spm5中文教程

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SPM中文教程 汇总(已整理)

SPM中文教程   汇总(已整理)

一、SPM的安装与启动先安装matlab,然后将SPM复制到matlab下的一个文件夹(SPM2需要matlab6.0或以上版本)。

启动matlab,首先set path,然后在matlab命令窗口中输入SPM即可启动,然后选择fMRI,也可以直接输入SPM fMRI二、SPM数据处理概要先将所得数据进行空间预处理(对齐,平滑,标准化等),然后进行模型估计(将刺激的时间、间隔与血流动力函数进行卷积,所得结果与全脑象素信号进行相关分析),最后察看结果。

三、SPM8数据处理的一般步骤为方便后续的数据处理,如果数据分散处理后整合,建议所有处理数据路径保持一致,要统一路径。

处理前首先要采用数据转换软件将dicom数据转换成SPM解析格式,然后进行数据预处理,预处理结束后到matlab安装目录中备份spm*.ps文件,其中包含了空间校正和标准化的信息,然后进行建模分析。

运行命令:spm fmri,打开spm8的操作界面我们称左上侧的窗口为按钮窗口(button window),左下侧的窗口为输入窗口(input window),右侧大窗口为树形结构窗口或图形窗口(Tree Building Window or the graphics window)。

在spm8和spm5中,每一步处理都采用了直观的“树形结构”的面板,如果一个分支项左面有“+”号,你可以双击显示子分支项,如果一个分支项右面有“<-X”号,你必须为之指定选项(否则不能运行该tree),分支项的选项在其右侧面板指定,而帮助信息则在下面的面板中显示。

如果我们处理数据没有特殊需求,我们只关心带有“<-X”项目并完成输入即可,其余均可采用默认设置。

另外注意在Tree Building Window的顶部菜单,新增了一个菜单项“TASKS”,在使用批处理分析时非常重要。

以下内容,还可以参考E:\《汇总》中“静息态fMRI的数据预处理流程”这部分的讲述。

SPM5数据处理流程简介

SPM5数据处理流程简介

Smooth 平滑
数据预处理 smooth
选择wrarf···的功 能像文件
半宽全高设置,一 般为体素值的2倍 标化的体素改为3 3 3,所以这里就用6 6 6.
数据预处理 smooth
可以开 始运算
数据分析包括: Specify 1st-level Estimate Results
数据分析
选择spm.mat文件的 输出路径。
处理结束后,会出现头动曲线, 上图显示的是在X、Y、Z三个轴 向的平移,下图显示的是在3个方 向上的旋转。 如果旋转超过0.5度,或者平移超 过半个体素,就可以认为这个 volume的数据质量不好,可以抛 弃这个时间点的数据。
我的建议是质量不好的数据就重 扫,实在没办法可以舍弃个别点 的数据,但需要记录相应的时间 点,在design时候去除,也可以 用相邻数据的平均值替代。
选择rf···文件 输入BOLD序列层数
输入TR时间,单位秒
TA=TR-(TR/nslices) 可以直接输入结果, 也可输入算式就可以 了。
数据预处理 Slice Timing
根据扫描方式来填 写,本次用的数据 是从下向上的隔行 扫描,一共36层。
具体的填写方式如 下图:
数据预处理 Slice Timing
数据导入
开始转换
数据导入
数据导入
这一步会生成一个.mat文件,会在解剖像文件名 加“s”的前缀,在功能像文件名加“f”的前缀, (s和f的前缀取决于dicom的头信息)。
可以用“Display” 来查看刚转换的图 像。(Display还 有一个重要的作用 是定义原点—前联 合和AC-PC连线, 这在做Normalise 中很重要。定义后 reorient一下即可 写入头信息)。

