第6章 时效强化的位错理论
第六章 习题答案 1. (1)临界分切应力n及取向因子数据如附表23 …
第六章 习题答案1.(1)临界分切应力n及取向因子数据如附表2.3所示。
以上数据表明,实验结果符合临界分切应力定律τk =σm。
(2)屈服应力σs与取向因子,m之间的关系如附图2.17所示。
6.单滑移是指只有一个滑移系进行滑移。
滑移线呈一系列彼此平行的直线。
这是因为单滑移仅有一组多滑移是指有两组或两组以上的不同滑移系同时或交替地进行滑移。
它们的滑移线或者平行,或者相交成一定角度。
这是因为一定的晶体结构中具有一定的滑移系,而这些滑移系的滑移面之间及滑移方向之间都交滑移是指两个或两个以上的滑移面沿共同的滑移方向同时或交替地滑移。
它们的滑移线通常为折线或波纹状。
只是螺位错在不同的滑移面上反复“扩展”的结果。
10.滑移带一般不穿越晶界。
如果没有多滑移时,以平行直线和波纹线出现,如附图2.19(a),它可以通过抛光而去除。
机械孪晶也在晶粒内,因为它在滑移难以进行时发生,而当孪生使晶体转动后,又可使晶体滑移。
所以一般孪晶区域不大,如附图2.19(b)所示。
孪晶与基体位向不同,不能通过抛光去除。
退火孪晶以大条块形态分布于晶内,孪晶界面平直,一般在金相磨面上分布比较均匀,如附图2。
19(c)所示,且不能通过抛光去除。
11.低碳钢的屈服现象可用位错理论说明。
由于低碳钢是以铁素体为基的合金,铁素体中的碳(氮)原子与位错交互作用,总是趋于聚集在位错线受拉应力的部位以降低体系的畸变能,形成柯氏气团对位错起“钉扎”作用,致使σs 升高。
而位错一旦挣脱气团的钉扎,便可在较小的应力下继续运动,这时拉伸曲线上又会出现下屈服点。
已经屈服的试样,卸载后立即重新加载拉伸时,由于位错已脱出气团的钉扎,故不出现屈服点。
但若卸载后,放置较长时间或稍经加热后,再进行拉伸时,由于熔质原子已通过热扩散又重新聚集到位错线周围形成气团,故屈服现象又会重新出现。
吕德斯带会使低碳薄钢板在冲压成型时使工件表面粗糙不平。
其解决办法,可根据应变时效原理,将钢板在冲压之前先进行一道微量冷轧(如1%~2%的压下量)工序,使屈服点消除,随后进行冲压成型,也可向钢中加入少量Ti,A1及C,N等形成化合物,以消除屈服点。
位错基本理论
晶体滑移: 总沿一定的滑移面(密排面)和其上的
一个滑移方向进行,且只有当切应力 达到一定临界值时,滑移才开始。
此切应力被称为临界分切应力,即晶 体的切变强度。
1926年,弗兰克( Frankel)从刚体滑移模型出发,推算晶体的 理论强度。
(1)点缺陷:特征是在三维空间的各个方向上的尺寸都很小, 亦称为零维缺陷。如空位、间隙原子等。
(2)线缺陷:特征是在两个方向上的尺寸很小,在一个方向 上的尺寸较大,亦称为一维缺陷。如晶体中的各类位错。
(3) 面缺陷:特征是在一个方向上的尺寸很小,在另外两个 方向上的尺寸较大,亦称二维缺陷。如晶界、相界、层错、 晶体表面等
CUv n N
晶体中空位缺陷的平衡浓度:
设温度 T 和压强 P 条件下,从 N 个原子组成的完整晶体中 取走 n 个原子,即生成 n 个空位。
定义晶体中空位缺陷的平衡浓度为:
Cv n N
e e C
kUT
U RT
U -为空位的生成能,K-玻尔兹曼常数。
空位和间隙原子的平衡浓度:随温度的升高而急剧增加, 呈指数关系。
(a) 肖脱基空位
(b)
2、间隙原子 间隙原子:进入点阵间隙中的原子。可为晶体本身固有的原
子(自间隙原子);也可为尺寸较小的外来异类原子(溶质原 子或杂质原子)。 外来异类原子:若是取代晶体本身的原子而落在晶格结点上, 称为置换原子。
间隙原子:使其周围原子偏离平 衡位置,造成晶格胀大而产生晶 格畸变。
升高,增大了热力学不稳定性。 另一方面,因增大了原子排列的混乱程度,并改变了其周围
原子的振动频率,又使晶体的熵值增大,晶体便越稳定。 因此这两互为矛盾因素,使晶体中点缺陷在一定温度下有一
第六章 第二相强化
第三节 弥散强化机制
(不可变形粒子强化机制)
不可变形粒子的特点: (1)弹性模量远高于基体的弹性模量; (2)与基体非共格。 这种特点决定了位错只能绕过第二相,且阻力主要来源于: 位错线弓弯所需的力; 加工硬化率的明显升高; 第二相粒子与基体变形的不协调(辅助作用)。
一、Orawan公式
1. 弥散强化模型(Orawan模型):
2、不可变形粒子强化对材料塑性的影响
位错绕过阻力逐渐升高; 第二相粒子使位错平面塞积的可能性增大。
从而使均匀延伸率升高; 由于粒子与基体结合性不好,使局部延伸率下降; 总体来说,使材料塑性比固溶体下降,但比欠时效和峰时效态塑性高。
0.2
d
第五节 第二相粒子强化的特点
二、第二相粒子强化机制的利用
外
外
反
反
外
外
第三节 弥散强化机制
三、Orawan公式的进一步修正
硬粒子与基体弹性变形不协调性模型: 在外力作用下,无颗粒时,孔将发生变形; 有硬粒子时,基体产生变形,维持界面的连续性; 变形不协调性的结果:引起与外力应力相反的切应力
反
外
eff=
外
- 反 =
Gb l 1 .2 D
例如,Al-Li合金时效硬化过程: 580℃,0.5h固溶+水淬+180℃时效——
1.欠时效: 2.峰时效: 3.过时效:
欠 时 效
峰 时 效
过 时 效
第二相强化机制就是要解释:为什么随着组织的变化,会产生性能的变化?
