模拟电子技术基础第二章练习题

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模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术

第1章半导体二极管及其基本应用

1．1 填空题

1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。

1．2 单选题

1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。

A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子

3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小 B．基本不变 C．增大

4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。

A．增大 B．基本不变 C．减小

5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、

A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器

1．3 是非题

1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ )

2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )

（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案

（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案

电⼦技术课程组

2018.8.15

⽬录

第1章习题及答案 (1)

第2章习题及答案 (14)

第3章习题及答案 (36)

第4章习题及答案 (45)

第5章习题及答案 (55)

第6章习题及答案 (70)

第7章习题及答案 (86)

第8章习题及答案 (104)

第9章习题及答案 (117)

第10章习题及答案 (133)

模拟电⼦技术试卷1 (146)

模拟电⼦技术试卷2 (152)

模拟电⼦技术试卷3 (158)

第1章习题及答案

1.1选择合适答案填⼊空内。

（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。

A. 五价

B. 四价

C. 三价

（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。

A. 增⼤

B. 不变

C. 减⼩

（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。

A. 正向导通

B.反向截⽌

C.反向击穿

解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C

1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。

（1）（2）（3）

图P1.2.1

解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V

1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）

图P1.2.2

解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V

1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

模拟电子技术基础课后习题答案

第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)(总13页)

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第2章半导体三极管及其基本放大电路

一、填空题

2．1 BJT 用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置；而工作在饱和区时，发射结处于偏置，集电结处于偏置。

2．2 温度升高时，BJT 的电流放大系数β ，反向饱和电流

CBO I ，发射结电压BE U 。

2．3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，O B O A U U =；都接人负载L R 电阻时，测得O B O A U U 〈，由此说明，电路A 的输出电阻比电路B 的输出电阻。

2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用

组态；若希望带负载能力强，应选用组态；若希望从信号源索取电流小，应选用组态；若希望高频性能好，应选用组态。

2．5 FET 是通过改变来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是一个器件。

2．6 FET 工作在可变电阻区时，D i 与D S u 基本上是关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的。

2．7 FET 的自偏压电路只适用于构成的放大电路；分压式自偏

压电路中的栅极电阻S R 一般阻值很大，这是为了。

二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)

2．8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．高，b 1．低，c 1．一般)；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2．高，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度

模拟电子技术第2单元练习题

曾令琴

一、填空题

1.小信号放大电路正常放大时，核心元件晶体管的发射结应正偏，集成结应反偏。

2.某小信号放大电路正常工作时，测出其晶体管的三个管脚对地电位分别为①端1.5V；

②端4V；③端3.3。则判断端子①是集电极；端子②是发射极；端子③是基极。该晶体管的类型是PNP硅管。

3.小信号放大电路中，输入电阻最小的是共基组态放大电路；最大的是共集电组态的放大电路；输出电阻最小的是共集电组态的放大电路；只有电压放大而电流不放大的是共基组态的放大电路；只有电流放大作用没有电压放大的是共集电组态的放大电路；高频性能最好的电路是共基组态的放大电路；输入电压与输出电压反相的是共射组态的放大电路。

4.NPN晶体管用于放大时，集电极电位最高，基极电位次之，发射极电位最低；PNP晶体管用于放大时，发射极电位最高，基极电位次之，集电极电位最低。

5.微变等效电路法只能用来分析小信号放大电路的交流通道，不能分析直流通道。确定放大电路的静态工作点时，可采用估算法和图解法。

6.采用直接耦合方式的多级放大电路，低频性能好，高频性能差。

7.对不同频率的信号其放大能力不同、相移能力存在差异，称为放大电路的频率特性。幅频率特性中的高频段，放大倍数下降的主要原因是极间分布电容的影响；幅频特性中的低频段，放大倍数下降的主要原因是耦合电容及旁路滤波电容的影响。

8.某小信号放大电路，下限截止频率f L=60Hz，上限截止频率f H=60kHz，中频电压放大倍数A un=100。当输入信号频率f=30kHz时，放大倍数为100；电路通频带BW= 59940Hz。

模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路

在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路

C.共集放大电路

D.不能确定

在基本共射放大电路中，负载电阻R

L 减小时，输出电阻R

将[ ]

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定

在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]

A.共射放大电路

B.共基放大电路

C.共集放大电路

D.不能确定

在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。

A 共射电路

B 共基电路

C 共集电路

D 共射-共基电路

在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]

A.共射放大电路

B.共基放大电路

C.共集放大电路

D.不能确定

在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]