SPM5数据分析简明教程

SPM5数据分析简明教程

SPM5数据分析简明教程SPM5(Statistical Parametric Mapping)是一种用于脑功能研究的数据分析软件包。

它被广泛应用于神经影像学领域,尤其是功能磁共振成像(fMRI)和脑电图(EEG)数据的分析。

SPM5提供了一套完整的工具,用于数据预处理、统计分析和结果展示。

本文将为读者提供一个简明的SPM5数据分析教程,帮助他们入门并开始进行自己的数据分析。

首先,我们需要准备数据。

在SPM5中,数据的格式通常是NIfTI (Neuroimaging Informatics Technology Initiative)格式。

如果您的数据不在这种格式中,可以使用转换工具将其转换为NIfTI格式。

准备好数据后,我们可以开始进行数据预处理。

数据预处理是SPM5分析流程的第一步。

它包括将数据进行切片时间校正、运动校正和空间归一化等操作,以消除数据中的伪迹和偏差。

可以使用SPM5自带的工具箱来完成这些操作。

在进行切片时间校正时,将数据按照时间顺序排列,以修正不同时间点的数据获取延迟。

运动校正将数据对齐到一个参考时间点,以纠正研究对象在扫描期间的运动。

空间归一化是将数据的空间分辨率转换为标准形态,以便进行统计分析。

完成数据预处理后,我们可以进行统计分析。

在SPM5中,统计分析通常使用广义线性模型(GLM)来建模和推断。

GLM允许我们将神经影像数据与实验设计和研究假设相结合,以估计不同神经活动与不同条件之间的关系。

要进行统计分析,我们需要创建一个设计矩阵,其中包含任务设计和卷积函数。

任务设计是实验条件的时间表,它描述了每个条件在实验中发生的时间和持续时间。

卷积函数是血氧水平依赖(BOLD)信号响应的数学模型,它描述了神经活动和BOLD信号之间的时间延迟和持续时间的关系。

设计矩阵创建完成后,我们可以使用SPM5进行模型估计和推断。

SPM5将根据设计矩阵中的信息对每个脑体素(voxel)进行建模,估计神经活动与条件之间的关系,并计算统计显著性。

SCI FSB50650BS 高级动态SPM5系列描述说明书

SCI FSB50650BS 高级动态SPM5系列描述说明书

FSB50650BSFSB50650B / FSB50650BS Motion SPM)5 SeriesDescriptionThe FSB50650B / FSB50650BS is an advanced Motion SPM 5 module providing a fully−featured, highperformance inverter output stage for AC Induction, BLDC and PMSM motors such as refrigerators, fans and pumps. These modules integrate optimized gate drive of the built−in MOSFETs (FRFET technology) to minimize EMI and losses, while also providing multiple on−module protection features including under−voltage lockouts and thermal monitoring. The built−in high−speed HVIC requires only a single supply voltage and translates the incoming logic−level gate inputs to the high−voltage, highcurrent drive signals required to properly drive the module’s internal MOSFETs. Separate open−source MOSFET terminals are available for each phase to support the widest variety of control algorithms.Features•UL Certified No. E209204 (UL1557)•Optimized for over 10 kHz Switching Frequency•500 V FRFET MOSFET 3−Phase Inverter with Gate Drivers and Protection•Built−In Bootstrap Diodes Simplify PCB Layout•Separate Open−Source Pins from Low−Side MOSFETs forThree−Phase Current−Sensing•Active−HIGH Interface, Works with 3.3 / 5 V Logic, Schmitt−trigger Input•Optimized for Low Electromagnetic Interference•HVIC Temperature−Sensing Built−In for Temperature Monitoring •HVIC for Gate Driving and Under−V oltage Protection •Isolation Rating: 1500 V rms/ min.•Moisture Sensitive Level (MSL)3 for SMD•These Devices are Pb−Free and are RoHS CompliantApplications•3−Phase Inverter Driver for Small Power AC Motor DrivesRelated Source•AN−9080 − FSB50450AS − User’s Guide for Motion SPM 5 Series •AN−9082 − Motion SPM5 Series Thermal Performance by Contact PressureSPM5E−023 / 23LD, PDD STDCASE MODEJSee detailed ordering and shipping information on page 2 of this data sheet.ORDERING INFORMATION$Y= ON Semiconductor Logo&Z= Assembly Plant Code&3= Data Code (Year & Week) &K= LotFSB50650X= Specific Device Code⇒ X = B or BSMARKING DIAGRAM$YFSB50650X&Z&K&E&E&E&3SPM5H−023 / 23LD, PDD STD,SPM23−BDCASE MODEMPACKAGE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Device Marking Package Packing Type Reel Size Quantity FSB50650B FSB50650B SPM5P−023Rail NA15FSB50650BS FSB50650BS SPM5Q−023Tape & Reel330 mm450ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25°C, Unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Rating Unit INVERTER PART(Each MOSFET Unless Otherwise Specified)V DSS Drain−Source Voltage of Each MOSFET500V *I D25Each MOSFET Drain Current, Continuous T C= 25°C 4.0A *I D80Each MOSFET Drain Current, Continuous T C= 80°C 2.5A *I DP Each MOSFET Drain Current, Peak T C= 25°C, PW < 100 m s10.3A *I DRMS Each MOSFET Drain Current, Rms T C= 80°C, F PWM< 20 kHz 1.8A rms CONTROL PART(Each HVIC Unless Otherwise Specified)V DD Control Supply Voltage Applied Between V DD and COM20V V BS High−side Bias Voltage Applied Between V B and V S20V V IN Input Signal Voltage Applied Between IN and COM−0.3 ~ V DD+0.3V BOOTSTRAP DIODE PART(Each Bootstrap Diode Unless Otherwise Specified.)V RRMB Maximum Repetitive Reverse Voltage500V * I FB Forward Current T C= 25°C0.5A * I FPB Forward Current (Peak)T C= 25°C, Under 1 ms Pulse Width 2.0A THERMAL RESISTANCEInverter MOSFET part, (Per Module) 2.1°C/W R th(j−c)Q Junction to Case Thermal Resistance(Note 1)TOTAL SYSTEMT J Operating Junction Temperature−40 ~ 150°C T STG Storage Temperature−40 ~ 125°C1500V rms V ISO Isolation Voltage60 Hz, Sinusoidal, 1 minute,Connection Pins to HeatsinkStresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.1.For the Measurement Point of Case Temperature T C, Please refer to Figure 4.2.Marking “ * ” Is Calculation Value or Design Factor.ing continuously under heavy loads or excessive assembly conditions (e.g. the application of high temperature/ current/ voltage and thesignificant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions(i.e. operating temperature/ current/ voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings and the operating ranges.PIN DESCRIPTIONPin No.Pin Name Pin Description1COM IC Common Supply Ground2V B(U)Bias Voltage for U Phase High Side FRFET Driving 3V DD(U)Bias Voltage for U Phase IC and Low Side FRFET Driving 4IN (UH)Signal Input for U Phase High −side 5IN (UL)Signal Input for U Phase Low −side 6N.C N.C7V B(V)Bias Voltage for V Phase High Side FRFET Driving 8V DD(V)Bias Voltage for V Phase IC and Low Side FRFET Driving 9IN (VH)Signal Input for V Phase High −side 10IN (VL)Signal Input for V Phase Low −side 11V TS Output for HVIC Temperature Sensing12V B(W)Bias Voltage for W Phase High Side FRFET Driving 13V DD(W)Bias Voltage for W Phase IC and Low Side FRFET Driving 14IN (WH)Signal Input for W Phase High −side 15IN (WL)Signal Input for W Phase Low −side 16N.C N.C17P Positive DC–Link Input18U, V S(U)Output for U Phase & Bias Voltage Ground for High Side FRFET Driving 19N U Negative DC–Link Input for U Phase 20N V Negative DC–Link Input for V Phase21V, V S(V)Output for V Phase & Bias Voltage Ground for High Side FRFET Driving 22N W Negative DC–Link Input for W Phase23W, V S(W)Output for W Phase & Bias Voltage Ground for High Side FRFET DrivingFigure 1. Pin Configuration and Internal Block Diagram (Bottom View)4.Source T erminal of Each Low −Side MOSFET is Not Connected to Supply Ground or Bias Voltage Ground Inside Motion SPM 5 product. External Connections Should be Made as Indicated in Figure 3.(1) COM (2) V (3) V (4) IN (5) IN (7) V (11) V (8) V (9) IN (10) IN (12) V (13) V (14) IN (15) IN (16) N.C(17) P(18) U, V S(U)(19) N U(20) N V (21) V, V S(V)(22) N W (23) W, V S(W)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25°C, V DD = V BS = 15 V Unless Otherwise Specified)Symbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit INVERTER PART (Each MOSFET Unless Otherwise Specified)BV DSS Drain−Source Breakdown Voltage V IN= 0 V, I D= 1 mA ( Note 5)500−−VI DSS Zero Gate Voltage Drain Current V IN= 0 V, V DS= 500 V−−1mA R DS(on)Static Drain−Source On−Resistance V DD= V BS= 15 V, V IN= 5 V, I D= 1.5 A− 1.43 1.8W V SD Drain−Source Diode Forward Voltage V DD= V BS= 15 V, V IN= 0 V, I D= −1.5 A−− 1.1Vt ON Switching Times V PN= 300 V, V DD= V BS= 15 V, I D= 1.5 AV IN= 0 V ↔5 V, Inductive Load L = 3 mH High−and Low−Side MOSFET Switching(Note 6)−440−nst OFF−580−ns t rr−100−nsE ON−30−m JE OFF−11−m J RBSOA Reverse−Bias Safe Operating Area V PN= 400 V, V DD= V BS= 15 V, I D= I DP,V DS= BV DSS, T J= 150°CHigh− and Low−Side MOSFET Switching (Note 7)Full Square CONTROL PART (Each HVIC Unless Otherwise Specified)I QDD Quiescent V DD Current V DD= 15 V, V IN= 0 V Applied Between V DD andCOM−−200m AI QBS Quiescent V BS Current V BS= 15 V, V IN= 0 V Applied BetweenV B(U)−U, V B(V)−V,V B(W)−W−−100m AI PDD Operating V DD Supply V DD− COM V DD = 15 V,f PWM = 20 kHz,Duty = 50%, Applied toOne PWM Signal Inputfor Low−Side−−900m AI PBS Operating V BS Supply Current V B(U)− V S(U), V B(V)− V S(V), V B(W)− V S(W)V DD = V BS = 15 V,f PWM= 20 kHz,Duty = 50%, Applied toOne PWM Signal Inputfor High−Side−−800m AUV DDD Low−Side Undervoltage Protection(Figure 8)V DD Undervoltage Protection Detection Level7.48.09.4VUV DDR V DD Undervoltage Protection Reset Level8.08.99.8VUV BSD High−Side Undervoltage Protection(Figure 9)V BS Undervoltage Protection Detection Level7.48.09.4VUV BSR V BS Undervoltage Protection Reset Level8.08.99.8V V TS HVIC Temperature sensing voltageoutputV DD= 15 V, T HVIC= 25°C (Note 8)600790980mVV IH ON Threshold Voltage Logic High Level Applied between IN andCOM −− 2.9VV IL OFF Threshold Voltage Logic Low Level0.8−−V BOOTSTRAP DIODE PART (Each Bootstrap Diode Unless Otherwise Specified)V FB Forward Voltage I F= 0.1 A, T C= 25°C (Note 9)− 2.5−V t rrB Reverse Recovery Time I F= 0.1 A, T C= 25°C−80−ns Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.RECOMMENDED OPERATING CONDITIONSymbol ParameterConditionsMin.Typ.Max.Unit V PN Supply Voltage Applied between P and N −300400V V DD Control Supply Voltage Applied between V DD and COM 13.515.016.5V V BS High −Side Bias Voltage Applied between V B and V S 13.515.016.5V V IN(ON)Input ON Threshold Voltage Applied between V IN and COM3.0−V DD V V IN(OFF)Input OFF Threshold Voltage0−0.6V t dead Blanking Time for Preventing Arm −Short V DD = V BS = 13.5 ~ 16.5 V, T J ≤ 150°C 1.0−−m s f PWMPWM Switching FrequencyT J ≤ 150°C−15−kHz12347891011121314150.00.10.20.30.40.50.60.70.80.91.0Built in Bootstrap Diode V F −I F CharacteristicT C = 255CFigure 2. Built in Bootstrap Diode Characteristics (Typical)V F [V]56I F [A ]NOTES:5.BV DSS is the Absolute Maximum Voltage Rating Between Drain and Source T erminal of Each MOSFET Inside Motion SPM 5 product. V PNShould be Sufficiently Less Than This Value Considering the Effect of the Stray Inductance so that V DS Should Not Exceed BV DSS in Any Case.6.t ON and t OFF Include the Propagation Delay Time of the Internal Drive IC. Listed Values are Measured at the Laboratory T est Condition, and They Can be Different According to the Field Applications Due to the Effect of Different Printed Circuit Boards and Wirings. Please see Figure 6 for the Switching Time Definition with the Switching T est Circuit of Figure7.7.The peak current and voltage of each MOSFET during the switching operation should be included in the Safe Operating Area (SOA). Please see Figure 8 for the RBSOA test circuit that is same as the switching test circuit.8.V TS is only for sensing temperature of module and cannot shutdown MOSFET s automatically.9.Built in bootstrap diode includes around 15 W resistance characteristic. Please refer to Figure 1.HINLIN Output Note 00Z Both FRFET Off 010Low side FRFET On 10High side FRFET On11ForbiddenShoot through OpenOpenZSame as (0,0)These values depend on PWM control algorithmFigure 3. Recommended MCU Interface and Bootstrap Circuit with ParametersV DC 10.Parameters for bootstrap circuit elements are dependent on PWM algorithm. For 15 kHz of switching frequency, typical example of parameters is shown above.11.RC −coupling (R 5 and C 5) and C 4 at each input of Motion SPM 5 product and MCU (Indicated as Dotted Lines) may be used to prevent improper signal due to surge −noise.12.Bold lines should be short and thick in PCB pattern to have small stray inductance of circuit, which results in the reduction of surge −voltage.Bypass capacitors such as C 1, C 2 and C 3 should have good high −frequency characteristics to absorb high −frequency ripple −current.Figure 4. Case Temperature Measurement13.Attach the thermocouple on top of the heat −sink of SPM 5 package (between SPM 5 package and heatsink if applied) to get the correct temperature measurement.204060801001201401600.51.01.52.02.53.03.5T HVIC [°C]Figure 5. Temperature Profile of V TS (Typical)V T S [V ](a) Turn −on(b) Turn −offFigure 6. Switching Time DefinitionsFigure 7. Switching and RBSOA (Single −Pulse) Test Circuit (Low −side)C V V VInput Signal UV Protection StatusLow −side Supply, V MOSFET CurrentInput Signal UV ProtectionStatusHigh −side Supply, V MOSFET CurrentFigure 9. Under −Voltage Protection (High −Side)14.About pin position, refer to Figure 1.15.RC−coupling (R5and C5, R4and C6) and C4at each input of Motion SPM 5 product and MCU are useful to prevent improper inputsignal caused by surge−noise.16.The voltage−drop across R3affects the low−side switching performance and the bootstrap characteristics since it is placed betweenCOM and the source terminal of the low−side MOSFET. For this reason, the voltage−drop across R3should be less than 1 V in the steady−state.17.Ground−wires and output terminals, should be thick and short in order to avoid surge−voltage and malfunction of HVIC.18.All the filter capacitors should be connected close to Motion SPM 5 product, and they should have good characteristics for rejectinghigh−frequency ripple current.Figure 10. Example of Application CircuitPACKAGE DIMENSIONSSPM5H−023 / 23LD, PDD STD, SPM23−BD (Ver1.5) SMD TYPECASE MODEMISSUE O10SPM5E −023 / 23LD, PDD STD, FULL PACK, DIP TYPE CASE MODEJISSUE OSPM is a registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC) or its subsidiaries in the United States and/or otherON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent coverage may be accessed atON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.PUBLICATION ORDERING INFORMATIONFSB50650BS。