第一节 第二相强化机制的分类
第六章-金属及合金强化的位错解释
3、滑动位错与第二相质点的交互作用
晶体中的位错在外力作用 下产生运动,在运动过程 中首先遇到的是第二相质 点周围的应力场(如果有 这种应力场存在的话), 对其产生阻碍作用,它属 于长程作用。继而有两种 可能,一种是位错切割质 点而过,一种是位错以某 种方式绕过质点
6.5 材料的断裂
6.6.5 影响材料断裂的基本因素
• 1、结合键及晶体结构类型对材料断裂形式 有决定性的影响;
• 2、材料的化学成分及显微组织对断裂行为 也有重要影响;
• 3、裂纹及应力状态的影响; • 4、温度对材料断裂行为的影响。
位错互相截割后可以 产生割阶(jog)。图6[两 个刃型位错的截割]
为伯格斯矢量互相垂直的两个刃型位错发生截割的情况。 AB在Ⅰ面上移动,CD在Ⅱ面上截割后产生割阶QQ (图6b [两个刃型位错的截割]其伯格斯矢量为。从QQ与相垂直 可知QQ属刃型,位于QQ 与构成的滑移面Ⅲ上, 故可与整个 位错一起运动。因为与AB平行,截割后位错AB不受影响。
金属及合金强化的位错解释
1、cottrell 气团 2、位错的交割和带割阶位错的运动 3、滑动位错与第二相质点的交互作用
1、柯氏气团(Cottrell atmosphere) 围绕于刃型位错(见滑移)周围的溶质原子聚物,又称溶质原子气团或 溶质原子云,溶质原子和刃型位错的相互弹性作用称为柯氏效应。 在含有溶质原子的固溶体合金中,同时存在位错与溶质,其周围均 有一个应力场,这两个应力场会发生交互作用,降低系统的应变能 溶质原子与位错应力场问的弹性交互作用能越大,则交互作用越强 烈。由于这种交互作用,溶质原子在晶体中将重新进行分布。刃型 位错具有拉应力区及压应力区,因此溶质原子被吸引到拉应力区(见 图);若置换的溶质原子比溶剂原子小时,则溶质原子被吸引到位错 的压应力区。在间隙固溶体中,溶质原子在刃型位错的拉应力区偏 聚,使溶质原子的浓度提高;而在压应力区,则溶质原子浓度降低。 柯氏气团对位错起钉扎作用,除产生强化效应外,还可解释某些合 金中出现的应变时效和明显屈服点现象的原因。柯氏气团的作用随 着温度的升高而减弱。
材料科学基础重点总结5材料的强化途径
材料的强化强韧化意义希望材料既有足够的强度,又有较好的韧性,通常的材料二者不可兼得。
提高材料的强度和韧性,节约材料,降低成本,增加材料在使用过程中的可靠性和延长服役寿命提高金属材料强度途径强度是指材料抵抗变形和断裂的能力,提高强度可通过以下两种途径: 1 完全消除内部的缺陷,使它的强度接近于理论强度2 大量增加材料内部的缺陷,提高强度增加材料内部缺陷,提高强度,即在金属中引入大量缺陷,以阻碍位错的运动四种强化方式:固溶强化细晶强化形变强化(加工硬化)第二相粒子强化实际上,金属材料的强化常常是多种强化方式共同作用的结果。
材料强度 缺陷数量材料强度与缺陷数量的关系固溶强化:当溶质原子溶入溶剂原子形成固溶体时,使材料强度硬度提高,塑性韧性下降的现象。
强化本质:利用点缺陷(间隙原子和置换原子)对位错运动的阻力使金属基体获得强化强化机理:1溶质原子的溶入使固溶体的晶格发生畸变,对在滑移面上的运动的位错有阻碍作用;2位错线上偏聚的溶质原子对位错的钉扎作用。
影响因素不同溶质原子所引起的固溶强化效果存在很大差别,影响因素主要有:1 溶质原子的原子数分数越高,强化作用也越大。
2溶质原子与基体金属的原子尺寸相差越大,强化作用也越大。
3间隙溶质原子比置换原子具有较大的固溶强化效果。
4溶质原子与基体金属的价电子数相差越大,固溶强化作用越显着。
固溶强化效果与溶质原子的质量分数成正比关系。
大多数溶质原子在室温的溶解度比较小,为了提高固溶度从而提高固溶强化的效果,可以将其加热到较高温度,经过保温后快速冷却到室温,使溶质原子来不及析出而得到过饱和固溶体,这就是固溶处理。
经过固溶处理后还可以经过时效处理进一步提高其强度。
对过饱和固溶体在适当温度下进行加热保温,析出第二相,使强度硬度升高的热处理工艺称为时效。
时效硬化的本质是从过饱和固溶体中析出弥散第二相,属于第二相强化途径。
固溶和时效广泛用于有色金属的强化,如铜合金,铝合金,镁合金,钛合金等。
位错理论
《位错与位错强化机制》杨德庄编著哈尔滨工业大学出版社1991年8月第一版1-2 位错的几何性质与运动特性一、刃型位错2.运动特性滑移面:由位错线与柏氏矢量构成的平面叫做滑移面。
刃型位错运动时,有固定的滑移面,只能平面滑移,不能能交叉滑移(交滑移)。
刃型位错有较大的滑移可动性。
这是由于刃型位错使点阵畸变有面对称性所致。
二、螺型位错1. 几何性质螺型位错的滑移面可以改变,有不唯一性。
螺型位错能够在通过位错线的任意平面上滑移,表现出易于交滑移的特性。
同刃型位错相比,螺型位错的易动性较小。