A.饱和失真

B.截止失真

C.交越失真

D.频率失真

以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路

C．共射电路 D．共集电路

晶体三极管的关系式i

E =f(u

)|u

代表三极管的

A.共射极输入特性

B.共射极输出特性

C.共基极输入特性

D.共基极输出特性

对于图所示的复合管，穿透电流为（设I

CEO1、I

CEO2

分别表示T

、T

管的穿透电

流）

A.I

CEO = I

CEO2

CEO

B.I

CEO =I

CEO1

CEO2

C.I

CEO =（1+

）I

CEO1

CEO2

D.I

CEO =I

CEO1

图 [ ]

在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版_(第二章的课后习题答案)

习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。

答：(a)无放大作用（发射结反偏）；

(b)不能正常放大（发射结无直流偏置）；

(c)无放大作用（集电结无直流偏置）；

(d)无放大作用（发射结无直流偏置）；

(e)有放大作用（是射极跟随器）；

(f)无放大作用（输出交流接地）；

(g)无放大作用（输入交流接地）；

(h)不能正常放大（栅极无直流偏置）；

(i)无放大作用（电源极性接反）；

习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。①增大R b ；②增大V CC ；③增大β。

答：①增大R b ，则I BQ 减少，I CQ 减少，U CE Q 增大。

②增大V CC ，则I BQ 增大，I CQ 增大，U CE Q 不确定。③增大β，则I BQ 基本不变，I CQ 增大，U CE Q 减少。

(b)

解：①可先用近似估算法求I BQ

100.70.0220510

C C B E Q

V U m A A

R μ--=

=≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1

静态工作点Q 点处，0.5,

U V I ≈≈Q 1

Q 2

Q 1

Q 2

因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3

放大电路如图P2-7(a)所示，试按照给定参数，P2-7(b)中：

①画出直流负载线；

(b)

P2-7

(b)

m A

的一条水平线， 2.6

模拟电子技术基础简明教程第三版课后练习题含答案

第一章电子元件

选择题

1.在下列元器件中，最早被发明的是（）。

A. 电容器

B. 电感器

C. 晶体管

D. 电阻器

答案：B

2.电子元器件中的电容器，按其结构可分为（）。

A. 稳电容和电解电容

B. 变电容和稳电容

C. 活电容和稳电容

D. 电解电容

和金属电容

答案：D

3.直流电阻通常用（）表示。

A. R

B. L

C. C

D. F

答案：A

填空题

1.何为有源元件？有什么作用？

答：具有放大作用的电子元器件称为有源元件。有源元件可以实现信号的放大、变化、增强等功能。

2.何为稳压电源？

答：稳压电源是一种能输出稳定电压的电源。稳压电源可以在电压波动或负载

变化时，自动调节输出电压，保证稳定不变。

3.何为金属电阻？

答：金属电阻是应用金属材料制成的电子元器件。金属电阻通过电阻值大小表

示电流经过它时所受到的阻力。

计算题

1.某稳压电源额定输出电压为12V，输出电流为5A，直流输入电压为

220V，输入电流为2A。求稳压电源的效率。（效率定义为输出电功率与输

入电功率之比）

答：输入电功率为220×2=440W，输出电功率为12×5=60W。稳压电源的效率

为60/440×100%=13.6%。

2.已知电路中串联的两个电阻R1=100Ω，R2=200Ω，电源电压为12V，

求电路中的电流大小和总电阻。（请使用以下两个公式：电阻的串联公式：

R=R1+R2；串联电路中电流大小公式：I=U/R）

答：总电阻为R=100+200=300Ω，电流大小为I=12/300=0.04A。

简答题

1.稳定电源的分类及其优缺点

模拟电子技术基础第二章练习题

模拟电⼦技术基础第⼆章练习题

注意：答案仅供参考！⼀、填空题

1. 半导体三极管属于电流控制器件，⽽场效应管属于电压控制器件。

2. 放⼤器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和⾮线性失真。

3. 共射极放⼤电路中三极管集电极静态电流增⼤时，其电压增益将变⼤；若负载电阻R L 变⼩时，其电压增益将变⼩。

4. 单级共射极放⼤电路产⽣截⽌失真的原因是静态Ic 偏⼩；产⽣饱和失真的原因是 Ic 偏⼤；若两种失真同时产⽣，其原因是输⼊信号太⼤。

5.静态⼯作点Q 点⼀般选择在交流负载线的中央。

6.静态⼯作点Q 点选得过低会导致截⽌失真；Q 点选得过⾼会导致饱和失真。

7.对于下图所⽰电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =，V CE （sat ）=,当β=50，静态电流I BQ = 22µA ，I CQ = ，管压降V CEQ = ；若换上⼀个当β=80，静态电流I BQ = 22µA ，I CQ = ，管压降V CEQ = ，三级管⼯作在饱和状态。

