模电第4单元自测题解答
模电第四版4~7章习题解答
第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。
A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。
A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。
( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( × )三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。
各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。
解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。
比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。
图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。
模拟电子电路第4章答案
4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。
解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。
而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。
随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。
如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。
当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。
电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。
4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其nk '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。
求下列情况下的漏极电流：（1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。
(1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。
()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ⎡⎤'=--⎢⎥⎣⎦=1.75mA(2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。
()2D n GS t 12W i k v V L'=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i =(4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区()2D n GS t 12W i k v V L'=-=4mA4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。
模电第4单元自测题解答
第4章 习题1. 集成运放工作于线性区时，主要作用是放大，因此必须在电路中引入 深度负 反馈；在分析集成运放的线性应用电路时，应以 虚短 和 虚断 两个重要概念为出发点进行分析。
2. 集成运放在非线性区的分析， 虚短 的概念不再适用， 虚断 的概念仍然适用。
集成运放在非线性区的显著特点：一是输出电压只具有 两 种状态，二是其净输入电流约等于 零 。
集成运放在非线性区，往往在电路中引入 正 反馈或处于 开环 状态。
3. 滤波电路的作用实际上是 选频 。
为获得输入电压中的高频信号，阻断低频信号，应选用 高通 滤波器。
4. 同相 运算电路可实现A u ＞1的放大器； 反相 运算电路可实现A u ＜0的放大器； 微分 运算电路可将方波电压转换成尖脉冲波电压； 积分 运算电路可将方波电压转换成三角波电压。
5. 在某个信号处理系统中，要求让输入信号中5～10kHz 的信号通过，应选用 带通 滤波器，如果要抑制50Hz 的干扰信号，不使其通过，应采用 带阻 滤波器。
6. 把低通滤波器和高通滤波器 串联 ，就能实现带通滤波器；把低通滤波器和高通滤波器 并联 ，就能实现带阻滤波器。
7. 单 门限电压比较器的基准电压U R ＝0时，输入电压每经过一次零值，输出电压就要产生一次 跳变 ，这样特点的电压比较器称为 过零 比较器。
8. 常用的比较器有 单门限 比较器、 滞回 比较器和 窗口 比较器，其中 滞回 比较器的电压传输过程中具有回差特性。
9. 当输入信号频率等于谐振频率时，RC 串并联网络呈 电阻 性。
10.集成运放的安全保护包括 电源 保护、 输入 保护和 输出 保护。
11. 设计一个比例运算电路。
要求电路的输入电阻R i =20k Ω，比例系数A u =－100。
R F =20*100=2M Ω平衡电阻R 2应为：Ω≈=k 2//F 12R R R ，画出右图电路→ 12. 何谓“虚地”？何谓“虚短”？在什么输入方式下才有“虚地”？若把“虚地”真正接“地”，集成运放能否正常工作？答：电路中某点并没有接地，但却具有地的电位，称为“虚地”；电路中两点并没有真正短接在一起，但两点却等电位，称为“虚短”。
模电(第四版)习题解答
实用文档模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电路第四章课后习题答案
第四章 习题与思考题◆◆ 习题 4-1 在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES ＝1V ,① 试估算电路的最大输出功率P om ；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η.解：①W W R U V P L cem CC om 563.182)16(2)(22≈⨯-=-= 如忽略U CES ，则W W R V P L CC om 25.2826222=⨯=≈ ② W W R V P L CC V 865.2862222≈⨯⨯=≈ππ %55.54865.2563.1≈==V om P P η 如忽略U CES ，则%53.78865.225.2≈==V om P P η 此题的意图是理解OCL 互补对称放大电路的P om 和P V 的估算方法。
◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中：① 三极管的最大功耗等于多少？② 流过三极管的最大集电极电流等于多少?③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少?④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ,输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？解：① W W P P om CM 45.025.22.02.0=⨯=>② A A R V I L CC CM 75.086==> ③ V V V U CC CEO BR 12622)(=⨯=>④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态，1≈uA ，而略小于1，故V V V U U CCcemi 24.42622≈=≈≈。
本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。