、位于螺型位错中心区的原子都排列在一个螺旋线上,而不是一个原子列,使点阵畸变具有轴对称性。
2.混合位错曲线混合位错的结构具有不均一性。
混合位错的运动特性取决于两种位错分量的共同作用结果。
一般而言,混合位错的可动性介于刃型位错和螺型位错之间。
随着刃型位错分量增加,使混合位错的可动性提高。
混合位错的滑移面应由刃型位错分量所决定,具有固定滑移面。
四、位错环一条位错的两端不能终止于晶体内部,只能终止于晶界、相界或晶体的自由表面,所以位于晶体内部的位错必然趋向于以位错环的形式存在。
一般位错环有以下两种主要形式:1. 混合型位错环在外力作用下,由混合型位错环扩展使晶体变形的效果与一对刃型位错运动所造成的效果相同。
2. 棱柱型位错环填充型的棱柱位错环空位型棱柱位错环棱柱位错环只能以柏氏矢量为轴的棱柱面上滑移,而不易在其所在的平面上向四周扩展。
因为后者涉及到原子的扩散,因而在一般条件下(如温度较低时)很难实现。
1-3 位错的弹性性质位错是晶体中的一种内应力源。
——这种内应力分布就构成了位错的应力场。
——位错的弹性理论的基本问题是对位错周围的弹性应力场的计算,进而还可以推算位错所具有的能量,位错的线张力,位错间的作用力,以及位错与其他晶体缺陷之间的相互作用等一些特性。
——一般采用位错的连续介质模型(不能应用于位错中心区),把晶体作为各向同性的弹性体来处理,直接采用胡克定律和连续函数进行理论计算。
位错强化理论[终稿]
位错强化理论通过合金化、塑性变形和热处理等手段提高金属材料的强度,称为金属的强化。
所谓强度是指材料对塑性变形和断裂的抗力。
从根本上讲,金属强度来源于原子间结合力,而根据理论计算的金属切变强度一般是其切变模量的1/10~1/30,而金属的实际强度只是这个理论强度的几十分之一,甚至几千分之一。
造成这样大差异使位错理论应运而生,晶体的滑移不是晶体的一部分相对于另一部分同时做整体运动,而是位错在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的结果。
位错虽然移动了一个原子间距,但位错中心附近的的少数原子只做远小于一个原子间距的弹性偏移,而晶体其他区域的原子仍处于正常位置,这样,位错运动只需要一个很小的应力(P169)就能实现,位错理论的发展揭示了晶体实际切变强度(和屈服强度)低于理论切变强度的本质。
金属材料的强化途径不外两个,一是提高合金的原子间结合力,提高其理论强度,并制得无缺陷的完整晶体,如晶须。
铁的晶须强度接近理论值,可以认为这是因为晶须中没有位错,或者只包含少量在形变过程中不能增殖的位错。
从自前来看,只有少数几种晶须作为结构材料得到了应用。
另一强化途径是向晶体内引入大量晶体缺陷,如位错、点缺陷、异类原子、晶界、高度弥散的质点或不均匀性(如偏聚)等,这些缺陷阻碍位错运动,也会明显地提高金属强度。
具体方法有固溶强化、形变强化(加工硬化)、沉淀强化和弥散强化(质点强化)、细晶强化、相变强化:1.固溶强化它的实现主要是通过溶质原子与位错的交互作用。
固溶体中存在着溶质原子,使合金的强度硬度提高,而塑性韧性有所下降,即产生固溶强化。
其原因在于,一是固溶体中溶质与溶剂的原子半径所引起的弹性畸变,与位错之间产生的弹性交互作用,对滑移面上运动着的位错有阻碍作用;二是在滑移线上偏聚的溶质原子(柯氏气团)对位错的束缚和钉扎作用。
(P176)2.形变强化,即加工硬化:随着变形程度的增加,金属的强度硬度增加,而塑性韧性下降。
其原因与位错的交互作用有关,随着变形程度的增加,位错密度不断增加。
第6章 时效强化的位错理论
三、Friedel关系
Friedel关系近似地给出了粒子能被滑动位错切割情况下的有效间距。 Friedel假定,在屈服过程,位错采取一种稳定态的形状,即一个位错每 次切过一个障碍物粒子B,它只与另外一个障碍物粒子B´相遇,弓出 成圆弧。
因此,每切一次粒子位错就扫过面积为A的滑移面如上图阴影部分 所示。 按平均,A值与单位滑移面上粒子数目成反比。如果滑移面上粒子 的平均间距为l,单位面积滑移面上粒子的数目为Ns,假定粒子是规则 平方排列。 l = Ns-1/2 l 2 = 1/Ns = A
2014合金
第三节
位错与第二相的交互作用
位错与第二相粒子相遇: 切过、绕过、爬过 第二相粒子(位错运动的障碍物)可分为两类: 可变形 粒子- 位错可切过 不可变形粒子 - 位错只能绕过或爬过 对于可变形的第二相粒子, 其强化效果取决于粒子的本性 对于不可变形的第二相粒子, 其强化效果取决于粒子尺寸和粒子间的平均距离。
单位长度螺位错线的能量E1
2
1
b r E ln E c 4 ro
2
单位长度刃位错线的能量E2
b r E2 ln E c 4 (1 - ) ro
r0=0.5~1nm
式中b为位错柏氏矢量,μ为剪切模量, ν为泊松比
