模电实验1二极管V—I特性曲线

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

实验报告

实验名称:二极管V—I特性曲线课程名称:电子技术实验(模拟)

一、实验目的

1、学习multisim 2001软件的使用方法。

2、学会使用Multisim中直流扫描分析方法来验证二极管的V-I特性曲线。

3、学习如何改变元器件的模型参数。

4、学习如何使用Multisim 2001 中的后处理程序对输出波形进行必要的数学处理。

二、实验步骤

1. 电路原理图

(图一二极管V—I特性曲线电路图)

实验电路图如上图一所示。

直流电压源Vi与1N4148型二极管VD1串联,电流从电压源正极流出经过二极管回到电源。。二极管两端电压降= 电源电压V1。

关联方向流经VD1的电流= 流经电源的电流的负值。

2.实验结果

(图二二极管V—I特性曲线)

(1)DC sweep 分析:

横坐标为V1,纵坐标为流经电源的电流。

输入值:初始值-120V ,结束值20V ,步长0.01。 结果如上图二所示。

得出结果若以Voltage (V )=0为对称轴翻折,即为二极管V —I 特性曲线。

(图三 二极管V —I 特性曲线)

后处理在变量vvi#branch (流经电源的电流)前取负号,即得关联方向流经VD1的电流。 电流如图三所示为经过后处理后得到的二极管V —I 特性曲线。 横坐标为V1,纵坐标为流经二极管VD1的电流。 上图中,(1)部分为反向击穿,(2)部分为反向截止,(3)部分为正向导通。

(2)调整XY 轴数据显示范围,观察门坎电压值

(图四 二极管V —I 特性曲线)

1 2 3

调整输入范围纵横坐标0—2V,纵坐标-0.01V—1A。

观察图四,移动游标,读出门槛电压0.666V。

(3)调整XY轴数据显示范围,观察雪崩电压值

(图五二极管V—I特性曲线)调整输入范围横坐标-102—-98V,纵坐标-1—0.01A。

观察图五,移动游标,读出门槛电压-100.65V。

三、讨论与结论

1. 改变元器件模型参数的方法

选择菜单项“Edit-Component Properties”或者按Ctrl+M或者双击元件符号,弹出编辑对话框,然后就可以选择想要改变的参数进行修改了(打*的不能改)。

2.如何对输出波形进行必要的数学处理

点击“Simulate——Prostprocessor”启动后处理程序,选择“Analysis Results”区:用来存放已经进行过的仿真结果。双击要处理的Analysis Variables然后选择需要的Available functions进行数学处理,确认即可!

相关文档
最新文档