Spice基本语法

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电路仿真程序spice入门资料

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➢ SPICE出生于加州大学伯克利分校(UCB)EECS系，是预测集成电路电器特性的软件。事实上， SPICE这个名字是从"Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis"来的。(重点应用于集成电路的仿真程序)
23年前，1973年4月12日，在加拿大滑铁卢举行的第十六届中西部电路理论研讨会上， SPICE面世了。提供论文的是UCB的Donald O. Pederson教授。我相信并不是每个人对这篇论文或者它所描述的程序都有清晰的认识。
直流小信号传递函数值是电路在直流小信号下的输出变量与输入变量的比值，输入电阻和输出电阻也作为直流解析的一部分被计算出来。进行此项分析时电路中不能有隔直电容。分析结果以文本方式输出。
直流扫描分析可作出各种直流转移特性曲线。输出变量可以是某节点电压或某节点电流，输入变量可以是独立电压源、独立电流源、温度、元器件模型参数和通用（Global）参数（在电路中用户可以自定义的参数）。
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➢ 当所有人对SPICE不抱大的希望时，所发生的事情却是非常显著的。短短几年内， SPICE被几乎所有的发展，很快扩展至集成电路工业。到二十五年后的今天，所有的电子工程学院的学生都在学习如何使用SPICE及其派生物。事实上，每一个处理电路网表的CAD软件都精确的使用最初的SPICE 2G6同样的网表描述。一句话， SPICE成了各种标准组织，委员会，会议，定位论文和机构等等的工业标准。
• Calculates and plots the frequency spectrum
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➢ 1. 直流分析：包括电路的静态工作点分析；直流小信号传递函数值
分析；直流扫描分析；直流小信号灵敏度分析。在进行静态工作点分析时，电路中的电感全部短路，电容全部开路，分析结果包括电路每一节点的电压值和在此工作点下的有源器件模型参数值。这些结果以文本文件方式输出。

SPICE的语法_927

100NS)
脉冲参数、默认值和单位
参数意义默认值单位
V1 初始值
V/A
V2 脉冲值
V/A
TD 延迟时间
0
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
s
TR 上升时间 TSTEP
S
TF 下降时间 TSTEP
S
PW 脉冲宽度 TSTEP
S
PER 周期 TSTOP S
V/V
V2
V1
t/s
o
TD TR PW
TF
PER
SIN（正弦波）
• 格式： V/IXXXX N+ N- SIN(VO VA FREQ TD
• 一般语法规定 • 信号源 • 无源元件 • 点命令 • 半导体器件
元件模型
• 模型定义的一般格式为： .model MNAME TYPE (P1=V1 P2=V2 P3=V3 …PN=VN)
类型名器件
RES IND CAP
电阻电感电容
.model RLOAD RES (R=1 TC1=0.02 TC2=0.005) .model CPASS CAP (C=1 VC1=0.01 VC2=0.002 TC1=0.02 TC2=0.005) .model LFILTER IND (L=1 IL1=0.1 IL2=0.002 TC1=0.02 TC2=0.005)
语法规定
1、语句英文字符大小写没有不区分，程序处理时自动将大写转换为小写。
2、在任何行中分号“;”后面的内容被认为是行间注释； 3、在一条语句中的信息由一个或多个空格、逗号、等号、
左括号或右括号等隔开，只第一个空格有效，其余空格忽略不计。 4、空白行被忽略； 5、以“+”号开头的行表示为上一行的续行。 6、PSPICE规定节点0为地节点，其他节点的编号可以是任意数字或字符串。 7、PSPICE不允许有悬浮节点，即每个节点对地均要有直流通路。当这个条件不满足时，通常是接一个大电阻使该悬浮节点具有直流通路。

SPICE

SPICE1.目前看到在管理平台增加配置后qume进程里增加的配置如下2.let spice = ["-chardev"; "spicevmc,id=charchannel1,name=vdagent";"-device"; "virtserialport,bus=virtio-serial0.0,nr=2,chardev=charchannel1,id=channel1,name=com.re dhat.spice.0";"-chardev"; "spiceport,id=charchannel2,name=org.spice-space.webdav.0";"-device"; "virtserialport,bus=virtio-serial0.0,nr=3,chardev=charchannel2,id=channel2,name=org.spi ce-space.webdav.0";"-spice"; "port=6663,addr=0.0.0.0,agent-mouse=on,image-compression=off,streaming-video=off,seamless-migration=on";"-chardev"; "spicevmc,id=charredir0,name=usbredir";"-device"; "usb-redir,chardev=charredir0,id=redir0,bus=usb.0,port=2" ] in3.spice包含有3个组件：o SPICE Driver（虚拟机内部）：agento SPICE server（hypervisor 层）：o SPICE Client（本地OA）：4.虚拟机加载证书o默认不管vnc还是spice都是监听在127.0.0.1上,这样肯定不能从网络中访问o下面的设置默认会使所有的虚拟机开启两个端口,一个普通端口,一个为使用ssl加密的安全端口，并且监听所有地址o vim /etc/libvirt/qemu.confo spice_listen="0.0.0.0"spice_tls=1spice_tls_x509_cert_dir=" /etc/pki/libvirt-spice"o下面的为默认密码认证,仅当虚拟机xml文件中没有设置passwd参数时才生效,为了能够使用不同密码,这里不启用,改在xml文件中设置密码o spice_password = "123456"o重启libvirtd加载证书/etc/init.d/libvirtd restart5.123。