对位错中心区域能量的估算表明,当r >10-4厘米时(即考虑位 错线周围半径已经达到10-4cm范围的弹性应变能时),相比之下位 错中心区域能量仅占位错总能量的五分之一左右,因此位错中心区域 的能量可以忽略。所以通常把单位长度螺位错线的能量E1和刃位错线 的能量E2分别写成:
通过分解成半位错, 位错更易移动, 但形成层错, 若层错能高, 不易分解成半位错。
四、气团拖曳与动态应变时效
位错运动对材料强化的意义
位错运动对材料强化的意义
位错运动对材料强化具有重要意义。
位错是指晶体中原子排列
出现的偏差或错位,它们对材料的物理和力学性质产生重要影响。
位错运动可以通过多种方式对材料进行强化,具体意义如下:
首先,位错运动可以增加材料的强度和硬度。
当外力作用于材
料时,位错可以阻碍原子的位移和滑移,从而增加材料的抗变形能力,提高材料的强度和硬度。
其次,位错运动可以提高材料的塑性。
通过位错的滑移和扩散,材料可以更容易地发生塑性变形,从而提高材料的塑性变形能力,
使材料更容易加工和成形。
此外,位错运动还可以改善材料的疲劳性能。
通过位错的移动
和重新组合,材料内部的应力分布可以得到调整,从而减缓位错的
聚集和扩展,提高材料的抗疲劳性能。
另外,位错运动还可以影响材料的电学和热学性质。
位错可以
影响材料的电子传输和热传导,从而影响材料的导电性和导热性能。
总的来说,位错运动对材料强化的意义在于通过调控位错的类型、密度和运动方式,可以有效地改善材料的力学性能、塑性性能、疲劳性能以及电学和热学性质,从而提高材料的整体性能和应用范围。
这对于材料的设计和工程应用具有重要意义。
关于位错的理论与思考
关于位错的理论与思考任新凯1,什么是位错位错是晶体中最为常见的缺陷之一,它对晶体材料的各种性质都有程度不同的影响,很早就被人们关注和研究,有了比较成熟的理论和大量的实验研究成果。
晶体在结晶时受到杂质、温度变化或振动产生的应力作用,或由于晶体受到打击、切削、研磨等机械应力的作用,使晶体内部质点排列变形,原子行间相互滑移,而不再符合理想晶体的有秩序的排列,由此形成的缺陷称位错。
位错是原子的一种特殊组态,是一种具有特殊结构的晶格缺陷,因为它在一个方向上尺寸较长,所以被称为线状缺陷。
位错的假说是在30年代为了解释金属的塑性变形而提出来的,50年代得到证实。
位错的存在对晶体的生长、相变、扩散、形变、断裂、以及其他许多物理化学性质都有重要影响,了解位错的结构及性质,对研究和了解金属尤为重要,对了解陶瓷等多晶体中晶界的性质和烧结机理,也是不可缺少的。
最初为解释的塑性变形而提出的一种排列缺陷模型.晶体滑移时,已滑移部分与未滑移部分在滑移面上的分界,称为"位错",又可称为差排。
它是一种"线缺陷".基本型式有两种:滑移方向与位错线垂直的称为"刃型位错";滑移方向与位错线平行的称为"螺型位错".位错的存在已经为等观察所证实.实际晶体在生长,变形等过程中都会产生位错.它对晶体的塑性变形,相变,扩散,强度等都有很大影响.刃型位错设有一简单立方结构的晶体,在切应力的作用下发生局部滑移,发生局部滑移后晶体内在垂直方向出现了一个多余的半原子面,显然在晶格内产生了缺陷,这就是位错,这种位错在晶体中有一个刀刃状的多余半原子面,所以称为刃型位错。
位错线的上部邻近范围受到压应力,而下部邻近范围受到拉应力,离位错线较远处原子排列正常。
通常称晶体上半部多出原子面的位错为正刃型位错,用符号“┴”表示,反之为负刃型位错,用“┬”表示。
当然这种规定都是相对的。
螺型位错又称螺旋位错。
一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移,原子平面沿着一根轴线盘旋上升,每绕轴线一周,原子面上升一个晶面间距。
位错反应理论
位错反应
谢 谢!
bi b j
(2)能量条件 从能量角度要求,位错反应必须是一个伴随着能量降低 的过程。由于位错的能量正比于其柏氏矢量的平方,所以, 反应后各位错的能量之和应小于反应前各位错的能量之和, 即 2 bi b j 2
说明:
分析位错反应时,一般先用几何条件确定位错反应是 否可以进行,然后再利用能量条件来判定位错反应的方向。
. . . . 氏矢量是反映位错 周围点阵畸变总和的参数。因此,位错的合并实际上 是晶体中同一区域两个或多个畸变的叠加,位错的分 解是晶体内某一区域具有一个较集中的畸变,松弛为
两个或多个畸变。
三、位错反应的条件:
(1)几何条件 根据柏氏矢量的守恒性,反应后诸位错的柏氏矢量之 .... 和应等于反应前诸位错的柏氏矢量之和,即
位错反应(Dislocation Reaction)
概念
实质
条件
实例
一、位错反应的概念:
位错反应就是位错的合并(Merging)与分 解(aissvciativn)即晶体中不同柏氏矢量的位
. . . . . .
