IC封装工艺简介
IC 芯片封装流程
FOL– Wire Bonding 引线焊接
陶瓷的Capillary
内穿金线，并且在EFO的 作用下，高温烧球；
金线在Cap施加的一定 压力和超声的作用下， 形成Bond Ball；
金线在Cap施加的一 定压力作用下，形成 Wedge；
FOL– Wire Bonding 引线焊接
※利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
FOL– Wire Bonding 引线焊接
※利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
FOL– Wire Bonding 引线焊接
FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write： Coverage >75%;
Die Attach： Placement<0.05mm;
FOL– Epoxy Cure 银浆固化
银浆固化：
175°C，1个小时； N2环境，防止氧化：
Die Attach质量检查： Die Shear（芯片剪切力）
Size
FOL– 3rd Optical Inspection三 光检查
检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品
EOL– End of Line后段工艺
EOL
Annealing 电镀退火
Trim/Form 切筋/成型
ic的封装方式
ic的封装方式【原创版】目录1.IC 封装方式的概述2.常见的 IC 封装类型3.各种 IC 封装类型的特点及应用4.IC 封装方式的选择正文【1.IC 封装方式的概述】IC 封装方式，指的是将集成电路（Integrated Circuit，简称 IC）芯片安装在电路板上的方法。
它不仅影响着电路板的性能，而且还关乎到设备的稳定性、可靠性和使用寿命。
因此，合适的 IC 封装方式对于电子产品的性能和品质至关重要。
【2.常见的 IC 封装类型】常见的 IC 封装类型主要有以下几种：（1）DIP（Dual In-Line Package，双列直插式封装）：这是最古老的一种封装方式，主要应用于低密度的 IC 芯片。
其特点是引脚排列在两条平行的直线上，易于焊接和插入电路板。
（2）SOP（Small Outline Package，小型外型封装）：这是一种较为常见的 IC 封装方式，具有体积小、可靠性高的特点。
SOP 封装的引脚一般分布在四周，间距较小。
（3）QFP（Quad Flat Package，四侧扁平封装）：QFP 封装是一种高密度的 IC 封装方式，引脚数量较多且分布在四个侧面。
它具有体积小、焊接方便等优点，但缺点是引脚容易弯曲。
（4）BGA（Ball Grid Array，球栅阵列封装）：BGA 封装是一种先进的 IC 封装技术，引脚以微小的球状焊接在芯片底部，间距非常小。
它具有体积小、可靠性高、I/O 引脚数多等优点，但焊接难度较高。
（5）CSP（Chip Scale Package，芯片级封装）：CSP 封装是一种新型的 IC 封装方式，引脚与芯片尺寸相当，可以实现真正的芯片级封装。
它具有体积小、散热性好、信号延迟短等优点，但焊接和组装难度较大。
【3.各种 IC 封装类型的特点及应用】（1）DIP 封装：适用于低密度 IC 芯片，如数字电路、模拟电路等，常用于较为简单的电子设备。
（2）SOP 封装：适用于中低密度 IC 芯片，如存储器、微处理器等，广泛应用于各类电子产品。
半导体封装工艺介绍
Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊 接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）；
W/B四要素：压力（Force）、超声（USG Power）、时间（Time）、 温度（Temperature）；
➢线径决定可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Mold Compound】塑封料/环氧树脂
➢主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱 模剂，染色剂，阻燃剂等）；
➢主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外一焊点
Cap牵引金 线上升
Cap运动轨迹形成 良好的Wire Loop
Cap下降到Lead Cap侧向划开，将金 Cap上提，完成一次 Frame形成焊接 线切断，形成鱼尾 动作
FOL– Wire Bonding 引线焊接
Wire Bond的质量控制：
Wire Pull、Stitch Pull（金线颈部和尾部拉力）
……
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Lead Frame】引线框架
➢提供电路连接和Die的固定作用； ➢主要材料为铜，会在上面进行镀银、
NiPdAu等材料； ➢L/F的制程有Etch和Stamp两种； ➢易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH; ➢除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame，
脱离蓝膜； 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer
常见ic封装工艺简介
常见ic封装工艺简介答案：常见的IC封装工艺包括DIP、QFP/PFP、SOT、SOIC、TSSOP、QFN、BGA、CSP等。
DIP（Dual In-line Package），即双列直插式封装，是最普及的插装型封装之一，适用于绝大多数中小规模集成电路。
DIP封装的芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，或者直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
DIP封装适合在PCB上穿孔焊接，操作方便，但体积较大，适用于标准逻辑IC、存储器和微机电路等应用。
QFP/PFP（Quad Flat Package/Plastic Flat Package），即四方引脚扁平式封装，适用于大规模或超大型集成电路。
QFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。
QFP封装适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线，成本低廉，适用于中低功耗，适合高频使用，操作方便且可靠性高。
SOT（Small Outline Transistor）、SOIC（Small Outline Integrated Circuit）、TSSOP （Thin Small Outline Small Outline Package）、QFN（Quad Flat No-lead Package）、BGA（Ball Grid Array Package）、CSP（Chip Scale Package）等，这些封装形式各有特点，适用于不同的应用场景。
例如，QFN是一种无引脚封装形式，适用于表面贴装技术；BGA通过球栅阵列形式连接，提供了更高的I/O密度；CSP则通过采用Flip Chip技术和裸片封装，实现了芯片面积与封装面积的比值接近1:1，为目前最高级的技术。
这些封装形式的选择取决于多种因素，包括封装效率、芯片面积与封装面积的比值、引脚数等。
不同的封装形式各有优势，选择合适的封装形式对于确保电子设备的性能、可靠性和成本至关重要。
半导体封装工艺介绍
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 清洗
将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；
通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序；
艾
Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺简介
IC Process Flow
Customer 客 户
IC Design IC设计 SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
IC Package （IC的封装形式）
IC Package Structure（IC结构 图）
Lead Frame 引线框架 Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire 金线 Epoxy 银浆
TOP VIEW
Mold Compound 环氧树脂
SIDE VIEW
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Wafer】晶圆
Intermetallic（金属间化合物测试）
FOL– 3rd Optical Inspection三 光检查
检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品
EOL– End of Line后段工艺
EOL Annealing 电镀退火
Trim/Form 切筋/成型
Molding 注塑
Wafer Saw 晶圆切割
Wire Bond 引线焊接
3rd Optical 第三道光检
IC封装工艺简介
IC封装工艺简介集成电路（IC）封装工艺是制造IC的重要步骤之一，它关系到IC的稳定性、散热效果和外形尺寸等方面。
通过不同的封装工艺，可以满足不同类型的IC器件的需求。
封装工艺分类目前常见的IC封装工艺主要有以下几种类型：1.贴片封装：是将IC芯片直接粘贴在PCB基板上的封装方式，适用于小型、低功耗的IC器件。
2.裸片封装：IC芯片和封装基板之间没有任何封装材料，可以获得更好的散热效果。
3.塑封封装：将IC芯片封装在塑料基板内部，并封装成标准尺寸的芯片，适用于多种场合。
4.BGA封装：球栅阵列封装是一种高端封装技术，通过焊接球栅来连接芯片和PCB基板，适用于高频高性能的IC器件。
封装工艺流程IC封装工艺包括以下几个主要步骤：1.芯片测试：在封装之前，需要对芯片进行测试，确保芯片的功能正常。
2.粘贴：在贴片封装中，IC芯片会被粘贴到PCB基板上，需要精确的定位和固定。
3.焊接：通过焊接技术将IC芯片和PCB基板连接起来，确保信号传输的可靠性。
4.封装：将IC芯片包裹在封装材料中，形成最终的封装芯片。
5.测试：封装完成后需要进行最终的测试，确保IC器件性能符合要求。
封装工艺发展趋势随着技术的不断进步，IC封装工艺也在不断发展，主要体现在以下几个方面：1.多功能集成：随着对IC器件功能和性能需求的提高，封装工艺需要支持更多的功能集成，如封装中集成无源器件或传感器等。
2.微型化：随着电子产品体积的不断缩小，IC封装工艺也在朝着微型化的方向发展，以满足小型化产品的需求。
3.高性能封装：为了提高IC器件的性能和可靠性，封装工艺需要支持更高频率、更高功率的IC器件。
综上所述，IC封装工艺在集成电路制造中扮演着重要的角色，通过不断的创新和发展，可以满足各类IC器件的需求，推动整个电子产业的不断进步。
IC封装技术与制程介绍
IC封装技术与制程介绍课程主要内容••••IC封装技术基础电子元器件的应用电子产品的分解集成电路产业链IC 封装的作用如人的大脑如人的大脑：：如人的身体如人的身体：：IC封装的功能••••IC封装层次•••IC封装层次培训的主要内容IC封装分类•PCB•插入型封装器件表面贴装型封装器件PCBPCB金属管壳型封装陶瓷封装陶瓷封装-CPGA塑料封装-DIP （Dual In-line Package）塑料封装-QFPBGA封装塑料封装-BGACSP (Chip Scale Package)CSP (Chip Scale Package)IC封装制程(塑料封装)封装结构与材料•••••封装结构示例焊片晶圆切割晶圆点测焊线塑封半导体封装工艺流程晶圆(wafer)的制造WAFERMASKING N+ SUBSTRATEN-DRAINCHANNELCHANNEL SOURCE METALIZATIONGATE OXIDE POLYSILICON GATEP+P+P -P -P -P -N+N+N+N+CURRENT FLOWSilicon Die Cross-SectionBPSG晶圆的制造晶片背磨top side back side目的： 目的：减薄晶片厚度FROM: 0.008”TO: Silicon0.014”Silicon31晶片背金处理目的： 目的：提高导电性Titanium Nickel SilverSilicon32晶片点测目的： 目的：初步筛选出好的芯片Gate /Base