会计实务：如何理解中港税收协定中不动产占资产50%规定
en61000-6-2&4 EMC%20TEST%20REPORT
EMC TEST REPORT
EMC TEST REPORT
SBC83810.A2
TEST RESULT : PASS
DATE OF TEST: 20,Nov,2004
PREPARE BY:AXIOMTEK CO., LTD.
9F, NO.2, LANE 235, PAO CHIAO ROAD
HSIN TIEN, TAIPEI HSIEN, TAIWAN, R.O.C.
TEL : 886-2-2917-4550
FAX : 886-2-2917-3200
Approved : Edison Tested : Yiying
EMC TEST REPORT
CONTENTS
DECLARATION OF CONFORMITY (1)
CONTENTS (2)
LIST OF TABLE (3)
1.GENERAL INFORMATION (4)
1.1D ESCRIPTION OF THE TESTED SAMPLES (4)
1.1.1Rating and Physical Characteristics (4)
1.1.2Sources of interference (4)
1.2TEST FACTILITY (5)
1.2.1 1. ( EMI SITE) (5)
1.2.2 1. ( EMS SITE) (5)
1.3DESCRIPTION OF THE SUPPORT EQUIPMENTS (5)
2.MEASUREMENT CONDITIONS (7)
2.1M ODES OF O PERATION (7)
迪菲莫特电子PC50CND系列产品说明书
1
Product Description
The PC50CND. is a family of general purpose diffuse-reflective sensors in a com-pact square 17 x 50 x 50 mm reinforced PC/ABS-housing.They are useful in applica-tions where basic sensors provide adequate sensing
performance. The long sens-ing range together with sensi-tivity adjustment gives a very flexible sensor. The DC types are with a transistor output and the configuration is fully programmable (NPN, PNP ,NO and NC).
•Range: 1 m
•Adjustable sensitivity •Modulated, infrared light •Supply voltage: 10 to 30 VDC •Output: 200 mA, NPN or PNP
•Make and break switching function selectable
•LED for output indication, signal stability and power ON •Protection: reverse polarity, short circuit, transients •Cable and plug version •
ECCM5A6FD-50-19.6608M中文资料(Ecliptek)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
SPECIFICATION
MIL-STD-883,方法3015,1级,HBM：1500V MIL-STD-883,方法1014,条件A MIL-STD-883,方法1014,条件C UL94-V0 MIL-STD-883,法2002年,条件B MIL-STD-883,法1004 J-STD-020, MSL 1 MIL-STD-202,方法210,满足条件K MIL-STD-202,方法215 MIL-STD-883,方法2003 MIL-STD-883,方法1010,条件B MIL-STD-883,方法2007,条件A
4
取向
标记
6.0 ±0.2
2
3
1.0 ±0.2
卷带尺寸 ALL DIMENSIONS IN MILLIMETERS
1.5 ±0.2 4
3.0 ±0.2
1
1.5 ±0.1 (x4)
建议焊盘布局 ALL DIMENSIONS IN MILLIMETERS
3
2
1.0 ±0.1 (x4)
焊盘1：输入 焊盘3：输出
ECLIPTEK CORP.
