固体与半导体物理思考题说课讲解

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固体物理与半导体知识点归纳整理

固体物理与半导体知识点归纳整理

E C导带底的能量N C导带的有效状态密度n0导带的电子浓度n i本征载流子浓度E.本征费米能级E n F电子准费米能级E V导带底的能量N V价带的有效状态密度p0价带的电子浓度E g=E C—E V禁带宽度E费米能级E p F空穴准费米能级N D施主浓度n D施主能级上的电子浓度E D施主能级n+D电离施主浓度N A受主浓度P A受主能级上的空穴浓度word格式-可编辑-感谢下载支持固体物理与半导体物理符号定义:半导体基本概念:满带:整个能带中所有能态都被电子填满。

空带:整个能带中完全没有电子填充;如有电子由于某种原因进入空带,也具有导电性,所以空带也称导带。

导带:整个能带中只有部分能态被电子填充。

价带:由价电子能级分裂而成的能带;绝缘体、半导体的价带是满带。

禁带:能带之间的能量间隙,没有允许的电子能态。

1、什么是布拉菲格子?答:如果晶体由一种原子组成,且基元中仅包含一个原子,则形成的晶格叫做布拉菲格子。

2、布拉菲格子与晶体结构之间的关系?答:布拉菲格子+基元=晶体结构。

3、什么是复式格子?复式格子是怎么构成?答:复式格子是基元含有两个或两个以上原子的晶格(可是同类、异类);复式格子由两个或多个相同的布拉菲格子以确定的方位套购而成。

4、厡胞和晶胞是怎样选取的?它们各自有什么特点?答:厡胞选取方法:体积最小的周期性(以基矢为棱边围成)的平行六面体,选取方法不唯一,但它们体积相等,都是最小的重复单元。

特点:(1)只考虑周期性,体积最小的重复单元;(2)格点在顶角上,内部和面上没有格word格式-可编辑-感谢下载支持点;(3)每个原胞只含一个格点。

⑷体积:o=a.(a x a);(5)原胞反映了晶格的周期性,123各原胞中等价点的物理量相同。

晶胞选取方法:考虑到晶格的重复性,而且还要考虑晶体的对称性,选取晶格重复单元。

特点:(1)既考虑了周期性又考虑了对称性所选取的重复单元。

(体积不一定最小);(2)体心或面心上可能有格点;(3)包含格点不止一个;(4)基矢用a,b,3表示。

黄昆 固体物理 讲义 第七章

黄昆 固体物理 讲义 第七章

+
K =k ⋅
m
K p
)unk K
K (r )
=
[En
K (k )

K =2k 2 2m
]unk
K (r )
,同时利用周期性函数解的条件,即
可以得到电子的全部能量 En (k ) 。
K k

K p
微扰法的中心思想:如果已知
K k0
处的解,利用微扰法则可以得到
K k
的解,即原则上布里渊区其
它任一点的解 u K 可以用 u K 来表示。
§7.2 半导体中的杂质 理想的半导体材料是没有缺陷或没有杂质,半导体中的载流子只能是激发到导带中的电子和价带中 的空穴。
对纯的半导体材料掺入适当的杂质,也能提供载流子。因此实际的半导体中除了与能带对应的电子 共有化状态以外,还有一些电子可以为杂质或者缺陷原子所束缚,束缚电子具有确定的能级,杂质 能级位于带隙中接近导带的位置,在一般温度下即可被激发到导带中,从而对半导体的导电能力产 生大的影响。 设想一个第 IV 族元素 Ge(4 价元素)被一个第 V 族元素 As(5 价元素)所取代的情形,As 原子和 近邻的 Ge 原子形成共价键后尚剩余一个电子。如图 XCH007_000_01~02 所示。
)2
有效质量的计算
——
K k

K p
微扰法
晶体中电子的波函数可以写成布洛赫波:ψ nk
=
e ikK⋅rK
unk
(
K r
)
电子的布洛赫波满足:
[
K p
2
2m
+V
K (r
)]e
ikK⋅rK
unk
K (r )

固体与半导体物理(第二章)

固体与半导体物理(第二章)

A < 0 B +
同一原胞内相邻的两种原子作反方向振动
A:长波极限 A:长波极限
ω
2 +
q=0
(M 2 Mm + m ) 1 − (M + m )
2
=
2β Mm
sin
2
( qa )
ω + = ω + max
2β 2 β ( M + m) 2β 2 = = = u Mm Mm /( M + m)
F =−
∂U ∂U = − ( 2 ) a δ = − βδ ∂δ ∂r
2
β − 力常数
第n个原子受到n-1个原子和n+1个原子的作用力分别为
Fn −1 = − βδ = − β ( x n − x n −1 ) Fn +1 = − βδ = − β ( x n − x n +1 )
合力: 合力:
ω
2
4β = sin m
2
1 ( qa ) 2
ωmax
ω
ωmax
ω max = 2 β m
ω = ω max
1 sin( qa ) 2
- π/a
O
π/a
q
色散关系
(1)色散关系的周期性
A:数学表达式 A:数学表达式
2π ω (q + ) = ω (q) a
周期为 2π a
B:原因 B:原因
xn = Aei(q′na−ωt ) = Ae
(2)光学波的振动
ω+2 =
=
[( M + m ) + Mm
β β

半导体物理实验复习思考题

半导体物理实验复习思考题

半导体物理实验复习思考题
一、四探针法测量半导体电阻率实验:
1. 半导体材料包括哪些重要的电学性能,与哪些因素密切相关?
2. 为什么要用四探针进行测量,如果只用两根探针,能否对半导体电阻率准确测量?
3. 什么叫薄层(方块)电阻,它有什么特性?
4. 分析直流四探针法测量半导体材料电阻率的基本原理,并推导电阻率测量公式。

5. 如何选择合适的测量电流?
6. 测量电阻率误差的来源有哪些,如何修正?
二、少数载流子寿命测量实验:
1.什么是多数载流子?什么是少数载流子?
2. 什么是非平衡载流子?什么叫做光注入?
3. 为什么要测量并且一般只测量少数载流子寿命?
4. 少数载流子寿命的物理意义。