SPICE语法基础

．ｌｉｂ＇ｍｉｘ０２５＿１．ｌ＇ｔｔ
．ｌｉｂ ‘ｍｉｘ０２５＿１．ｌ’ｓｓ．ｌｉｂ ‘ｍｉｘ０２５＿１．ｌ’ｆｆ
一般使用ｔｔ，也就是ＰＭＯＳ，ＮＭＯＳ管都是ｔｙｐｉｃａｌ的参数。
集成电路专业黑龙江大学《数模混合集成电路设计》卜丹 20
ＭＯＳ管仿真：电源电压
随着ＭＯＳ尺寸按比例的缩小，其阈值电压按比例下降，栅氧层的厚度变薄。这就需要电源电压也随之按比例下降。电源下降可以大幅度降低动态功耗，因为功耗与电源电压成二次反比。对于同一种特征尺寸的工艺，一般提供两种电源电压的ＭＯＳ管，以供不同的需要。对于０．３５ｕｍ的工艺，典型电源电压为：５．０Ｖ，３．３Ｖ对于０．２５ｕｍ的工艺，典型电源电压为：３．３Ｖ，２．５Ｖ对于０．１８ｕｍ的工艺，典型电源电压为：２．５Ｖ，１．８Ｖ
卜
丹
4
节点命名规则：
按照电路图将节点对应到元件的端口。节点名称可以是英文字母或数字。节点０代表接地（ｇｎｄ）
元件命名规则：
ＲＣＬＭＤＱＶＩ电阻电容电感ＭＯＳ管二极管三极管电压源电流源ＲｅｓｉｓｔｏｒＣａｐａｃｉｔｏｒＩｎｄｕｃｔｏｒＭＯＳＦＥＴＤｉｏｄｅＢＪＴＶｏｌｔａｇｅｓｏｕｒｃｅＣｕｒｒｅｎｔｓｏｕｒｃｅ
Demo3
1.1 v(2)
1.0
0.9
0.8
0.7
Volt间分段线性变化
0.4
0.3
0.2
0.1
-0.0
-0.1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Time (us)
集成电路专业
黑龙江大学
《数模混合集成电路设计》
卜
丹
8
元件定义语句

spice语法

spice语法
_Spice 是一种用于对电路进行仿真的软件工具。

它由一系列的参数和模型构成，包含一个完整的数学库，用于描述和计算任何电路中发现的任何元件以及电路的作用。

Spice 能够完成复杂的仿真分析，有利于缩短设计流程和改善设计。

它通过模拟数学模型，有效地模拟电路的行为，分析信号和电压的变化情况。

由于使用的参数和模型可以调整，所以可以用Spice模拟任何一个有效的电路。

一般情况下，使用 Spice 进行仿真的电路必须使用 Spice 语言来进行编程，这使得电路设计更加容易。

Spice 中使用的语言结构相对简单，分成三个部分：声明，控制仿真和数据处理。

声明部分在仿真之前，根据设计的电路模型，用户定义电路元件和参数，定义电路模型的类型，规定信号的接口，以及传输函数的参数；控制部分由用户来定义实验信号，规定仿真所使用的时间步长，以及使用仿真参数，如噪声、失败概率、变换等；当仿真完成后，数据处理便可根据用户规定的报告要求，计算当量元和成品，输出相应的结果报表，这样用户就可以从结果中提取重要信息，做出相应的分析论断。

总结来看，Spice 语法由三个部分构成，这三部分有助于用户更好地定义电路元件及参数，控制仿真，计算出电路的仿真表现，了解电路器件的行为，可以在短时间内提升设计效率，延缓焊盘及真实元件的测试时间，促进设计的提速。

spice基本语法-

•无源器件：电阻、电感、电容1、电阻RXXX n1 n2 <mname> <R=>resistance <AC=val> 电阻值可以是表达式。

例：R1 1 2 10KRac 9 8 1 AC=1e10Rterm input gnd R=’sqrt(HERTZ) ’2、电容CXXX n1 n2 <mname> <C=>capacitance例：C1 1 2 1pF3、电感LXXX n1 n2 <L=>inductance例：L1 1 2 1nH•有源器件：Diode、BJT、JEFET、MOSFET1、Diode（二极管）DXXX N+ N- MNAME<AREA> <OFF> <IC=VD>可选项：AREA是面积因子，OFF是直流分析所加的初始条件，IC=VD 是瞬态初始条件注：模型中的寄生电阻串联在正极端2、BJT（双极性晶体管）QXXX NC NB NE <NS> MNAME<AREA> <OFF> <IC=VBE,VCE>NC、NB、NE、NS分别是集电极、基极、发射极和衬底节点，缺省时NS接地。

后面与二极管相同。

3、JFET（结型场效应晶体管）JXXX ND NG NS MNAME<AREA> <OFF> <IC=VDS,VGS>4、MOSFET（MOS场效应晶体管）MXXX ND NG NS NB MNAME <L=VAL> <W=VAL> <Other options>M为元件名称，ND、NG、NS、NB分别是漏、栅、源和衬底节点。

MNAME 是模型名，L沟道长，W为沟道宽。

•子电路1、子电路定义开始语句.SUBCKT SUBNAM <node1 node2…>其中，SUBNAM为子电路名，n ode1…为子电路外部节点号，不能为零。

