高电压技术1-6章

高电压技术
Chapter 1 电介质的极化,电导,损耗
电介质:通常条件下导电性能极差的物质,电力系统中用作绝缘材料
原理:电介质中正负电荷束缚的很紧，内部可自由移动的电子很少，因此导电性能差
第一节.电介质的极化
分类:○1电子位移极化○2离子位移极化○3转向极化○4空间电荷极化
一．电子位移极化:电介质由分子和原子构成，原子是由带电的原子核和外围电子构成的
1．无外加电场:电子云中心与原子重合，无感应力矩
2．有外加电场:原子核向电场方向移动，电子云中心向反方向移动，原子核和电子云产生吸引力，当外加电场力与吸引力平衡时，产生一个稳定的感应力矩
特点:○1极化速度快，无能量消耗○2与温度无关
二．离子位移极化:电介质由正离子和负离子构成
1．无外加电场:各正负离子对构成的偶极矩彼此抵消
2．有外加电场:正离子沿电场方向运动，负离子沿反方向运动，两者产生吸引力，当吸引力等于电场力时平衡，产生了稳定电距
特点:○1极化速度较快，有轻微的能量损耗○2温度越高极化率越大
三．转向极化:电介质是极性电介质
1．无外加电场:正负电荷中心不重合，存在固有偶极矩，但分子热运动不规则，偶极矩排列方向无序，合成电距为零
2．有外加电场:固有偶极矩有转向电场的趋势，顺着电场方向做定向排列，形成转向极化
特点:○1速度慢能耗较大○2受温度影响（热运动）
四．空间电荷极化:由电质点在电介质上的移动形成的，电荷在介质中产生了新的分布，从而产生电距1．被晶格缺陷捕获
2．在两层介质的介面上堆积
特点:○1极化速度慢（仅适用于低频）能耗大○2与温度无关
第二节.电介质介电常数
一.介电常数的物理意义
介电常数:介质在有外加电场时,会产生感应电荷,从而导体内部削弱电场,即外加电场与介质中电场之比
二.气体电介质的相对介电常数
气体分子距离大,极化率小,相对介电常数接近于1
影响因素:○1随温度升高减小○2随电压增大而增大
三.液体电介质的相对介电常数
1．中性液体介质(石油,苯,四氯化碳,硅油)
相对介电常数不大1.8-2.8
2．极性液体介质(蓖麻油)
优点:介电常数大,绝缘能力强缺点:在交变电场中介质损耗大
影响因素:○1温度:i)低温:分子间的黏附力强，转向极化弱，介电常数随温度升高而变大
ii)高温:分子热运动加剧阻碍转向极化，介电常数变小
○2电场频率i)低频:转向极化跟得上电场交变转向，介电常数大
ii)高频:转向极化跟不上电场交变转向，介电常数小
四.固体电介质的相对介电常数
1．中性或弱极性固体介质:只有电子位移极化和离子位移极化，介电常数小
2．极性固体介质:有转向极化，相对介电常数大
影响因素:受温度和电场频率影响情况同液体介质相似3-6
第三节.电介质的电导
一．气体电介质的电导
产生:由气体电离出来的自由电子，正离子和负离子，在外加电场作用下丁香移动造成的
1．无外加电场:外界因素使1cm2气体每秒产生一对离子，在离子不断产生的同时，正负离子又在不断复合，达到动态品恒，电导小
2．有外加电场:离子在电场力的作用下和服与气体分子的阻力，移动速度为 v（离子迁移率b = v/E）当电场小时b=const较小，电导小，当电场较大，超过某一值，气体分子发生碰撞电离，电流密度
迅速增大，绝缘被破坏，气隙被击穿，电导大
******图Page5:1-3-1气体介质中电流密度J与场强E的关系
二．液体电介质的电导
1．中性液体介质:理解微弱，电导主要对杂质敏感
2．极性液体介质:不仅由杂质引起，而且与本身分子的理解度有关，其电导大于中性液体介质的电导.极性液体介质的介电常数越大，电导越大，强极性液体介质不能看作电介质，而是离子式导电液影响因素:○1温度:随温度升高，电导变大
○2电场强度:与气体电介质类似
三．固体电介质的电导
1．中性固体介质（具有中性分子的固体介质）:电导由杂质决定
