抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法[发明专利]

专利名称：抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法专利类型：发明专利
发明人：刘红侠,杜守刚,王树龙,王倩琼
申请号：CN201710522182.2
申请日：20170630
公开号：CN107345998A
公开日：
20171114
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法，主要是解决在相同地面重离子加速辐照实验条件下单粒子效应截面预估问题，其技术方案为：从大量的工程试验数据出发，分析离子总注量与其所引起的单粒子效应次数之间的逻辑相关性，结合单粒子效应产生的机理和概率论统计理论，建立下一次单粒子效应出现的时间节点Δt的预估模型以及整个电路单粒子效应截面δ的预估模型，从而建立了离子总注量及其所引起单粒子效应次数之间的逻辑关系，本发明解决了在相同试验条件下单粒子效应截面预估问题，为抗辐照集成电路的地面加速模拟试验评估提供了一种工程性的分析手段。

可用于对航天微电子器件抗辐照性能预估。

申请人：西安电子科技大学
地址：710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
国籍：CN
代理机构：陕西电子工业专利中心
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