模拟电子技术基础第二章练习题
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
七、
1.电容C的位置错，可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路：
微变等效电路：
九、解：
1. 、 、
2.交流负载线：过Q点，与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ；到截止区的最大 。因此这道题要出现失真，应该是饱和失真，答同时出现也可以。
二、选择题
1.B，A，A2.B，A3.A，B，C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是：
观察放大电路的波特图。当 时，若幅频响应曲线在零点以下，则电路稳定；否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入C
(2)为了实现电流-电压转换，应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力，应引入A
(4)为了实现电流放大，应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈？
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈？
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
模拟电子技术基础第二章例题习题
【例2-1】理想二极管电路如例2-1图所示，试判断二极管是导通还是截止？并求输出电压U A0。
解：为了判断二极管在电路中是导通的还是截止，首先假设将二极管断开，确定二极管两端的电位差；然后根据二极管两端加的是正向电压还是反向电压判定二极管是否导通，若二极管两端的电位差为正向电压且大于阈值电压，则二极管导通，若二极管两端的电位差为反向电压，则二极管截止；若电路中出现两个或两个以上二极管，则判断承受正向电压较大的二极管优先导通，再按照上述方法判断其余的二极管是否导通。
本例中，对于例2-1图(a)所示电路, 当二极管D 断开后，V 4)9()5(A B BA =−−−=−=U U U ，所以二极管D 导通，V 5A0−=U 。
对于例2-1图(b) 所示电路, 当二极管1D 、2D 都断开后，V 3)12()9(11B A AB =−−−=−=U U UV 6)15()9(22B A AB =−−−=−=U U U ，由于12AB AB U U >，所以二极管2D 先导通，2D 导通后V 15A0−=U ，这时V 3)12()15(11B A AB −=−−−=−=U U U ，所以二极管1D 最终处于截止状态。
对于例2-1图(c) 所示电路, 当二极管1D 、2D 都断开后，V 3912A B A B 11=−=−=U U U , V 1910A B A B 22=−=−=U U U ，由于A B A B 21U U >，因此，二极管1D 优先导通，1D 导通后，V 12A0=U ，此时，V -21210A B A B 22=−=−=U U U ，所以二极管2D 最终处于截止状态。
5V例2-1图【例2-2】例2-2(a)图所示电路中的二极管是硅管，①若二极管为理想二极管，则流过二极管中的电流是多少？②如果二极管正向导通压降为0.7V ，则流过二极管中的电流又是多少？③若U ＝20V ，且二极管正向导通压降为0.7V ，则流过二极管中的电流又是多少？ 解：由例2-2图(a)所示电路①若二极管为理想二极管，二极管D 因受正向电压而导通，U D ＝0V ，二极管中的电流为 mA 82.1107.461D =×==R U I ②如果二极管正向导通压降为0.7V 先判断二极管是导通还是截止。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路
第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。
（3）PN结的结电容包括和。
（4）晶体管的三个工作区分别是、和。
在放大电路中，晶体管通常工作在区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。
（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。
2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
模拟电子技术模拟考题二及参考答案.doc
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
模拟电子技术基础 王英主编教材 第2章作业参考答案
第2章作业参考答案一、选择题1. B2. B3. B4. B5. A6. C7. C8. D9. A 10. B 13.B 14.B 15.C 19.C 24.A 25.B 26.C 27.C 28.B 29.C二简答与计算题31.解：（1）偏置电流IB=(UCC-UBE)/RB=（12-0.7）/240=0.047 mA集电极电流IC=βIB =40×0.047=1.88 mA集-极电压UCE=UCC-ICRC=12-1.88×3=6.36 V（2）在静态时（ui=0）C1上的电压为0.7V（等于UBE），靠近晶体管基极端为正极；C2上的电压为6.36V（等于UCE），靠近晶体管集电极端为正极（3）若使UCE=3V，则RB =β(UCC-UBE)/(UCC - UCE)=40(12-0.7)/(12-3)=50.2 kΩ若使IC =1.5 mA，则RB=β(UCC-UBE)/ IC=40(12-0.7)/1.5=301.3 KΩ（4）若UCC =10V，UCE =5V，IC=2，β=40，则RC=(UCC - UCE)/ IC=(10-5)/2=2.5 KΩRB=β(UCC-UBE)/ IC=40(10-5)/2=100 KΩ32.解：偏置电流IB=(UCC-UBE)/RB=[-6-(-0.2)]/200=-0.029 mA集电极电流IC=βIB =50×(-0.029)=-1.45 mA集-极电压UCE=UCC-ICRC=-6-(-1.45)×2=-3.1 V33.解：（1）IB= IC/β=1.55/50=0.031 mA，IE =(1+β) IB=(1+50) ×0.031=1.581 mA 由IE =（VB-UBE）/RE 得VB =IE RE+ UBE=1.581×2+0.7=3.862 V由VB = I2 RB2 得RB2 = VB/ I2=3.862/0.31≈12 KΩ（令I2= 10IB）由I2≈UCC/( RB1+RB2) 得RB1≈ UCC/ I2-RB2≈15/0.31-12.45≈36 KΩ（2）因直流通路中电容相当于断路，故RE有或无旁路电容时，静态工作点无变化。
模拟电子技术基础学习指导和习题解答(谢红主编)第二章
第二章思考题与习题解答2-1 判断正确(√)与错误(×)。
电路的静态是指：(1)输入交流信号的幅值不变时的电路状态。
( )(2)输入交流信号的频率不变时的电路状态。
( )(3)输入交流信号且幅值为零时的状态。
( )(4)输入端开路时的状态。
( )(5)输入直流信号时的状态。