2．极性固体介质（离子式结构的固体介质）:由离子在热运动影响下脱离晶格移动产生
1）无外加电场:离子移动是无序的，不形成电流
2）有外加电场:离子在电场方向上，获得一定的速度形成电流
影响因素:○1温度:随温度升高电导变大
○2电场强度:在电场强度小于某值时,电导小,但大于临界值时,电导将急剧增大
○3杂质:对电导率影响很大（eg:固体介质吸收潮气）
第四节.电介质中的能量损耗
一．介质损耗:介质在电场中消耗的能量
稳恒电场:极化损耗低，介质损耗小，主要由漏电导产生
交变电场:1极化速度远大于电场变化速度:极化损耗低，介质损耗小D=εE
2极化速度与电场变化速度相当:极化损耗大，介质损耗大D=ε*E = （ε’-ε’’j）E
两边求导J=ε*=（ε’-ε’’j）jωE= jωε’E +ωε’’E= J’+J’’
( =ω =jω|E|e jω= jωE)
由此可知，复介电常数实部贡献武功电流密度，虚部贡献有功电电流密度.形成有功功率损耗是
介质损耗的一部分
介质损耗角 tanδ=J r/J c越小越好
电介质等效电路 Rlk电导损耗 Rp有功损耗 Cp无功损耗 Cg真空和无损耗极化所引起的电流密
度（容性）
******图Page8:1-4-1电介质中的电流密度和场强向量
二．气体介质中的损耗
特点:1极化率低2电导小，介质损耗小，但若场强过大，导致气体电离，则介质损耗大大增加
三．液体和固体介质中的损耗
中性:极化（电子式或离子式）损耗小，主要为电导损耗
极性:电导式损耗和电偶式损耗（极性损耗）
******图Page10:1-4-6松香油的tanδ与温度的关系
Chapter2气体放电的物理过程
第一节.气体中带电质点的产生和消失
气体导电性:中性状态下气体不导电
气体中出现了带电质点（电子，离子）在电场作用下，气体导电，发生气体放电现象
一．气体中带电质点的来源
1．气体分子本身发生电离
2.气体中炫富的固体或液体金属发生表面电离
电离:当外界加入的能量很大，使电子具有的能量超过最远轨道能量，电子就跳出原子轨道之外，成为自由电子（能级跃迁），使原来的一个原子变成一个自由电子和一个带正电荷的离子现象
电离能:达到电离所需的最小能量
3.电离分类:○1撞击电离○2光电离○3热电离○4表面电离
○1撞击电离
原理:欲使气体质点电离，必须给该气体质点以足够的能量，大于电离能，在撞击电离能中，能量有撞击质点给出
撞击质点的能量:动能，势能
1）无外加电场:质点的动能是分子热运动，不足以造成碰撞电离
2）有外加电场:带电质点受到电场力的作用，在电场方向加速运动，积聚动能.
若中途与别的质点碰撞，则失去已积聚的动能
若积聚到足够的能量去撞击中性原子核分子则发生电离
Ps:正负离子的体力比电子大得多，中途容易发生碰撞，因此，在电场中造成撞击电离的主要因素是电子○2光电离
原理:光子的能量大于电离能
光电子:由光电离产生的电子
光子:i)高能射线（伦琴射线，γ射线，宇宙射线）ii)紫外线iii)复合和能级回归释放
光电离在气体放电中起重要作用
○3热电离
原理:由气体的热状态，造成的电离，不是独立电离形式，包括撞击电离和光电离
原因:在无电场作用下，温度升高，分子热运动加剧具有足够的能量，发生碰撞电离，高温时发生光电离○4表面电离
原理:气体中的电子是从金属电极的表面电离出来的
逸出功:电子从金属电极表面逸出所需要的能量远小于气体原子的电离能.因此，表面电离在气体放电中起重要作用
表面电离所需能量来源:i)加热金属电极，热电子发射
ii)在电极附近加上很强的外电场，强场发射或冷发射
iii)用某些具有足够能量的质点撞击金属表面，二次发射
iv)用短波光（高能）照射金属电极表面，光电子发射
二．负离子:一个中性分子或原子与一个电子相结合，构成一个负离子
