料会使薄膜颗粒粗糙、岔枝增多,影响其质量和性能。
5.工艺条件:不同的金属薄膜制备工艺条件也会影响膜厚的测量和控制。
因此,要根据不同的工艺条件和制备流程,选择合适的厚度测量方法和控制手段,以保证薄膜的质量和性能。
三、结论金属薄膜作为一种重要的材料,在生产和工程中得到了广泛的应用。
试样厚度对夏比冲击试验结果的影响
PTCA (PART A :PHYS.TEST.)验与砑究,州隹塞財必邐3■IX)I : 10.11973 lhjy-w!202103010试样厚度对夏比冲击试验结果的影响丁阳(上海电气核电设备有限公司,上海201306)摘要:通过不同温度下的夏比摆锤冲击试验对非标准小尺寸V型缺口冲击试样的冲击吸收能量和侧膨账值进行了分析,并结合力-位移曲线,研究了试样厚度对冲击试验结果的影响。
结果表明:当试验温度高于軔脆转变温度时,冲击吸收能量与试样的横截面积有关,因此与厚度呈线性关系;而低于韧脆转变温度时,冲击吸收能量与试样厚度之间没有明显关系;试样的侧膨胀值、剪切断面率与厚度之间没有直接联系。
随着试样厚度的减小,不稳定裂纹扩展起始力越来越小,从而导致冲击吸收能量减小。
厚度越大试样吸收的能量越多,冲击过程中所受到的最大力也越大。
关键词:小尺寸试样;冲击吸收能量;侧膨胀值;示波冲击;力-位移曲线中图分类号:T G115.5文献标志码:A文章编号:1001-4012(2021)03-0046-04Influence of Specimen Thickness on Charpy Impact Test ResultsDING Yang(S h a n g h a i Electric N u c l e a r P o w e r E q u i p m e n t C o.,L t d.,S h a n g h a i 201306,C h i n a) Abstract :T h e i m p a c t a b s o r b e d e n e r g y a n d side expan s i o n value of n o n-s t a n d a r d small size V-n o t c h i m p a c t s p e c i m e n s w e r e analyzed t h r o u g h C h a r p y p e n d u l u m im p a c t test at different t e m p e r a t u r e s,a n d the influence of s p e c i m e n thickness o n the i m p a c t test results w e r e studied c o m b i n e d w i t h force-displacement curves. T h e results s h o w that w h e n the test t e m p e r a t u r e is higher t h a n ductile brittle transition t e m p e r a t u r e,the i m p a c t a b s o r b e d e n e r g y is related to cross-sectional area of s p e c i m e n,so i t has a linear relationship w i t h the thickness. W h e n the t e m p e r a t u r e is l o w e r t h a n ductile brittle transition temperature, there is n o o b v i o u s relationship b e t w e e n the i m p a c t a b s o r b e d e n e r g y a n d the thickness of specimen. T h e r e is n o direct relationship b e t w e e n the thickness a n d the side expansion value, shear section rate of specimen. W i t h the decrease of specimen thickness, the initial force of unstable crack propagation b e c o m e s smaller a n d smaller, w h i c h leads to the decrease of impact absorbed energy. T h e greater the thickness is, the m o r e energy absorbed b y s p e c i m e n a n d the greater the m a x i m u m force in the impact process.Keywords:small size s p e c i m e n;i m p a c t a b s o r b e d e n e r g y;side e x p a n s i o n v a l u e;Oscillographic i m p a c t;force-displacement curve冲击试验因其试样加工简便,试验时间短,试验 数据对材料组织结构、冶金缺陷等敏感而成为评价 金属材料冲击韧性应用最广泛的一种传统力学性能 试验,也是评定金属材料在冲击载荷下韧性的重要 手段之一[1],其中夏比冲击试验是目前工业标准化 程度最高的材料低温韧性评价方法[2]。