ProbeInk bad dice out.Source/ Emitter Probe33晶片切割Wafer sawing is to separate the dice in wafer into individual chips. unsawn wafer sawn waferwafer holder wafer tapeconnected die singulated die34晶片切割InputOutput35焊片工艺Cu Leadframe Die Attach Material Die or MicrochipDie Attach is a process of bonding the microchip on the leadframe.36焊片工艺点胶 真空吸嘴吸附芯片 芯片焊到框架的焊盘上37银胶焊片工艺38银胶焊片工艺SYRINGE EPOXY DIE FLAT FACE COLLETNOZZLES LEADFRAME w/ PLATINGD/A TRACK39银胶焊片工艺D/A TRACKD/A TRACK40共晶焊片工艺DIE w/ BACKMETALLEADFRAME w/ PLATING HEATER BLOCK锡铅焊片工艺SOFT SOLDER WIREHEATER BLOCK HEATER BLOCK焊线工艺99.99% Gold wiresThermosonic wire bonding employs heat and ultrasonic power to bond Au wire on die surface.焊线工艺HEATER BLOCKAu WIRESPOOL DIE BONDED LEADFRAMEAu BALL焊线工艺热声波焊线工艺超声波焊线工艺DIE BALL BOND(1ST bond)WEDGE BOND or WELD(2nd bond)LEADFRAME塑封工艺MOLDCOMPOUNDPELLETS塑封工艺•。
IC芯片封装测试工艺流程
IC芯片封装测试工艺流程一、芯片封装工艺流程芯片封装是将设计好的芯片加工到具有引脚、引线、外壳等外部连接结构的封装盒中，以便与其他电子设备连接和使用。
常见的封装类型包括裸片封装、孔型封装和面型封装。
1.裸片封装裸片封装是指将芯片直接粘贴在PCB板上，并通过线缆焊接进行连接。
裸片封装工艺流程主要包括以下几个步骤：a.准备芯片：将已经制作好的芯片切割成适当的尺寸，并进行清洁。
b.芯片粘贴：在PCB板上涂覆导电胶粘剂，然后将芯片放置在适当的位置上。
c.焊接线缆：将芯片的引脚与PCB板上的焊盘进行连接，并焊接线缆。
d.封装测试：对封装后的芯片进行测试，以验证其功能和性能是否正常。
2.孔型封装孔型封装是指将芯片封装在具有引脚的插座中，插座可以通过引脚与其他电子设备连接。
孔型封装工艺流程主要包括以下几个步骤：a.准备插座：选择合适的插座，并进行清洁。
b.芯片焊接：将芯片的引脚与插座的引脚相匹配，并进行焊接。
c.封装测试：对封装后的芯片进行测试，以验证其功能和性能是否正常。
3.面型封装面型封装是指将芯片封装在具有引线的封装盒中，通过引线与其他电子设备连接。
面型封装工艺流程主要包括以下几个步骤：a.准备封装盒：选择合适的封装盒，并进行清洁。
b.芯片粘贴：将芯片粘贴在封装盒的适当位置上，并与引线连接。
c.引线焊接：将引线与封装盒进行焊接。
d.封装测试：对封装后的芯片进行测试，以验证其功能和性能是否正常。
芯片测试是指对封装后的芯片进行功能和性能的测试，以确保芯片的质量和可靠性。
芯片测试工艺流程主要包括以下几个步骤：1.安装测试设备：搭建测试设备并连接到芯片封装盒，以进行信号接收和传输。
2.引脚测试：通过测试设备对芯片的引脚进行测试，以验证其连接状态和电性能。
3.功能测试：通过测试设备对芯片的功能进行测试，以验证其逻辑和计算能力。
4.器件测试：通过测试设备对芯片中的器件进行测试，以验证其工作状态和参数。
5.温度测试：通过测试设备对芯片进行温度测试，以验证其在不同温度环境下的性能。
芯片封装工艺详解
Logo
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 清洗
将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；
通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序；
Company Logo
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FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write： Coverage >75%;
Die Attach： Placement<0.05mm;
Company Logo
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FOL– Epoxy Cure 银浆固化
Logo
FOL– Die Attach 芯片粘接
芯片拾取过程： 1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜； 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer 到L/F的运输过程； 3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上，具体位置可控； 4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um； 5、Bond Head Speed：1.3m/s；
Back Grinding 磨片
Wafer Wash 晶圆清洗
Epoxy Cure 银浆固化
EOL
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割
Wire Bond 引线焊接
3rd Optical 第三道光检
Company Logo
Logo
FOL– Back Grinding背面减薄
半导体封装工艺介绍
Lead Frame 引线框架
Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire
金线
Epoxy 银浆
Mold Compound 环氧树脂
Sino-i Technology Ltd.
ITSM / ITIL
Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Wafer】晶圆
……
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Sino-i Technology Ltd.
ITSM / ITIL
FOL– Front of Line前段工艺
Wafer
2nd Optical 第二道光检
Die Attach 芯片粘接
Back
Grinding 磨片
Wafer Wash 晶圆清洗
Epoxy Cure 银浆固化
EOL
Wafer Mount 晶圆安装
【Gold Wire】焊接金线
➢实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接；
➢金线采用的是99.99%的高纯度金； ➢同时，出于成本考虑，目前有采用铜
线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低； ➢线径决定可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils ；
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陶瓷封 装
金属封 装
Sino-i Technology Ltd.
ITSM / ITIL
IC Package （IC的封装形式）
• 按与PCB板的连接方式划分为：
【半导体封装测试】IC封装测试工艺流程
EOL– Molding（注塑）
Before Molding After Molding
※为了防止外部环境的冲击，利用EMC 把Wire Bonding完成后的产品封装起 来的过程，并需要加热硬化。
EOL– Molding（注塑）
L/F L/F
Cavity
Molding Tool（模具）
➢EMC（塑封料）为黑色块状，低温存储，使用前需先回温。其特 性为：在高温下先处于熔融状态，然后会逐渐硬化，最终成型。
Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Saw Machine
Saw Blade(切割刀片)：
Life Time：900~1500M； Spindlier Speed：30~50K rpm： Feed Speed：30~50/s;
• QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 • SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 • TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 • QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 • BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 • CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
Molding Cycle
-L/F置于模具中，每 -高温下，EMC开始
个Die位于Cavity中， 熔化，顺着轨道流
模具合模。
向Cavity中
-块状EMC放入模具 孔中
-从底部开始，逐渐 覆盖芯片
-完全覆盖包裹完毕， 成型固化
大芯板生产工艺简介
大芯板生产工艺简介大芯板是一种新型集成电路（IC）封装技术，又被称为三维超薄片封装技术。
它是一种通过将多个芯片堆叠在一起，形成具有不同功能的多层电路板的封装技术。
大芯板不仅具有体积小、成本低、功耗低、性能高的特点，还可以提高集成度和产品的可靠性，广泛应用于移动通信、消费电子和计算机等领域。
大芯板的生产工艺主要包括以下几个步骤：1. 基准制备：大芯板的制作首先需要准备基准材料，如玻璃基板和硅基板。
这些基准材料需要经过特殊加工，使其表面平整度、粗糙度和尺寸精度符合要求。
2. 薄膜制备：在基准材料的表面涂覆一层特殊的薄膜，用于隔离层与层之间的电磁干扰和互相影响。
薄膜制备可以采用物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等技术。
3. 芯片堆叠：将多个芯片按照设计要求堆叠在一起，形成多层结构。
芯片可以采用封装或裸片形式，通过焊接或粘合在基准材料上。
堆叠过程中需要保证各个芯片之间的电连接和机械稳定性。
4. 电连接制备：通过制作金属混合粘合材料（MCM）或介观排列器件，实现芯片之间的电连接。
电连接制备可以采用微印刷、光刻、腐蚀等工艺。
5. 壳体封装：将芯片堆叠好的大芯板放入封装壳体中，以保护芯片并提供良好的散热条件。
壳体封装可以采用塑封或金属封装技术，具体工艺包括模具开发、注塑、胶合等。
6. 测试和封装：进行大芯板的电性能测试和外观质量检验，确保产品符合规定的标准和要求。
测试工艺包括芯片测试、故障分析和系统测试。
7. 后期加工：对已封装好的大芯板进行外观修整、尺寸加工和清洁处理，最终完成产品。
总之，大芯板的生产工艺在保证基准材料平整度和尺寸精度的基础上，通过薄膜制备、芯片堆叠、电连接制备、壳体封装、测试和封装等工艺，实现了多芯片的封装。
大芯板的广泛应用将推动集成电路封装技术的发展，实现电子器件的小型化、高集成度和高可靠性。
IC封装工艺简介
Wire Bonding 引线焊接
利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
Key Words：
Capillary：劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为空心， 中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和 第二焊点；
【Mold Compound】塑封料/环氧树脂
➢主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱 模剂，染色剂，阻燃剂等）；
➢主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外界干扰；
➢存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；
Typical Assembly Process Flow