离子的电离能力小于电子.因此，俘获自由电子而成为负离子这一现象，对气体放电的发生起阻碍作用，有助
于提高气体的耐点强度
三．气体中带电质点的消失
消失方式:
○1带电质点中和电量:带电质点受电场力的作用下而流入电极
○2带电质点的扩散:这些质点会从浓度大的区域扩散到小的区域，而使带电质点在空间各处的浓度趋于均匀的过程
○3带电质点的复合:带有异号电荷的质点相遇发生电荷传递，中和而还原为中性质点的过程，复合时.原先在电离时吸收的电离能会以光子的形式释放，异号质点的浓度越大复合越强烈.因此，强烈电
离区也是强烈的复合区，这个区的光亮度就越高
第二节.气体放电机理
一．概述
1.研究内容:大气中不长间隙间的放电过程
2.电子崩:（撞击电离雪崩式增加:漏电流→撞击电离→电子崩）
在外加电场强度尚不能在气隙中产生碰撞电离时，气隙中电流是由外界电离因素引起的电子和离
子形成的.其数量小，是漏电流
当气隙场强增大，气体中放生撞击电离，电离出来的电子和离子又加入撞击电离过程，于是电离的
过程就如雪崩式增加，称为电子崩，电流也较大增加
3.非自持放电:场强小于临界值E cr，这种电子崩还必须依赖外界电离因素造成的原始电离才能维持和发展，若
外界电离因素消失，则电子崩随之衰减至消亡
4.自持放电:场强超过临界值E cr，这种电子崩可仅由电场的作用而自行维持和发展，不必依赖外界电离因素
5.临界场强:E cr由非自持放电转入自持放电的场强
6.临界电压:U cr与临界场强对应的电压
7.放电发展过程:
(1)较均匀电场:各处场强差异不大，任意一处一旦形成自持放电，自持放电就发展到整个间隙.气隙被击穿
击穿电压:使气隙能够击穿的电压击穿电压U b≈临界电压U cr
(2)不均匀电场:棒-板电极（典型，点对面）
○1电压较低时，棒端场强已超过E cr，棒端附近发生自持放电，离棒端稍远处场强已经大为减少，故此电离只局限在棒端附近的空间，而不能拓展开来.该区域内所形成的离子在复合时将辐射出光
子，人眼可见.有均匀稳定的发光层笼罩在电极周围（光晕）
○2电压较高时，i)电极间距小，电晕放电直接转化为整个间隙的火花击穿
ii)电极间距大，电晕放电→刷形放电→电弧
○3当电源功率足够大时，火花击穿→电弧
二．汤森德气体放电理论
1.内容:当Pd较小时，电子的撞击电离和正离子撞击阴极造成的表面电离起主要作用，气隙的击穿电压是Pd
的函数
2.意义:考虑和讨论气体放电的物理过程是很基本的，具有普遍指导意义
3.主要研究参数:
(1)α电离系数:表示一个电子在走向阳极1cm路程中与气体质点碰撞产生的自由电子数
(2)β电离系数:表示一个正离子在走向阴极1cm路程中与气体质点碰撞产生的自由电子数
α>>β所以主要研究α，γ
(3)γ电离系数:表示一个正离子撞击到阳极表面时从阴极逸出的自由电子数(表面电离)
假设在外界光照作用下，单位时间在阴极单位面积产生n个自由电子，在距离阳极为x的横截面上单位面积有n个电子飞过dx距离后，又产生dn个新电子，dn = nxdx 积分得 n = n0eαx.到达阳极的电子n = n0eαd,正离子数n-n0=n0(eαd-1)≥1
4.假设在外界光照的作用下，单位时间在阴极单位面积上产生n0个自由电子，在距离阴极为x的横截面上，
单位面积有n个电子飞过，这n个电子飞过dx距离后又产生了dn个新电子.dn = nαdx，积分得n = n0e2x,到达阳极的电子数n = n0e2d,正离子数n – n0 = n0(e2d-1).正离子到达阴极电离出的电子数n0r(e2d-1)。

自持放电条件:r(e2d-1) = 1
******图Page19:2-2-1放电发展规律的推导系
5.巴申定律:击穿电压与Pd关系的曲线（U型）U b=f(Pd)
物理解释:d（极板间距），P（压强）
○1在d不变时，i)P增大，电子相邻两次碰撞累积到足够动能的概率变小，U b增大