SPM5数据分析简明教程

SPM5数据分析简明教程

SPM5数据分析简明教程SPM(Statistical Parametric Mapping)是一种常用的功能磁共振成像(fMRI)数据分析工具,用于研究大脑的活动与功能的关联。

本文将为您介绍SPM5的基本操作和流程,帮助您入门数据分析。

SPM5是SPM软件的一个版本,它提供了一个友好的用户界面,便于用户进行数据处理和结果展示。

在使用SPM5之前,我们需要准备一些基本的数据,包括脑功能成像数据和结构成像数据。

这些数据可以从实验室或大脑成像数据库中获取。

首先,我们需要使用SPM5将原始的fMRI数据进行预处理。

预处理的目的是将原始数据进行校正、对齐和标准化,以便后续的统计分析。

在SPM5中,可以使用"Preprocessing"工具箱来完成这一步骤。

打开工具箱后,我们需要选择需要处理的fMRI数据,然后按照提示进行参数设定,包括对齐和标准化参数。

完成设定后,点击运行按钮即可开始预处理过程。

预处理完成后,会生成一个预处理后的fMRI数据,我们将这个数据用于后续的统计分析。

接下来,我们需要进行统计分析。

在SPM5中,可以使用"General linear model"(GLM)工具箱进行统计分析。

打开工具箱后,需要选择预处理后的fMRI数据、实验设计以及一个用于模型估计的对照矩阵。

然后,设置统计参数,包括显著性阈值、簇大小等。

完成参数设定后,点击运行按钮即可开始统计分析。

分析完成后,SPM5会生成一个统计结果的图像,包括激活区域的位置、大小和程度等信息。

最后,我们可以使用SPM5进行结果展示。

在SPM5中,可以使用"Results"工具箱来查看和展示统计结果。

打开工具箱后,选择统计结果的图像文件,并设置显示参数,如显示阈值和颜色编码等。

然后,点击运行按钮即可展示结果。

结果展示主要包括激活区域的三维和二维可视化,以及区域的统计信息和图表等。

除了以上的基本操作,SPM5还具有一些高级功能,如多个组间比较和多个变量的线性回归分析等。

MRIcron、SPM5、xjView的安装和介绍,用SPM5进行预处理、个体统计

MRIcron、SPM5、xjView的安装和介绍,用SPM5进行预处理、个体统计

MRIcron、SPM5、xjView的安装和介绍,用SPM5进行预处理、个体统计Lab1实验内容z Matlab 7.1简介??主界面??基本命令z SPM5安装和接口,功能介绍??安装??界面??通用功能z微软基本用法??安装??图像显示有两个功能??DICOM数据格式转换所需软件1。