U CES ＝1V ，① 估算电路的最大输出功率P om ；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。
将本题的估算结果与习题4—1进行比较。
解：①W W R U V P L cem CC om 25.082)13(2)2(22=⨯-=-=如忽略U CES ，则W W R V P L CC om 5625.0886822=⨯=≈ ② W W R V P L CC V 716.0826222≈⨯=≈ππ %92.34716.025.0≈==V om P P η 如忽略U CES ,则%56.78716.05625.0≈==V om P P η 可见,在同样的VCC 和RL 之下，OCL 电路的Pom 比OTL 电路大得多（大约为4倍）。
模拟电路第四章课后习题答案
第四章习题与思考题♦♦习题4-1在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC为6V, R L为8 ◎，假设三极管的上&和管压降U CES = 1V,① 试估算电路的最大输出功率P om；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V和效率刀。
解：①(V CC -Ucem)2 (6 -1)2P om =^C——cem-=-———W ： 1.563W2R L 2 8如忽略U CES,则，退=互亚=2.25W2R L 2M82V CC 2 62FV QC-2-6-W ： 2.865W二R L二8= P m =1563 ：54.55%F V 2.865.., R E 2 25 一…如忽略U CES则。
=P m = 仝5定78.53%F V 2.865此题的意图是理解OCL互补对称放大电路的P om和P V的估算方法♦♦习题4-2在图P4-1所示的电路中：①三极管的最大功耗等于多少？②流过三极管的最大集电极电流等于多少？③三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少？④为了在负载上得到最大输出功率Pom,输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？解：① P CM >0.2P o m =0.2 X2.25W =0.45WV CC 6 . .I CM .q=6A=0.75AR L 8③ u (BR)CEO 2V CC =2 6V = 12V④因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态 ，Au 上1,而略小于 本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法♦. 习题4-3在图P4-3所示互补对称电路中，已知V CC 为6V, R L 为8 ◎，假设三极管的上&和管压降 U CES= 1V,①估算电路的最大输出功率 P om ； 62—=-6—W : 0.716W 2 R L 2 二 8U cem V CC 6：,2 ： 2，2V之 4.24V 。
② 估算电路中直流电源消耗的功率 P V 和效率刀。
模电第四章答案
第四章 习题解答4-1 如题4-1图所示MOSFET 转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？ 答：（a ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th GS 2-=（b ）P-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或统称为开启电压()V V th GS 2)= （c ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th GS 4-=（d ）N-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或也称为开启电压()V V th GS 4)-= 4-2 4个FET 的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所示。
设漏极电流i D的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET ？分别指出i D 的实际方向是流进还是流出？答：（a ）P-JFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。
（b ）N-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。
（c ）P-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。
（d ）N-EMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知N 沟道EMOSFET 的μn C ox =100μA/V 2，V GS(th)=0.8V ，W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a ）V GS =5V ，V DS =1V ； （b ）V GS =2V ，V DS =1.2V ； （c ）V GS =5V ，V DS =0.2V ； （d ）V GS =V DS =5V 。
解：已知N-EMOSFET 的()108.0,/1002===LWth GS ox n VV V A C μμ（a ）当V V V V DS GS 1,5==时，MOSFET 处于非饱和状态()()th GS GS DS V V V -<()()[]()[]mAV V V VI V mA th GS GSLWC D DS DS x o n 7.3118.052101.02221222=-⨯-⨯⨯=--=μ（b ）当V V V V DS GS 2.1,2==时，()DS th GS GS V V V V ==-2.1，MOSFET 处于临界饱和()()()()mA V V C I V mA th GS GS L W ox n D 72.08.02101.02221221=-⨯⨯⨯=-⋅=μ （c ）当V V V V DS GS 2.0,5==时，()DS th GS GS V V V V >=-2.4，MOSFET 处于非饱和状态()()()[]()[]mA V V V V C I V mA DS DS th GS GS L W ox n D 82.02.02.08.052101.022212212=-⨯-⨯⨯=--=μ（d ）当V V V DS GS 5==时，()th GS GS DS V V V ->，MOSFET 处于饱和状态 ()()()()mA V V C I V mA th GS GS L W ox n D 82.88.05101.02212212=-⨯⨯⨯=-⋅=μ 4-4 N 沟道EMOSFET 的V GS(th)=1V ，μn C ox （W/L ）=0.05mA/V 2，V GS =3V 。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答40p()
第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变小。
GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模电第四习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
《模拟电子技术基础教程》——第四章习题解答
（2）若晶体管不工樹在放大区，则说明能否通过调节电阻 L和R,
（增大或者减小）使之处于放大状态；若能，则说明如 节？设在调 节某一电阻时其它两个电阻不变.