( )目的澄清静态的概念。
解(1) ×。
因为这是动态概念。
(2) ×。
理由与(1)相同。
(3) √。
即当i 0U=时的状态，也就是正弦波过零点对应的状态就是静态。
(4) ×。
输入端开路时不能保证i 0U=的条件，可能有干扰信号从输入端窜入，因此不能保证静态。
(5) ×。
这仍然是动态概念。
2-2 试判断图题2-2(a)～(i)所示各电路对交流正弦电压信号能不能进行正常放大，并说明理由。
图题2-2目的 检查放大电路是否能正常放大。
分析 一个能正常工作的放大电路应该同时满足四个原则，缺一不可。
这就是：①e 结正偏，c 结反偏。
由直流电源CC V 与BB V 保证。
②信号能输入。
③信号能输出。
④波形基本不失真。
由合适的工作点保证。
检查一个电路，只要有一个原则不满足就不能正常放大。
解 图(a)不能正常放大。
因为BB V 的极性接反了，使e 结反偏。
图(b)不能放大。
原因是CC V 极性接反了，使c 结正偏。
图(c)不能放大。
因为b R =0，使信号i U 通过短路线以及CC V 对地交流短路，加不到晶体管上，从而o U =0。
图(d)不能放大。
因为e 结处于零偏置。
图(e)能正常工作。
因为四个原则均满足。
图(f)不能放大。
因为电容C 有隔直作用，使BB V 不能在b R 上产生偏置电流，即BQ I =0，工作点不合理。
图(g)不能放大。
因为BB V 将信号i U 对地直接短路，不能输入到晶体管上。
图(h)不能放大。
因为c R =0，信号不能输出。
图(i)能放大。
四个原则均满足。
其中二极管起温度补偿作用。
模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0.1pA 。
（1）当二极管正偏压为0.65V 时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为0.7伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路
在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
模拟电子技术第二章习题解答
模拟电子技术第二章习题解答-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII习题题 2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。
图 P2-1题2-1解 (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求；(b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）；(c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）；(d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）；(e) 有放大作用；(f) 无放大作用，输入信号的负半轴不能加到放大电路中去；(g) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0；(h) 无放大作用，电容Cb使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极；本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。
题 2-2 已知图P2-2(a)中：R b=510kΩ，R c=10kΩ，R L=1.5kΩ，V CC＝10V。
三极管的输出特性如图(b)所示。
①试用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适；②在V CC和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右，可以改变哪些参数如何改法③在V CC和三极管不变的情况下，为了使I CQ=2mA，U CEQ=2V，应改变哪些参数改成什么数值（a ）题2-2解：① 先由估算法算出I BQ CC BEQBQ b100.7mA 0.02mA 20μA 510V U I R --=≈≈= 然后，由式Cc C CC CE i R i V u 1010-=-=，在输出特性曲线上画出直流负载线，其与横、纵两个坐标轴的交点分别未（10V ，0）和（0，1mA ），直流负载线与i B =20uA 的一条输出特性曲线的交点Q1即为静态工作点。
由Q1可得，U CEQ ≈0.5V ，I CQ =0.95mA 。
可见，Q1点靠近饱和区，位置不太合适，容易产生饱和失真。
模拟电子技术课后习题答案第二章交流放大电路基础答案
习题2-1 如图2-51所示，判断三极管处于截止、放大还是饱和状态？ 解：a 放大状态。
b 饱和状态。
c 截止状态。
d 放大状态。
2-2 在电路中，三极管各管脚对地电位，试分析三极管A 、B 、C 各是什么电极，该管是NPN 还是PNP ，硅管还是锗管？（1）U A =3.8V ，U B =3.1V ，U C =8V ； （2）U A =7.2V ，U B =7V ，U C =3V 。
解：（1）A 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.7V ，则B 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是NPN 型硅管。
（2）B 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.2V ，则A 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是PNP 型锗管。
2-3 某三极管的极限参数I CM =20mA ，P CM =100mW ，U （BR ）CEO =15V ，试分析下列条件下，三极管能否正常工作？（1）I C =15m A ，U CE =8V ； （2）I C =19mA ，U CE =3V ； （3）I C =30mA ，U CE =4V 。
解：（1）U CE =8V ＜U （BR ）CEO ，I C =15mA ＜I CM ，P C =U CE I C =120mW ＞P CM ，所以不能正常工作。
（2）U CE =3V ＜U （BR ）CEO ，I C =19m A ＜I CM ， P C =U CE I C =57mW ＜P CM ，所以能正常工作。
（3）U CE =4V ＜U （BR ）CEO ，但I C =30mA ＞I CM ，所以不能正常工作。
2-4试判断图2-52中各电路有无放大作用，简单说明理由。
图2-51 习题2-1图abcd2V解：a 无放大作用。
电源极性与三极管不符。
b 无放大作用。
I B =0。
c 无放大作用。
交流通路输入短路。
d 无放大作用。
模拟电子技术基础第二章练习题
V C E =4V,则电路中的R= k Q ,民=4 k Q 。
注意：答案仅供参考！ 一、填空题半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于电压控制器件。