Matlab(版本:7.1R14) 2。

SPM 5(更新_ 958) 3。

磁共振cron(版本:Beta 7)Atlab 7.1引入1。

在所有的实验中,我们将使用Matlab 7.1软件包安装后,双击快捷图标打开Matlab单击Matlab窗口顶部的视图菜单,检查命令窗口、命令历史、当前目录和工作区。

此时,Matlab将在右下角显示四个子窗口:1)命令窗口。

指令窗口是输入指令的地方,Matlab显示计算结果。

2)命令历史:在左下角历史命令窗口存储历史输入命令。

3)当前目录:位于左上角即当前工作目录,显示当前目录下的文件信息;4)工作区:在右上角即工作空间,将变量存储在内存中Fig.1是Matlab的标准工作接口。

以上四个子窗口可以自由拖动来改变它们的位置图1 Matlab 7.1的主界面此时,Matlab处于准备接受命令的状态,可以直接在命令窗口(右下角的子窗口)中输入命令语句2。

Matlab基本命令1。

设置当前目录1)在窗口下创建一个新文件夹,如D:\ \ WORK \ \ DICOM _ CONVERT \2)类型:CD’ D: \ \ WORK \ \ DICOM _ CONVERT \ \ ‘在Matlab的命令窗口中是错误的,不应有单引号,因此Matlab的当前工作路径设置在上述路径下。

“pwd”,然后按回车键3)在Matlab的命令窗口中键入: 4)此时,当前工作路径信息显示在Matlab的命令窗口中:ANS =D:\ \ WORK \ \ DICOM _ CONVERT \ \2。

添加搜索路径(设置路径)1)点击Matlab顶部的“文件”菜单,从下拉菜单中选择“设置路径”。

spm5中文教程

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第一部分:时间维度预处理Chapter 1 Slice Timing目的:纠正slice(下译为扫描层)之间采集时间的差异。

纠正后的新文件名为:a+原理概述:Sliceorder(扫描层序数)用于指明扫描层被采集时的顺序,其总数为n Sliceorder(扫描层系数)同时指明了每个扫描层在图像文件中的存储位置。

因此扫描层系数表明鼠标的十字准线到 Z 坐标为1的位置时,我们看到的就是一个volume里面第一个slice(扫描层核磁仪采集数据的时间精度为一个TR,因此我们通常默认一个TR内采集到的数据(一(例如20层)的数据以覆盖较大的脑区(通常是全脑)。

这些扫描层是一个接一个按照上面所说的。

Slice timing这一步所要做的就是通过一定的算法纠正这一时间差异。

常规的纠正方法是在保持整段采集信号不变的条件下推前或者推后采集的起始时间。

这可以把任何复杂信号转换为由不同频率和相位的简单正弦曲线的线性组合。

这样,只要通过加入一具体步骤:1.1 Data预备数个被试或者session的数据。

以下所述参数设置将被应用到所有所选数据。

1.1.1 Sessions选择需要纠正的所有图像文件。

1.2 Number of Slices输入扫描层总数。

1.3 TR输入 TR,以秒为单位。

1.4 TATA必须由使用者手动输入,单位为秒. 一般可以用以下公式计算:TA=TR-(TR/扫描层为3秒,扫描了20层,则可以直接写为:3-(3/20)。

1.5 Slice order输入扫描顺序。

如前述此顺序可通过SPM的Display功能查看。

ascending (扫描序数从底部到顶部排列,即从1顺序递增到n)descending (扫描序数从顶部到底部排列,即从n顺序递减到1)interleaved(扫描序数间隔递增或递减,一般顺序为2,4,6,8,10..1,3,5,7,9..n)1.6 Reference Slice选择参考扫描层(一般可使用默认值),其它扫描层的起始时间都将以此层的起始时间第二部分:空间纬维度预处理Chapter 2 Realign被试内的图像数据重排。

SPM的操作步骤

SPM的操作步骤

SPM的操作步骤
1、MFM的操作
(1)、打开计算机,打开监视器,打开控制器。

(2)、取下激光头,换磁力探针,调激光光束。

(a)、调激光头的x钮,使得激光斑点挡住一点。

再调激光头的y轴,使得激光斑
点挡住一点。

最终是的激光斑点模糊。

(b)、打开PL---800电源,出现黄色光斑。

(c)、基座开关在AFM&LFM调节光电感应器的x、y钮,使得VERT=0,HORZ=0
将基座开关切换到TM AFM处,调VERT=0,此时SUM有读数。

(3)双击屏幕上Nanoscope5.12b48,打开软件。

双击显微镜状图标,出现十个小图标和六个面板,七个菜单。

选择菜单microscope的profile,点击MFM load.在microscope 点scanner 6105(E)eV OK。

Scanner JVH
Feedback controls
点击auto tune ,点击zero phase
(5)、下针开始扫描,根据扫描情况调节相关参数,得到清晰的图像后抓图。

(6)、抬针最少两次。

把目镜抬起,将开关搬到up,直到用肉眼可以看到针与样品之间有了间距。

(7)、把激光头、扫描器和基座一同取下。

用屏蔽罩罩好。

5自相位调制

5自相位调制
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反常色散情况下的脉冲演化
图 2-6 SPM所致啁啾为正,而色散所致啁啾为负,两种作用在高斯脉冲中心附 近基本抵消,脉冲传输期间,GVD和SPM的共同作用可保持无啁啾脉冲。
21
反常色散情况下的脉冲演化
对反常色散光纤, 群速度与光载波频率成正比,在脉冲中载 频高的部分传播得快, 而载频低的部分则传播得慢。
3
主要内容
概述 SPM对光纤中脉冲传输的影响 色散效应与自相位调制对脉冲传 输的共同影响 光孤子
4
自相位调制理论
SPM对光纤中脉冲传输的影响可以通过求解非线性 传输方程进行分析。 为了突出SPM对信号传输的影响, 假定脉冲的中心波 长位于光纤的零色散波长上, 则β2=0。 同时, 如前面 的讨论, 作下述变换, 定义出归一化振幅:
光孤子(Soliton)是经光纤长距离传输后,其幅度和宽度都不变 的超短光脉冲(ps数量级)。 光孤子的形成是光纤的群速度色散(GVD)和非线性效应相 互平衡的结果。 光纤非线性效应和色散单独起作用时,对传输速率的提高是有 害的。但是如果适当选择相关参数,在光纤的反常色散区,使 两种效应相互平衡,就可以保持脉冲宽度不变,因而形成光孤 子。 1980年,贝尔实验室的Mollenauer等人用实验方法在光纤中 观察到了孤子脉冲 。
在β0和P=0附近,把β展开成级数,得到:
,P 0 0 0 1 2 0 0 2 P(2-13)
式(2-13) 较完整地描述了光脉冲在光纤中传输的特 性,式中右边第三项和第四项最为重要,这两项正好体 现了群速度色散和非线性效应的影响。
如果β″0<0, 同时P>0,适当选择相关参数,使两
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总结及思考练习:
光脉冲 在光纤 中的传 输行为