5.分析示波器显示曲线的变化规律,如何利用其测量少子寿命?6.影响少子寿命的因素有哪些。

三、X射线衍射分析晶体结构实验:
1.X射线的波长范围是多少,它是如何产生的?
2.简述X射线在近代物理学发展史上的重要地位及意义。

3.X射线在晶体中产生衍射的条件?
4.X射线在晶体中产生的衍射方向和衍射强度分别取决于什么?
5.X射线衍射仪包括哪几个主要部分,各自基本工作原理是什么?
6.实验基本操作步骤如何,为什么实验中要首先打开并保证冷却水
运行?
7.为什么我们在使用X射线衍射仪进行晶体结构分析实验时最好使
用粉末样品?
8.如何根据被测样品的衍射图谱确定其物相?。

半导体物理习题问题详解

半导体物理习题问题详解

第一章半导体中的电子状态例1.证明:对于能带中的电子,K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。

即:v(k)= -v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零。

解:K状态电子的速度为:(1)同理,-K状态电子的速度则为:(2)从一维情况容易看出:(3)同理有:(4)(5)将式(3)(4)(5)代入式(2)后得:(6)利用(1)式即得:v(-k)= -v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关,即:E(k)=E(-k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同,且v(k)=-v(-k)故这两个状态上的电子电流相互抵消,晶体中总电流为零。

例2.已知一维晶体的电子能带可写成:式中,a为晶格常数。

试求:(1)能带的宽度;(2)能带底部和顶部电子的有效质量。

解:(1)由E(k)关系(1)(2)令得:当时,代入(2)得:对应E(k)的极小值。

当时,代入(2)得:对应E(k)的极大值。

根据上述结果,求得和即可求得能带宽度。

故:能带宽度(3)能带底部和顶部电子的有效质量:习题与思考题:1 什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。

2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。

3 试指出空穴的主要特征。

4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。

5 某一维晶体的电子能带为其中E0=3eV,晶格常数a=5×10-11m。

求:(1)能带宽度;(2)能带底和能带顶的有效质量。

6原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同?原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同?7晶体体积的大小对能级和能带有什么影响?8描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念?用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性?9 一般来说,对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此?为什么?10有效质量对能带的宽度有什么影响?有人说:“有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄。

固体与半导体物理思考题

固体与半导体物理思考题

光电信息学院“固体电子学”思考题1.什么是布拉菲格子?基元仅包含一个原子,则形成的晶格为布拉菲格子2.布拉菲格子与晶体结构之间的关系.布拉菲格子是一种数学抽象,它和晶体的几何结构密切相关。

有了布拉菲格子,在格点上加上基元,就构成了晶体结构。

有了晶体结构,把所有的基元抽象为格点,就得到了布拉菲格子。

1.什么是复式格子?复式格子是怎么构成的?基元包含两个或两个以上的原子,则形成的晶格为复式格子。

复式格子是由布拉菲格子套构而成的。

2.原胞和晶胞是怎样选取的?它们各自有什么特点?以一格点为原点,取三个平移矢量,由这三个平移矢量构成的体积最小的周期性平行六面体单元称为原胞。

(原胞的选取不是唯一的,但体积是一样的;原胞是体积最小的周期性重复单元;原胞的格点必须是顶点,原胞只包含一个格点。

)同时考虑晶格周期性和对称性的重复单元称为晶胞。

晶胞的基矢一般选择在一些重要的对称轴上。

3.如何在复式格子中找到布拉菲格子?复式格子是如何选取原胞和晶胞的?布拉菲格子的基元只有一个原子,且原子是等价的。

找到布拉菲格子,我们需要找到周期性排列的等价原子,这些不同的原子构成复式格子。

先选取出布拉菲格子,在选取出原胞和晶胞4.金刚石结构是怎样构成的?虽然由单一C原子构成,但是该结构为复式格子每个基元包含两个C原子,这两个C原子都构成面心立方该结构是两个面心立方沿着体对角线方向位移1/4套构而成5.氯化钠、氯化铯的布拉菲格子是什么结构?钠离子和氯离子分别组成相同的面心立方,是两个面心立方沿基矢方向相互位移1/2套构而成铯离子和氯离子分别组成相同的简单立方,铯离子和氯离子分别组成相同的简单立方6.密堆积有几种密积结构?它们是布拉菲格子还是复式格子?立方密堆积,布拉菲格子六方密堆积,复式格子7. 8种独立的基本对称操作是什么?C1、C2、C3、C4、C6、σ、i、S48. 7大晶系是什么?9.怎样确定晶列指数和晶面指数?计算(过原点VS不过原点)10.晶面指数与晶面在三坐标轴上的截距之间的关系?待定晶面在三个晶轴上的截距的倒数之比就是晶面指数之比11.通过原点的晶面如何求出其晶面指数?做过原点的晶面的的平行面,使其不过原点,求该平面的晶面指数12.倒格子的定义?正倒格子之间的关系?倒格子是描述晶体结构周期性的另一种类型格子,它是在波矢空间的数学描述。

半导体物理学简答题及问题详解

半导体物理学简答题及问题详解

复习思考题与自测题第一章1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。

答:原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在,没有一个固定的轨道;而晶体中的电子是在整个晶体运动的共有化电子,在晶体周期性势场中运动。

当原子互相靠近结成固体时,各个原子的层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而,外层价电子则参与原子间的相互作用,应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。

组成晶体原子的外层电子共有化运动较强,其行为与自由电子相似,称为准自由电子,而层电子共有化运动较弱,其行为与孤立原子的电子相似。

2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念, 用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。

答:引进有效质量的意义在于它概括了半导体部势场的作用,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时,可以不涉及半导体部势场的作用。

惯性质量描述的是真空中的自由电子质量,而不能描述能带中不自由电子的运动,通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动,成为有效质量3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此,为什么?答:不是,能级的宽窄取决于能带的疏密程度,能级越高能带越密,也就是越窄;而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度,掺杂浓度高,禁带就会变窄,掺杂浓度低,禁带就比较宽。

4.有效质量对能带的宽度有什么影响,有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此,为什么?答:有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比,对宽窄不同的各个能带,1(k)随k的变化情况不同,能带越窄,二次微商越小,有效质量越大,层电子的能带窄,有效质量大;外层电子的能带宽,有效质量小。

5.简述有效质量与能带结构的关系;答:能带越窄,有效质量越大,能带越宽,有效质量越小。

6.从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化?外场对电子的作用效果有什么不同;答:在能带底附近,电子的有效质量是正值,在能带顶附近,电子的有效质量是负值。