SPICE语法基础

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集成电路版图设计
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2019SUCCESS
POWERPOINT
2019/6/3
2019SUCCESS
THANK YOU
2019/6/3
5.选择要作的分析 6.选择输出信号 7.结束
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SPICE语法基础
元件定义语句 SPICE基本语法电路结构由电路的元件和节点描述
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元件定义语句按照电路图将节点对应到元件的端口。节点名称可以是英文字母或数字。节点0代表接地(gnd)
元件命名规则：
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SPIC设计
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产生随时间阶段变化的信号 Vname node1 node2 PWL t1 V1 t2 V2 < <⋯⋯ ⋯⋯>
例如：V2 Vin 0 PWL 0 0V 1u 1V 5u 0V （输出一个0时刻为0V,1u时为1V，5u时为0V的正弦信号）
产生随时间阶段变化的信号
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元件定义语句
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spice网表写法

中括号[]‎表示选填,‎尖括号<‎>表示必填‎V? ‎<正脚> ‎<负脚> ‎[dc <‎直流量大小‎>] [a‎c <交流‎量大小> ‎<相位>]‎I? <‎电流入脚>‎<电流出‎脚>M?‎<D> ‎<G> <‎S> <B‎> <模型‎> w=?‎l=? ‎m=?Q‎? <C>‎<B> ‎<E> <‎模型>‎****信‎号源函数‎**脉冲‎源PUL‎S E (V‎1 V2 ‎T D TR‎TF P‎W PER‎)其中，‎V1初始值‎，V2脉动‎值，TD延‎时，TR上‎升时间，T‎F下降时间‎，PW脉冲‎宽度，PE‎R脉冲周期‎。

**‎分段线性源‎VXXX‎N+ N‎- PWL‎(T1 ‎V1 <T‎2 V2 ‎T3 V3‎?>) ‎<R<=r‎e peat‎>> <T‎D=del‎a y>$‎R=re‎p eat_‎f rom_‎w hat_‎t ime ‎T D=ti‎m e_de‎l ay_b‎e fore‎_PWL_‎s tart‎其中,V‎i是Ti时‎刻的值，r‎e peat‎是开始重复‎的起始点，‎d elay‎是延迟时间‎**正‎弦源VX‎X X N+‎N- S‎I N(V0‎VA F‎R EQ T‎D THE‎T A PH‎A SE)‎其中,VO‎偏置，VA‎幅度，TD‎延时，TH‎E TA阻尼‎因子，PH‎A SE相位‎**指‎数源VX‎X X N+‎N- E‎X P(V1‎V2 T‎D1 TA‎U1 TD‎2 TAU‎2)V1‎是初始值，‎V2是峰值‎，TD1是‎上升延迟时‎间，TAU‎1是上升时‎间常数，‎T D2是下‎降延迟时间‎，TAU2‎是下降时间‎常数。