1. 2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。
3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 若负载电阻R.变小时，其电压增益将变 小。
4.单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小;产生饱和失真 的原因是Ic 偏大；若两种失真同时产生,其原因是 输入信号太大 。
5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。
6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真：Q 点选得过高会导致 饱和 失真。
7.对于下图所示电路，设 VC CF 12V, RF510kQ,只=8 k Q, V BW ,V CE ®)=,当p =50, 静态电流I BQ = 22 3 A, I cQ = ___ ，管压降V C EQ = ____ ;若换上一个当p =80,静 态电流I B F 22卩A , IccF ,管压降V C E = ,三级管工作在 饱和状8.对于下图所示电路，设 VCR2V,三级管P =50, V BE =,若要求静态电流l cd F2mA9.对于下图所示电路，已知 V Cc =12V,嘉=27 k Q, R=2 k Q ,R e =1 k Q ,V BE =,现要 求静态电流I cQ F3mA 贝U 氐=12 k Q 。
10.已知图示的放大电路中的三级管P =40, V BE =,稳压管的稳定电压V Z =6V,则静态电流 I BCF __ , I cQ F 11mA ，管压降 V cE(= 3V o*20V11.当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数大，穿诱电流I CEO 增加 ，当I B 不变时，发射结正向压降|U BE |减小12.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波 形失真，且幅度增大，这时发生的失真是 饱和 失真,失真的主要原因是由于 夏天室温升高后，三级管的I CBO 、V BE 和 P三个参数的变化,引起工作点 上移；输出波形幅度增大，则是因为 P 参数随温度升高而增大所造 成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。
第2章模拟电子技术练习题
第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示，二极管为理想元件，t sin 3u i ω=V ，U=3V ，当ωt = 0 瞬间，输出电压 u O 等于何值？ A ． 0 V B ． 3 VC ． —3 VD ． 0.7Vu O题2-1图2-1正确答案是A ．提示：ωt = 0 瞬间u i = 0，二极管D 的阳极为电位最低点，因而此时二极管D 承受反向电压截止，0u u i 0==。
2-2 电路如题2-2图所示，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，则电压u 0等于多少？ A ．U s B ．U S / 2 C ．0V D ．0.7Vu O题2-2图2-2正确答案是A ．提示：二极管承受正向电压而导通，二极管D 为理想元件，所以电阻两端电压应等于电压源电压，即u O = U s 。
2-3 电路如题2-3图所示，D 1，D 2 均为理想二极管，设V 6U 2=， U 1 的值小于 6V ， 则U 0 为多大？A ．+12VB ．+6VC ．U 1D ．U 1 － U 2O题2-3图2-3正确答案是C ．提示：D 1，D 2 均承受正向电压而导通，二极管为理想元件。
所以 u O = U 1 。
2-4 在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是哪一个？2-4提示：其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。
2-5 电路如题2-5图所示，A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少？A ．0.3VB ．－2.3VC ．1.0VD ．1.3VΩ100k Ω18k Ω6k ΩB题2-5图2-5正确答案是A ．提示：先将二极管摘开，求出A 点和B 点的电位：Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况：二极管承受正向电压而导通，2AP15是锗管，导通管压降为0.3V 。
模拟电子技术基础课后练习答案(国防科技大学出版社)第二章 半导体器件习题答案(大题)
习题：一．填空题1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。
3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。
5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。
6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。
7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。
8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二．选择题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于A。
A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。
A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。
A.正向导通B.反向截止C.反向导通D.反向击穿4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。
模拟电子技术课程习题 第二章 基本放大电路
第二章基本放大电路2.1 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.2在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.3 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.4在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路2.5 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.6 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.7以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ]A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路2.8 晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性2.9 对于图2.9所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2↓ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+β2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图2.9 [ ]2.10 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ]B.