固体物理与半导体知识点归结整理

固体物理与半导体知识点归结整理

固体物理与半导体物理符号定义:E C导带底的能量E V导带底的能量N C导带的有效状态密度N V价带的有效状态密度n0导带的电子浓度p0价带的电子浓度n i本征载流子浓度E g=E C—E V禁带宽度E i本征费米能级E F费米能级E n F电子准费米能级E p F空穴准费米能级N D施主浓度N A受主浓度n D施主能级上的电子浓度p A受主能级上的空穴浓度E D施主能级E A受主能级n+D电离施主浓度p-A电离受主浓度半导体基本概念:满带:整个能带中所有能态都被电子填满。

空带:整个能带中完全没有电子填充;如有电子由于某种原因进入空带,也具有导电性,所以空带也称导带。

导带:整个能带中只有部分能态被电子填充。

价带:由价电子能级分裂而成的能带;绝缘体、半导体的价带是满带。

禁带:能带之间的能量间隙,没有允许的电子能态。

1、什么是布拉菲格子?答:如果晶体由一种原子组成,且基元中仅包含一个原子,则形成的晶格叫做布拉菲格子。

2、布拉菲格子与晶体结构之间的关系? 答:布拉菲格子+基元=晶体结构。

3、什么是复式格子?复式格子是怎么构成?答:复式格子是基元含有两个或两个以上原子的晶格(可是同类、异类);复式格子由两个或多个相同的布拉菲格子以确定的方位套购而成。

4、厡胞和晶胞是怎样选取的?它们各自有什么特点?答:厡胞选取方法:体积最小的周期性(以基矢为棱边围成)的平行六面体,选取方法不唯一,但它们体积相等,都是最小的重复单元。

特点:(1)只考虑周期性,体积最小的重复单元;(2)格点在顶角上,内部和面上没有格点;(3)每个原胞只含一个格点。

(4)体积:;(5)原胞反映了晶格的周期性,各原胞中等价点的物理量相同。

).(321a a a⨯=Ω 晶胞选取方法:考虑到晶格的重复性,而且还要考虑晶体的对称性,选取晶格重复单元。

特点:(1)既考虑了周期性又考虑了对称性 所选取的重复单元。

(体积不一定最小) ;(2)体心或面心上可能有格点;(3)包含格点不止一个;(4)基矢用表示。

半导体物理思考题

半导体物理思考题

1、为什么内壳层电子能带窄,外层电子能带宽答:内层电子处于低能态,外层电子处于高能态,所以外层电子的共有化运动能力强,因此能带宽。

2、为什么点阵间隔越小,能带越宽点阵间隔越小,电子共有化运动能力越强,能带也就越宽。

3、简述半导体的导电机构导带中的电子和价带中的空穴都参与导电。

4、什么是本征半导体、n型半导体、p型半导体答:纯净晶体结构的半导体称为本征半导体;自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体称为n型半导体;空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体称为p型半导体。

5、什么是空穴电子和空穴的异同之处是什么(1)在电子脱离价键的束缚而成为自由电子后,价键中所留下的空位叫空穴。

(2)相同点:在真实空间的位置不确定;运动速度一样;数量一致。

不同点:有效质量互为相反数;能量符号相反;电子带负电,空穴带正电。

6、为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作答:直接带隙半导体中载流子的寿命很短,同时,电子和空穴只要一相遇就会发生复合,这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出,因此发光效率高。

7、半导体的五大基本特性(1)负电阻温度效应:温度升高,电阻减小。

(2)光电导效应:由辐射引起的被照射材料的电导率改变的现象。

(3)整流效应:加正向电压时,导通;加反向电压时,不导通。

(4)光生伏特效应:半导体和金属接触时,在光照射下产生电动势。

(5)霍尔效应:通有电流的导体在磁场中受力的作用,在垂直于电流和磁场的方向产生电动势的现象。

1、简述实际半导体中杂质与缺陷来源。

①原材料纯度不够;②制造过程中引入;③人为控制掺杂。

2、什么是点缺陷、线缺陷、面缺陷(1)点缺陷:三维尺寸都很小,不超过几个原子直径的缺陷;(2)线缺陷:三维空间中在二维方向上尺寸较小,在另一维方向上尺寸较大的缺陷;(3)面缺陷:二维尺寸很大而第三维尺寸很小的缺陷。

3、点缺陷类型有哪些答:①空位;②基质原子的填隙;③杂质原子的填隙与替位。

4、简述肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的异同之处。

半导体物理教学教案

半导体物理教学教案

知识讲解:系统地讲解半导体物理 的基本概念、原理和应用
课堂互动:鼓励学生提问、讨论, 增强课堂互动性
巩固练习
内容:设计练习题,包括计 算、实验、推理等类型
目的:巩固所学知识,提高 应用能力
方法:学生独立完成或小组 讨论,教师进行点评和指导
反馈:及时反馈学生的练习成 果,指出不足之处,鼓励优秀
表现
归纳小结
小组讨论与互动
互动教学:教师与学生互动, 引导学生思考和解决问题,提 高课堂参与度。
小组讨论:学生分组讨论半导 体物理的相关问题,培养合作 精神和交流能力。
实验操作:通过实验操作,加 深学生对半导体物理的理解和
掌握。
案例分析:通过分析实际案例, 培养学生分析和解决问题的能 力。
多媒体辅助教学
利用多媒体课件展示教学内容,提高学生的学习兴趣和参与度 通过视频、动画等形式,帮助学生更好地理解抽象的物理概念和原理 利用实验视频或模拟实验,帮助学生更好地理解实验过程和结果 通过多媒体手段展示案例、实例,帮助学生更好地理解应用场景和实际意义
理论讲解:介绍半导体物理的 基本概念、原理和公式
实验操作:通过实验演示验证 理论知识的正确性
结合方式:将理论讲解与实验 操作有机结合,相互补充
目的:提高学生对半导体物理 的理解和掌握能力
案例分析
教学方法:案例分析法
案例选择:具有代表性、 典型性和启发性
案例分析过程:引导学生 分析、讨论、总结
案例分析结果:得出结论, 加深理解
回顾重点知识 总结教学难点 归纳解题方法 布置课后作业
教学评价与反馈
学生自评与互评
学生自我评价:对学习过程和成果进行反思和总结 学生互相评价:通过互相评价,发现自己的不足和优点 评价内容:学习态度、课堂参与度、作业完成情况等 评价方式:口头表达、书面报告、小组讨论等