CRYSTAL
ECCM5A
REEL
R
2.5分钟
M
1.5分钟
S
10分钟
N
O
P
50分钟 20.2 MIN 13±.2
T
GFC变频器参数设定(616G5400V级)(精)
GFC 变频器参数设定（ 616G5 400V级）
一A群参数
参数操作器显示说明1M/S 1．5M/S 1． 75M/S
A1-00 显示语文选择0 (English)
A1-01 存取等级4（调整完后改正为0）
A1-02 控制方式3（电梯专用）
二B群参数
参数操作器显示说明1M/S 1． 5M/S 1． 75M/S
B1-01 频次控制根源0 ( 数字操作器 )
B1-02 运行指令根源 1 （控制端子）
B1-03 停止方式0 （减速停止）
B1-04 反转严禁允许0
B1-05 领速运行方式 3 （零速运行）
B1-06 扫描时间0 （2MS）
B2-01 零速度位准0.1 HZ
B2-03 激活直流刹车时间0 SEC
B2-04 停止直流刹车时间0SEC（本来 1 两个接触器为 0）
三 C群参数
参数操作器显示说明FDPO— D （SKY 主机）
1M/S 1．5M/S 1． 75M/S
C1-01 长短程加快时间2． 3 2．5 2．8 2． 6（参照值）C1-02 长短程减速时间2． 3 2．5 2．8 2． 6（参照值）C1-03 点检加快时间0． 5 0．5 0．5 0． 7（参照值）C1-04 点检减速时间0． 5 0．5 0．5 0． 7（参照值）C1-05 急停加快时间 1 0． 8 1．2 1．6 0． 7（参照值）C1-06 急停减速时间 1 0． 8 1．2 1．6 0． 7（参照值）C1-07 急停加快时间 2 0． 5 0．8 1．0 0． 7（参照值）C1-08 急停减速时间 2 0． 5 0．8 1．0 0． 5（参照值）C1-09 异样时急停时间0． 5 0．5 0．5
HGTD6N50E1资料
HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1, HGTD6N50E1S 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
Features
•6A, 400V and 500V
•V CE(ON): 2.5V Max.
•T FALL: 1.0µs
•Low On-State Voltage
•Fast Switching Speeds
•High Input Impedance
Applications
•Power Supplies
•Motor Drives
•Protective Circuits
Description
The HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1, and HGTD6N50E1S are n-channel enhancement-mode insulated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high voltage, low on-dissipation applications such as switching regulators and motor drivers. These types can be operated directly from low power integrated circuits.
PACKAGING AVAILABILITY
PART NUMBER PACKAGE BRAND HGTD6N40E1TO-251AA G6N40E
FDU6N50资料
FDD6N50/FDU6N50 500V N-Channel MOSFET
FDD6N50/FDU6N50 500V N-Channel MOSFET
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
FDD6N50FDD6N50TM D-PAK 380mm 16mm 2500FDD6N50FDD6N50TF D-PAK 380mm
16mm 2000FDU6N50
FDU6N50TU
I-PAK
-
-
70
Electrical Characteristics T C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max Units
Off Characteristics BV DSS Drain-Source Breakdown Voltage V GS = 0V, I D = 250µA
500----V ∆BV DSS / ∆T J Breakdown Voltage Temperature Coefficient
I D = 250µA, Referenced to 25°C --0.5--V/°C I DSS Zero Gate Voltage Drain Current V DS = 500V, V GS = 0V V DS = 400V, T C = 125°C --------110µA µA I GSSF Gate-Body Leakage Current, Forward V GS = 30V, V DS = 0V ----100nA I GSSR Gate-Body Leakage Current, Reverse V GS = -30V, V DS = 0V -----100nA On Characteristics
HV506DG-G资料
12/13/01
Supertex Inc. does not recommend the use of its products in life support applications and will not knowingly sell its products for use in such applications unless it receives an adequate "products liability HV506
Preliminary
80-Lead 64-Lead 3-Sided Ceramic Gullwing
Plastic Gullwing
Die General Description
The HV506 is a low-voltage serial to high-voltage parallel con-verter with push-pull outputs. It is especially suitable for use as a symmetric row driver in AC thin-film electroluminescent (ACTFEL) displays.