iookn|
-o+12V
Rc
10kQ
圏 P4.7
5
解（1）由图可知晶体管发射结正偏。假设晶体管处于放大状态，则U区=祖風一 ItiRb>0,集
当Rc增大时,UCEQ|减小,Q点将沿着JB = 40〃A所对应的输出特性左移，如解图4. 10 中的Q点，Ug
将变小“
当RL增大时，Q点不变» Vcc =Ul：KQ + ICQ .R；增大，但不变。
8
+ 12V
电路的直流通路 .+12V
电路的交流通路
电路的直流通路 --12V
电路的交流通路
电路的直流通路
_____ iop,A
\v2.02mA
1.51mA z—<^*20ilA _____
（a）
图 P4.4
（b）
解晶体管三个极中基极电流最小，据此可确定基极。根据基极电流方向可确定管 子类型，从外
流向内的为NPN型管，否则为PNP型管。根据IE = IB+ IC确定发射极和 集电极，电流最大的为发射极，
高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在 ___ 电容。
A.耦合
B.旁路
C.极间
解 （1） B,A,A （2） B,A （3） A,B,C
4.4已知两只晶体管三个极的电流大小和方向如图P4. 4所示，分别判断两个晶体 管的类型（ NPN或PNP）,并在图中标出每个晶体管的三个电极，分别求出两个晶体管的 电流放大系数的
模拟电子技术习题解答第4章习题解答
第4章半导体二极管和晶体管习题解答【4-1】填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
两种载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四个，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称作器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性晶体管的β将，反向饱和电流I CEO将，正向结压降U BE将。
11．用万用表判断电路中某个晶体管的工作状态时，测出最为方便。
12．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证和；在饱和区，应保证和；在截止区，应保证和。
13．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
解：1.化学成分纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2.杂质浓度，温度。
3.少数载流子，(内)电场。
4.单向导电性，正向导通压降U F和反向饱和电流I S。
5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z），稳定电流（I Zmin），最大管耗（P Zmax），动态电阻（r Z）。
6.增大。
7.NPN，PNP，自由电子，空穴。
8.结型，绝缘栅型，多子，单极型。
9.电压，电流。
10.变大，变大，变小。
11.各管脚对地电压。
12.发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。
13.左移，上移，增大。
【4-2】在题图4-2的各电路图中，U =5V ，u i =10t ωsin V ，二极管VD 视为理想二极管，试分别画出输出电压u o 的波形。
模拟电子技术教程 第4章习题答案
第4章习题1．概念题（1）在多级直接耦合放大器中，对电路零点漂移影响最严重的一级是第1级，零漂最大的一级是最后1级。
（2）差分放大电路有 4 种输入输出连接方式，其差模电压增益与输出方式有关，与输入方式无关。
（3）集成运放是一种采用直接耦合方式的放大电路，所以低频性能好，其最大的问题是零漂大。
（4）一个带宽为0.1～10MHz的宽频带多级放大电路，应采用的耦合方式是（B、D ）。
A：阻容耦合B：直接耦合C：变压器耦合D：光电耦合（5）有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，R i=2kΩ，R o=3kΩ。
现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为（B，20dB+12dB=32dB ）。
A：40 dB B：32 dB C：16 dB D：160dB（6）放大电路中采用复合管的目的是（ C ）。
A：增加输入阻抗B：减小零点漂移C：提高电压或电流放大倍数（7）一般情况下，我们用输入短路，将测得的输出电压除以运放的增益的实验法测得输入失调电压U IO。
（8）双入双出的差分放大电路，其共模信号幅值不管多大都不会影响差模输出。
对吗？（不对）（9）共模信号和差模信号都可以是交流信号，也可以是直流信号。
对吗？（对）（10）对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，射级电阻R e可一概视为短路。
对吗？（对）（11）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
对吗？（不对）（12）电压输入输出型运放是用量最大的运放，因而产量大、价格低。
对吗？（对）（13）基本镜像恒流源的原理是两个三极管工作在同一条输出特性曲线上。
（14）在运放中恒流源的作用有提供静态工作电流或提供有源负载。
（15）由于频率特性好且易于集成，光电耦合具有很广阔的前景。
2 .如图4-63所示多级放大电路中，试判断各单级放大电路的类型及各级间的耦合方式。