半导体物理教案及教学反思

半导体物理教案及教学反思

半导体物理教案及教学反思物理教案是初中物理教学活动正常开展的重要保障,为了帮助各位物理老师做好教学准备,下面我为大家带来,希望对你有所帮助。

半导体物理教案教学目标知识目标了解半导体以及半导体在现代科学技术中的应用.能力目标通过半导体知识的学习,扩展知识面.情感目标知道半导体在现代科技中的重要性,树立科技强国的观念.教学建议教材分析教材从分析导体和绝缘体的区别入手,进一步引入另一种介乎导体和绝缘体之间的材料--半导体.接着分析了半导体的特点并提出问题.教材又结合实例,介绍几种半导体的特性,说明了半导体地重要性.教法建议本节的教学要注重科技的联系,避免孤立的学习,要注意联系实际.可以提出问题学生自主学习,学生根据提出的问题,可以利用教材和教师提供的一些资料进行学习.也可以教师提出课题,学生查阅资料,从收集资料、信息的过程中学习,提高收集信息和处理信息的能力.教学设计方案【教学过程设计】方法1、学生阅读教材,教师提供一些半导体的材料,教师提出一些问题,学生阅读时思考,例如:半导体和导体、绝缘体的有什么不同?你知道那些半导体元件?半导体都在哪些地方有应用?方法2、对于基础较好的班级,可以采用实验探究和信息学习的方法.实例如下实验探究:可以组织学生小组,图书馆、互联网查阅有关半导体方面的资料,小组讨论,总结半导体和导体、绝缘体的区别.【板书设计】1.半导体概念与导体、绝缘体的区别2.半导体材料3. 半导体的电学性能探究活动【课题】探究二极管的特性【组织形式】学习小组【活动方式】查阅有关资料,总结、讨论.【活动内容】查找、总结1、二极管的四个特性.2、判断二极管的方法.3、二极管的有关参数.半导体教学反思1、反思教学成功之处:《半导体及其应用》是在学生学习电阻定律、电阻率的基础上,介绍半导体的特性和应用的一节课。

本节课是更侧重应用的一节课。

在过去的教学中,往往是老师讲、学生记,原本直观、形象的东西,都变得生硬无趣了。

半导体物理思考题

半导体物理思考题

1、为什么内壳层电子能带窄,外层电子能带宽答:内层电子处于低能态,外层电子处于高能态,所以外层电子的共有化运动能力强,因此能带宽。

2、为什么点阵间隔越小,能带越宽点阵间隔越小,电子共有化运动能力越强,能带也就越宽。

3、简述半导体的导电机构导带中的电子和价带中的空穴都参与导电。

4、什么是本征半导体、n型半导体、p型半导体答:纯净晶体结构的半导体称为本征半导体;自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体称为n型半导体;空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体称为p型半导体。

5、什么是空穴电子和空穴的异同之处是什么(1)在电子脱离价键的束缚而成为自由电子后,价键中所留下的空位叫空穴。

(2)相同点:在真实空间的位置不确定;运动速度一样;数量一致。

不同点:有效质量互为相反数;能量符号相反;电子带负电,空穴带正电。

6、为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作答:直接带隙半导体中载流子的寿命很短,同时,电子和空穴只要一相遇就会发生复合,这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出,因此发光效率高。

7、半导体的五大基本特性(1)负电阻温度效应:温度升高,电阻减小。

(2)光电导效应:由辐射引起的被照射材料的电导率改变的现象。

(3)整流效应:加正向电压时,导通;加反向电压时,不导通。

(4)光生伏特效应:半导体和金属接触时,在光照射下产生电动势。

(5)霍尔效应:通有电流的导体在磁场中受力的作用,在垂直于电流和磁场的方向产生电动势的现象。

1、简述实际半导体中杂质与缺陷来源。

①原材料纯度不够;②制造过程中引入;③人为控制掺杂。

2、什么是点缺陷、线缺陷、面缺陷(1)点缺陷:三维尺寸都很小,不超过几个原子直径的缺陷;(2)线缺陷:三维空间中在二维方向上尺寸较小,在另一维方向上尺寸较大的缺陷;(3)面缺陷:二维尺寸很大而第三维尺寸很小的缺陷。

3、点缺陷类型有哪些答:①空位;②基质原子的填隙;③杂质原子的填隙与替位。

4、简述肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的异同之处。

半导体物理及固体物理基础课程大纲

半导体物理及固体物理基础课程大纲

《半导体物理及固体物理基础》课程教学大纲课程名称:半导体物理及固体物理基础课程代码:MICR3021英文名称:Fundamentals of Semiconductor Physics and Solid-State Physics课程性质:专业必修课学分/学时:3/63开课学期:5适用专业:微电子科学与程、电子科学与技术先修课程:量子力学、统计物理后续课程:半导体器件物理、大规模集成电路制造工艺开课单位:电子信息学院课程负责人:王明湘大纲执笔人:张冬利大纲审核人:王明湘一、课程性质和教学目标课程性质:《半导体物理与固体物理基础》课程是微电子科学与技术的一门专业必修课,也是本专业的必修主干课程,是半导体器件物理、大规模集成电路制造工艺等课程的前导课程。

课程旨在使学生掌握半导体物理中的涉及的各种物理机制和基本概念,为分析半导体器件的工作原理打好基础。

教学目标:本课程的教学目的是使学生掌握半导体材料常见特性的物理机制以及基本半导体器件的工作原理。

通过本课程的学习,要求学生能掌握半导体的导电机制、掺杂原理、载流子统计分布、非平衡载流子的概念等,能运用这些理论来分析p-n结、金半接触、 MIS、异质结等基本半导体器件结构的应用原理。

