模电实验1二极管V—I特性曲线
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实验报告
实验名称:二极管V—I特性曲线课程名称:电子技术实验(模拟)
一、实验目的
1、学习multisim 2001软件的使用方法。
2、学会使用Multisim中直流扫描分析方法来验证二极管的V-I特性曲线。
3、学习如何改变元器件的模型参数。
4、学习如何使用Multisim 2001 中的后处理程序对输出波形进行必要的数学处理。
二、实验步骤
1. 电路原理图
(图一二极管V—I特性曲线电路图)
实验电路图如上图一所示。
直流电压源Vi与1N4148型二极管VD1串联,电流从电压源正极流出经过二极管回到电源。。二极管两端电压降= 电源电压V1。
关联方向流经VD1的电流= 流经电源的电流的负值。
2.实验结果
(图二二极管V—I特性曲线)
(1)DC sweep 分析:
横坐标为V1,纵坐标为流经电源的电流。
输入值:初始值-120V ,结束值20V ,步长0.01。 结果如上图二所示。
得出结果若以Voltage (V )=0为对称轴翻折,即为二极管V —I 特性曲线。
(图三 二极管V —I 特性曲线)
后处理在变量vvi#branch (流经电源的电流)前取负号,即得关联方向流经VD1的电流。 电流如图三所示为经过后处理后得到的二极管V —I 特性曲线。 横坐标为V1,纵坐标为流经二极管VD1的电流。 上图中,(1)部分为反向击穿,(2)部分为反向截止,(3)部分为正向导通。
(2)调整XY 轴数据显示范围,观察门坎电压值
(图四 二极管V —I 特性曲线)
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调整输入范围纵横坐标0—2V,纵坐标-0.01V—1A。
观察图四,移动游标,读出门槛电压0.666V。
(3)调整XY轴数据显示范围,观察雪崩电压值
(图五二极管V—I特性曲线)调整输入范围横坐标-102—-98V,纵坐标-1—0.01A。
观察图五,移动游标,读出门槛电压-100.65V。
三、讨论与结论
1. 改变元器件模型参数的方法
选择菜单项“Edit-Component Properties”或者按Ctrl+M或者双击元件符号,弹出编辑对话框,然后就可以选择想要改变的参数进行修改了(打*的不能改)。
2.如何对输出波形进行必要的数学处理
点击“Simulate——Prostprocessor”启动后处理程序,选择“Analysis Results”区:用来存放已经进行过的仿真结果。双击要处理的Analysis Variables然后选择需要的Available functions进行数学处理,确认即可!