SPM使用简介

SPM使用简介

SPM使用简介一、Spm的安装与启动:先安装matlab,然后将spm复制到matlab下的一个文件夹(Spm2需要和matlab6.0或以上版本配合使用)。

启动matlab,首先set path,然后在matlab命令窗口中输入spm即可启动,然后选择fmri,也可以直接输入spm fmri二、Spm数据处理概要先将所得数据进行空间预处理(对齐,平滑,标准化等),然后进行模型估计(将刺激的时间、间隔与血流动力函数进行卷积,所得结果与全脑象素信号进行相关分析),最后察看结果。

三、Spm数据处理一般步骤1、转换数据dicom格式转换为img文件,将以层为单位的数据转换成以全脑为单位的数据。

2、Slice timing校正系列成像中层与层获得时间的不同,使一个TR中的各层获得时间一致(如都在一个TR的开始),相当于afni中tshift所做的工作。

3、Realign(相当于afni中的registration)分两步:1)coregister,将每个session的第一个scan与第一个session的第一个scan进行比较,然后将每个sessioni中的其他scan与本session中的第一个scan进行比较,得到每个filename.img 文件的转换参数,生成filename.mat文件,同时为每个session生成一个对齐参数(realignment parameters),文件名为realignment_params_*.txt2)reslice,用filename.mat文件对filename.img重新切片,生成rfilename.img文件。

并可依选择生成一个平均象,名为meanfilename.img。

4、Normailze选用realign步骤中得到的平均象与模板进行比较,获得进行标准化的参数,参数文件命名为filename_sn3d.mat,然后依据此参数文件对每个img文件进行标准化,生成文件nfilename.img.5、Smooth推荐为象素大小的两至三倍。

SPM5数据分析简明教程

SPM5数据分析简明教程

图 5 文件选择窗口
注意!如果用 Matlab 和 SPM 处理数据,文件名和文件夹名应该设置为英文,最 好中间没有空格。不推荐使用中文。
Lab2 用 SPM5 进行任务ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱfMRI 数据预处理
实验内容
1. 2. 实验和数据介绍 数据预处理 Slice timing(层间时间校正) Realignment(头动校正) Normalization(空间标准化) Smoothing(平滑)
SPM5 介绍和安装
SPM5 是一款功能强大的 fMRI 数据激活区检测分析软件包。一般的数据处 理由预处理,个体统计,群体分析(组分析)这几大步骤组成。SPM5 这个软件 包包含一个“spm5”的文件夹,文件夹里含有若干子文件夹和许多文件。假设 这个文件夹在“D:\spm5”目录下,下面介绍如何安装及打开 SPM5: 1. 打开 Matlab7.1,将 SPM5 所在目录“D:\spm5”加入到 Matlab 的搜索路 径中(利用“添加搜索路径”所示的方法,将 spm5 及其所有子文件夹 添加到 Matlab 的搜索路径中) ; 2. 在 Matlab 指令窗口中输入 “spm fmri” , 即出现 SPM 的三个主要窗口 (图 3 为工具窗口,图 4 为交互窗口) ;
1.
图1
Matlab 7.1 的主界面
此时, Matlab 处于准备接受命令的状态, 可以在命令窗口 (右下方的子窗口) 中直接输入命令语句。
2.
基本命令
1. 设置当前工作路径 (current directory) 设置当前工作路径可以让 Matlab 知道你要在那个地方进行数据处理。 1) 在 Windows 下建立一个新文件夹,如:D:\work\dicom_convert\ 2) 例如把该目录设为工作路径:在 Matlab 的指令窗口中键入: cd ‘D:\work\dicom_convert\’ (注意,单引号必不可少) 。 这样,就将 Matlab 的当前工作路径设置在上述路径下了。 添加搜索路径 (set path) 添加搜索路径是一些基于 matlab 的工具包常用的安装方式。 1) 点击 Matlab 最上方的“File”菜单,在下拉菜单中选择“Set Path” 。 2) 在弹出的路径设置窗口中选择“Add with Subfolders” ,浏览并点选目标文件夹 (如图 2 所示) ,然后点“确定” 。 3) 点击“Save”按钮。 4) 点击“Close”按钮。

SPM中文教程汇总已修订版

SPM中文教程汇总已修订版

S P M中文教程汇总已 Document number:PBGCG-0857-BTDO-0089-PTT1998一、SPM的安装与启动先安装matlab,然后将SPM复制到matlab下的一个文件夹(SPM2需要或以上版本)。

启动matlab,首先set path,然后在matlab命令窗口中输入SPM即可启动,然后选择fMRI,也可以直接输入SPM fMRI二、SPM数据处理概要先将所得数据进行空间预处理(对齐,平滑,标准化等),然后进行模型估计(将刺激的时间、间隔与血流动力函数进行卷积,所得结果与全脑象素信号进行相关分析),最后察看结果。

三、SPM8数据处理的一般步骤为方便后续的数据处理,如果数据分散处理后整合,建议所有处理数据路径保持一致,要统一路径。

处理前首先要采用数据转换软件将dicom数据转换成SPM解析格式,然后进行数据预处理,预处理结束后到matlab安装目录中备份spm*.ps文件,其中包含了空间校正和标准化的信息,然后进行建模分析。

运行命令:spm fmri,打开spm8的操作界面我们称左上侧的窗口为按钮窗口(button window),左下侧的窗口为输入窗口(input window),右侧大窗口为树形结构窗口或图形窗口(Tree Building Window or the graphics window)。

在spm8和spm5中,每一步处理都采用了直观的“树形结构”的面板,如果一个分支项左面有“+”号,你可以双击显示子分支项,如果一个分支项右面有“<-X”号,你必须为之指定选项(否则不能运行该tree),分支项的选项在其右侧面板指定,而帮助信息则在下面的面板中显示。