When the data reset pin (DR IO ) is at logic high, it will reset all the outputs of the internal shift register to zero. At the same time, the output of the shift register will start shifting a logic high from the least significant bit to the most significant bit. The DR IO can be triggered at any time. The DIR pin controls the direction of data through the device. When DIR is at logic high, DR IOA is the input and DR IOB is the output. When DIR is grounded, DR IOB is the input and the DR IOA is the output. See the Output Sequence Operation Table for output sequence. The POL and OE pins perform the polarity select and output enable function respectively. Data is clocked through the shift register loaded on the low to high transition of the clock. A logic high in the shift register will cause the other corresponding output to swing to V DD if POL is high, or to V SS if POL is low. All other outputs will be in the High-Z state.If OE is at logic high all outputs will be in the High-Z state. An output in the High-Z state may block up to 275V above V SS or 275V below V DD . The D P /D N pins are for the positive/negative discharge of the high voltage output HV OUT . Data output buffers are provided for cascading devices.
HVGC-650系列常功率模式LED驱动器商品说明书
HVGC-650
series
■Description
arbor lighting
H LED high-bay lighting Parking lot lighting LED fishing lamp Horticulture lighting Stadium lighting
Type HL for use in Class , Division 2 Ⅰ hazardous (Classified) location.
■Features
■Applications Wide input range 180 ~ 528VAC Constant power mode output
Metal housing with Class design Ⅰ Surge protection with 8KV/4KV Built-in active PFC function
IP67 design for indoor or outdoor installations
Function options: output adjustable via potentiometer;
3 in 1 dimming (dim-to-off) ; Smart timer dimming
Auxiliary DC output optional Typical lifetime>50000 hours
5 years warranty 110
IP67
Type HL
( for U/H-Type only)
■Model Encoding
ED506S中文资料
C
NOTES: 1. Pulse Test with PW=300µsec, 2% Duty Cycle. 2. Mounted on P.C. Board with 14mm2 (.013mm thick) copper pad areas. Part Number: ED502S - ED506S PAGE 1
MECHANICAL DATA
Case: D PAK/TO-252 molded plastic Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode Standard packaging: 16mm tape (EIA-481) Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram.
SYMBOLS Maxi mum Recurrent Peak Reverse Voltage Maxi mum RMS Voltage Maxi mum D C Blocki ng Voltage Maxi mum Average Forward Recti fi ed C urrent at TC=75oC Peak Forward Surge C urrent 8.3ms si ngle half si ne-wave superi mposed on rated load(JED EC method) Maxi mum Instantaneous Forward Voltage at 5.0A (Note 1) Maxi mum D C Reverse C urrent (Note 1)TA=25oC at Rated D C Blocki ng Voltage TA=100oC Maxi mum Thermal Resi stance (Note 2) Maxi mum Reverse Recovery Storage T mperature Range e V V V