解：（a）两级共射，阻容耦合（b）两级共射，直接耦合（c）共射-共集，直接耦合（d）共源-共射，阻容耦合（e）共射-共源-共射，阻容-变压器耦合3 .画出题2中各图微变等效电路，并写出A u、R i及R o的表达式。
模电第四版4~7章习题解答
第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。
A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。
A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。
( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( × )三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。
各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。
解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。
比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。
图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。
模拟电子技术第四章习题解答概论
第四章习题解答题 4-1 在图P4－1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知V CC =V EE =15V ，偏置电阻R =1MΩ(需外接)。
设各三极管的β均足够大，试估算基准电流I REF 以及输入级放大管的电流I C1、I C2。
图 P4-14-1解：VT4、VT3、R 组成镜像电流源，流过R 的基准电流为CC EE BE REF 15150.7μA 29.3μA 1V V U I R +-+-===C3REF 1=21βI I =+，β足够大，所以C3REF =29.3μA I I ≈VT1、VT2为差分对管，则有C1C2=14.7μAI I ≈题 4-2 在图P4-2中，三极管的β＝100,r be ＝10.3kΩ，V CC =V EE =15V ，R c =36kΩ，R e =27Ω，R =2.7kΩ，R w =100Ω，R w 的滑动端处于中点，负载电阻R L =18kΩ,估算：① 静态工作点； ② 差模电压放大倍数； ③ 差模输入电阻。
4-2解：WBQ BEQ EQ e EE 0(2)2R I R U I R V ---+=- ① EE BEQ BQ 33W e 150.72.6μA 1002.710(1100)(22710)(1)(2R )22V U I A R R β--==≈⨯++⨯+⨯⨯+++CQ BQ 100 2.6μA 260μA 0.26μA I I β≈=⨯=≈[]CQ CC CQ C 150.2636V 5.64V U V I R =-=-⨯=(对地) 63BQ BQ C 0(2.610 2.710)V 7mV U I R -=-=-⨯⨯⨯≈-② L c d 3W be 18//36//221004010010(1)_ 2.710.3(1100)22R R A R R r ββ-=-=-⨯≈-⨯++++++⨯③ W id be 2[(1)]2(2.710.31010.05)k 36k 2RR R r β=+++=⨯++⨯Ω=Ω本题的意图是掌握长尾式差分放大电路的静态和动态分析方法。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答之欧阳索引创编
第1章常用半导体器件欧阳家百（2021.03.07）自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特GS点。
( √)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则GS其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3欧阳索引创编欧阳索引创编 解：UO1=1.3V , UO2=0V , UO3=-1.3V , UO4=2V , UO5=1.3V , UO6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V ，稳定电流的最小值IZmin=5mA 。
求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V ，=100，UBE=0.7V 。
试问： (1)Rb=50k 时，Uo=?(2)若T 临界饱和，则Rb=?解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,欧阳索引创编2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答之欧阳引擎创编
第1章常用半导体器件欧阳引擎（2021.01.01）自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大GS的特点。