8.对于下图所⽰电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = k Ω，R C = 4 k Ω。

9.对于下图所⽰电路，已知V

CC =12V，R

=27 kΩ，R

=2 kΩ,R

=1 kΩ,V

=,现要

求静态电流I

CQ =3mA，则R

= 12 kΩ。

10.已知图⽰的放⼤电路中的三级管β=40，V

BE =，稳压管的稳定电压V

模拟电子技术基础习题(全集)

模拟电子技术基础习题

第一章半导体二极管及其应用电路第二章半导体三极管及其放大电路第三章场效应晶体管及其放大电路第四章集成运算放大器

第六章运放应用电路

第七章功率放大电路

第八章波形发生和变换电路第九章直流稳压电源

第五章负反馈放大电路第十章晶闸管及其应用

第十一章～第二十一章应用篇

第一章半导体二极管及其应用电路

一、填空：

1．半导体是导电能力介于_______

和_______之间的物质。

2．利用半导体的_______

特性，制成杂质半导体；利用半导体的_______

特性,制成光敏电阻，利用半导体的_______

特性,制成热敏电阻。3．PN 结加正向电压时_______

，加反向电压时_______，这种特性称为PN 结的_______ 特性。

4．PN 结正向偏置时P 区的电位_______N 区的电位。

导体绝缘体掺杂光敏热敏单向导电截止高于导通

5．二极管正向导通的最小电压称为______

电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______

电压.6．二极管最主要的特性是，使用时应考虑的两个主要参数是和_。

7．在常温下，硅二极管的死区电压约_______V ，

导通后在较大电流下的正向压降约_______V 。

死区单向导电击穿最大整流电流最大反向工作电压0.50.7

8．在常温下，锗二极管的死区电压约为_______V ，导

通后在较大电流的正向压降约为_______V 。

9．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的_______性能越好。

10．稳压管工作在伏安特性的________

模拟电子技术基础习题答案

止，uo= ui；当 ui<-3.7V 时，D1 截止，D2 导通，uo=-3.7V；ui 和 uo 的波形如解图 1.3.3 所
示。
1.3.4 电路如图 P1.3.4（a）所示，其输入电压 uI1 和 uI2 的波形如图（b）所示，二极管导通电压 UD＝0.7V。试画出输出电压 uO 的波形，并标出幅值。
第 1 章习题及答案
1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成 N 型半导体，加入元素可形成 P 型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大
B. 不变
2
图 P1.3.4
解：对输入电压 uI1 和 uI2 的进行分情况讨论，共有四种组合，分别进行讨论：（1）ui1=0.3V，ui2=0.3V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1、D2 承受的正向电压不足以导通，所以均截止。此时 uO=0V；（2）ui1=5V，ui2=0.3V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1 承受正向电压导通，导通压降 0.7V，此时 uO=4.3V，且使 D2 管阳极（0.3V）比阴极（4.3V）电位低，D2 承受反向电压而截止，结果是 uO=4.3V；（3）ui1=0.3V，ui2=5V，将两个二极管从电路中断开，可知 D2 承受正向电压导通，导通压降 0.7V，此时 uO=4.3V，且使 D1 管阳极（0.3V）比阴极（4.3V）电位低，D1 承受反向电压而截止，结果是 uO=4.3V；（4）ui1=5V，ui2=5V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1、D2 承受相同的正向电压，均处于导通状态，导通压降 0.7V，此时 uO=4.3V。 uO 的波形如解图 1.3.4 所示。

模拟电子技术习题2及答案

习题2 解答

2.1 选择正确答案填入空内。

（1）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的情况下，测得电路A 的输出电压小。这说明电路A 的（）。

A. 输入电阻大

B. 输入电阻小

C. 输出电阻大

D. 输出电阻小

（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一理想电压源信号进行放大。在连接相同负载的情况下，测得电路A 的输出电压小。这说明电路A 的（）。

A. 输入电阻大

B. 输入电阻小

C. 输出电阻大

D. 输出电阻小

（3）在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB ，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（）倍。

A ．1

B ．10

C ．1.414

D ．0.707

（4）当负载电阻R L = 1k Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻R o 为（）。

A ．0．25 k Ω

B ．0．5 k Ω

C ．1 k Ω

D ．1．5k Ω

==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo L

o OL oo 25.04

)2.01()1(

负载电压

开路电压设：

（5）电路如题图2.1.5所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻R o （）

。 A ．R 1 B ．（1+β）R 1 C ．R 1/ 1+β D ．R 1/ β E ．0

（6）差模输入信号是两个输入端信号的（），共模信号是两个输入端信

第2章模拟电子技术练习题

第二章模拟电子技术练习题

2-1 电路如题2-1图所示，二极管为理想元件，t sin 3u i ω=V ，U=3V ，当ωt = 0 瞬间，输出电压 u O 等于何值？ A ． 0 V B ． 3 V