ii)P减小，电子在碰撞前，能够累积动能，碰撞次数少，U b增大
○2在P不变时，i)d增大，欲得到同样场强，电压必须增大，U b增大
ii)d减小，场强增大，但电子走完全程碰撞次数减小，故需增加电压，U b增大******图Page21:2-2-3试验求得的均匀电场空气隙曲线
6.适用范围 1均匀电场 2.P·d<0.26cm
7.存在缺陷原因 1,.忽略了带电质点改变电场分布 2忽略了光电离
8.缺陷表现
三.流柱放电理论（实验结论）
1.内容:认为电子碰撞和空间光电离是维持自持放电的主要原因，并强调了空间电荷电厂畸变的作用
2.意义:弥补了唐森德理论的不足
3.缺陷:对放电过程作定性描述，没有定量分析和计算
4.适用范围:均匀和不均匀电场 P·d >0.26cm
5.较均匀电场流柱理论
******图Page24:2-2-4/2-2-5/2-2-6/2-2-7/2-2-8
过程 i)电子崩阶段:在阴极附近出现自由电子，在电场的作用下，在向阳极运动的过程中，不断发生碰撞电
离形成电子崩.电子数和正离子数随距离增加呈指数增长.而电子的速度比正离子快得
多，因此电子主要集中在电子崩的头部，而正离子缓慢向阴极运动.因此发生电子崩在
发展过程中半径逐步增大，形成头部为球状的圆锥体[纺锤体]绝大部分电子集中在崩头，
崩尾为正离子区
空间电荷的畸变电场:△1电子崩头部和尾部的电场加强△2电子崩内部的电场大大削弱
电子崩作用:△1畸变电场（改变电子崩内电场方向）△2放出光子（利于光电离）
外加电压:△1达不到击穿电压，电子崩最终消亡，不能转入自持放电
△2达到击穿电压，放电进入下一阶段（流柱阶段）
ii)流柱阶段
△1空间光电离:当电子崩走完整个间隙后，大密度头部空间电荷大大加强外部电场，向周围放射出大
量光子
△2二次电子崩（衍生电子崩）:空间光电离中光电子被主电子崩尾部的正电荷所吸引，在崩尾局部强
化的电场中产生新的电子崩
发展方向:向崩尾方向发展
特点:主崩可自持发展，其余电子崩不能自持（1主崩处场强大2主崩发展成流柱后，屏蔽其他崩）正流柱形成过程:
○1二次电子崩中的电子进入主电子崩尾部正空间电荷区，由于电场较弱，大多数形成负离子，电子崩空间由大量正负带点质点构成的等离子体
○2流柱通道导电性良好，流柱头部是电子崩尾部形成的正电荷.因此，流柱头部前方会出现很强的电场
○3流柱不断向阳极推进，且随流柱接近阴极头部电场越来越强，发展速度逐渐加快
○4流柱发展到阴极，间隙被导电良好的等离子体通道贯穿，间隙的击穿完成
速度3*108cm/s [光速的百分之一]
3自持放电条件:一旦形成流柱放电就可由本身的光电离而自行维持，即转入自持放电，流柱形成条
件即为自持放电条件
6.不均匀电场:间断放电
第三节.电晕放电
1.电晕:电离区的放电过程造成有咝咝的声音，有臭氧的气味，回路电流增加，有能量损失
2.起始电压:产生电晕的电压
3.工程实践意义:○1不利影响i)能量损失 ii)放电脉冲引起高频干扰iii)噪声iv)生物化学反应腐蚀
○2有利影响i)削弱雷电压冲击 ii)改善电场分布 iii)利用电晕高压电除尘
第四节.不均匀电场气隙击穿(棒板电极)
一.短气隙击穿
1.正棒-负板:过程:i)电子崩向棒极发展，是从场强较弱的区域向较强的区域发展，有利于电子崩的发展
ii)当电子崩进入阳极，在棒极前方留下正离子，加强了前方电场，有利于流柱的发展特点:流柱的发展是连续的，速度快，击穿电压小
2.负棒-正板:过程:i)电子崩由场强较强的区域向较弱的区域发展，不利于电子崩的发展
ii)电子崩留下的正电荷空间，加强了棒极附近电场却削弱了前方阳极空间电场，不利于流
柱的发展
特点:流柱发展是阶段式的速度慢，击穿电压高
二.长气隙的击穿（不成熟，不完善）（d>1m）