错线合并为一条位错线或一条位错线分解成两条 或多条柏氏矢量不同的位错线。
三、实例分析
三、实例分析
位错反应对位错导致微裂纹产生的解释
在体心立方晶体中,若沿(1 0 1)
晶面上具有柏氏矢量为a/2[-1 -1 1]的
材料科学基础——位错课件
z
b 2 r
螺型位错的应力场
柱面坐标表示:
直角坐标表示:
z z G z
Gb 2r
rr r rz 0
式中,G为切变模量,b为柏氏矢量,r为距位错中心的距离
螺型位错应力场的特点: (1)只有切应力分量,正应力分量全为零,这表明螺型位错不引起晶体的膨胀 和收缩。 (2)螺型位错所产生的切应力分量只与r有关(成反比),且螺型位错的应力场 是轴对称的,并随着与位错距离的增大,应力值减小。 (3)这里当r→0时,τθz→∞,显然与实际情况不符,这说明上述结果不适用位错 中心的严重畸变区(r =b)。
因原子间斥力的短程性,能量曲线不是正弦形的,所以上面的估计是过
高的,τc的更合理值约为G/30。实验测定的切变强度比理论切变强度低 2~3 个数量级。 晶体 理论强度(G/30)GPa 实验强度/MPa 理论强度 /实验强度
Fe Al Cu Ni Mo Ti
(柱面滑移)
7.10 2.37 4.10 6.70 11.33
位 错 (Dislocations)
位错基本知识
主要内容
概论
位错的应力场
位错的应变能 位错受力 位错的运动 割阶及其运动 弯结及其运动
0 位错概论 位错理论提出——理论强度和实际强度的差异
• 变形时,若晶体在滑移面两侧相对滑过,则在滑移面上所有的键都要破断 来产生永久的位移。据此,可估算滑移所需的临界分切应力。
• 1947年 Cottrell阐明溶质原子和位错的交互作用并用以解释低碳纲 的屈服现象,第一次成功地利用位错理论解决金属机械性能的具体问题。 同年,Shockley描绘了面心立方形成扩展位错的过程。 • 1950年 Frank和Read共同提出了位错的增殖机制。
位错强化
位错强化:金属晶体中的位错是由相变和塑性变形引入的,位错密度愈高,位错运动愈困难,金属抵抗塑性变形的能力就愈大,表现在力学性能上,金属强度提高,即当造成金属晶体内部位错大量增殖时,金属表现出强化效果。
理论研究同时也说明:制成无缺陷,几乎不存在“位错”的完整晶体,使金属晶体强度接近理论强度,则会使金属强化效果表现得更为突出。
因此,金属有两种强化途径:一是对有晶体缺陷的实际金属,即存在位错金属,可以通过位错增殖而强化,二是制成无晶体缺陷的理想金属,使晶体中几乎不存在位错,则金属强化效果会更大。
方法:通过冷加工变形或相变,使“位错”增殖1 固溶强化:①溶质原子与位错的弹性交互作用在固溶体中,无论是固溶原子或是位错,在其周围都存在着应力和点阵畸变,两个应力场之间的作用就属于弹性交互作用。
这种弹性交互作用力代表固溶原子所提供的阻碍位错运动的力。
固溶体中的溶质原子有时会出现有序化现象,当存在短程序时,塑性变形将改变原来的有序排列而增加势能,表现为短程序强化作用。
在有长程序的固溶体中,位错倾向于两两相随地通过晶体。
第一个位错通过时,使有序结构中跨越滑移面的不同类原子对A-B改变为类原子对A-A和B-B,引起能量升高;当后随的一个位错经过时,A-A和B-B原子对又恢复为A-B对,能量又降下来。
在前后相随的两个位错之间的这段距离上,A-A和B-B原子对尚未恢复,形成所谓反相畴界(antiphase boundary)。
为减少反相畴界的能量,两相随位错倾向于尽量靠近;但是当两个同号位错靠近时,它们之间的斥力急剧上升。
在这两个因素的共同作用下,两个位错间有一个平衡距离,它与两个不全位错间存在的层错很相似。
在塑性变形过程中,有序合金的反相畴界的面积不断增加,从而提高了体系的能量,表现为长程序引起的强化作用。
此外,无论是代位原子或是填隙原子,在条件合适的情况下,都可能发生原子偏聚而形成气团。
对代位点阵来说,当溶质原子比溶剂原子的直径大时,溶质原子有富集在刃位错受胀区的趋向,反之,富集于受压区。
材料科学基础位错理论
1.1 点缺陷
一、点缺陷的形式与分类
• 金属晶体中,点缺陷的存在形式有:空位、间隙原子,置换原子。 • 半金属Si、Ge中掺入三价和五价杂质元素,晶体中产生载流子,得
到P型(空穴)和N型(电子)半导体材料。 • 离子晶体中,单一点缺陷的出现,晶体将失去电平衡。为了保持电
中性,将以复合点缺陷形式出现,形成能较高。
返回
• 半共格界面:(界面能中等) 当相邻晶粒的晶面间距相差较大时,将由若干位
错来补偿其错配,出现共格区与非共格区相间界面。
AB
半共格界面中的 共格区A +非共格区B
返回
• 非共格界面: (界面能高) 当两相邻的晶粒的晶面间距相差很大时,界面上的
原子排列完全不吻合,出现高缺陷分布的界面。
返回
二、界面结构
螺位错柏氏矢量的确定:
b
右旋闭合回路
完整晶体中回路
•
螺位错
∥
b
右螺
左螺
b b
b b
b
b
返回
混合型位错的柏氏矢量
b
bs
be
be b sin bs b cos