C ． —3 V

D ． 0.7V

u O

题2-1图

2-1正确答案是A ．

提示：ωt = 0 瞬间u i = 0，二极管D 的阳极为电位最低点，因而此时二极管D 承受反向电压截止，0u u i 0==。

2-2 电路如题2-2图所示，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，则电压u 0等于多少？ A ．U s B ．U S / 2 C ．0V D ．0.7V

u O

题2-2图

2-2正确答案是A ．

提示：二极管承受正向电压而导通，二极管D 为理想元件，所以电阻两端电压应等于电压源电压，即u O = U s 。

2-3 电路如题2-3图所示，D 1，D 2 均为理想二极管，设V 6U 2=， U 1 的值小于 6V ，则U 0 为多大？

A ．+12V

B ．+6V

C ．U 1

D ．U 1 － U 2

题2-3图

2-3正确答案是C ．

提示：D 1，D 2 均承受正向电压而导通，二极管为理想元件。

所以 u O = U 1 。

2-4 在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是哪一个？

2-4提示：其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。

2-5 电路如题2-5图所示，A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少？

A ．0.3V

B ．－2.3V

C ．1.0V

D ．1.3V

模拟电子技术课后习题答案第二章交流放大电路基础答案

习题

2-1 如图2-51所示，判断三极管处于截止、放大还是饱和状态？解：

a 放大状态。

b 饱和状态。

c 截止状态。

d 放大状态。

2-2 在电路中，三极管各管脚对地电位，试分析三极管A 、B 、C 各是什么电极，该管是NPN 还是PNP ，硅管还是锗管？

（1）U A =3.8V ，U B =3.1V ，U C =8V ；（2）U A =7.2V ，U B =7V ，U C =3V 。解：

（1）A 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.7V ，则B 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是NPN 型硅管。

（2）B 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.2V ，则A 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是PNP 型锗管。

2-3 某三极管的极限参数I CM =20mA ，P CM =100mW ，U （BR ）CEO =15V ，试分析下列条件下，三极管能否正常工作？

（1）I C =15m A ，U CE =8V ；（2）I C =19mA ，U CE =3V ；（3）I C =30mA ，U CE =4V 。解：

（1）U CE =8V ＜U （BR ）CEO ，I C =15mA ＜I CM ，P C =U CE I C =120mW ＞P CM ，所以不能正常

工作。

（2）U CE =3V ＜U （BR ）CEO ，I C =19m A ＜I CM ， P C =U CE I C =57mW ＜P CM ，所以能正常工作。

《模拟电子技术》习题答案2

项目一习题参考答案

1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。

2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用gm表示，它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？

解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压UAB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图

解：（a）VD导通，UAB=-6V。

（b）VD截止，UAB=-12 V。

（c）VD1导通，VD2截止，UAB=0 V。

（d）VD1截止， VD2导通，UAB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，ui =6sin t (V)，试画出uO的波形。

图1.53 题7图

解：（a）

（b）

8. 电路如图1.54所示，已知ui=5sin t(V)，二极管导通电压为0.7V。试画出ui与的波形。

解：ui>3.7V时，VD1导通，VD2截止，uo=3.7V；

模拟电子技术基础课后练习答案(国防科技大学出版社)第二章半导体器件习题答案(大题)

习题：

一．填空题

1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。

2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利

用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。

3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导

体。N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。

4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。

5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。

6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。

7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。

8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。

9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。

10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。

11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。

12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是

MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。

13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中

题表2-1

二．选择题

1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于A。

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

Rc
Rb
Rc
所以 ,
Rb 100 时 ,管子饱和。 Rc
补图 P4
第 2 章基本放大电路
自测题
一．在括号内用 “√和”“×表”明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压 ,才称其有放大作用。 ( ×) 2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。 ( √)
其动态电阻 : rD U T / I D 10
故动态电流的有效值： I d U i / rD 1m A
图 P1.4
1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V，正向导通电压为 (1) 若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2) 若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
补充 2.在温度 20oC 时某晶体管的 I CBO 2 A, 试问温度是 60oC 时的 I CBO ？
解 : I C BO 60
4
I C BO 20 2
4
22
32 A 。
补充 3. 有两只晶体管，一只的
β=200 , I C EO 200 A ；另一只的 β=100 ,
I C EO 10 A ，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？
(1)Rb=50k 时， Uo=? (2)若 T 临界饱和，则 Rb= ?
解： (1) I B
V BB U BE Rb

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