微电子框架(SMD)电镀中可能会遇到的一些问题

微电子框架(SMD)电镀中可能会遇到的一些问题
0 前言
在微电子器件制造中，常把微电子器件排列在铜基或镍-铁基的框架上，经过电镀锡或锡-铅后再切割分离成单元器件。

在电镀过程中可能会遇到一些问题。

1 框架原材料品质对电镀品质的影响
（1）框架带料电极平台局部镀银的掩膜模老化或压力不够，造成镀银平台镀层外溢或引线切口侧溢，即镀层超过制程中规定的区域。

塑封过程中不能把银层溢出部位包封，银层露在黑体外面。

在电镀过程中，药水只能腐蚀基材而不能去掉银层。

通过电镀前处理，银层翘起。

电镀时翘起的银层成为尖端放电快速沉积的基础，也就造成电镀后毛刺的原因。

（2）框架引线歪斜，引线问距不一，造成引线电镀层厚度不均。

同时会影响镀后的切筋作业。

（3）框架冲模刀钝，引线在冲压方向的反面(框架背面)形成金属毛刺。

金属毛刺引发镀后的毛刺。

（4）框架基材合金金相不均，造成电镀前处理过程中的选择性不均匀蚀刻，如铁-镍金相不均，造成较活泼的铁元素优先蚀刻，电镀后镀层上呈现凹坑。

2 D/B、W/B、塑封品质对电镀品质的影响
（1）塑封时如果上下模腔错位，造成溢料异常，特别是硬溢料异常。

对除溢料工序带来极大困难。

除不净溢料就造成电镀掩镀，影响爬锡特性，影响可焊性。

（2）在W/B(焊接金丝)过程中，如果金丝抛物线太高，造成塑封后金丝外露，电镀时黑体正面上有锡花形镀层(锡镀在金丝上)。

（3）在塑封过程中，因模腔不清洁，造成黑体不光亮，粗糙，电镀过程中，通过化学处理，会增加不光亮和粗糙的程度，影响外观和镭射字符作业。

（4）如果塑封工艺条件没有控制好，造成黑体疏松。

在除溢料过程中黑体易塌边、脱角，在电镀过程中药水易内渗，影响漂洗效果，同时可能影响管子电性。

（5）如果塑封后固化不足，造成黑体经不起电镀工艺过程中的化学作用或水刀压力冲击，而影响管子电性或损伤黑体。

（6）如果框架在D/B(焊接芯片)时工艺失控，保护气体失控或温度过高，造成框架过氧化，在常规电镀前处理过程中，不能去掉过氧化物，势必对电镀品质会造成严重影响。

电镀工只能把过氧化的框架挑拣出來，进行单独特殊处理。