SPICE模型、命令介绍

SPICE模型、命令介绍SPICE模型、命令介绍下⾯列出常⽤SPICE器件的模型描述。

{ }中的参数是必须的，[ ]中的参数可选，{ }*中的参数需要重复。

此外，每个SPICE模型提供商可能会有其他的参数或命令。

DEVICE：1、C device - Capacitor.C{name} {+node} {-node} [{model}] {value} [IC={initial}]Examples:CLOAD 15 0 20pFCFDBK 3 33 CMOD 10pF IC=1.5v2、D device - Diode.D{name} {+node} {-node} {model} [area]Examples:DCLAMP 14 0 DMOD3、I device - Current Source.I{name} {+node} {-node} [[DC] {value}] [AC {mag} [{phase}]]Examples:IBIAS 13 0 2.3mAIAC 2 3 AC .001IPULSE 1 0 PULSE(-1mA 1mA 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)I3 26 77 AC 1 SIN(.002 .002 1.5MEG)4、J device - Junction FET.J{name} {d} {g} {s} {model} [{area]}Examples:JIN 100 1 0 JFAST5、K device - Inductor Coupling.K{name} L{name} { L{name} }* {coupling}Examples:KTUNED L3OUT L4IN .8KXFR1 LPRIM LSEC .996、L device - Inductor.L{name} {+node} {-node} [model] {value} [IC={initial}]Examples:LLOAD 15 0 20mHL2 1 2 .2e-6LSENSE 5 12 2uH IC=2mA7、M device - MOSFET.M{name} {d} {g} {s} {sub} {mdl} [L={value}] [W={value}] + [AD={value}] [AS={value}] + [PD={value}] [PS={value}]+ [NRD={value}] [NRS={value}]Examples:M1 14 2 13 0 PNOM L=25u W=12uM13 15 3 0 0 PSTRONG8、Q device - Bipolar Transistor.Q{name} {c} {b} {e} [{subs}] {model} [{area}]Examples:Q1 14 2 13 PNPNOMQ13 15 3 0 1 NPNSTRONG 1.59、R device - Resistor.R{name} {+node} {-node} [{model}] {value}Examples:RLOAD 15 0 2k10、S device - Voltage-Controlled Switch.S{name} {+node} {-node} {+control} {-control} {model}Examples:S12 13 17 2 0 SMOD11、T device - Transmission Line.T{name} {A+} {A-} {B+} {B-} Z0={value}[TD={val} | F={val}[NL={val}]]Examples:T1 1 2 3 4 Z0=220 TD=115nsT2 1 2 3 4 Z0=50 F=5MEG NL=0.512、V device - Voltage Source.V{name} {+node} {-node} [[DC] {value}] [AC {mag} [{phase}]]Examples:VBIAS 13 0 2.3mVV AC 2 3 AC .001VPULSE 1 0 PULSE(-1mV 1mV 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)V3 26 77 AC 1 SIN(.002 .002 1.5MEG)13、X device - Subcircuit Call.X{name} [{node}]* {subcircuit name}Examples:X12 100 101 200 201 DIFFAMPCONTROLLED SOURCES14、E device - Voltage Controlled V oltage Source VCVS.E{name} {+node} {-node} {+cntrl} {-cntrl} {gain}E{name} {+node} {-node} POL Y({value}) {{+cntrl} {-cntrl}}* {{coeff}}* Examples: EBUFF 1 2 10 11 1.0EAMP 13 0 POL Y(1) 26 0 50015、F device - Current Controlled Current Source CCCS.F{name} {+node} {-node} {vsource name} {gain}Examples:FSENSE 1 2 VSENSE 10.016、G device - Voltage Controlled Current Source VCCS.G{name} {+node} {-node} {+control} {-control} {gain}Examples:GBUFF 1 2 10 11 1.017、H device - Current Controlled V oltage Source CCVS.H{name} {+node} {-node} {vsource name} {gain}H{name} {+node} {-node} POL Y({value}) { {vsource name} }* {{coeff}}* Examples: HSENSE 1 2 VSENSE 10.0HAMP 13 0 POL Y(1) VIN 500INPUT SOURCES18、EXPONENTIALEXP( {v1} {v2} {trise_delay} {tau_rise} {tfall_delay} {tau_fall) )19、PULSEPULSE( {v1} {v2} {tdelay} {trise} {tfall} {width} {period} )20、PIECE WISE LINEARPWL( {time1} {v1} {time2} {v2} ... {time3} {v3} )21、SINGLE FREQUENCY FMSFFM( {voffset} {vpeak} {fcarrier} {mod_index} {fsignal} )22、SINE WA VESIN( {voffset} {vpeak} {freq} {tdelay} {damp_factor} {phase} )ANALOG BEHA VIORAL MODELING23、V ALUEE|G{name} {+node} {-node} V ALUE {expression}Examples:GMULT 1 0 V ALUE = { V(3)*V(5,6)*100 }ERES 1 3 VALUE = { I(VSENSE)*10K }24、TABLEE|G{name} {+node} {-node} TABLE {expression} = (invalue, outvalue)* Examples: ECOMP 3 0 TABLE {V(1,2)} = (-1MV 0V) (1MV, 10V)25、LAPLACEE|G{name} {+node} {-node} LAPLACE {expression} {s expression} Examples:ELOPASS 4 0 LAPLACE {V(1)} {10 / (s/6800 + 1)}26、FREQE|G{name} {+node} {-node} FREQ {expression} (freq, gain, phase)* Examples:EAMP 5 0 FREQ {V(1)} (1KZ, 10DB, 0DEG) (10KHZ, 0DB, -90DEG)27、POL YE|G{name} {+node} {-node} POL Y(dim) {inputs X} {coeff k0,k1,...} [IC=value] Examples:EAMP 3 0 POL Y(1) (2,0) 0 500EMULT2 3 0 POL Y(2) (1,0) (2,0) 0 0 0 0 1ESUM3 6 0 POL Y(3) (3,0) (4,0) (5,0) 0 1.2 0.5 1.2COEFFICIENTS28、POL Y(1)y = k0 + k1?X1 + k2?X1?X1 + k3?X1?X1?X1 + ...29、POL Y(2)y = k0 + k1?X1+ k2?X2 + k3?X1?X1+ k4?X2?X1 + k5?X2?X2+ k6?X1?X1?X1 + k7?X2?X1?X1 + k8?X2?X2?X1+ k9?X2? X2?X2 + ...30、POL Y(3)y = k0 + k1?X1 + k2?X2 + k3?X3 + k4?X1?X1 + k5?X2?X1 + k6?X3?X1+ k7?X2?X2+ k8?X2?X3 + k9?X3?X3 + ...STATEMENTS31、.AC - AC Analysis..AC [LIN][OCT][DEC] {points} {start} {end}Examples:.AC LIN 101 10Hz 200Hz.AC DEC 20 1MEG 100MEG32、.DC - DC Analysis..DC [LIN] {varname} {start} {end} {incr}.DC [OCT][DEC] {varname} {start} {end} {points}Examples:.DC VIN -.25 .25 .05.DC LIN I2 5mA -2mA 0.1mA VCE 10V 15V 1V 33、.FOUR - Fourier Analysis..FOUR {freq} {output var}*Examples:.FOUR 10KHz v(5) v(6,7)34、.IC - Initial Transient Conditions..IC { {vnode} = {value} }*Examples:.IC V(2)=3.4 V(102)=035、.MODEL – Device Model..MODEL {name} {type}Typename Devname DevtypeCAP Cxxx capacitorIND Lxxx inductorRES Rxxx resistorD Dxxx diodeNPN Qxxx NPN bipolarPNP Qxxx PNP bipolarNJF Jxxx N-channel JFETPJF Jxxx P-channel JFETNMOS Mxxx N-channel MOSFETPMOS Mxxx P-channel MOSFETVSWITCH Sxxx voltage controlled switch Examples:.MODEL RMAX RES (R=1.5 TC=.02 TC2=.005).MODEL QDRIV NPN (IS=1e-7 BF=30)36、.NODESET – Initial bias point guess..NODESET { {node}={value} }*Examples:.NODESET V(2)=3.4 V(3)=-1V37、.NOISE - Noise Analysis..NOISE {output variable} {name} [{print interval}] Examples:.NOISE V(5) VIN38、.PLOT – Plot Output..PLOT [DC][AC][NOISE][TRAN] [ [{output variable}*] Examples: .PLOT DC V(3) V(2,3) V(R1) I(VIN).PLOT AC VM(2) VP(2) VG(2)39、.PRINT – Print Output..PRINT [DC][AC][NOISE][TRAN] [{output variable}*] Examples: .PRINT DC V(3) V(2,3) V(R1) IB(Q13).PRINT AC VM(2) VP(2) VG(5) II(7)40、.PROBE – Save simulation output PSPICE COMMAND. .PROBE [output variable]*Examples:.PROBE.PROBE V(3) VM(2) I(VIN)41、.SENS - Sensitivity Analysis..SENS {output variable}*Examples:.SENS V(9) V(4,3) I(VCC)42、.SUBCKT - Subcircuit Definition..SUBCKT {name} [{node}*]Examples:.SUBCKT OPAMP 1 2 101 10243、.TEMP – Temperature Analysis..TEMP {value}*Examples:.TEMP 0 27 12544、.TF – DC Transfer Function..TF {output variable} {input source name}Examples:.TF V(5) VIN45、.TRAN - Transient Analysis..TRAN {print step value} {final time} [{no print time} [{step ceiling value}]] [UIC] Examples:.TRAN 5NS 100NS。