➢成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）； ➢有三个作用：将Die固定在Die Pad上；
散热作用，导电作用； ➢冰冻下存放，使用之前先解冻；
➢实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接；
➢金线采用的是99.99%的高纯度金； ➢同时，出于成本考虑，目前有采用铜
线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低； ➢线径决定可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；
Saw Blade切割刀片
Die Attach 芯片粘接
芯片拾取过程： 1、Ejector Pin从wafer下方的蓝膜上顶起芯片，使之便 于脱离蓝膜； 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer
半导体封装工艺介绍
EOL– Molding（注塑）
Molding Cycle
-L/F置于模具中，每 个Die位于Cavity中 ，模具合模。 -块状EMC放入模具 孔中
-高温下，EMC开始 熔化，顺着轨道流 向Cavity中
-从底部开始，逐渐 覆盖芯片
-完全覆盖包裹完毕 ，成型固化
EOL– Laser Mark（激光打字）
• 按与PCB板的连接方式划分为：
PTH
SMT
PTH-Pin Through Hole, 通孔式；
SMT
SMT-Surface Mount Technology ，表面贴装式。
目前市面上大部分IC均采为SMT式 的
IC Package （IC的封装形式）
• 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；
Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的 焊接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）；
W/B四要素：压力（Force）、超声（USG Power）、时间（Time）、 温度（Temperature）；
FOL– Wire Bonding 引线焊接
内穿金线，并且在EFO的 作用下，高温烧球； 金线在Cap施加的一定 压力和超声的作用下， 形成Bond Ball； 陶瓷的Capillary 金线在Cap施加的一 定压力作用下，形成 Wedge；
IC封装简介
IC封装简介IC制作的工艺极其繁多，当完成制片、切片、上片或黏晶、焊线这些主要工艺之后，迎来的就是最后一道工艺-封装。
虽然在前几段工艺当中，不同设计的IC的物理结构、设定的IC应用领域、I/O数量等差距非常大，但是IC封装的作用和功能却基本相同。
IC封装可以说是芯片的防护装甲，其作用可以归结为两点：1) 保护芯片，使芯片免受物理和化学损伤；2) 重新分布I/O，使芯片获得更易于在装配中处理的引脚节距。
另外，IC封装还有一些其他的作用，比如提供一种更易于标准化的结构，给芯片提供合理的散热通道，使芯片避免产生α粒子造成的软错误，以及提供一种更方便于测试和老化实验的结构。
封装的特别设计还能够应用于多个IC的互连。
多芯片之间可以使用引线键合技术等标准的互连技术来直接进行互连。
或者也可以使用封装提供的互联通路，如混合封装技术、多芯片组件(MCM)、系统级封装(SiP)以及应用较广泛的系统体积小型化和互连(VSMI)概念所包含的其他方法中使用的互连通路来间接地进行互连。
衡量一个IC封装工艺技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积的比值，比值越接近1，则封装工艺越好。
IC封装时主要需要考虑的因素有：1) 芯片面积与封装面积之比应尽量接近1:1；2) 引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离应该尽量远，以保证互不干扰，提高IC性能；3) 基于散热的要求，封装越薄越好。
随着电子产业的飞速发展，IC封装工艺的种类也发展的越来越繁多，不同的IC封装工艺的步骤和方式都不尽相同。
IC封装工艺大致仅过了如下的发展进程：1) 结构方面：TO-DIP-PLCC-QFP-BGA-CSP；2) 材料方面：金属、陶瓷-陶瓷、塑料-塑料；3) 引脚形状方面：长引线直插-短引线或无引线贴装-球状凸点；4) 装配方式：通孔插装-表面组装-直接安装。
下面简单地介绍几种现在常用的IC封装工艺。
TO (Transistor-Outline Package)TO封装工艺是最早期的一类晶体管封装工艺。
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BGA采用的是Substrate；
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Gold Wire】焊接金线
第二，支撑：支撑有两个作用，一是支撑芯片，将芯片固 定好便于电路的连接，二是封装完成以后，形成一定的外形以 支撑整个器件、使得整个器件不易损坏。
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半导体封装的目的及作用
第三，连接：连接的作用是将芯片的电极和外界的电路连 通。引脚用于和外界电路连通，金线则将引脚和芯片的电路连 接起来。载片台用于承载芯片，环氧树脂粘合剂用于将芯片粘 贴在载片台上，引脚用于支撑整个器件，而塑封体则起到固定 及保护作用。
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IC Package Structure（IC结构图）
TOP VIEW SIDE VIEW
Lead Frame 引线框架
Die Pad 芯片焊盘
Gold Wire 金线
Epoxy 银浆
Mold Compound 塑封料
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Wafer】晶圆
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为 圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结 构，而成为有特定电性功能之IC产品。