1.正先导过程:（正棒-负板）
过程:当间隙距离大，欲使间隙击穿，所加电压要很高，高的电压使棒极附近电场达到极高的值，使棒的前方空间产生强烈电离，发展电子崩和流柱.电离出的自由电子，能量大密度大，使该空间温度升
至10E4K.造成热电离.在棒的前方造成炽热的等离子体通道，称之为先导通道.近似于把棒极电极延
伸到了通道前端，近一步加强前方区域的电场，引起新的流柱，使先导通道不断加强，直到对面电
极
2.负先导过程:（负棒-正板）
过程:当很高的电压加到间隙上，在负棒极前方空间立即发展大量负流柱，自由电子向板方向移动（大-小）电子被中性气体分子俘获，形成大量负离子.流柱中的正电荷加强棒极附近电场，使该区域强烈电
离，继而发生热电离形成负先导通道.近似把棒极的电位延伸到通道的前端.但前方负离子行程的反
向电场使区域的合场变弱，通道发展停滞.停滞期间，负电荷被电场力驱散，场强又重新变大，在
场强前方形成新的流柱，使先导通道向前推进.上述过程重复发生，直至先导通道到达对面电极
3.正负先导区别○1正先导连续，负先导具有分级特性○2正先导速度快，负先导速度慢（1/5~1/3）
4.迎面先导过程:当负先导发展到接近对面电极时，流柱区前大量的负离子使平板电极附近的电场大大增强，
导致从对面极板发出迎面的放电.开始为电子崩和流柱，随后形成迎面的正先导通道（多出
现于负先导过程中）
5.主放电过程:先导通道有较高的导电性，存在大量与棒极同号的空间电荷.当通道发展到对面电极时，大量正
负电荷在通道内中和，这个过程沿着通道贯穿两极.
三.区别
1.长间隙:热电离起重要作用
2.短间隙:热热电离不起作用
3.长间隙击穿场强Ebr小于短间隙击穿场强
第五节.雷电放电（典型长间隙放电***自学***）
第六节.气隙的沿面放电（爬电）
一.概述
1.概念
沿面放电:沿着气体与固体（液体）介质分界面上发展的放电现象
闪络:沿面放电发展到贯穿两极使整个气隙沿面击穿
二.意义:实验表明，闪络电压不但低于固体介质击穿电压，且远低于气体戒指击穿电压
三.分类:1.强法线 2.弱法线
四.如何提高闪络击穿电压1.清洁固体介质表面 2.增大电极间距离
Chapter 3 气隙的电气强度
第一节.气隙的击穿时间
一.概述
击穿时间:从开始加压的瞬间到气隙完全击穿为止总的时间
静态击穿电压U0:长时间作用在气隙上，能使气隙击穿的最低电压
升压时间t0:电压从0升到U0所需时间
统计延时t s:从电压到达到U0形成第一个有效电子为止的时间
放电发展时间t f:从形成第一个有效电子到气隙完全击穿所需时间（短间隙t s>t f;长间隙t s<t f）
放电延时t1 = t s + t f
击穿时间t b = t0 + t s + t f
影响统计延时的因素
○1电极材料○2外加电压○3短波光照射○4电场情况（大小）
影响放电发展时间的因素
○1间隙（长短）○2电场均匀度○3外加电压
******图Page48:3-1-1气隙击穿所需时间
第二节.气隙的伏秒特性和击穿电压的概率分布
一.电压波形
分类○1直流电压:由交流电压整流得到，有脉动（规定纹波系数小于3%）
纹波系数:脉动幅值与直流电压平均值的比
脉动幅值:（最大值-最小值）/2
○2交流电压:近似为正弦波，正负两半波相同，峰值与方均根值之比在±0.07以内
○3雷电冲击电压
i)雷电冲击全波电压
T1波前时间1.2μs±30%,T2半峰值时间50μs±20%
表示:1.2/50μs冲击电压波
ii)雷电冲击截波电压
T1波前时间1.2μs±30%,T c阶段时间2~5μs
○4操作过电压
T1波前时间250μs±20%,T2半峰值时间2500μs±60%
表示:250/2500μs冲击波
二.伏秒特性
1.概述
气隙击穿:○1长时间持续作用，气隙的击穿电压确定