2电路仿真程序spice入门

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SPICE出生于加州大学伯克利分校(UCB)EECS系，是预测集成电路电器特性的软件。事实上， SPICE这个名字是从"Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis"来的。(重点应用于集成电路的仿真程序) 23年前，1973年4月12日，在加拿大滑铁卢举行的第十六届中西部电路理论研讨会上， SPICE面世了。提供论文的是UCB的Donald O. Pederson教授。我相信并不是每个人对这篇论文或者它所描述的程序都有清晰的认识。
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2.电源
（1）独立恒压源和恒流源恒压源： V<name> N1 N2 Type Value ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑
恒压源电源名正端节点负端节点电源形式电压值
恒流源： I<name> N1 ↑ ↑ ↑ ↑
恒流源电源名
N2 ↑
Type Value ↑
电源形式电流值
流入端节点流出端节点
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当所有人对SPICE不抱大的希望时，所发生的事情却是非常显著的。短短几年内， SPICE被几乎所有的电子工程学院接受，工业的发展支持SPICE的发展，很快扩展至集成电路工业。到二十五年后的今天，所有的电子工程学院的学生都在学习如何使用SPICE及其派生物。事实上，每一个处理电路网表的CAD软件都精确的使用最初的SPICE 2G6同样的网表描述。一句话， SPICE成了各种标准组织，委员会，会议，定位论文和机构等等的工业标准。
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（2）线性受控源压控电压源 E<name> N1 N2 压控电流源 G<name> N1 N2 流控电压源 H<name> N1 N2 流控电流源 F<name> N1 N2

spice协议

spice协议SPICE是Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis的缩写，即集成电路仿真程序，是一种电子电路仿真语言和工具。

它被广泛应用于半导体行业，用于验证电路设计的功能和性能。

SPICE协议定义了电路仿真所需的语法和命令，下面将对SPICE协议的主要方面进行介绍。

首先，SPICE协议定义了电路的描述语法。

它使用一种类似于数学表达式的格式来描述电路的元件、连接和电路参数，如电压源、电阻、电容、电感等。

使用SPICE语法，我们可以准确地描述电路的拓扑结构和电气特性，以便进行仿真分析。

其次，SPICE协议还定义了模型的参数和行为。

模型是描述元件的行为和特性的数学模型。

例如，一个二极管可以被描述为具有特定的电流-电压关系的模型，而一个晶体管可以被描述为具有特定的放大倍数和电路特性的模型。

SPICE协议规定了如何定义和使用这些模型，以便在仿真过程中准确地模拟电路的行为。

此外，SPICE协议还定义了仿真的方法和参数。

仿真可以分为两种类型：直流仿真和交流仿真。

直流仿真用于分析电路在稳态条件下的行为，而交流仿真则用于分析电路在不同频率下的响应。

SPICE协议规定了如何设置仿真的起始条件、仿真的时间步长、仿真的时间范围等参数，以便获取准确的仿真结果。

另外，SPICE协议还定义了仿真的输出结果。

在仿真过程中，可以获得多种类型的输出结果，如电压、电流、功率、频谱等。

SPICE协议规定了如何设置输出结果的格式和内容，以便使用户能够准确地分析和评估电路的性能。

最后，SPICE协议还包括一些辅助命令和功能，如参数扫描、参数优化、傅里叶分析等。

这些命令和功能能够帮助用户更加方便地进行电路仿真和分析，提高工作效率。

总结起来，SPICE协议定义了电路仿真所需的语法、模型、参数、方法和输出结果，作为一种电子电路仿真的标准，被广泛应用于半导体行业和电路设计领域。

它可以帮助电路工程师验证电路设计的功能和性能，提高电路设计的准确性和效率。

Spice语法整理

Spice语法整理.SP文件的第一行为标题，而且必须有。

1.MOS管的写法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－m1 drain gate source body pmos Wp L四端的顺序分别是D、G、S、B，然后写类型，最后写宽、长。

2.电压源/电流源的写法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－V1 node1 node0 10V AC 2这是连接在node1与node0间的电压源，直流10V，交流2V。