返回
2、柏氏矢量的意义
• 意义在于:通过比较反映出位错周围点阵畸变的总积 累(包括强度和取向)。位错可定义为柏氏矢量不为 零的晶体缺陷。
┻
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4、实际晶体中的柏氏矢量
• 实际晶体中位错的 b,通常用晶向表示。
b
a
uvw
n
ra b n
u2 v2 w2
b表示错排的程度,称为位错的强度。一般晶体的滑移是
在原子最密集的平面和最密集的方向上进行,所以沿该方
向造成的位错柏氏矢量,等于最短的滑移矢量。(称为初 基矢量)。这种位错称为单位位错。—— 为b最近邻的原子
位错理论(6)
2. 滑移系统和临界分解剪切应力
(1) 滑移系统 滑移系统:包括滑移方向和滑移面,即滑移按一定 的晶面和方向进行。 滑移方向与原子最密堆积的方向一致,滑移面是原 子最密堆积面。
[110]
面 心 格 子
(111)
滑移面(111)
体 心 格 子
滑移面(112)
滑移面(110)
滑移面(123)方向[111] 来自
位错环
A
B
A
B
位错的增殖机理
5.2.2 多晶的的塑性形变
多晶塑性形变不仅取决于构成材料的晶体本 身,而且在很大程度上受晶界物质的控制。 多晶塑性形变包括以下内容:
晶体中的位错运动引起塑变;
晶粒与晶粒间晶界的相对滑动;
空位的扩散;
粘性流动。
例如:玻璃是无序网络结构,不可能有滑移系统,呈脆 性,但在高温时又能变形,为什么? 玻璃发生塑性形变的过程: 正是因为非长程有序,许多原子并不在势能曲线 低谷; 有一些原子键比较弱,只需较小的应力就能使这 些原子间的键断裂; 原子跃迁附近的空隙位置,引起原子位移和重排。 不需初始的屈服应力就能变形-----粘性流动。
F
(3)金属与非金属晶体滑移难易的比较
金属 由一种离子组成
金属位错理论
金属位错理论位错的概念最早是在研究晶体滑移过程时提出来的。
当金属晶体受力发生塑性变形时,一般是通过滑移过程进行的,即晶体中相邻两部分在切应力作用下沿着一定的晶面晶向相对滑动,滑移的结果在晶体表面上出现明显的滑移痕迹——滑移线。
为了解释此现象,根据刚性相对滑动模型,对晶体的理论抗剪强度进行了理论计算,所估算出的使完整晶体产生塑性变形所需的临界切应力约等于G/30,其中G为切变模量。
但是,由实验测得的实际晶体的屈服强度要比这个理论值低3~4数量级。
为解释这个差异,1934年,Taylor,Orowan和Polanyi 几乎同时提出了晶体中位错的概念,他们认为:晶体实际滑移过程并不是滑移面两边的所有原子都同时做刚性滑动,而是通过在晶体存在着的称为位错的线缺陷来进行的,位错再较低应力的作用下就能开始移动,使滑移区逐渐扩大,直至整个滑移面上的原子都先后发生相对滑移。
按照这一模型进行理论计算,其理论屈服强度比较接近于实验值。
在此基础上,位错理论也有了很大发展,直至20世纪50年代后,随着电子显微镜分析技术的发展,位错模型才为实验所证实,位错理论也有了进一步的发展。
目前,位错理论不仅成为研究晶体力学性能的基础理论,而且还广泛地被用来研究固态相变,晶体的光、电、声、磁和热学性,以及催化和表面性质等。
一、位错的基本类型和特征位错指晶体中某处一列或若干列原子有规律的错排,是晶体原子排列的一种特殊组态。
从位错的几何结构来看,可将他们分为两种基本类型,即刃型位错和螺型位错。
1、刃型位错刃型位错的结构如图1.1所示。
设含位错的晶体为简单立方晶体,晶体在大于屈服值的切应力 作用下,以ABCD面为滑移面发生滑移。
多余的半排原子面EFGH犹如一把刀的刀刃插入晶体中,使ABCD 面上下两部分晶体之间产生了原子错排,故称“刃型位错”。
晶体已滑移部分和未滑移部分的交线EF就称作刃型位错线。
图1.1 含有刃型位错的晶体结构刃型位错结构的特点:(1)刃型位错有一个额外的半原字面。
《位错理论基础》课件
2)能量条件:反应过程是能量降低的过程。 E∝b2 Σb2前≥Σb2后
扩展位错:一个位错分解成两个半位错和它们中间夹的层错带 构成的位错。
面心立方晶体的滑移
如: 1 a1 10 1 a1 2 1 1 a211
2
6
6
1 a1 10
2
1 a1 2 1
6
1 a211
6
1.5 位错的运动及晶体的塑性变形
派—纳力(Peirls- Nabarro),此阻力来源于周期 排列的晶体点阵。
式中,b为柏氏矢量的模,G:切变模量,v:泊松比 W为位错宽度,W=a/1-v,a为滑移面间距
1)通过位错滑动而使晶体滑移,τp 较小 , 设a≈b,v约为0.3, 则τp为(10-3~10-4)G,仅为理想晶体的1/100~1/1000。
1.6 位错在应力场中的受力
外力使晶体变形做的功=位错在F力作用下移动 ds距离所作的功。
1.7 位错间的相互作用
(1)写出位错间作用力的表达式(不要求计算) (2)分析位错的受力
同符号刃型位错:
/2 稳定平衡位置; /4不稳定平衡位置。
1.9 位错的交割
割阶与扭折