本课程的具体教学目标如下:1、理解固体分类、晶体结构、共价键等基本概念。

【1.3】2、掌握载流子、能带、费米能级等物理概念以及各种载流子输运机制。

【1.3】3、能够根据所学知识计算载流子浓度、费米能级位置以及载流子分布。

【2.1】4、能够利用所学知识解释简单半导体器件的工作原理。

【2.1】5、能够对半导体器件进行测量和参数提取,并对非理想因素进行分析解释。

【4.1】二、课程目标与毕业要求的对应关系三、课程教学内容及学时分配(重点内容:★;难点内容:∆)第一章固体物理预备知识课时:2周,共6课时教学内容第一节半导体的特性及分类(支撑课程目标1)一、什么是半导体★按照电阻率划分二、半导体的基本特性及分类掺杂敏感性,光敏,热敏三、常见的半导体材料元素半导体,化合物半导体第二节半导体科学发展史(支撑课程目标1)一、按年代的发展历程二、与其他学科的关系量子力学,统计物理,固体物理第三节晶体学常识(支撑课程目标1)一、基本晶体结构★SC,FCC,BCC等二、晶格★晶列,晶向,晶面,密勒指数,三、晶体结构类型★基元,点阵,原胞,单胞,简单晶格,复式晶格四、倒格子倒格矢思考题:1、试证体心立方点阵和面心立方点阵互为正倒点阵。

固半思考题

固半思考题

固体物理思考题1. 什么是布拉菲格子?格点周围排列情况相同的格子叫布拉菲格子(抽象出来的几何结构)书本定义:如果晶体由一种原子组成,且基元中仅包含一个原子,则形成的晶格叫简单格子,或布拉菲格子2. 布拉菲格子与晶体结构之间的关系?布拉菲格子(14种)+基元=晶体结构3. 什么是复式格子?复式格子是怎么构成的?复式格子是由两个或两个以上相同的布拉菲格子以确定的方位套构而成4.原胞和晶胞是怎样选取的?它们各自有什么特点?原胞:体积最小的周期性平行六面体单元,选取不唯一(周期性,体积最小,只含一个格点,格点在顶角)晶胞:同时考虑周期性与对称性两个因素选取的重复单元,一般选在晶轴上(周期性,对称性,不止一个格点,格点除顶角外,还可能在面心,体心,底心)5.如何在复式格子中找到布拉菲格子?找等同的原子(周围情况相同的点)6.复式格子是如何选取原胞和晶胞的?找出布拉菲格子----在布拉菲格子中选取原胞和晶胞7.金刚石结构是怎样构成的?金刚石是由C原子组成的,由两个相同的面心立方沿立方体的体1套构而成对角线位移48.氯化钠、氯化铯的布拉菲格子是什么结构?面心立方;简单立方(针对布拉菲格子而言)9.密堆积有几种密积结构?它们是布拉菲格子还是复式格子?两种:密积六方和密积立方;复式格子10.8种独立的基本对称操作是什么?旋转对称:C1 C2 C3 C4 C6 ;反映: ;倒反:i;4度象转:S411.7大晶系是什么?三方四方六方立方正交单斜三斜12.怎样确定晶向指数和晶面指数?晶列在三个基矢方向上的分量化为互质整数[晶向指数] ;晶面在三个基矢方向上的截距取倒化为互质整数(晶面指数)13.晶面指数与晶面在三坐标轴上的截距之间的关系?互为倒数14.通过原点的晶面如何求出其晶面指数?平移坐标轴或晶面15.倒格子的定义?正倒格子之间的关系?倒格子就是一些周期分布点子所组成的格子,以一定的对应关系与晶格相联系,它是波矢(k)空间的数学表示正格子与倒格子互为傅里叶变换16.一维单原子晶格的色散关系?色散关系周期性的物理意义?色散关系:)21sin()21sin(2max qa qa m ωβω==(波矢q 为横轴,角频率ω为纵轴))2()(a q q πωω+= 意义:原子分布的离散性与周期性17.一维双原子晶格的色散关系? [][]⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧++-+=++++=+)2cos(2)()2cos(2)(222_222qa Mm m M m M Mm qa Mm m M m M Mm βωβω声学支:光学支: 18.同一原胞内两种原子有什么振动特点?长波极限(q 在布区中心)短波极限(q 在布区边界)声学波:同向质心振动(原子运动一致);轻原子不动,重原子动 光学波:反向质心不动(原子运动相反);轻原子动,重原子不动19.晶格振动的波矢数、格波支数及格波数是如何确定的? N (原胞数) n (一个原胞中的原子数)每支格波包含的格波数=原胞数=波矢数=N格波支数=每个原胞中原子的自由度总数=3n (三维)格波数=原子的自由度总数=3Nn (三维)20.声子这个概念是怎样引出的?它是怎样描述晶格振动的? 描述晶格振动能量时引出的(声子是晶格振动中的简谐振子);它是晶格振动中能量变化的最小单位(总能量为l Nn l l n E ω ∑=+=31)21()21.驻波边界条件与行波边界条件下的状态密度分别怎么表示?驻波:1-)(L π(一维);2-)(L π(二维);3-)(Lπ(三维);行波:12-)(L π(一维);22-)(L π(二维);32-)(Lπ(三维) 22.一维、二维、三维晶格的能级密度如何求出?一维:dk L2221⨯⨯-)(π 二维:kdk Lππ2222⨯⨯-)( 三维:dk k L23422ππ⨯⨯-)( 23.布洛赫定理的内容是什么?①描述在周期势场中运动电子的波函数(布洛赫电子) ②⎪⎩⎪⎨⎧+==)()()()(l k k kr i k k R r u r u e r u r ψ ③r k i e 描述电子在晶体中的共有化运动 ④)(r u k 描述电子在原胞中的运动24.禁带出现的位置和禁带宽度与什么有关?(能量不连续产生禁带,导致能带出现)禁带出现的位置:an k π=(与晶体结构有关) 禁带宽度:n n V E E E 2=-=∆-+(与周期势场有关)25.每个能带能容纳的电子数与什么有关?原胞数;考虑自旋,每个能带能容纳的电子数是原胞数的两倍26.如何运用紧束缚近似下得出的能量公式?∑---=mk i m e E E ργα027.布洛赫电子的速度和有效质量公式?⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧∂∂=∂∂=-2221*11k Em k E ν28.有效质量为负值的含义? 在能带底附近022≥∂∂kE ,电子的有效质量为正,在能带顶附近022≤∂∂kE ,电子的有效质量为负,因为有效质量概括了晶体内部势场的作用,外力作用不足以补偿内部势场的作用时,电子的真实动量是下降的,所以有效质量是负的29.绝缘体、半导体、导体的能带结构及电子填充情况有什么不同?看最高能带的填充情况;导体没填满包含本身未满和能带有交叠两种情况T=0时,半导体与绝缘体最高能带都填满了,温度升高,半导体禁带宽度减小,有电子跃迁32.空穴的定义和性质?空穴:满带或价带中的空状态半导体物理思考题1.半导体呈本征型的条件?高纯无缺陷或是高温下的杂质半导体2.什么是非简并半导体?什么是简并半导体?服从玻尔兹曼分布(T K E E B F 远大于-)的半导体是非简并半导体,服从费米分布的半导体是简并半导体3.n 型和p 型半导体在平衡状态下的载流子浓度公式? n 型: ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--=T K E E C B F C e N n 0 p 型:⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--=T K E E V B V F e N p 04.非简并半导体的费米能级随温度和杂质浓度的变化?P3275. 半导体在室温全电离下的电中性条件?n 型:D N n =0(施主浓度) p 型:A N p =0(受主浓度)6. 简并半导体形成杂质能带,能带结构有什么变化? 杂质电离能减小,禁带宽度变窄7.散射的原因是什么?周期势场遭到破坏;原因:一是热运动,二是杂质原子的存在或是原子本身几何排列上的缺陷8.载流子的迁移率和电导率公式?迁移率:*nn n m q τμ=, *p p p m q τμ= 电导率:n n nq μσ=, p p pq μσ=9.什么是准费米能级?P352准费米能级是在非平衡状态下,导带和价带的局部费米能级10.多子的准费米能级偏离平衡费米能级与少子的偏离有什么不同?多子偏离小,少子偏离大11. 爱因斯坦关系式?表明了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系; 关系式:q T K D B n n=μ, q T K D B p p =μ 12.什么是p-n 结的空间电荷区?自建场是怎样建立起来的?P37013.平衡P-N 结和非平衡P-N 结的能带图?P371 P376 P37714. 雪崩击穿和隧道击穿的机理?雪崩击穿:碰撞电离引起载流子倍增隧道击穿:隧道效应15.什么是功函数?什么是电子亲和能?P388功函数:费米能级上的电子逸出体外所作的功⎩⎨⎧+=-=-=n s F s mF m E X E E W E E W )()(00半导体体内:金属体内: ;电子亲和能:半导体导带底的电子跃迁到体外的最小能量 C E E X -=016.金属-半导体接触的四种类型?n 型阻挡层,n 型反阻挡层,p 型阻挡层,p 型反阻挡层17.在考虑表面态的情况下,怎样形成欧姆接触?高掺杂的半导体与金属接触。