tem原理样品厚度
tem原理样品厚度
透射电子显微镜(TEM)的原理是利用高能电子束穿透薄层样品,与样品中的原子发生相互作用,从而产生各种信息,如衍射、散射和吸收等,进而对样品的形貌、结构和成分进行分析。
在透射电子显微镜中,样品的厚度通常需要控制在几纳米以下。
这是因为电子束的穿透能力有限,过厚的样品会导致电子束难以穿透,从而影响成像质量和分辨率。
一般来说,样品的厚度最好在几十纳米以下,同时也要根据样品的种类和观察目的进行选择。
对于一些较厚的样品,可以通过一些技术手段进行减薄处理,如机械研磨、化学刻蚀或离子束铣削等。
需要注意的是,样品的厚度并不是越薄越好,因为过薄的样品可能会产生更多的误差和不确定性。
因此,在选择样品厚度时,需要综合考虑样品的性质、观察的目的以及实验条件等因素。
薄膜应变片的厚度-解释说明
薄膜应变片的厚度-概述说明以及解释1.引言1.1 概述薄膜应变片是一种用于测量物体应力和变形的薄膜材料。
它可以广泛应用于工程领域,包括结构分析、材料研究和机械性能测试等方面。
薄膜应变片的厚度是其中一个重要的参数,它对测量结果的准确性和可靠性有着显著的影响。
薄膜应变片的厚度决定了它的应变灵敏度和测量范围。
一般来说,厚度较小的薄膜应变片具有较高的应变灵敏度,可以测量更小的应变变化。
然而,过于薄的薄膜应变片可能会容易破裂或变形,影响测量结果的精度和可靠性。
因此,确定薄膜应变片的合适厚度对于可靠的应变测量非常重要。
本文将探讨薄膜应变片厚度对测量的影响以及薄膜应变片厚度的测量方法。
首先,我们将介绍薄膜应变片的定义和应变测量原理,包括其在工程领域的应用。
接下来,我们将详细讨论薄膜应变片厚度对测量结果的影响,以及如何选择合适的薄膜应变片厚度以获得准确的测量结果。
除了讨论薄膜应变片厚度的影响外,本文还将介绍薄膜应变片厚度的测量方法。
我们将介绍传统的测量方法,如显微镜测量和扫描电子显微镜测量,以及现代的非接触测量方法,如激光干涉测量和光学投射测量。
我们将评估这些方法的优缺点,并提出改进建议以提高测量的准确性和可靠性。
最后,本文将总结薄膜应变片厚度的重要性,并提出对薄膜应变片厚度进一步研究的建议,以及改进薄膜应变片厚度测量方法的建议。
通过深入研究薄膜应变片厚度这一重要参数,我们可以改进应变测量的准确性和可靠性,推动相关领域的发展。
1.2文章结构文章结构是文章内容组织的框架,有助于读者理清思路,提高阅读体验。
本文的结构如下:1. 引言:1.1 概述1.2 文章结构1.3 目的1.4 总结2. 正文:2.1 薄膜应变片的定义2.2 薄膜应变片的厚度对测量的影响2.3 薄膜应变片厚度的测量方法2.4 薄膜应变片厚度的优化方法3. 结论:3.1 总结薄膜应变片厚度的重要性3.2 对薄膜应变片厚度进行进一步研究的建议3.3 对薄膜应变片厚度测量方法的改进建议3.4 结论总结文章结构的设置有助于读者理解文章内容的逻辑顺序和内在联系。
样品厚度对X-射线荧光分析结果的影响
样品厚度对X-射线荧光分析结果的影响曹年凤【摘要】利用X-射线荧光光谱仪(XRF)结合windows CE 6.0的Innov-x专用分析软件快速对钨矿石中钨的含量进行测定.对同一批样品采用XRF专用杯膜进行快速测定,并讨论样品厚度对钨检测结果的影响.实验表明,当对WO3在1.5%以下的样品测定钨结果的相对标准偏差(RSD,n=3)在0.003%~0.046%之间.通过钨矿石化学分析方法论证测定值均在误差范围内.通过对多个样品的分析比对,实验方法的分析结果与常规化学测定值基本一致,符合地质样分析规范要求.【期刊名称】《世界有色金属》【年(卷),期】2019(000)010【总页数】2页(P149-150)【关键词】x-射线;地质样【作者】曹年凤【作者单位】湖南有色新田岭钨业有限公司,湖南郴州 423000【正文语种】中文【中图分类】O657.311 X射线荧光分析法在我国的现状目前,随着我国科技不断突飞猛进,高新技术的不断发展,X射线用于元素分析,是一种新型的分析技术,X射线荧光分析法经过无数次的探索,已经完善他们各自的分析数据库,广泛应用于冶金,地质,有色、环卫,环保、矿山等各个领域。
2 X射线荧光分析仪的原理X射线荧光就是被分析样品在X射线照射下发出的X射线,它包含了被分析样品化学组成的信息,通过对上述X射线荧光的分析确定被测样品中各组份含量的仪器就是X射线荧光分析仪。
当能量高于原子内层电子结合能的高能X射线与原子发生碰撞时,驱逐一个内层电子而出现一个空穴,使整个原子体系处于不稳定的激发态,激发态原子寿命约为10-12-10-14s,然后自发地由能量高的状态跃迁到能量低的状态。
这个过程称为驰豫过程。
驰豫过程既可以是非辐射跃迁,也可以是辐射跃迁。
当较外层的电子跃迁到空穴时,所释放的能量随即在原子内部被吸收而逐出较外层的另一个次级光电子,此称为俄歇效应,亦称次级光电效应或无辐射效应,所逐出的次级光电子称为俄歇电子。
差分SPV法测定a-Si:H PIN结构I层少子扩散长度
差分SPV法测定a-Si:H PIN结构I层少子扩散长度
白毅彬;陈庭金;庞大文;宿昌厚
【期刊名称】《太阳能学报》
【年(卷),期】1990(11)2
【摘要】基于本征吸收、扩展态输运观点,对表面光电压法(SPV)测量a-Si:H PIN 结构Ⅰ层少子扩散长度作了理论推导。
与传统的SPV法相比,考虑了空间电荷区宽度、样品厚度及背面势垒对测量结果的影响,绘出了测量条件和测量方法。
用我们研制的测试系统进行了多项测量,对不同样品测得的扩散长度值在0.10—0.64μm 之间。
测试系统重复性好。
【总页数】9页(P170-178)
【关键词】太阳能电池;测定;PIN结构;SPV法;扩散长度
【作者】白毅彬;陈庭金;庞大文;宿昌厚
【作者单位】云南师范大学太阳能研究所;北京工业大学无线电电子学系