电阻和电容的写法下面说。

I1 node1 node0 DC=5mA这是一个没有交流的电流源。

其中DC= 可以写也可以不写。

I2 node1 node0 AC=2V,90这是一个交流源，幅度为2V，相位为90度。

V2 node1 node0 PULSE(0 1.8V 10n 2n 2n 50n 100n)脉冲电压源，低值0，高值1.8V，延时10ns，上升沿2ns，下降沿2ns，脉冲宽度50ns，周期100ns。

V3 node1 node0 SIN(0 1 100meg 2ns 5e7)正统脉冲电压源，中值是0，幅度是1，频率是100MHez，延迟时间是2ns，阻尼因子是5e7，相位0（默认值）。

V4 node1 node0 PWL(0ns 0V 2ns 1.8V 6ns 1.8V 8ns 0V 9ns 0V R td=4ns)线性电压源，在R前面先定义好如何循环，然后指出延时时间（td=4ns）。

3.注释－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－用* 或者$，* 必须写在行首，$ 可以写在语句后，但与语句间至少要空一格。

4.常量－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－常量有f、p、n、u、m、k、meg、g。

紧跟在数字后面即可，如：c1 1 2 10p5.子电路－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－子电路的名字要以X 开头，并且元件名不能超过16个字符，端口写在前，子电路定义的模块名字写在最后，如：Xopa1 a b c c OPAMP举例：反向器链.global vddvdc vdd 0 1.8V.subckt inv in out wn=0.36u wp=0.72umn out in gnd gnd N_18_G2 w=wn l=0.18ump out in vdd vdd P_18_G2 w=wp l=0.18u.endsx1 in 1 inv wn=0.36u wp=0.72ux2 1 2 inv wn=0.36u wp=0.72ux3 2 out inv wn=0.36u wp=0.72ucl out 0 1pf6.全局节点－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－用.GLOBAL定义，如：.GLOBAL node1 node2 node3定义了三个全局节点。

SPICE的语法_927

独立源模型
• • • • • • 指数源脉冲源分段线性源单频调频源正弦源多项式源
EXP（指数源）
• 格式： V/IXXXX N+ N- EXP(V1 V2 TRD TRC TFD TFC) • 例句： VIN 5 0 EXP(4 1 2NS 30NS 60NS 40NS)
指数波参数、默认值和单位
单频调频波参数、默认值和单位
参数
VO
意义
偏移值
默认值
单位
V/A
VA
FC MDI FS
幅值
载波频率调制指数信号频率 1/STOP 1/STOP
V/A
Hz
Hz
受控源(1)
• 电压控制的电压源 E<name> N+ N- NC+ NC- <(voltage gain) value> 电压控制的电压源的非线性形式： E<name> N+ N- [POLY(<n>) + <(+controlling) node> <(-controlling) + node> <(polynomial coefficients) value>
10、单位：以工程单位米、千克和秒（MKS）为基本单位。由此得到的其它电学单位可省略。如10，10V表示同一电压数。1000Hz，1000，1E+3，1k，1kHz都表示同一个频率值。同样，W、A等标准单位在描述时均可省略。 11、要求电路元器件名称必须以规定的字模打头，其后可以是任意数字或字母，整个名称长度一般不超过8个字符。
2
V V (5) 1.5[V (5)] 1.2V (5) 1.7V (5)

spice语法

spice语法SPICE（SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis）是电子设计自动工具（EDA）的一种，主要应用于集成电路的分析和仿真。