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Lead Frame】引线框架
提供路连接和Die的固定作用； 主要材料为铜，会在上面进行镀银、
【Mold Compound】塑封料/环氧树脂
实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接；
金线采用的是99.99%的高纯度金；
同时，出于成本考虑，目前有采用铜 线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低；
线径决定可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；
Logo
Raw Material in Assembly(封装原材料)
塑料封装用于消费电子，因为其成本低 ，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分 的市场份额；
金属封装
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IC Package （IC的封装形式）
¢ 按与PCB板的连接方式划分为：
PTH
PTH-Pin Through Hole, 通孔式； SMT-Surface Mount Technology ，表面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式 的
¢ 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装
¢ 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
Logo
IC Package （IC的封装形式）
¢按封装材料划分为：
塑料封装
陶瓷封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无 商业化产品；
陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产 品，占少量商业化市场；
Logo
Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺简介
Logo
Introduction of IC Assembly Process
一、概念
半导体芯片封装是指利用膜技术及细微加工 技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布局、 粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝 缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。此 概念为狭义的封装定义。更广义的封装是指封装 工程，将封装体与基板连接固定，装配成完整的 系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工 程。将前面的两个定义结合起来构成广义的封装 概念。
其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；
Logo
IC Package （IC的封装形式）
¢QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 ¢SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 ¢TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 ¢QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 ¢BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 ¢CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
SMT SMT
Logo
IC Package （IC的封装形式）
¢ 按封装外型可分为：
SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；
封装形式和工艺逐步高级和复杂
¢ 决定封装形式的两个关键因素:
封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；
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半导体封装的目的及作用
第一，保护：半导体芯片的生产车间都有非常严格的生产 条件控制，恒定的温度（230±3℃）、恒定的湿度（50±10% ）、严格的空气尘埃颗粒度控制（一般介于1K到10K）及严格 的静电保护措施，裸露的装芯片只有在这种严格的环境控制下 才不会失效。但是，我们所生活的周围环境完全不可能具备这 种条件，低温可能会有-40℃、高温可能会有60℃、湿度可能 达到100%，如果是汽车产品，其工作温度可能高达120℃以上 ，为了要保护芯片，所以我们需要封装。
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
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IC Package （IC的封装形式）
Package--封装体：
指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC） 形成的不同外形的封装体。
IC Package种类很多，可以按以下标准分类：
¢ 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装
第四，可靠性：任何封装都需要形成一定的可靠性，这是 整个封装工艺中最重要的衡量指标。原始的芯片离开特定的生 存环境后就会损毁，需要封装。芯片的工作寿命，主要决于对 封装材料和封装工艺的选择。
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IC Process Flow
Customer 客户
IC Design IC设计
SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造