饱和失真 B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.11对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.12在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.13 在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.14 在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.15 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
模拟电子技术基础各章习题
《模拟电子技术基础》各章习题第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（8）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图T1.4五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
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注意：答案仅供参考！ 一、填空题1. 半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于 电压控制器件。
2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。
3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小。
4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态lc 偏小;产生饱和失真的原因是lc 偏大；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。
5. 静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。
6. 静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。
7. 对于下图所示电路，设 V cc =12V ，R b =510k Q, R=8 k Q ，V B E =0.7V ，V C E （sat ）=0.3V, 当B =50,静态电流I BG 22卩A ，I CQ F 1.1mA ，管压降V C E = 3.2V ;若换 上一个当B =80,静态电流 I BCF 22卩A ，lcd=2mA V C E =4V,则电路中的 R= 282.5 k Q T —v cc汁A叫l cc= 1.46mA，管压降 V C EC FV cc =12V ，三级管B =50，V B E =0.7V ，若要求静态电流，R= 4 k Q o8.对于下图所示电路，设饱和状态。
9. 对于下图所示电路，已知V C C=12V,嘉=27 k Q, R=2 k Q ,R e=1 k Q ,V BE=0.7V,现要求静态电流l cd=3mA贝U F b2= 12 k Q 。
10. 已知图示的放大电路中的三级管B =40, V BE=0.7V,稳压管的稳定电压V Z=6V,则静态电流I B Q= 0.275mA ，I c(= 11mA ，管压降V C E= 3V 。
11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数大_，穿透电流I CEO增加：当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。
12. 若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真,失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的l CBO、V BE和B 三个参数的变化,引起工作点上移；输出波形幅度增大，则是因为B 参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。
系数的要求是正温度系数14. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集电路：通频带较宽的是共基电路：输入电阻较小的是共基电路；输出电阻较小的是共集电路：输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路:电压增益小于1的是共集电路:带负载能力较强的是共集电路：既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。
15. 在三极管多级放大电路中，已知A vi = 20, A V2 = -10, A V3 = 1, A vi是一共基放大器，A V2是共射放大器,A V3是共集放大器。
16. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1、输入电阻比较大、输出电阻比较小。
17. 共集电极电路又被称为电压跟随器：共基极电路又被称为电流跟随器。
18. 对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是共集电极电路、称为电流跟随器的电路是共基极电路、称为电压跟随器的电路是共集电极电路。
19. 在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是共射极放大电路；仅具有电压放大作用的电路是共基极电路；仅具有电流放大作用的电路是共集电极电路。
20. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1 :输入电阻很大：输出电阻很小。
21. 对于共射、共集和共基三种基本阻态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用共射、共基；若希望带负载能力强，应选用共集阻态；若希望从信号源索取的电流小，应选用共集阻态;若希望高频性能好，应选用共基阻态。
22. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的之积。
二、选择1.有人选用最大允许集电极电流I CM = 20mA，最大允许电压U CEO = 20V，集电极最大允许耗散功率P CM = 100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点I C =15mA，U CE = 10V，则该管应属于下列四种状态中的（ D ）。