如果我们处理数据没有特殊需求,我们只关心带有“<-X”项目并完成输入即可,其余均可采用默认设置。

另外注意在Tree Building Window的顶部菜单,新增了一个菜单项“TASKS”,在使用批处理分析时非常重要。

Fairchild 锐捷半导体 FSB50550T Motion SPM 5 FRFET 系列数据手

Fairchild 锐捷半导体 FSB50550T Motion SPM 5 FRFET 系列数据手

FSB50550T Motion SPM® 5 FRFET® SeriesApril 2013FSB50550TMotion SPM ® 5 FRFET ® SeriesFeatures•500 V R DS(on)= 1.7 Ω (Max ) FRFET MOSFET 3-Phase Inverter Including HVICs •Three Separate Negative DC-Link Terminals for Inverter Current Sensing Applications •HVIC for Gate Driving and Undervoltage Protection •Active-High Interface, Can Work With 3.3 V / 5 V Logic •Optimized for Low Electromagnetic Interference •Isolation Voltage Rating of 1500 Vrms for 1 min.•Extended VB Pin for PCB IsolationApplications•3-Phase Inverter Driver for Small Power AC Motor DrivesGeneral DescriptionFSB50550T is a Motion SPM5 Series Based on Fast-Recovery MOSFET(FRFET) Technology as a Compact Inverter Solution for Small Power Motor Drive Applications Such as Fans and Pumps. It is Composed of Six FRFET MOSFETs and Three Half-Bridge Gate Drive HVICs. FSB50550T Provides Low Electromagnetic Interference(EMI) Characteristics with Optimizing Switch -ing Speed. Moreover, Since It Employs MOSFETs as Power Switches, It has Greater Ruggedness and a Larger Safe Operating Area(SOA) than IGBT-Based Power Modules. The Pakage is Optimized for Thermal Performance and Compactness for use in Applications Where Space is Limited. FSB50550T is the Right Solution for Inverters Requiring Energy Efficiency,Compactness, and Low Electromanetic Interference.Related Source•AN9042 : Motion SPM5 Series Ver.1 User’s Guide •AN-9082 : Motion SPM5 Series Thermal Performance by Contact PressurePackage Marking & Ordering InformationDevice MarkingDevicePackageReel SizePacking TypeQuantityFSB50550TFSB50550TSPM5F-023-RAIL15Thermal Resistance Total System Note:1. For the Measurement Point of Case Temperature T C , Please refer to Figure 4.2. Marking “ * “ Is Calculation Value or Design Factor.SymbolParameterConditionsRatingUnitR θJCJunction to Case Thermal ResistanceEach MOSFET under Inverter Oper-ating Condition (Note 1)8.6°C/WSymbolParameterConditions RatingUnitT J Operating Junction Temperature -20 ~ 150°C T STG Storage Temperature -50 ~ 150°C V ISOIsolation Voltage60 Hz, Sinusoidal, 1 minute, Con-nection Pins to Heatsink1500V rmsControl Part (Each HVIC Unless Otherwise Specified) Note:1.BV DSS is the Absolute Maximum Voltage Rating Between Drain and Source Terminal of Each MOSFET Inside Motion SPM ®. V PN Should be Sufficiently Less Than This Value Considering the Effect of the Stray Inductance so that V DS Should Not Exceed BV DSS in Any Case.2. t ON and t OFF Include the Propagation Delay Time of the Internal Drive IC. Listed Values are Measured at the Laboratory Test Condition, and They Can be Different Accordingto the Field Applications Due to the Effect of Different Printed Circuit Boards and Wirings. Please see Figure 4 for the Switching Time Definition with the Switching Test Circuit of Figure 5.3. The peak current and voltage of each MOSFET during the switching operation should be included in the safe operating area (SOA). Please see Figure 5 for the RBSOA testcircuit that is same as the switching test circuit.E OFF -11-µJRBSOAReverse-Bias Safe Oper-ating AreaV PN= 400 V, V CC = V BS = 15 V, I D = I DP , V DS =BV DSS ,T J = 150°CHigh- and Low-Side MOSFET Switching (Note 3)Full SquareSymbolParameterConditionsMinTyp MaxUnitI QCC Quiescent V CC Current V CC =15 V, V IN =0V Applied Between V CC and COM--160µA I QBS Quiescent V BS Current V BS =15 V, V IN =0VApplied Between V B(U)-U, V B(V)-V, V B(W)-W--100µA UV CCD Low-Side Undervoltage Protection (Figure 6)V CC Undervoltage Protection Detection Level 7.48.09.4V UV CCR V CC Undervoltage Protection Reset Level 8.08.99.8V UV BSD High-Side Undervoltage Protection (Figure 7)V BS Undervoltage Protection Detection Level 7.48.09.4V UV BSR V BS Undervoltage Protection Reset Level 8.08.99.8V V IH ON Threshold Voltage Logic High Level Applied between IN and COM 2.9--V V IL OFF Threshold Voltage Logic Low Level --0.8V I IH Input Bias CurrentV IN = 5V Applied between IN and COM-1020µA I ILV IN = 0V--2µAFSB50550T Motion SPM® 5 FRFET® Series* EZSWITCH™ and FlashWriter ® are trademarks of System General Corporation, used under license by Fairchild Semiconductor.DISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION, OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.THESE SPECIFICATIONS DO NOT EXPAND THE TERMS OF FAIRCHILD’S WORLDWIDE TERMS AND CONDITIONS, SPECIFICALLY THE WARRANTY THEREIN, WHICH COVERS THESE PRODUCTS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) areintended for surgical implant into the body or (b) support or sustain life,and (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in a significant injury of the user.2.A critical component in any component of a life support, device, system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsBuild it Now™CorePLUS™CorePOWER™CROSSVOLT ™CTL™Current Transfer Logic™EcoSPARK ®EfficentMax™EZSWITCH™ *™Fairchild ®Fairchild Semiconductor ®FACT Quiet Series™FACT ®FAST ®FastvCore™FlashWriter ® *FPS™F-PFS™FRFET ®Global Power Resource SM Green FPS™Green FPS™ e-Series™GTO™IntelliMAX™ISOPLANAR™MegaBuck™MICROCOUPLER™MicroFET™MicroPak™MillerDrive™MotionMax™Motion-SPM™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR ®®PDP SPM™Power-SPM™PowerTrench ®PowerXS™Programmable Active Droop™QFET ®QS™Quiet Series™RapidConfigure™™Saving our world, 1mW /W /kW at a time™SmartMax™SMART START™SPM ®STEALTH™SuperFET™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SupreMOS™SyncFET™®The Power Franchise ®TinyBoost™TinyBuck™TinyLogic ®TINYOPTO™TinyPower™TinyPWM™TinyWire™TriFault Detect™µSerDes™UHC ®Ultra FRFET™UniFET™VCX™VisualMax™XS™®Datasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative / In DesignDatasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.ANTI-COUNTERFEITING POLICYFairchild Semiconductor Corporation’s Anti-Counterfeiting Policy. Fairchild’s Anti-Counterfeiting Policy is also stated on our external website,, under Sales Support .Counterfeiting of semiconductor parts is a growing problem in the industry. All manufactures of semiconductor products are experiencing counterfeiting of their parts. Customers who inadvertently purchase counterfeit parts experience many problems such as loss of brand reputation, substandard performance, failed application, and increased cost of production and manufacturing delays. Fairchild is taking strong measures to protect ourselves and our customers from the proliferation of counterfeit parts. Fairchild strongly encourages customers to purchase Fairchild parts either directly from Fairchild or from Authorized Fairchild Distributors who are listed by country on our web page cited above. Products customers buy either from fairchild directly or from Authorized Fairchild Distributors are genuine parts, have full traceability, meet Fairchild’s quality standards for handing and storage and provide access to Fairchild’s full range of up-to-date technical and product information. Fairchild and our Authorized Distributors will stand behind all warranties and will appropriately address and warranty issues that may arise. Fairchild will not provide any warranty coverage or other assistance for parts bought from Unauthorized Sources. Fairchild is committed to combat this global problem and encourage our customers to do their part in stopping this practice by buying direct or from authorized distributors.。