割阶的形成增加了位错线长度,要消耗一定的能量。 因此交割对位错运动是一种阻碍。增加变形困难, 产生应变硬化。
刃型位错的交割/割阶的类型
1.10 位错的增殖与塞积
位错的增殖机制
开动(F-R)位错源的临界切应力
位错的塞积
●当位错在滑移过程中遇到沉淀相、晶界等障碍 物时,可能被阻挡停止运动,并使由同一位错 源增殖的后续位错发生塞积。塞积使障碍处产 生了应力集中。
应变硬化的机制之一
位错塞积群中位错的分布与数量
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单位长度螺位错线的能量E1
2
1
b r E ln E c 4 ro
2
单位长度刃位错线的能量E2
b r E2 ln E c 4 (1 - ) ro
r0=0.5~1nm
式中b为位错柏氏矢量,μ为剪切模量, ν为泊松比
对位错中心区域能量的估算表明,当r >10-4厘米时(即考虑位 错线周围半径已经达到10-4cm范围的弹性应变能时),相比之下位 错中心区域能量仅占位错总能量的五分之一左右,因此位错中心区域 的能量可以忽略。所以通常把单位长度螺位错线的能量E1和刃位错线 的能量E2分别写成:
三、铃木气团(Suzuki)
溶质原子在层错中的偏聚被称作铃木气团 (置换原子间的作用) 在一些无限互溶的面心立方金属中出现,溶质溶剂晶格相 同、尺寸和电化学性相近。 热力学可证明,溶质原子在基体中与在层错中的分布是 不同的,溶质原子在层错区的偏聚可降低层错能。如果扩 展位错从富集溶质的层错中运动出来,将使体系自由能升 高,外力必须克服阻力作功。 因为铃木气团不像柯氏气团那样产生点阵畸变,因此气 团不属于弹性交互作用,而被认为是一种化学交互作用。
2、动态应变时效
当温度足够高时,溶质原子与位错的交互作用可以在变形过程中 发生,变形中产生时效的现象称作动态应变时效。 动态应变时效发生在一定温度范围,这个温度范围随应变速率的 增加而上移。 动态应变时效具有以下特点: (1)发生动态应变时效时的屈服应力与温度无关。 (2)发生动态应变时效时,动态应变时效时的屈服应力也与应变速 率无关。 (3)在动态应变时效温度范围,其塑性流变是不稳定的, 在应力应变曲线上常出现锯齿形, 此现象称为Portevin-Lechatelier效应。 (4)对含有间隙溶质原子的金属,动态应变时效现象表现为加工硬 化速率高得反常,且对应变速率和温度敏感。 (5)动态应变时效在钢中产生“蓝脆”,一般约在150℃左右。
b
故溶质原子溶入位错应力场中的交互作用能为:
4 u - r 3 ( xx yy zz ) 3 4 - r 3 (2 rr 2 rr ) 3 4 (1 ) 3 sin b r 3 (1- ) R
若ε>0,即溶质原子尺寸大于溶剂时, 在刃位错的上半部(0<θ<π),sinθ> 0, u为正值; 而在刃位错的下半部(π<θ<2π),sinθ< 0, u为负值, 因而大原子被吸引到刃位错的下半部(膨胀区)。
第六章
时效强化的位错理论
时效强化的本质: 在晶面上析出的第二相质点及 其 周围应力场阻碍位错运动,提高滑 移变形阻力,从而提高强度(使合 金硬化)。
第一节 位错的能量、线张力、 受力及弯曲位错的恢复力
一、位错的能量
单位长度位错线的能量(E)可以分为两个部分
E=Ec+Es
Ec为位错中心区的能量 Es为中心区以外区域(r-ro)弹性应变产生的应变能
T=αμb2
α=0.3~1.2, 作为粗略估计α=1/2, 因此通常把位错的线张力T简单地写成:
T=1/2μb2
三、作用在位错上的力(位错受力 F )
根据外力作用使位错运动所作功的关系,推导出作用在位错上的力(位错受力)
设沿晶体的滑移面和柏氏矢量方向施加切应力τ,推动长度为L的刃型位 错运动了ds距离,这种运动使晶体已滑移区域增加了Lds,在这个增加区域 中的上下两部分晶体产生相对位移b,
2
F=2Tcos
T- 位错线张力,
-切断角(breaking angle)
二、剪切粒子的力
施加剪应力τ 使柏氏矢量为b的位错弯成曲率半径为R的圆弧 在弯曲位错向心恢复力中已证明τb ds=Tdθ, ∵ ds=Rdθ τ b=T/R
由图可见,2Rsinθ=λ,因此τb=2Tsinθ/λ 由于θ=90º - ,根据F=2Tcos 2 2 可得τb=F/λ 或τbλ=F 其中重要的一项, 就是粒子之间的有效距离
刃型位错的能量大于螺型位错的能量,E2≈3/2E1 单位长度位错的能量的数量级为:
பைடு நூலகம்
b 2 r E2 ln 4 (1 - ) ro
E≈αμb2
b r E ln 4 ro
2
1
粗略估计时, α
≈0.5,
即E≈0.5μb2
二、位错的线张力
位错的线张力用T表示并定义为:位错线每增加单位长度 所增加的能量(即单位长度位错的能量)。 对直位错一般将T近似地写成:
2014合金
第三节
位错与第二相的交互作用