固体与半导体物理教学大纲

固体与半导体物理教学大纲

《固体与半导体物理》课程教学大纲【课程编号】【课程类别】专业核心课【学分数】 4 【适用专业】电子科学与技术【学时数】64 【编写日期】2013年10月一、课程教学目标本课程系统讲述半导体物理的基础理论、概念和方法及其应用,内容主要涵盖了与硅集成电路技术相关的半导体材料和器件物理基础及其应用,包括:半导体的基本性质、平衡态半导体的物理基础、非平衡半导体中载流子的运动规律、半导体pn结、金属/半导体接触与异质结、半导体MIS 结构、半导体的光学性质及霍耳效应等。

通过本课程的学习,为半导体器件原理、光电子器件、半导体集成电路等后续课程的学习奠定必要的理论基础。

二、课程重点难点与解决办法课程重点:(1)半导体中的电子运动、有效质量;(2)半导体中的杂质类型及形成;(3)状态密度的概念,费米能级和载流子的统计分布;(4)电导率与迁移率的关系;(5)非平衡载流子的产生、复合及动态过程;(6)pn结理论;(7)金属半导体接触及其能级图;(8)表面态及表面电场效应;(9)半导体异质结的概念;(10)霍耳效应的概念。

课程难点:纯粹的数学推导很多,物理概念复杂抽象,要求学生数学基础较好,逻辑思维和抽象思维能力较强。

包括如下的难点:(1)半导体中的杂质能级; (2)迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻率及其杂质浓度和温度的关系;(3)准费米能级,复合理论,载流子的扩散运动及爱因斯坦关系,连续性方程; (4)金属半导体接触整流理论; (5)半导体异质pn结能带图及电流电压特性;(6)pn 结的光生伏特效应及半导体霍耳效应。

解决办法:立足于透彻的理论推导,但不拘泥于推导,着力建立物理图像概念,在合适的地方结合器件原理分析,使学生理解固体与半导体物理在实际中的运用,并牢记某些关键结论。

三、整体学时分配章节序号章节名称理论学时实验学时1半导体中的电子状态42半导体中的杂质和缺陷43半导体中载流子的统计44半导体的导电性45非平衡载流子46pn结67金属和半导体的接触68半导体表面与MIS89半导体异质结构810 半导体的光学性质 411 热电性质412 磁和压阻效应 413 非晶态半导体 214 总结与复习 2合计640四、课程内容安排(一)半导体中的电子状态主要内容:1. 半导体的晶格结构和结合性质2. 半导体中的电子状态和能带3. 半导体中电子的运动4. 本征半导体的导电机构5. 回旋共振6. 硅和锗的能带结构7. III-V族化合物半导体的能带结构8. II-VI族化合物半导体的能带结构9. Si1-xGex合金的能带10. 宽禁带半导体材料教学要求:将固体物理的晶体结构和能带论的知识应用到半导体中,以深入了解半导体中的电子状态;明确回旋共振实验的目的、意义和原理,进而了解主要半导体材料的能带结构。

高二物理课《固体》优秀教案

高二物理课《固体》优秀教案

高二物理课《固体》优秀教案一、教学内容本节课选自人教版高中物理选修33第二章《固体》,内容包括:2.1固体的基本概念;2.2固体的微观结构;2.3固体的物理性质。