A、可以正常放大B、可能击穿C、放大性能较差D、过热或烧坏2.某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2k Q的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（ C ）oA、10k Q B 、2k Q C 、1k Q D 、0.5 k Q3.放大电路如图所示，如U C C>>U B E，且I CEO^ 0,则在静态时，该三极管工作的状态是（B ）oA、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、不定4.放大电路如图所示，三极管50,电压增益为A l替换50的管子，这时电压增益为A2,则满足（A、A2= A IB、A2=2 A iC、| A i| <| A2| v| 2A i|让）\Re U %5.电路如图所示，若不慎将旁路电容C e断开，则将（A、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。
B、只影响静态工作点，但不影响电压增益。
C、不影响静态工作点，只影响电压增益。
D、不影响静态工作点，也不影响电压增益。
如果用100的管子C ）。
D、| A2| <| A i|C ）。
6•两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为 A i 和A 2,如果 将它们串接成两级电压放大电路时，则总的电压增益满足（ D ）。
A 、A i + AB 、A i X A 2C 、＞|A i X A 2 |D 、＜| A i X A 2 |7.电路如图所示，若更换晶体管，使 B 由50变为100,则电路的电压放大倍数（C ）。
8. 当下图所示电路输入1kHZ 5mV 的正弦波电压时，输出电压波形的底部出现 了被削平的失真，为了削除这种失真，应（ D ）。
D 、增大基极偏置电阻R B9. 温度上升时，半导体三极管的（A ）10.在共射极、共基A 、约为原来的一半B 、基本不变 D 、约为原来的4倍A 、增大集电极电阻R CB 、改换B 大的晶体管A 、B 和I CBO 增大，U BE 减小C 、U BE 和I CBO 增大，B 减小B 、B 和U BE 增大，I CBO 减小 D 、B 、U BE 和I CBO 均增大C 、约为原来的2倍C 、减小基极偏置电阻R B极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，U o与U相位相反、|A u|>1的只可能是（D ）。
A、共集电极放大电路B、共基极放大电路C、共漏极放大电路D、共射极放大电路11. 在下图所示的固定偏流式放大电路中，当Rc、R b的参数分别是（C ）时, 该电路的静态工作点处在放大区。
设三极管的B =100。
A. 5.6k Q、10 k QB. 5.6k Q、510 QC. 5.6k Q、1M QD. 100k Q、1M QRc11-19题的图12. 已知下图所示放大电路中的R=100k Q, Rc=1.5 k Q,三极管的B =80,在静态时，该三极管处于（b ）。
A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D. 状态不定13. 在下图所示放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（c）。
A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压D.调节I CQ14. 对于下图所示的放大电路，当用直流电压表测得U C E~V CC时，有可能是因为（a）;当测得U C E-0时，有可能是因为（d）。
A. R,开路B. R L短路C. Rc开路D. R b过小15. 对于图示放大电路，若VC= 12V, Rc= 2k Q，集电极电流I C计算值为1mA, 今用直流电压表测得U C E= 8V,这说明（d）。
A.工作正常B. 三极管c-e极间开路C.三极管b-e极间短路D. 电容C2短路16. 对于图示电路，若仅当R增加时，U C E Q§（ a）;仅当Rc减小时，U C E将将（ a）; 仅当R.增加时，出將（c）;仅当B减小（换三极管）时，U C E将将（ a）。
A.增大B. 减小C.不变D. 不定17. 在图示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个B比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（b）;若该电路原来发生了非线性失真，但在减小R后，失真消失了，这失真必是（a）。
A.截止失真B.饱和失真C.双重失真D.交越失真18. 对于图示固定偏流电路，当室温升高时，其三极管I BQ（a），I CQ（a），U CE （Q b）。
A.增大B. 减小C.不变（或基本不变）D. 不定19. 对于图示放大电路，若仅当R增加时，」£將（a）;仅当Rc减小时，山船（a）; 仅当R增加时，U CE（a（c）;仅当B减小（换三极管）时，U C EQ S（ a）。
A.增大B. 减小C.不变D. 不定20. 在图示射极偏置电路中，若上偏流电阻嘉短路，则该电路中的三极管处于（b）。
A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D. 状态不定21. 在图示射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容Ce后，该电路的最大不失真输出电压幅值V om（c），放大倍数A v （b）。
输入电阻R i （a），输出电阻R o（c）；若仅是R L增大，则A v （a），R i（c），R。
（c）；若仅是增大，则A v （a），R （c），R o（c）。
A.增大B. 减小C.不变D. 不定22. N沟道JFET的跨导g m是（C ）。
A、一个固定值B、随电源电压V DD增加而加大C、随静态栅源电压V GS增加而加大D、随静态栅源电压V GS增加而减小23. 为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入（b）;为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（c ）。
A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.任何一种组态的电路24. 在单极放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共射电路时，则vo和vi的相位（b），当为共集电路时，贝U vo和vi的相位（a），当为共基电路时，贝U vo和vi的相位（a）。
A.相同B.相反C.相差90°D.不定25. 既能放大电压，也能放大电流的是（a）组态放大电路；可以放大电压，但不能放大电流的是（c）组态放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是（b）组态放大电路。