位错与第二相粒子相遇: 切过、绕过、爬过 第二相粒子(位错运动的障碍物)可分为两类: 可变形 粒子- 位错可切过 不可变形粒子 - 位错只能绕过或爬过 对于可变形的第二相粒子, 其强化效果取决于粒子的本性 对于不可变形的第二相粒子, 其强化效果取决于粒子尺寸和粒子间的平均距离。
位错切过共格沉淀相的示意图,形成粒子与 基体新界面,Ni-6.5Si合金中位错切过有序 Ni3Si粒子的透射电镜照片,1974年
在Cu-30%Zn晶体中的Al3O2粒子周围的位错 环(小变形)
在Cu-30%Zn晶体中的Al3O2粒子周围的位错 环(大变形)
一、第二相粒子阻碍位错运动的力
第二相粒子阻碍位错运动的力(F)也就是位错作用在 第二相粒子上的力,主要集中在位错的钉扎点上。
一个直刃位错其滑移面离质点中心距离为z, 其交互作用力为:
z2 3 (当 2 ) 2 4 z r z2 z2 3 F 8 b z(1 - 2 )(当 2 ) 4 r r 3 3/2 F=( ) 2
b r3
该式表明 : Fmax 4 b r(当z 2 /r 2= 1/2)
长度为ds,曲率半径为R的一段位错线, f =τb,作用在ds长度上的合力f ds =τb ds ) d d 当dθ很小时,sin 2 = 2 , d d 由位错线张力T分量引起的弯曲位错线向心恢复力为2T sin =2T =Tdθ
2 2
τb ds=Tdθ
由于ds=Rdθ,又T=1/2μb2,因此,τb R=1/2μb2
由上推导可得
λ=l /(cosΦ/2)1/2
障碍粒子的间距取决于切断角Φ,而且障碍粒子越强 λ值越小。
l为滑移面上粒子的平均间距,
当位错切过粒子时,粒子对位错的阻碍与粒子本身的性质有关,
强化机制包括: 共格强化、化学强化、层错强化、模量强化、有 序强化
化学强化(Chemical Strengthing)
故:τb≈μb2/R 或: f = μb2/2R
曲率R越小 向心恢复力f 越大
(使位错线弯曲的力)
第二节 溶质原子与位错的交互作用(固溶强化)
一、柯氏气团(Cottrell)
刃型位错的应力场既有切应力也有正应力,螺型位错的应力场只有切应力。
假如溶质原子只在基体中造成对称的畸变,那么溶质原子只与刃 型位错有交互作用。因为只有体积变化而无形状变化,故与螺位错无 交互作用。尺寸大的溶质原子容易偏聚到刃位错的下半部张应力区, 减小了位错线本身的应变能,减小的那部分应变能即称为溶质原子和 位错的弹性交互作用能(为负值)。 对于面心立方晶体,无论是置换式还是间隙式溶质原子,在溶入 基体后只造成对称型畸变,所以它们与位错交互作用的情况简单。 如果是间隙式溶质原子溶入体心立方晶体,则会造成非对称畸变, 这时溶质原子与刃位错和螺位错都有交互作用,所以体心立方金属的 屈服、应变时效等现象更加明显。
三、Friedel关系
Friedel关系近似地给出了粒子能被滑动位错切割情况下的有效间距。 Friedel假定,在屈服过程,位错采取一种稳定态的形状,即一个位错每 次切过一个障碍物粒子B,它只与另外一个障碍物粒子B´相遇,弓出 成圆弧。
因此,每切一次粒子位错就扫过面积为A的滑移面如上图阴影部分 所示。 按平均,A值与单位滑移面上粒子数目成反比。如果滑移面上粒子 的平均间距为l,单位面积滑移面上粒子的数目为Ns,假定粒子是规则 平方排列。 l = Ns-1/2 l 2 = 1/Ns = A
当z2/r2 < 3/4, Fmax位于基体与质点的界面上。 当z2/r2 > 3/4, Fmax不是在位错与质点接触处。 当滑移面在第二相的中心平面上, 即z=0,交互作用力为零。
通过分解成半位错, 位错更易移动, 但形成层错, 若层错能高, 不易分解成半位错。
四、气团拖曳与动态应变时效
1、气团对位错的拖曳 稀释的柯氏气团和史氏气团都对运动位错有一个拖 曳力。拖曳力构成金属流变应力的一部分。拖曳力的大小 取决于位错运动的速度。 位错运动速度高时,溶质原子的扩散速度跟不上位 错的运动,来不及形成柯氏气团(或原子的跳动来不及有 序分布,不能形成史氏气团),拖曳力小。 位错运动速度很低时,极端地说,接近一个静止位 错,位错与溶质原子形成一稳定的低能结构,这时并不产 生拖曳力。 只有当位错以某一速度运动,气团中心落后于位错 并离它一定距离,才产生拖曳力。
因此,切应力所作的功dW等于:
dW=τbLds
这样的功相当于垂直位错线且沿ds方向有一个F力所作的功, 即: 因此,
dW=Fds Fds=τbLds F=τbL
于是,作用在单位长度位错上的力应 f=F/L为:
f =τb
同一位错线的b相同,故沿位错线上各处的力相同,且垂直 于位错线。
四、弯曲位错的向心恢复力
有序强化(Order Strengthening)
当共格沉淀相的晶体结构是超点阵,基体是无序 固溶体时,产生这种强化
共格强化(Coherency Strengthening)
由于共格错配的沉淀相的应变场与位错之 间的弹性相互作用而引起的强化。
共格应变强化 基体中的共格析出相产生应力场
(析出相的点阵常数比基体小)
由于位错剪切沉淀相粒子,造成附加的界面 (沉淀相与基体之间的界面),引起能量增加。