通过本节课的学习,让学生了解固体的基本特点,掌握固体的微观结构和物理性质,为后续学习固体物理打下基础。

二、教学目标1. 知识与技能:了解固体的基本概念,掌握晶体的微观结构及其对固体性质的影响,理解固体的物理性质。

2. 过程与方法:培养学生运用物理知识分析问题的能力,通过实例分析,使学生了解固体物理在实际生活中的应用。

3. 情感态度与价值观:激发学生对固体物理的兴趣,培养学生对物理现象的好奇心,提高学生的科学素养。

三、教学难点与重点教学难点:固体的微观结构,晶体的物理性质。

教学重点:固体的基本概念,晶体与非晶体的区别,固体的物理性质。

四、教具与学具准备1. 教具:多媒体课件,晶体模型,非晶体样品。

2. 学具:笔记本,教材,铅笔。

五、教学过程1. 导入:通过展示晶体和非晶体的图片,引导学生思考两者的区别,激发学生的学习兴趣。

2. 新课导入:介绍固体的基本概念,晶体和非晶体的区别,引导学生了解固体的微观结构。

3. 知识讲解:a. 固体的基本概念:固体是物质的一种状态,具有固定的形状和体积。

b. 晶体与非晶体的区别:晶体具有有序的微观结构,非晶体无序。

c. 固体的物理性质:晶体具有各向异性,非晶体具有各向同性。

4. 实践情景引入:展示晶体的物理性质,如导电性、导热性等,让学生了解固体物理性质在实际生活中的应用。

5. 例题讲解:讲解晶体物理性质的相关例题,帮助学生巩固所学知识。

6. 随堂练习:布置相关练习题,让学生及时巩固所学知识。

六、板书设计1. 固体的基本概念2. 晶体与非晶体的区别3. 固体的物理性质4. 晶体物理性质的应用七、作业设计1. 作业题目:a. 解释晶体和非晶体的区别。

b. 列举三种固体的物理性质,并说明其在实际生活中的应用。

2. 答案:八、课后反思及拓展延伸1. 课后反思:本节课学生对固体的基本概念和物理性质掌握较好,但在分析实际问题中的应用时,部分学生还存在困难,需要在今后的教学中加强这方面的训练。

《半导体物理》教案

《半导体物理》教案

《半导体物理》教案第一章 半导体中的电子状态§1.1 晶体结构预备知识,半导体晶体结构本节内容:1.晶体结构的描述(有关的名词)格点:空间(一维或多维)点阵中的点(结点)晶列:通过任意;两格点所作的(晶列上有一系列格点)晶向:在坐标系中晶列的方向(确定晶向的方法待定)用晶向指数表示;如[110]。

晶面:通过格点作的平面。

一组平行的晶面是等效的,其中任意两晶面上的格点排列是相同的,且面间距相等。

晶面用晶面指数(密勒指数)表示,如(111),(100)……反映晶体周期性的重复单元,有两种选取方法:在固体物理学中——选取周期最小的重复单元,即原胞。

在晶体学中——由对称性取选最小的重复单元,即晶胞(单胞)基矢:确定原胞(晶胞)大小的矢量。

原胞(晶胞)以基矢为周期排列,因此,基矢的大小又成为晶格常数。

晶轴:以(布拉菲)原胞(或晶胞)的基矢为坐标轴——晶轴格矢:在固体物理学中,选某一格点为原点O ,任一格点A 的格矢A R =1l 1a +2l 2a +3l 3a ,1l 、2l 、3l 为晶轴上的投影,取整数,1a 、2a 、3a 为晶轴上的单位矢量。

在结晶学中(用的较多),选某一格点为原点O ,任一格点A 的格矢A R =1l a +2l b +3l c ,1l 、2l 、3l 为对应晶轴上的投影,取有理数,a 、b 、c 为晶轴上的单位矢量。

晶列指数及晶向:格矢在相应晶轴上投影的称作晶列指数,并用以表示晶向,即格矢所在的晶列方向。

固体物理学中,表示为[1l 2l 3l ],投影为负值时,l 的数字上部冠负号。

等效晶向用< >表示。

晶面:通过格点作的平面,用晶面指数表示。

晶面指数:表示晶面的一组数。

晶向与晶面的关系:在正交坐标系中,晶面指数与晶面指数相同时,晶向垂直于晶面。

2.几种晶格结构结晶学晶胞:1) 简立方:立方体的八个顶角各有一个原子。

2) 体心立方:简立方的中心加进一个原子。

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固体与半导体物理思
考题
光电信息学院“固体电子学”思考题
1.什么是布拉菲格子?
基元仅包含一个原子,则形成的晶格为布拉菲格子
2.布拉菲格子与晶体结构之间的关系.
布拉菲格子是一种数学抽象,它和晶体的几何结构密切相关。

有了布拉菲格子,在格点上加上基元,就构成了晶体结构。

有了晶体结构,把所有的基元抽象为格点,就得到了布拉菲格子。

1.什么是复式格子?复式格子是怎么构成的?
基元包含两个或两个以上的原子,则形成的晶格为复式格子。

复式格子是由布拉菲格子套构而成的。

2.原胞和晶胞是怎样选取的?它们各自有什么特点?
以一格点为原点,取三个平移矢量,由这三个平移矢量构成的体积最小的周期性平行六面体单元称为原胞。

(原胞的选取不是唯一的,但体积是一样的;原胞是体积最小的周期性重复单元;原胞的格点必须是顶点,原胞只包含一个格点。


同时考虑晶格周期性和对称性的重复单元称为晶胞。

晶胞的基矢一般选择在一些重要的对称轴上。

3.如何在复式格子中找到布拉菲格子?复式格子是如何选取原胞和晶胞的?
布拉菲格子的基元只有一个原子,且原子是等价的。

找到布拉菲格子,我们需要找到周期性排列的等价原子,这些不同的原子构成复式格子。

先选取出布拉菲格子,在选取出原胞和晶胞
4.金刚石结构是怎样构成的?
虽然由单一C原子构成,但是该结构为复式格子
每个基元包含两个C原子,这两个C原子都构成面心立方
该结构是两个面心立方沿着体对角线方向位移1/4套构而成
5.氯化钠、氯化铯的布拉菲格子是什么结构?
钠离子和氯离子分别组成相同的面心立方,是两个面心立方沿基矢方向相互位移1/2套构而成
铯离子和氯离子分别组成相同的简单立方,铯离子和氯离子分别组成相同的简单立方
6.密堆积有几种密积结构?它们是布拉菲格子还是复式格子?
立方密堆积,布拉菲格子
六方密堆积,复式格子
7.8种独立的基本对称操作是什么?
C1、C2、C3、C4、C6、σ、i、S4
8.7大晶系是什么?
9.怎样确定晶列指数和晶面指数?
计算(过原点VS不过原点)
10.晶面指数与晶面在三坐标轴上的截距之间的关系?
待定晶面在三个晶轴上的截距的倒数之比就是晶面指数之比
11.通过原点的晶面如何求出其晶面指数?
做过原点的晶面的的平行面,使其不过原点,求该平面的晶面指数
12.倒格子的定义?正倒格子之间的关系?
倒格子是描述晶体结构周期性的另一种类型格子,它是在波矢空间的数学描述。