○2对于脉冲性质的电压，击穿电压与电压波形有很大关系
伏秒特性:在同一波形，不同幅值的冲击电压作用下，气隙上出现的电压幅值和放电时之间的关系
2.伏秒特性曲线
绘制规定○1冲击电压波形不变
○2逐步升高电压幅值
波尾击穿（压低）:幅值与击穿点详见
波头击穿（压高）:击穿点
伏秒特性曲线击穿概率:Φ0.5 Φ0 Φ1
50%伏秒特性曲线:该气隙的平均伏秒特性
50%击穿电压U0:气隙被击穿概率为50%的冲击电压峰值
Φ1区域右侧每次都击穿Φ0区域左侧一定不击穿
用途:设计保护装置
举例(过压保护):两个气隙并联，伏秒S1>S2, S2在S1下方,S2先击穿，消耗冲击电压，若有交集则无法保护三.气隙击穿电压的概率分布
特点:符合正态分布，可用V50和变异系数Z表示
耐受电压:确保耐受而不被击穿的电压
100%耐受电压那难以测量，实际>99%
第三节.大气条件对气隙击穿电压的影响
一.大气条件:气温,气压,湿度
二.对击穿电压的影响
1.温度:温度高有利于气体电离和放电条件的形成,击穿电压低
2.气压:气隙的击穿电压随着空气密度的增大而升高，随着空气密度的增大，空气中自由电子的平均自由程缩
短了，不易造成碰撞电离
3.湿度:气隙的击穿电压随空气湿度的增大而升高，水蒸气是电负性气体，易俘获自由电子形成负离子，使自
由电子数量减少，阻碍电离的发展
三.我国标准规定的大气标准条件
压力:P0=101.3kPa
温度:t0=20℃或293K
绝对湿度:h0=11g/m3
三.气隙击穿电压矫正Uer = KdU0(标准大气条件下击穿电压)
第四节. 较均匀电场气隙的击穿电压
一.均匀电场气隙击穿电压的特点
1.其实放电电压等于气隙的击穿电压
2.击穿电压与电压极性无关
3.空气的击穿电压（峰值）的经验公式U b=2
4.48s+6.53δ
δ为空气的相对密度 s为气隙的距离
标准条件下电气强度（峰值）约为302KV/cm
二.稍不均匀电场的击穿电压特点
1.不能形成稳定的电晕放电
2.电场不对称时，极性效应不明显
3.直流工频下的击穿电压（峰值）以及U50%冲击击穿电压都相同，击穿电压的分散性小
4.击穿电压和电场均匀程度成关系极大，电场越均匀，同样间隙距离下的击穿电压就越高
三.电极类型
1.球-球间隙
2.球-板间隙
3.同轴圆柱间隙
第五节.极不均匀电场气隙的击穿电压
一.特点
1.影响气隙击穿电压的主要因素是间隙距离大
2.选择电场极不均匀的极端情况典型电极
○1棒-极电场分布不均匀，不对称
○2棒-棒电场分布不均匀，对称
○3直流工频及冲击击穿电压的差别明显，分散性大，且极性效应显著
○4工程上，击穿电压可以参考与接近的气隙的击穿电压来估计
二.直流电压下得击穿电压
特点:○1击穿电压与间隙距离近似成正比
○2平均击穿场强正棒-负板 4.5kV/cm
负棒-正板 5.4kV/cm
棒-棒10kV/cm
******图Page57:3-5-1三种不均匀电场气隙直流1min临界耐受电压与气隙距离的关系
三.工频电压下得击穿电压
******图Page58:-3-5-3长气隙和绝缘子串的工频50%击穿（和闪络）电压与气隙距离的关系
特点:○1击穿在棒的极性始终为正，电压达到幅值时发生
○2除了起始部分外，击穿电压和间隙距离近似直线关系
○3棒-棒3.8kV/cm,棒板低
○4饱和现象，距离加大，平均击穿场强明显降低，棒-板严重
四.雷电冲击电压
******图Page58:3-5-4气隙的冲击击穿电压U b与气隙距离S的关系
特点:○1极性效应明显
○2线-棒击穿电压可用棒-板代替
五.操作冲击电压
特点:○1正极性U50%都比负极性低，更危险
○2长间隙在操作冲击电压作用下呈现饱和现象，尤其是棒-板
○3波形波前时间对U50%有影响，呈U形曲线，在最小值点U50%低于工频击穿电压幅值
○4U50%击穿电压分散性大。