97R412-室外热力管道支座
总说 明 Ｔ ‘牛 ｝设
图集号 ９７Ｒ４１２
支座 本 体 组装 技 术 条件
一 材料 １． 制作支座及零件的材料按本设计的规定选用
（１）Ｔ 字托支座用Ｔ字钥ＣＢ７０４－８８（可用钢板代替）
（２）支座用钥板 ＣＢ７１１－８８
（３）支座用扁钥
ＣＢ７０４－８８
厂４少支座用等边角翎 ＣＢ９７８７－８８
一二 验收
刊 ‘尸 也 白 由 从 十 ｅＦ ＬＭ ，户ｓ １二 Ｊ出 Ｗ 杜 生
了日 检查材料是否符合技术条件的要才 （２）检查支座零件尺寸
（刊 从外部检查焊缝 （５）栓查支座的装配质量及完整性； ｆ６）检查支座标号是否怡当（见四少 ｒ叼 检查支座发货前的准备情况（涂漆、包装和 有无说明书少。 ９ 在每个支座本体或单独零件标号旁边 应有经ｔ
０７６ １４０ ６０ 扁钢６０Ｘ６
０ ４Ｃ ０，４０ １三己 ３６４ 扁钢 ：。。丫‘ ３，４３ ３，４３
３己５ 己５０ 已０ 扁钢６０Ｘ４ 一。４７ ０９４ １８０ ６０ 扁钢６０Ｘ６ ｝。５： ０ ５１ 一１９２４２０ 扁钢 ２００Ｘ６ ｝３９６ ３ ９６ ５ ４１
３７７
２７０ 任０ 扁钢８０Ｘ４ Ｃ６日 １ ３６ １９０ 己０ 扁钢 ６０Ｘ６
ＤＮ ２０－１５０ 坦夸座板式滑动支座 了Ｌ＝３００乐５０；Ｈ ＝ｌ０ ０） ＤＮ ２０－１５０ Ｔ宇托滑动支座 （Ｌ＝１５０Ｈ＝５０ ） ＤＮ ２０－１５０ 丁字托汾动支座 （Ｌ＝３００Ｈ＝５０ ） ＤＮ ２０－１５０ Ｔ字托滑动支座 （Ｌ＝１５０Ｈ＝１００ ） ＤＮ ２０－１５０ Ｔ字托借动支座 （Ｌ＝３００乐 １００ ） ＤＮ２００－３００ Ｔ字托加侧板括动支座（Ｌ＝２００Ｈ＝５０；Ｈ ＝１００；Ｈ ＝１５０）
E-50电流保护器说明书
The BE1-50/51B Time Overcurrent Relay provides economical overload and fault protection for generators, transformers, lines and motors.
ADVANTAGES
•Self powered from 50/60Hz systems, available for 5 or 1 amp CT secondaries.
•Ten field selectable curves.
•Independent instantaneous overcurrent function.•Drawout construction, testable in the case.•Qualified to the requirements of:
- IEEE C37.90-1989, C37.90.1-1989, C37.90.2-1989, UL508•200 series adds:
- Patented integrating reset characteristic, even when current goes to zero.
Replicates electromechanical reset for all applications.- Five additional field selectable curves, for a total of 15.•Five year warranty.
DSEI60-06中文资料
Maximum Ratings DSEI 60
I FAVM =60 A V RRM =600 V t rr =35 ns
x I FAVM rating includes reverse blocking losses at T VJM , V R = 0.8 V RRM , duty cycle d = 0.5Data according to IEC 60747
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
Features
q
International standard package JEDEC TO-247 AD q Planar passivated chips q Very short recovery time
q Extremely low switching losses q
Low I RM -values
q Soft recovery behaviour q
Epoxy meets UL 94V-0
Applications
q
Antiparallel diode for high frequency switching devices q Anti saturation diode q Snubber diode
q
Free wheeling diode in converters and motor control circuits
q
Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS)
各种开关电源变压器各种高频变压器参数ee16ee19ee55ei60ei50等等的参数
各种开关电源变压器各种高
频变压器参数EE16 EE19
EE55 E I 60 EI50等等的参
数(总5页)
-CAL-FENGHAL-(YICAI)-Company One 1
■CAL-本页仅作为文档封面.使用请直接删除
1,磁芯向有效截面积：Ae 2,磁芯向有效磁路长度：le
3,相对幅值磁导率：ua
4,饱和磁通密度：Bs
1磁芯损耗：正弦波与矩形波比较