它能够仿真电路，并根据仿真结果给出电路的性能参数。

这是电路设计中最重要的工具之一，并且被广泛用于研究和教学。

SPICE语法是SPICE仿真器的设计及控制语言。

它由一系列的命令组成，用来描述电路的各种参数，仿真方法，输出结果等。

SPICE 语法有很高的灵活性，可以适应复杂的电路，并且可以模拟各种不同的材料。

在仿真器中，SPICE语言会被转换成汇编代码，以便能够在计算机上进行快速仿真。

SPICE语法的形式可以获得多种仿真结果，可以根据电路的特性得出准确的结果。

它提供了大量的指令，如：SPICE的基本指令、时域仿真、频域仿真、电源控制、无源元件仿真等指令，可以根据仿真结果，直观地分析和确定电路的性能。

此外，SPICE还提供了一系列用于优化设计的工具。

这些工具可以用于分析电路，以及根据用户的要求调整电路参数，使其达到最佳的性能。

SPICE语法的应用十分广泛，已经成为电路设计中非常重要的一部分。

它的使用可以大大提高集成电路的设计和测试效率，从而降低设计成本，提高设计质量。

由于SPICE语法的强大性能，它已经成为许多高等学校设计课程的必修课程。

学习SPICE语法有助于学生们掌握电路设计的思路和方法，让学生们能够更加深入地了解和控制电路的运作。

总之，SPICE语法是电子工程中一种重要的工具，它能够有效地帮助电子工程师进行电路的分析和仿真，使电路的设计尽可能地符合用户的要求。

而其强大的仿真功能以及用于优化设计的工具，使得SPICE成为电子设计领域的一个重要工具。

SPICE的语法.ppt

Q
双极型晶体管
R
电阻
S
压控开关
T
Hale Waihona Puke 传输线V独立电压源
W
流控开关
• 一般语法规定 • 信号源 • 无源元件 • 点命令 • 半导体器件
• PSpice的信号源分为两类：独立源和受控源。
• 独立源的主要电源模型有：指数源、脉冲源、调幅正弦信号源、分段线性源、单频调频源等。任何一个电源均可设定为时变信号源，用于瞬态分析。此时，时间等于0的值就用于DC分析。
• SPICE可以处理电子电路的绝大多数元件无源元件
各种受控源和独立源
半导体器件
电路元器件首字母规定
首字母电路元器件
B
砷化镓场效应晶体管
C
电容
D
二极管
E
电压控制电压源
F
电流控制电流源
G
电压控制电流源
H
电流控制电压源
I
独立电流源
J
结型场效应晶体管
首字母电路元器件
K
互感和磁芯
L
电感
M
MOS场效应管晶体管
8、数字表示： –数字可以用整数，如12，-5； –浮点数，如2.3845，5.98601； –整数或浮点数后面跟整数指数，如6E-14，3.743E+3； –在整数或浮点数后面跟比例因子，如10.18k
9、比例因子：为了使用方便，PSPICE中规定了10种比例因子。它们用特殊符号表示不同的数量级。这10种比例因子为： –T=1E+12，G=1E+9，MEG=1E+6，K=1E+3，MIL=25.4E-6， M=1E-3，U=1E-6，N=1E-9，P=1E-12，F=1E-15

SPICE语法基础

例子：
集成电路专业
黑龙江大学
《数模混合集成电路设计》
卜
丹
5
ＳＰＩＣＥ基本语法
元件定义语句１．电压源定义
ＤＣ电压源：
ＶｎａｍｅＶｄＶｄｎｏｄｅ１ｎｏｄｅ２＜ＤＣ＞ｖａｌｕｅＶｉｎ０１．５ＶＶｉｎ０ＤＣ１．５ＶＡＣ１Ｖ
ＡＣ电压源：Ｖｎａｍｅｎｏｄｅ１ｎｏｄｅ２ＤＣｖａｌｕｅＡＣｖａｌｕｅ随时间变化电压源：
集成电路专业黑龙江大学《数模混合集成电路设计》卜丹 19
ＭＯＳ管仿真：工艺角（Ｃｏｒｎｅｒ）
＊Ｃｏｒｎｅｒ＿ｎａｍｅ＊ＴＴ：ｔｙｐｉｃａｌｍｏｄｅｌｆｏｒ２．５ＶＮｏｍｉｎａｌＶｔｄｅｖｉｃｅｓ＊ＳＳ：ＳｌｏｗＮＭＯＳＳｌｏｗＰＭＯＳｍｏｄｅｌｆｏｒ２．５ＶＮｏｍｉｎａｌＶｔｄｅｖｉｃｅｓ＊ＦＦ：ＦａｓｔＮＭＯＳＦａｓｔＰＭＯＳｍｏｄｅｌｆｏｒ２．５ＶＮｏｍｉｎａｌＶｔｄｅｖｉｃｅｓ＊ＳＦ：ＳｌｏｗＮＭＯＳＦａｓｔＰＭＯＳｍｏｄｅｌｆｏｒ２．５ＶＮｏｍｉｎａｌＶｔｄｅｖｉｃｅｓ＊ＦＳ：ＦａｓｔＮＭＯＳＳｌｏｗＰＭＯＳｍｏｄｅｌｆｏｒ２．５ＶＮｏｍｉｎａｌＶｔｄｅｖｉｃｅｓ
Ｉｎａｍｅｎｏｄｅ１ｎｏｄｅ２＜ＤＣ＞ｖａｌｕｅＩｂｉａｓＶｂ０１ｕＡＣ电流源：Ｉｎａｍｅｎｏｄｅ１ｎｏｄｅ２ＤＣｖａｌｕｅＡＣｖａｌｕｅＤＣ电流源：
３．电阻定义：Ｒｎａｍｅｎｏｄｅ１ｎｏｄｅ２ｖａｌｕｅ４．电容定义：Ｃｎａｍｅｎｏｄｅ１ｎｏｄｅ２ｖａｌｕｅ５．电感定义：Ｌｎａｍｅｎｏｄｅ１ｎｏｄｅ２ｖａｌｕｅ６．二极管定义：

第4章Spice语言简介

Spice程序具有庞大的器件库，其中包括：
•无源器件模型，如电阻、电容、电感、传感线等
•半导体器件模型，如二极管、双极型晶体管、结型场效应管（JFET）、MOS场效应管（MOSFET）等
•各种电源，包括线性和非线性的受控源，如独立电压源、电流源，受控电压源、电流源等。
•模/数（A/D）、数/模(D/A)转换器接口电路以及数字电路器件库。
Ii NC+
Vi
NC-
N+ + Vo＝H Ii
-
N-
电流控制电压源
4种受控源模型
二、spice软件简介
1、spice语言 2、电路描述 3、电路元件描述 4、保留名称 5、电源描述 6、注解 7、参数
6、注解
注解提供电路的信息，但是并不作为正式电路描述的一部分来处理。注解通常用成为注解定义符的特殊字符来表示。
脉冲电压源，驱动的CMOS反相器
* SPICE netlist written by S-Edit Win32 7.03 .probe .options probefilename="File0.dat“ probesdbfile="File0.sdb" + probetopmodule="Module0" .include ml2_125.md M1 Out In Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u
如：假设定如从正节点流向负节点，图2电路种元件描述语句如下：
R1 7 5 2
；2Ω电阻
L1 5 3 1.5MH
；1.5mH电感
C1 3 0 10UF
；10μf电容
二、spice软件简介

