场效应管与三极管基础知识讲解

mos管分四种，N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型。箭头指向g 的且带虚线的为N增强，没有虚线的为N耗尽。箭头背向g端的且带虚线的为P增强，不带虚线则为P耗尽。希望说的你能明白，小妹新手，多多关照！有没说清楚的继续，呵呵···

场效应管

三极管开关电路基础发布时间：2008-12-08 23:08:32

三极管简介:

三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。

图1

双极面结型晶体管有两个类型：npn和pnp。npn类型包含两个n 型区域和一个分隔它们的p型区域；pnp类型则包含两个p型区域和

一个分隔它们的n型区域，图2和图3分别是它们的电路符号。以下的说明将集中在npn BJT。

图2: npn BJT 的电路符号

图3: pnp BJT 的电路符号

BJT工作于三种不同模式：截止模式、线性放大模式及饱和模式，见图4。

图4 四种工作模式

BJT在电子学中是非常重要的元件。它们被广泛应用在其他展品中，特别是模拟电路里的放大器和数码电路里的电子开关。

开关电路原则

a. BJT三极管Transistors只要发射极e 对电源短路就是电子开关用法

N管发射极E 对电源负极短路. 低边开关;b-e 正向电流饱和导通P管发射极E 对电源正极短路. 高边开关 ;b-e 反向电流饱和导通

b. FET场效应管MOSFET只要源极S 对电源短路就是电子开关用法

N管源极S 对电源负极短路. 低边开关;栅-源正向电压导通

P管源极S 对电源正极短路. 高边开关;栅-源反向电压导通

总结:

低边开关用 NPN 管

高边开关用 PNP 管

三极管b-e 必须有大于C-E 饱和导通的电流

场效应管理论上栅-源有大于漏-源导通条件的电压就就OK

假如原来用NPN 三极管作ECU 氧传感器加热电源控制低边开关

则直接用N-Channel 场效应管代换;或看情况修改下拉或上拉电阻

基极--栅极

集电极--漏极

发射极--源极

NPN和PNP 开关三极管

（1）我把NPN三极管看成一个三个脚继电器.

基极-----就是一个小电流的.继电器的信号吧

集电极-----可以说是正极吧

发射极------可以说负极吧

有一个小电流流入了基极的话那么集电极和发射极就会通.

（2）PNP三极管看成一个三个脚继电器.

基极-----就是一个小电流的继电器信号

集电极-----可以说是正极吧

发射极------可以说负极吧

有一个小电流流出了基极的话，那么集电极和发射极就会通.

三极管VS场效应管

三极管BJT--------TRANSISTORS ----------- 电流驱动

场效应管----- FET ------------------------- 电压驱动

MOS场效应管MOSFET ................ 电压驱动2N7002

2n7002 IC产品型号的一种

描述：

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值:280mA

电压, Vds 最大:60V

开态电阻, Rds(on):5ohm

电压@ Rds测量:10V

电压, Vgs 最高:2.1V

功耗:0.2W

工作温度范围:-55to 150

封装类型:SOT-23

针脚数:3

SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SMD标号:702

功率, Pd:0.2W

外宽:3.05mm

外部深度:2.5mm

外部长度/高度:1.12mm

封装类型:SOT-23

带子宽度:8mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度@ 电流测量:25°C

满功率温度:25°C

电压Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:60V

电流, Id 连续:0.115A

电流, Idm 脉冲:0.8A

表面安装器件:表面安装

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm

阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V

阈值电压, Vgs th 最高:2.5V

SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

MOS管的基本知识（转载）

2011-05-07 06:39:32| 分类：电路硬件设计| 标签：|字号大中小订阅

现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS 管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上；驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把MOS管及其应用电路作简单介绍，以满足维修人员需求。

一、什么是MOS管

MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电

路。

1、MOS管的构造；

在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝

缘的。图1-1所示A 、B分别是它的结构图和代表符号。

同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS管。图1-2所示A 、B分别是P沟道MOS管道结构

图和代表符号。

图1 -1-A

图1 -2-A

2、MOS管的工作原理：图1-3是N沟道MOS管工作原理图