SPM5数据分析简明教程-北师大fMRI培训班

SPM5数据分析简明教程-北师大fMRI培训班

SPM5数据分析简明教程编写人:张寒Email: napoleon1982@导师:朱朝喆(研究员,博士生导师)Email: czzhu@/home/chaozhezhu/北京师范大学认知神经科学与学习国家重点实验室Lab1 SPM5的安装和介绍实验内容1.Matlab 7.1简要介绍2.SPM5简要介绍Matlab 7.1简要介绍1.主界面在所有实验中,我们都将使用Matlab 7.1软件包。

在Matlab安装完毕后,双击快捷方式图标打开Matlab。

点击Matlab窗口上方的View菜单,勾选Command Window, Command History, Current Directory和Workspace。

这时,Matlab将呈现四个子窗口(图1):1)Command Window:位于右下方。

即指令窗口,是键入指令的地方,也是Matlab显示计算结果的地方;2)Command History:位于左下方。

即历史命令窗口,存放历史输入命令;3)Current Directory:位于左上方。

即当前工作目录,显示当前目录下的文件信息;4)Workspace:位于右上方。

即工作空间,存放变量在内存中。

图1 Matlab 7.1的主界面此时,Matlab处于准备接受命令的状态,可以在命令窗口(右下方的子窗口)中直接输入命令语句。

2.基本命令1.设置当前工作路径 (current directory)设置当前工作路径可以让Matlab知道你要在那个地方进行数据处理。

1)在Windows下建立一个新文件夹,如:D:\work\dicom_convert\2)例如把该目录设为工作路径:在Matlab的指令窗口中键入:cd ‘D:\work\dicom_convert\’ (注意,单引号必不可少)。

这样,就将Matlab的当前工作路径设置在上述路径下了。

2.添加搜索路径(set path)添加搜索路径是一些基于matlab的工具包常用的安装方式。

派诺SPM电度表说明书V

派诺SPM电度表说明书V

SPM93三相多功能电能表使用说明书V1.0粤制00000845号安全和注意事项危险和警告◆本设备只能由专业人士进行安装。

◆对于因不遵守本手册说明而引起的故障,厂家将不承担任何责任。

触电、燃烧或爆炸的危险◆设备只能由取得资格的工作人员才能进行安装和维护。

◆对设备进行任何操作前,应隔离电压输入和电源供应,并且短路所有电流互感器的二次绕组。

◆要用一个合适的电压检测设备来确认电压已切断。

◆在将设备通电前,应将所有的机械部件,门和盖子恢复原位。

◆设备在使用中应提供带正确的额定电压。

不注意这些预防措施就可能会引起严重伤害目录一、产品简介 (3)二、功能及特点 (3)四、外形及安装尺寸 (5)五、使用接线方式 (6)六、显示和按键操作 (6)6.1 显示说明 (6)6.2 显示界面 (7)............................................... 错误!未定义书签。

6.2.2 实时累计值 (8)6.2.3 实时瞬时值 (9)6.2.4 配置查询菜单 (11)6.2.5 修改配置菜单 (13)七、功能说明 (14)7.1历史电能功能 (14)7.2复费率电能功能 (14)八、主要技术参数 (16)九、通讯 (17)十、关键零部件清单 (17)一、产品简介SPM93三相导轨式多功能电能表系我公司最新研制开发的新型三相电子式电能表,该表采用微电子技术与进口专用大规模集成电路,应用数字采样处理技术及SMT 工艺等先进技术,该表性能完全符合国家标准GB/T 17215.321-2008(IEC62053-21:2003,IDT)中对1级电能表的相关技术要求,可直接精确地测量额定频率为50/60Hz的交流有功电能,由LCD显示总有功/无功电能、输入/输出有功/无功电能、复费率电能、三相电压、电流、总/相有功功率、总/相功率因数、频率等信息,具有可靠性好、体积小、重量轻、外形美观、安装灵活方便等特点。

日本精工SPA-400原子力显微镜说明书(中文版)-B(M-5)

日本精工SPA-400原子力显微镜说明书(中文版)-B(M-5)

GAGGAGAGGAFFFFAFAF 1 2 Code :0903–MHX –003/9911 概要SPA400是在承袭了深受好评的SPA300优点的同时,以更高的分辨率、更好的可操作性、更快的扫描速度为目标而开发出的SPM 工作单元。

成为SPI 系列核心的多功能型标准工作单元,它具有下列特长。

对应多种测定方式。

除AFM 、FFM 及DFM 等标准功能外,采用装入不同配件的方法,可实现STM 等多种SPM 的测定。

承袭了SPA300 [可简单进行各测定方式间的转换]的优点。

N 硬件指南 M-5扫描探针显微镜系统SPA 4003 4对细节部分进行了重新设计,实现了更加小型化的工作单元。

因而提高了耐用性,可稳定地进行高分辨测定。

为了实现更高速度的扫描,新开发了高刚性scanner。

它与SPI3800N probe station的结合可有效抑制振荡,使高速化测量得以实现。

SPA400除标准装备了适用于从原子级分辨到20um 的scanner之外,还可根据需要选用适合不同测量范围的scanner组。

其更换的简易性优于SPA300。

大幅度重新设计Cantilever支架,同时实现了高刚性与使用的便利性。

由于采用了触点式接点,进行DFM 及STM测定1)时无需进行电缆连接。

除此之外,因前面部分具有较大的开放空间,所以在更换试样时不用GAGGAGAGGAFFFFAFAF5 67取下Cantilever支架也可进行。

具有优良隔音性能的防音罩(cover)。

在试验室等苛刻的环境中,也能进行高分辨率的测定。

使用光学显微镜进行从正上方观察2)。

光学显微镜图象被显示在显示器上,因此很容易进行激光光轴的调整及使Cantilever与试样位置相吻合。

再有,SPA400工作单元中还新设置了小型光学显微镜。

即使在防音罩闭合的状态下也可直接从其正上方观察。

此外,还备有适合微分干涉图象测定等的主要用途的金相显微镜。

支持impact stage机能3)。

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第一部分:时间维度预处理Chapter 1 Slice Timing目的:纠正slice(下译为扫描层)之间采集时间的差异。

纠正后的新文件名为:a+原文件名。

原理概述:Sliceorder(扫描层序数)用于指明扫描层被采集时的顺序,其总数为n,n即一个volume(volume为一个TR时间内的扫描量)里面所包含的扫描层的总数。