【正文语种】中文
【中图分类】TM914.4
【相关文献】
1.用表面光压(SPV)法确定异型外延材料中的少子扩散长度 [J], 夏银水
2.电化学光伏法测定n和P—GaAs少子扩散长度 [J], 王周成;彭瑞伍
3.差分SPV法测量a—Si:H材料少子扩散长度的数学模型 [J], 张治国;宿昌厚
4.载流子表观扩散长度与偏置光强关系的计算机模拟——a-Si∶H表面光生电压(SPV)实验的若干分析 [J], 林鸿生
因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
光伏板载流子扩散长度
光伏板载流子扩散长度载流子扩散长度是衡量光伏板性能的重要参数之一,它表示光生载流子在光伏材料中可以扩散的平均距离。
载流子扩散长度越大,光伏材料的吸收效率越高,光伏板的发电效率也就越高。
光伏板载流子扩散长度的影响因素光伏板载流子扩散长度受到多种因素的影响,包括材料的纯度、缺陷密度、晶格结构、掺杂浓度、温度等。
材料的纯度:材料的纯度越高,缺陷密度越低,载流子扩散长度越长。
缺陷密度:缺陷是载流子的散射中心,缺陷密度越高,载流子扩散长度越短。
晶格结构:晶格结构决定了材料的电子能带结构,从而影响载流子的传输特性。
晶格结构有序的材料,载流子扩散长度通常较长。
掺杂浓度:掺杂浓度会影响材料的电导率和载流子的寿命。
掺杂浓度太高,会增加载流子的浓度,从而减少载流子的寿命和扩散长度。
温度:温度越高,载流子的热运动越剧烈,载流子扩散长度越短。
光伏板载流子扩散长度的测量光伏板载流子扩散长度可以通过多种方法测量,常用的方法包括光致导电法、光致发光法和电子束激发法。
光致导电法:光致导电法是测量光伏板载流子扩散长度最常用的方法之一。
该方法利用光照产生载流子,并测量光照前后材料的电导率变化。
材料的载流子扩散长度与电导率的变化成正比。
光致发光法:光致发光法也是测量光伏板载流子扩散长度的常用方法之一。
该方法利用光照产生载流子,并测量光照后材料发出的光。
材料的载流子扩散长度与发光强度成正比。
电子束激发法:电子束激发法是测量光伏板载流子扩散长度的另一种方法。
该方法利用电子束激发材料产生载流子,并测量载流子的扩散长度。
光伏板载流子扩散长度的应用光伏板载流子扩散长度是衡量光伏材料性能的重要参数,它在光伏电池的设计和制造中具有重要的作用。
光伏电池的设计:光伏电池的设计需要考虑载流子扩散长度的影响。
载流子扩散长度越大,光伏电池的吸收效率越高,光伏电池的转换效率也就越高。
光伏电池的制造:光伏电池的制造过程中,需要控制材料的纯度、缺陷密度、晶格结构、掺杂浓度和温度等因素,以获得较长的载流子扩散长度。
生长厚度对InGaAs_InAs薄膜表面形貌的影响_王一
生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响王 一 郭 祥 刘 珂 黄梦雅 魏文 赵 振 胡明哲 罗子江 丁 召*(贵州大学理学院电子科学系 贵阳 550025)Effect of Thickness on Microstructures of InGaAs/InAs Thin Films Wang Yi,Guo Xiang,Liu Ke,Huang Mengya,Wei Wenzhe,Zhao Zhen,Hu Mingzhe,Luo Zijiang,Ding Zhao*(Depar tment of Electro nics,College of Science,Gui zhou Univer sity,Guiyang550025,China) Abstract The gro wth of In0.86Ga0.14As thin films by molecular bea m epitaxiy(MBE)on InAs substrate was in-situ annealed and monitored with reflection high ener gy diffraction(RHEED).The influence of the growth conditions,the film thickness in particular,on the atomic structures of the film surfaces was characterized with scanning tunneling microscopy (STM).The results show that while slightly affecting the surface reconstruction,the thickness has a major impact on the micr ostructures and mechanical properties of the film surface.For example,as the thickness increased,the tensile inside the epitaxial layerincreased,but the average size of terrace decreased.Moreover,an increased number of steps with sharp irregular zigza g edgeswere observed,possibly because of accumulation of surface tensile and anisotropic preferred diffusion mechanisms. Keywords MB E,InGaAs/InAs,STM,Gro wth thickness 摘要 利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。