( √)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则GS其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3解：UO1=1.3V , UO2=0V , UO3=-1.3V , UO4=2V , UO5=1.3V , UO6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V ，稳定电流的最小值IZmin=5mA 。
求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V ，=100，UBE=0.7V 。
试问： (1)Rb=50k 时，Uo=?(2)若T 临界饱和，则Rb=?解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
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第4章 习题
1. 集成运放工作于线性区时，主要作用是放大，因此必须在电路中引入 深度负 反馈；在分析集成运放的线性应用电路时，应以 虚短 和 虚断 两个重要概念为出发点进行分析。
2. 集成运放在非线性区的分析， 虚短 的概念不再适用， 虚断 的概念仍然适用。
集成运放在非线性区的显著特点：一是输出电压只具有 两 种状态，二是其净输入电流约等于 零 。
集成运放在非线性区，往往在电路中引入 正 反馈或处于 开环 状态。
3. 滤波电路的作用实际上是 选频 。
为获得输入电压中的高频信号，阻断低频信号，应选用 高通 滤波器。
4. 同相 运算电路可实现A u ＞1的放大器； 反相 运算电路可实现A u ＜0的放大器； 微分 运算电路可将方波电压转换成尖脉冲波电压； 积分 运算电路可将方波电压转换成三角波电压。
5. 在某个信号处理系统中，要求让输入信号中5～10kHz 的信号通过，应选用 带通 滤波器，如果要抑制50Hz 的干扰信号，不使其通过，应采用 带阻 滤波器。
6. 把低通滤波器和高通滤波器 串联 ，就能实现带通滤波器；把低通滤波器和高通滤波器 并联 ，就能实现带阻滤波器。
7. 单 门限电压比较器的基准电压U R ＝0时，输入电压每经过一次零值，输出电压就要产生一次 跳变 ，这样特点的电压比较器称为 过零 比较器。
8. 常用的比较器有 单门限 比较器、 滞回 比较器和 窗口 比较器，其中 滞回 比较器的电压传输过程中具有回差特性。
9. 当输入信号频率等于谐振频率时，RC 串并联网络呈 电阻 性。
10.集成运放的安全保护包括 电源 保护、 输入 保护和 输出 保护。
11. 设计一个比例运算电路。
要求电路的输入电阻R i =20k Ω，比例系数A u =－100。
R F =20*100=2M Ω
平衡电阻R 2应为：Ω≈=k 2//F 12R R R ，画出右图电路→ 12. 何谓“虚地”？何谓“虚短”？在什么输入方式下才
有“虚地”？若把“虚地”真正接“地”，集成运放能否正常工作？
答：电路中某点并没有接地，但却具有地的电位，称为“虚地”；电路中两点并没有真正短接在一起，但两点却等电位，称为“虚短”。
只要是反相输入线性应用电路，都存
习题11电路图
o
u
在“虚地”现象。
若把虚地真正接地，电路结构被改变，集成运放无法正常工作了。
13. 在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压各变化几次？
答：在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压均跳变一次。
14. 集成运放的反相输入端为虚地时，同相端所接的电阻起什么作用？ 答：在电路中起平衡作用。
15. 文氏桥基本放大电路中，当ω=ω0=1/RC 时，反馈回路的反馈系数F ＝？如果R F
＝2R 1，则同相放大器的放大倍数A u 等于多大才可满足自激振荡条件A u F ＝1？
答：文氏桥基本放大电路中，当RC /10==ωω时，反馈回路的反馈系数F ＝1/3；如果R F ＝2R 1，则同相放大器的放大倍数A u ＝3时，可满足自激振荡条件A u F ＝1。
16. 图4.51所示电路为应用集成运放组成的测量电阻的原理电路，试写出被测电阻R x
与电压表电压U O 的关系。
解：从电路图来看，此电路为一反相比例运算电路，因此：
17. 图4.52所示电路中，已知R 1＝2k Ω，R f
＝5k Ω，R 2＝2k Ω，R 3＝18k Ω，U i ＝1V ，求输出电压U O 。
解：此电路为同相输入电路。
18. 图4.53所示电路中，已知电阻R 1＝R 2 R F ＝5R 1，输入电压U i1＝5mV ，U i2＝10mV 求输出电压U O ，并指出A 1、A 2放大器的类型。
解：运放第1级A 1为电压跟随器，U o1=U i1=5mV ；第2级运放A 2是差分减法运算电
O
图4.51 习题16电路图
O
U o
路。
有：
19. 图4.54为文氏电桥RC 振荡电路，试问 （1）C 1、C 2，R 1、R 2在数值上的关系； （2）R f 、R 3在数值上的关系；
（3）如何保证集成运放输出正弦波失真最小； （4）该电路的振荡频率为多少？实用中如何改变频率？
解：(1)数值上C 1=C 2，R 1=R 2； (2)数值上R f >2R 3；
(3)
R f 和
R 3的数值，使R f >2R 3
(4)R 和C 的数值改变电路频率。
20. 图4.55所示电路中，已知R F ＝2R 1，u
i ＝－4V ，试求输出电压u o ＝？
解：第1
第1级输出即为第2级运放的输入，而第2级运放也是反相比例运算电路，则：
V 24816o1o2o -=--=-=u u u
C 图4.54 习题19电路图
o
图4.55 习题20电路图。