一般情况下，磁芯损耗曲线是按正弦波+/-交流(AC)激励绘制的，在标准的和正常的时候，是不提供极大值曲线的。涉及到开关电源电路设计的一个共同问题是正弦波和矩形波激励的磁芯损耗的关系。对于高电阻率的磁性材料如类似铁氧体，正弦波和矩形波产生的损耗儿乎是相等的，但矩形波的损耗稍微小一些。材料中存在高的涡流损耗(如大
一般情况下，具有矩形波的磁芯损耗比具有正弦波的磁芯损耗低一些。但在元件存在铜损的情况下，这是不正确的。在变压器中，用矩形波激励时的铜损远远大于用正弦波激励时的铜损。高频元件的损耗在铜损方面显得更多，集肤效应损耗比矩形波激励磁芯的损耗给人们的印象更深刻。举个例子，在
20kHz、用17#美国线规导线的绕组时，矩形波激励的磁芯损耗儿乎是正弦波激励磁芯损耗的两倍。例如，对于许多开关电源来说，具有矩形波激励磁芯的
5V、20A和30A输出的电源，必须采用多股绞线或利兹(Litz)线绕制线圈，不能使用粗的单股导线。
2 Q值曲线
所有磁性材料制造厂商公布的Q值曲线都是低损耗滤波器用材料的典型曲线。这些测试参数通常是用置于磁芯上的最适用的绕组完成的。对于罐形磁芯，Q值曲线指出了用作生成曲线时的绕组匝数和导线尺寸，导线是常用的利兹线，并且绕满在线圈骨架上。
传奇行会霸气名字
传奇行会霸气名字
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1、【Das丶Auto灬】
2、【____删／祢】
3、【阝上辈孑灬Team】
4、【￡CF咆哮★大帝ぃ】
5、【叼着小烟￡的幸福】
6、【￡封魔メ绝影剑彡】
7、【他说我要の幸福�】
8、【￡留下残�叶听雨声彡】
CJK汉字拼音表
汉字拼音音1音2音3音4音5音6音7音8
d s c
dàn/shàn/chǎn（dan4/shan4/chan3）
bānɡ（bang1）b
ōu/ou5（ou1/ou5）o o
wù/wò/ě（wu4/wo4/e3）w w e
ōu（ou1）o
zōnɡ（zong1）z
lǔn/lùn（lun3/lun4）l l
ɡānɡ（gang1）g
láo（lao2）l
shàn/chǎn（shan4/chan3）s c
wéi/wěi（wei2/wei3）w w
xínɡ（xing2）x
huà（hua4）h
xiān/yǎn/jìn（xian1/yan3/jin4）x y j
zé/cè（ze2/ce4）z c
ɡuī/zuī（gui1/zui1）g z
mǎn（man3）m
song2（song2）s
lì（li4）l
wéi（wei2）w
dié/dì（die2/di4）d d
hū/wú（hu1/wu2）h w
lán（lan2）l
xīn/qiàn（xin1/qian4）x q
kōu（kou1）k
c z z
chōu/zǒu/zhū（chou1/zou3/zhu1）
wěi（wei3）w
xiàn（xian4）x
hū/wǔ/méi（hu1/wu3/mei2）h w m
z c t z
zhūn/chún/tún/zhuō（zhun1/chun2/tun2/zhuo1）
MOXA EDS-P506E 系列产品说明书
EDS-P506E Series
4+2G-port Gigabit PoE+managed Ethernet switches with4IEEE802.3af/at PoE+
ports
Features and Benefits
•Built-in4PoE+ports support up to60W output per port
•Wide-range12/24/48VDC power inputs for flexible deployment
•Smart PoE functions for remote power device diagnosis and failure recovery •2Gigabit combo ports for high-bandwidth communication
•Supports MXstudio for easy,visualized industrial network management
Certifications
Introduction
The EDS-P506E Series includes Gigabit managed PoE+Ethernet switches that come standard with410/100BaseT(X),802.3af(PoE),and802.3at (PoE+)-compliant Ethernet ports,and2combo Gigabit Ethernet ports.The EDS-P506E Series provides up to30watts of power per PoE+port in standard mode and allows a high-power output of up to4-pair60W for industrial heavy-duty PoE devices,such as weather-proof IP surveillance cameras with wipers/heaters,high-performance wireless access points,and rugged IP phones.
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如何理解中港税收协定中不动产占资产50%规定
问：A公司的香港股东H公司将持有A公司(持股比例一直低于25%)的股票出售。根据《国家税务总局关于执行〈内地和香港特别行政区关于对所得避免双重征税和防止偷漏税的安排〉第二议定书有关问题的通知》(国税函[2008]685号)规定，H公司出售A公司股权的收益应当回香港征税。
问题：1、关于A公司的不动产占资产比例要低于50%，H公司的转股收益才能回香港征税。不动产是占总资产比例低于50%，还是不动产占净资产比例低于50%，才能享受优惠?