spice3

1. Structure and Process
1. Structure and Process
S/D与沟道区为不同种类型的半导体与沟道区为不同种类型的半导体栅为MOS接触栅为接触由栅压感应形成沟道 Ig很小很小四端器件
2. MOS Equations
沟道中任一点的电流: 沟道中任一点的电流:
invert_tran
v(in) 3.0 v(out)
2.5
2.0
Voltage (V)
1.5
1.0
0.5
0.0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
Time (ns)
�
I ( y ) = I DS = WQn ( y )υ ( y )
dV I DS ( y ) = qW n Qn ( y ) dy
∫ I ( y )dy = qW ∫ Q (V )dV
DS n n 0 VDS 0
L
VDS
I DS
W = q n ∫ Qn (V )dV L 0
关键问题求Qn的积分, 关键问题求的积分,不的积分同的模型有不同的求法
2. MOS Equations
解析模型简单的分区模型
Qn = Cox (VG VT V ( y ))
V 2 DS 2
VDS<VG-VT
I DS =
nWCox
L
(VG VT )VDS
I DS =
nWCox
2L
(VG VT )2
VDS>VG-VT
VT = VFB

LTSpice学习笔记精编版

LTspice1.变压器仿真的简单步骤：A.为每个变压器绕组绘制一个电感器B.采用一个互感(K) 描述语句通过一条SPICE 指令对其实施耦合：K1 L1 L2 1K 语句的最后一项是耦合系数，其变化范围介于0 和1 之间，1 代表没有漏电感。

对于实际电路，建议您采用耦合系数= 1 作为起点。

每个变压器只需要一个K 语句；LTspice 为一个变压器内部的所有电感器应用了单一耦合系数。

下面所列是上述语句的等效语句:K1 L1 L2 1K2 L2 L3 1K3 L1 L3 1C.采用“移动” (F7)、“旋转” (Ctrl + R) 和“镜像” (Ctrl + E) 命令来调节电感器位置以与变压器的极性相匹配。

添加K 语句可显示所含电感器的调相点。

D.LTspice 采用个别组件值(在本场合中为个别电感器的电感) 而非变压器的匝数比进行变压器的仿真。

电感比与匝数比的对应关系如下：电感至匝数比例如：对于1:3 和1:2 的匝数比，输入电感值以产生1:9 和1:4 的比值：2.一般来说压是对地，如果你想知某元件俩端的电压该如何呢？设一参考点，先点小人，然后在电路图的空白处点右键，找黑白电笔Set probe reference，也可从VIEW找。

按键盘上ESC可去黑白电笔。

3.Die Impulsantwort 脉冲响应。

4.To create an LTspice model of a given MOSFET, you need the original datasheet and the pSPICE model ofthat MOSFET.The parameters needed to define a MOSFET in LTspice are as follows:Rg Gate ohmic resistanceRd Drain ohmic resistance (this is NOT the RDSon, but the resistance of the bond wire)Rs Source ohmic resistance.Vto Zero-bias threshold voltage.Kp –Transconductance coefficientLambda Change in drain current with VdsCgdmax Maximum gate to drain capacitance.Cgdmin Minimum gate to drain capacitance.Cgs Gate to source capacitance.Cjo Parasitic diode capacitance.Is Parasitic diode saturation current.Rb Body diode resistance.Rg, Rd and Rs are the resistances of the bond wires connecting the die to the package.Vto is the turn on voltage of the MOSFET.Kp is the transconductance of the MOSFET. This determines the drain current that flows for a given gate source voltage.Lambda is the change in drain current with drain source voltage and is used with Kp to determine theRDSon.Cgdmax and Cgdmin are the minimum and maximum values of the gate drain capacitance and are normally graphed in the MOSFET datasheet as Crss. The capacitance of a capacitor is inversely proportional to the distance between its plates. When the MOSFET is turned on, distance between the gate and the conducting channel of the drain is equal to the thickness of the insulating gate oxide layer (which is small) so the gate drain capacitance is high. When the MOSFET is turned off, the gate drain region is large, making the gate drain capacitance low. This can be seen on the plot of Crss.Cgs is the gate source capacitance. Although it changes slightly with gate source voltage, LTspice assumes it is constant.Is is the parasitic body diode saturation current.Rb is the series resistance of the body diode.The Fairchild FDS6680A MOSFET is defined in LTspice by the line.model FDS6680A VDMOS(Rg=3 Rd=5m Rs=1m Vto=2.2 Kp=63 Cgdmax=2n Cgdmin=1n Cgs=1.9n Cjo=1n Is=2.3p Rb=6m mfg=Fairchild Vds=30 Ron=15m Qg=27n)Note: the characteristics Vds, Ron and Qg are actually ignored by LTspice. These are only added to aid the user to compare MOSFETs.Therefore an example template MOSFET model is.model XXXX VDMOS(Rg= Rd=5 Rs=1 Vto= Kp= Cgdmax= Cgdmin= Cgs= Cjo= Is= Rb= )We are now going to construct a MOSFET model for the SUM75N06 and SUM110N04 low ON resistance MOSFETs from Vishay.model SUM75N06-09L VDMOS(Rg=1.5 Rd=0m Rs=25m Vto=2.0 Kp=75 Cgdmax=1.2n Cgdmin=150p Cgs=2n Cjo=1.2n Is=1p Rb=0).model SUM110N04 VDMOS(Rg=1.5 Rd=0m Rs=0.86m Vto=1.85 Kp=180 Cgdmax=3n Cgdmin=900pCgs=14.5n Cjo=4.9n Is=33.4p Rb=0)The SPICE models can then be testing using these test jigs:RDSon test jig为了测试MOSFET的R DSON，在LTspice中导入测试电路。