关系见书257页
13.一维单原子晶格的色散关系?色散关系周期性的物理意义?
见书266,267页
14.一维双原子晶格的色散关系?
见书269页
15.同一原胞内两种原子有什么振动特点?
见书270,271页
16.晶格振动的波矢数、格波支数及格波数是如何确定的?
见书273页,原胞数N对应每只格波的格波数(波矢个数),nk对应格波支数,Nnk对应总的格波数。

(k支频率最低的格波为声学波,其余为光学波)
17. 声子这个概念是怎样引出的?它是怎样描述晶格振动的?
当振动微弱时,格波的模式是独立的。

波恩-卡门周期边界条件使得独立的模式是分立的,因此可以用独立的简谐振子的振动来表示格波的独立模式,声子就是晶格振动中的简谐振子,这就是声子的由来。

处于振动状态ωq 的晶体中所有原子参与的格波之能量看成是频率ωq 的声子能量,10,1,2...2q q q
n n εωω=⋅+=h h 18. 驻波边界条件与行波边界条件下的状态密度分别怎么表示?
3()L π-、32()L
π- 19. 一维、二维、三维晶格的能级密度如何求出?
11222()()L Z E m E π
-=h 22()L m Z E π=h 3122222()()2V m Z E E π=
h 20. 在什么情况下电子的费米统计可用玻尔兹曼分布来描述?
当F B E E K T ->>时,()1f E <<,能级上电子占据几率很少。

两个电子或更多电子占据同一个能级的几率就更少,取消费米的限制。

因此这时就可以使用玻尔兹曼分布。

21. 布洛赫定理的内容是什么?
布洛赫定理是电子在周期势场中运动的电子的一个共同波函数形式
22. 布洛赫波函数的形式
()()exp()r u r ik r ψ=⋅v v v v
布洛赫电子的波函数可以看成一个调幅平面波。

其中平面波因子(指数项)可以理解为电子在晶体中的共有化运动;调幅波因子(u)则反映周期势场(原胞中)的作用。

23.
禁带出现的位置和禁带宽度与什么有关? 当波矢处于布区边缘时,能量不连续,产生禁带。

24. 每个能带能容纳的电子数与什么有关?
原胞个数为N ,则每个能带能容纳2N 个电子
25. 如何运用紧束缚近似下得出的能量公式?
0exp()
m m E E ik αγρ=---⋅∑v r
26. 布洛赫电子的速度和有效质量公式?
1()1()k k E k v E k k k ω∂∂===∇∂∂r v v v v v h h ,
2*1221x E m k -∂=∂h
27.有效质量为负值的含义?
电子的有效质量为负值时表示外力作用不足以补偿内部势场的作用,真实动量下降
28.绝缘体、半导体、导体的能带结构及电子填充情况有什么不同?
绝缘体,满带+很宽的禁带+空带
半导体,满带+较窄的禁带+空带
导体,存在不满的能带
29.空穴的定义和性质?
如果一个能带中除了K 态之外,其余各态都被电子所填满,该状态我们可以视之为一个空穴。

30.半导体呈本征型的条件?
无杂质,无缺陷,晶格完整,周期场未被破坏
31.什么是非简并半导体?什么是简并半导体?
非简并半导体,轻掺杂,载流子浓度很少,空穴、电子服从玻尔兹曼分布,费米能级处于禁带间的半导体
简并半导体,重掺杂,载流子浓度高,空穴、电子服从费米分布,费米能级接近非常靠近或进入导带或价带的半导体
32.N 型和P 型半导体在平衡状态下的载流子浓度公式?
0exp C
F C B E E n N k T ⎛⎫-=- ⎪⎝⎭,*3/222()2n B C m k T N π=h
0exp F V V B E E p N k T ⎛⎫-=- ⎪⎝⎭,*3/222()2p B
V m k T N π=h
33.非简并半导体的费米能级随温度和杂质浓度的变化?
34. 半导体在室温全电离下的电中性条件?
n 型0D n N =,p 型0p N A =,
施受同掺00p (),n ()A D A D D A D A N N N N N N N N =->=->
35. 由于简并半导体形成杂质能带,能带结构有什么变化?
与非简并状态相比,简并状态下,由于重掺杂,杂质原子之间的电子共有化程度加强,使得孤立的杂质能级扩展成连续的杂质能带;
简并状态下,杂质能带的出现有可能与导带或价带重叠,改变原有的能带结构,使得禁带宽度变窄
36.散射的原因是什么? 势场的周期性遭到了破坏,电子运动就会遭受散射
37.载流子的迁移率和电导率公式?
*n n n q m τμ=
*p p p q m τμ= 38.什么是准费米能级?
非平衡时,电子和空穴的费米能级不再统一。

分别引入导带、价带费米能级,称为准费米能级。

39.多子的准费米能级偏离平衡费米能级与少子的偏离有什么不同?
在非平衡态下,往往多子的准费米能级偏离平衡费米能级的距离不多;而少子的准费米能级偏离平衡费米能级的距离很大,有非常明显的区分
40. 爱因斯坦关系式?
n B
n D K T q μ= p
B p D K T q μ=
41.什么是P-N 结的空间电荷区?自建场是怎样建立起来的?
n区和p区交界面的两侧形成的带正、负电的区域,叫做空间电荷区
p-n结为非均匀半导体,载流子浓度不均匀将引入扩散运动。

p区空穴向n区扩散,在p区就剩下带负电的电离受主;n区电子向p区扩散,在n区剩下带正电的电流施主,这样就会在P,N区两侧形成空间电荷区。

42.平衡P-N结和非平衡P-N结的能带图?
43.什么是功函数?什么是电子亲和能?
电子从费米能级跃迁到真空能级所需要的能量为功函数。

电子从半导体导带底跃迁到真空能级所需要的最小能量。

44.金属-半导体接触的四种类型?
P型N型
Wm>Ws 反阻挡层阻挡层
Wm<Ws 阻挡层反阻挡层
45.金属-半导体整流接触特性的定性解释?
46.在考虑表面态的情况下,怎样形成欧姆接触?
高掺杂半导体与金属接触。

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