2、《国家税务总局关于税收协定中财产收益条款有关问题的公告》(国家税务总局公告2012年第59号)第三条规定，“中新税收协定”第十三条第四款以及“国税发[2010]75号所附条文解释”所述的公司财产和不动产均应按照当时有效的中国会计制度有关资产(不考虑负债)处理的规定进行确认和计价，但相关不动产所含土地或土地使用权价值额不得低于按照当时可比相邻或同类地段的市场价格计算的数额。
那么，根据这份条文的“(不考虑负债)”是不是指不动产占净资产比例低于50%? 答：《内地和香港特别行政区关于对所得避免双重征税和防止偷漏税的安排》第十三条第四款规定，转让一个公司股份取得的收益，而该公司的财产主要直接或者
间接由位于一方的不动产所组成，可以在该一方征税。
第五条规定，转让第四款所述以外的任何股份取得的收益，而该项股份相当于一方居民公司至少25%的股权，可以在该一方征税。
《内地和香港特别行政区关于对所得避免双重征税和防止偷漏税的安排第二议定书》规定第四条，《安排》第十三条第四款及议定书第二条提及的公司财产不少于百分之五十由位于一方的不动产所组成，按以下规定执行：
在股份持有人转让公司股份之前三年内，该公司财产至少百分之五十曾经为不动产。
第五条规定，取消《安排》第十三条第五款的规定，用下列规定代替：
五、除第四款外，一方居民转让其在另一方居民公司资本中的股份或其他权利取得的收益，如果该收益人在转让行为前的十二个月内，曾经直接或间接参与该公司至少百分之二十五的资本，可以在该另一方征税。
《中华人民共和国政府和新加坡共和国政府关于对所得避免双重征税和防止偷漏税的协定》第十三条第四款规定，转让一个公司财产股份的股票取得的收益，该公司的财产又主要直接或者间接由位于缔约国一方的不动产所组成，可以在该缔约国一方征税。
第五条规定，转让第四款所述以外的其他股票取得的收益，该项股票又相当于缔约国一方居民公司百分之二十五的股权，可以在该缔约国一方征税。
根据上述规定，中港税收协定中的第十三条第四款、第五款规定的内容与中新税收协定中规定的内容不一致，中港税收协定中该条款的解释及执行不能按中新税收协定对应规定执行。
《国家税务总局关于执行〈内地和香港特别行政区关于对所得避免双重征税和防止偷漏税的安排〉第二议定书有关问题的通知》(国税函[2008]685号)第二条关于公司财产主要由不动产所组成的判定问题规定，第二议定书第四条有关股份持有人转让公司股份行为前三年内公司财产至少百分之五十曾经为不动产的规定，换函第二条明确执行时按纳税年度终了时的账面数据进行判定。
因此，如果该香港H公司为受益所有人，其持有境内A公司股票一直都低于25%。如果H公司转让A公司股票之前三年内，按纳税年度终了时的账面数据进行判定A公司的财产至少百分之五十曾经为不动产的，H公司取得的股票转让收益应在境内申报缴纳企业所得税;否则，H公司转让股票收益可享受协定待遇，在境内免征企业所得税。
所述“A公司的财产至少百分之五十曾经为不动产”，是指A公司的资产总额至少百分之五十曾经为不动产，而不是指A公司的净资产。即不动产占企业资产总额的比例曾经不低于50%。
小编寄语：会计学是一个细节致命的学科，以前总是觉得只要大概知道意思就可以了，但这样是很难达到学习要求的。因为它是一门技术很强的课程，主要阐述
会计核算的基本业务方法。诚然，困难不能否认，但只要有了正确的学习方法和积极的学习态度，最后加上勤奋，那样必然会赢来成功的曙光。天道酬勤嘛！