每个Sliceorder(扫描层系数)同时指明了每个扫描层在图像文件中的存储位置。

因此扫描层系数表明了扫描层被采集时的时间顺序。

我们可以用SPM 的 Display 功能来查看这个顺序。

移动鼠标的十字准线到 Z 坐标为1的位置时,我们看到的就是一个volume里面第一个slice(扫描层)上的象元(voxel)。

核磁仪采集数据的时间精度为一个TR,因此我们通常默认一个TR 内采集到的数据(一个volume)采自完全相同的时间。

但事实并非如此,一个TR内我们需要采集很多扫描层(例如20层)的数据以覆盖较大的脑区(通常是全脑)。

这些扫描层是一个接一个按照上面所说的sliceorder(扫描层序数)的顺序来采集的,因此各个扫描层之间的采集时间是有差异的。

Slice timing这一步所要做的就是通过一定的算法纠正这一时间差异。

常规的纠正方法是在保持整段采集信号不变的条件下推前或者推后采集的起始时间。

这可以通过简单的移动采集信号的正弦相位来做到。

一种常用的数学转换方法:傅立叶转换可以把任何复杂信号转换为由不同频率和相位的简单正弦曲线的线性组合。

这样,只要通过加入一个常数到每个频率的相位中,就可以达到移动数据起始和结束时间的目的。

具体步骤:1.1 Data预备数个被试或者session的数据。

以下所述参数设置将被应用到所有所选数据。

1.1.1 Sessions选择需要纠正的所有图像文件。

1.2 Number of Slices输入扫描层总数。

1.3 TR输入 TR,以秒为单位。

1.4 TATA必须由使用者手动输入,单位为秒. 一般可以用以下公式计算:TA=TR-(TR/扫描层数). 这里你可以不必计算出结果,直接写上带入了数字的公式就可以了。

比如,假如TR为3秒,扫描了20层,则可以直接写为:3-(3/20)。

1.5 Slice order输入扫描顺序。

如前述此顺序可通过SPM的Display功能查看。

ascending (扫描序数从底部到顶部排列,即从1顺序递增到n)descending (扫描序数从顶部到底部排列,即从n顺序递减到1) interleaved(扫描序数间隔递增或递减,一般顺序为2,4,6,8,10..1,3,5,7,9..n)1.6 Reference Slice选择参考扫描层(一般可使用默认值),其它扫描层的起始时间都将以此层的起始时间为标准来移动进行校正。

第二部分:空间纬维度预处理Chapter 2 Realign被试内的图像数据重排。

2.1 Realign: Estimate(重排参数的估计)此步骤采用最小方差原理和六参数刚体空间变换来重排从同一个被试上采集到的图像数据[19]。

使用者所选取的第一幅图像文件将被作为其它图像重排的参考标准。

也就是说,你想要用哪一幅图像作为参考标准,就先选哪一幅图像的文件。

参考图像文件不一定非用采集到的第一幅图像,使用最有“代表性”的一幅图像也许更好。

本步骤的目的主要是去除fMRI和PET数据中的运动伪影。

图像数据的头文件会被改写以反映数据相对空间位置的变化。

此过程的具体参数会在结果窗口中以平移(translation)和旋转(rotation)曲线图显示。

每个session的重排参数会被存储到名为 rp*.txt 的文件中。

这些参数可以在最后的一般线性模型统计估计中作为混淆因素考虑进去[19]。

2.1.1 Data选择一个被试的需要进行此步骤处理的所有sessions。

注:在 coregistration 这一步,首先是对所有的session进行重排,其具体做法是把所选每个session的第一个scan与所选第一个session的第一个scan对齐。

然后再把每个session里的其它scan与该session的第一个scan进行对齐。

使用此方式进行重排是因为各个session的数据之间可能会有较大差异。

Session选择session里所有的scan。

2.1.2 Estimation Options这里包括各种注册参数选择项,若对某一个选项不确定,使用软件默认值即可。

Quality质量与速度的权衡。

选择高质量以最慢的速度给出最精确的结果,低质量以较快的速度给出较不精确的结果。

此参数的设定实际影响到的是参与参数估计的象元(voxel)的数目。

其依据是有些象元(voxel)其实对重排参数的估计贡献不大,可以舍弃。

Separation此参数以毫米为单位,表示对参考图像文件进行重采样时采样点之间的间隔。

采用点之间间隔越小,结果越精确,运算速度越慢。

Smoothing (FWHM)高斯平滑的半高宽值。

在估计重排参数之前一般先进行高斯平滑。

PET数据一般使用 7 mm。

MRI数据一般使用 5 mm。

Num PassesRegister to first: 所有图像文件对齐注册到第一幅图像。

IRegister to mean: 使用two-pass处理将所有图像文件对齐注册到所有图像文件的平均图像。

PET 数据一般注册到平均图像。

因为PET数据相比fMRI数据噪音更大,文件更少,所以时间的影响更小。

MRI数据一般注册到第一幅图像。

虽然使用two-pass处理可能更精确,但是其对效果的提高与其所损失的运行时间相比得不偿失。

Interpolation在估计最佳变换时对数据进行重采样的方法。

高的degree提供更好的结果,但是也更慢,因为会采样更多的相邻象元(voxel)[52, 53, 54]。

Wrapping此参数指示一个volume中数据wrap around in的方向(此处具体理解有待大家补充)。

No wrapping:适用于PET数据或者已进行过空间变换的数据。

同时当你不确定自己数据类型时,推荐使用此选项。

Wrap in Y:适用于没有重排(resilce)过的在Y 方向上进行相位编码的MRI数据。

Weighting提供一个加权图像,在估计重排参数时对参考图像的每一个象元进行加权。

加权系数与标准差成反比。

例如当有大量额外的头动(如说话或者特定区域内的严重伪影)时。

(此处具体理解有待大家补充)。

2.2 Realign: Reslice(据已估计出的参数重排)此功能重排上步骤中已进行参数估计和注册的图像文件,使之与参考图像文件达到象元级的匹配精确。

重排后的数据被命名为:r+原文件名。

2.2.1 Images选择要重排的数据文件。

2.2.2 Reslice Options各种重排参数设定,若对某一个选项不确定,使用软件默认值即可。

Resliced imagesAll Images (1..n) : 重排所有数据,包括标准参考图像(重排后还是保持原位置不变)。

Images 2..n : 重排除了标准参考图像之外的所有数据。

此选项用于当你以MRI结构像为标准重排PET图像数据,而又不想在结果中再生成一个等同的MRI标准结构像时。

All Images + Mean Image : 重排图像文件之外,另生成一个重排后的平均图像文件。

Mean Image Only : 只生成重排后的平均图像文件。

Interpolation图像文件重采样和重写入的方式。

.Nearest Neighbour :最快,但不推荐使用。

Bilinear Interpolation:可用于PET数据,但不是太适用于fMRI数据。

Fourier Interpolation:此选项仅适用于纯刚体变换,也就是说象元大小必须是相同,并且等方性(正方体)的[17, 14]。

Wrapping此参数指示一个volume中数据wrap around in的方向(此处具体理解有待大家补充)。

No wrapping:适用于PET数据或者已进行过空间变换的数据。

同时当你不确定自己数据类型时,推荐使用此选项。

Wrap in Y:适用于没有重排(resilce)过的在Y 方向上进行相位编码的MRI数据。

Masking因为扫描过程中被试总会或多或少有头动,造成同一个时间系列数据里所采集到的图像的边界不会完全重合。

在有些图像还有数据的地方(信号值大于0),其它一些图像已经超出了图像边界(信号值为0)了。

在这些信号为0的区域是无法采样数据的,因此SPM只要检测到某一幅图像在某个区域已经超出了边界(即信号为0),就会将其它所有图像的此区域信号值均设为0。

此做法相当于取了时间系列数据中所有图像的交集。

2.3 Realign: Estimate %26 Reslice将上述参数估计与数据重排合到一起做。

全部选项与参数原理均与2.1和2.2中对应项相同。

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