《线性电子线路》作业题
线性电子线路 题库
图2某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：2V、1.3V、5V图4 图62. 电路如图5所示,uo等于_______3. 电路如图6所示,该电路为_______4. 电路如图1所示,增大电容C1,中频电压放大倍数将5. 电路如图1所示,f l=50HZ,f h=100000 HZ,7. 电路如图7所示,已知U i=3V,E=1V,(二极管的正向压降可忽略不计),U O等于_______伏?8. 电路如图8所示,两个稳压管稳压值均是6V，正向压降可忽略不计, U i=1V时，U O等于_______伏?图7 图8三、(15分) 电路如图所示，已知β=37.5,Rb1=20kΩ, Rb2=10kΩ, Rc=2kΩ, Re=2kΩ;Vcc=12V, R L=6kΩ,Rs=0.2KΩ,r bb’ =0.2KΩ求：(1) 静态工作点Ｑ（2）输入电阻；输出电阻（3）电压放大倍数，源电压放大倍数四、(10分)电路如图12所示，V CC=V EE=12V，R=23.3KΩ，R C=12KΩ，R W=200Ω,R L=24KΩ，R b=2KΩ,各三极管的特性相同，r bb’=100Ω,U BE=0.7V, β=100。
（1）求静态工作点I C1,I C2,U CE1,U CE2,I B1,I B2（2）求差模放大倍数(15分)电路如图11所示，R1=47KΩ，（1）判断电路中有那些反馈（只说明级间反馈）？各有什么作用？（2）计算深度负反馈条件下，电压放大倍数。
（3）若输出波形出现失真,应如何调整(10分)判断题试用相位平衡条件判断图a和图b电路是否能产生自激振荡。
)电路如图所示，变压器副绕组的有效值为20V，R L=30Ω当开关K打开,请写出U O的平均值，二极管承受的最高反相压降,当一个二管断开时，当开关K闭合时,请写出U O的平均值，二极管承受的最高反相压降,当一个二管断开时，当开关K闭合时, R L断开, 求U O《模拟电子技术A 》（A ）卷答案及评分标准一、是非题(20分)1.( 1分) ×2. ( 1分) √3. ( 1分) ×4.( 1分) × 5．( 1分) √ 6. ( 1分) × 7.( 1分) × 8. ( 1分) × 9. ( 1分) × 10.( 1分) √二、填空题 （每空1分）1. 3级；直接。
4线性电子线路试题
线性电子线路试题一、填空题（20分）1．集成运放相位补偿技术主要包括_________补偿和_______补偿。
2．直接耦合放大器带来的两个主要问题是__________， ____________。
3．一NPN 管组成的固定偏置电路，若输出电压出现低部削平失真，则该失真是__________失真，为削除失真，可使R B __________，或R C ____________。
4．某放大器空载时v o = 4 V ；当R L = 3 k Ω 时，v o = 3 V ，则放大器R o =______。
5．P 沟道耗尽型MOS 管饱和区工作时，外加电压极性V GS ______，V DS ______。
6．射随器的主要用途______________，______________，_____________。
7．差分放大器中，用恒流源取代公共射极电阻R EE 是为了_________________。
8．影响电路高频响应的主要因素是___________________。
9．一电压串联负反馈放大器，开环电压增益为80 dB ，闭环电压增益为20 dB ，则反馈深度（1 + Ak f ）为_______ dB ，反馈系数k f ≈ ________。
10．集成宽带放大器增加频宽的方法有_____________，_____________。
二、（8分）图示电路中二极管是理想的，已知输入电压v i = 5sin ω t (V)，试画出输出电压v o 的波形。
三、（12分）图示电路，各三极管 β = 50，V BE(on) = 0.7 V 。
（1）说明各三极管构成电路的作用。
（2）若v o = 0，求I CQ1、V CEQ1。
tv i /V5-5v i iv v o3四、（20分）图示电路，已知 β1 = β2 = 50，β3 = 80，|V BE（on ）|都为0.7 V 。
I B3可忽略不计。
电子线路(线性部分)试题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A （2）C （3）C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。
图T1.3解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ，U O 6≈－2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。
求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。
图T1.4解：U O1＝6V，U O2＝5V。
1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小解：（1）A ，C （2）A1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3解图P1.3解：u i和u o的波形如解图P1.3所示。
线性电子线路试题7
线性电子线路试题7一、是非题（20分）1．N 型半导体的空穴浓度比本征半导体的空穴浓度大。
（ ） 2．空穴运动实质上是自由电子的反向运动。
（ ） 3．固定偏置电路R B 、V CC 不变时，为使Q 点脱离饱和区，可减小R C 。
（ ） 4．场效应管温度特性比三极管差，但集成度较高。
（ ））） ） ） ）ce四、（20分）差分放大电路如图所示，已知 β = 60，VBE(on)= 0.7 V。
（1）求I CQ1，I CQ2。
（2）当v i1 = 100 mV，v i2 = 50 mV时，求输出电压v o。
五、（10分）图示电路，已知RE1= 750 Ω，R E2 = 1.2 kΩ，R S = 1 kΩ，R C2 = 4 kΩ，R L = 1 kΩ，R f = 10 kΩ，设各电容对交流呈短路，R B1、R B2忽略不计，试在深度负反馈条件下估算A v fs。
六、（10分）已知基本放大器中频增益AI= 103，极点频率f P1 = 1 MHz，f P2 = 10 MHz，f P3 = 100 MHz，若要求闭环中频增益A fI = 20 dB，试用渐近波特图判断电路是否自激。
七、（10分）图示电路，集成运放是理想的。
已知vs1= 2 mV，v s2 = 4 mV，试求输出电压v o。
-+R1R2R3R4100 kΩ100 kΩ50 kΩ50 kΩv s1v s2v o八、（10分）由理想运放构成的电路如图所示，写出v o 的表达式，并在R 1 = R 3 = 1 k Ω，R 2 = R 4 = 10 k Ω 时，计算A v 值。
SL C2fs ifs fi ifs 2E f 2E o f fi +R k R R i i v i 六、因相位裕量 γϕ = 0，因此电路自激。
七、v o = v o1 + v o2 = 0.5(2s v -1s v ) = 1 mV 八、10 )()1(122i i1o i2i112i243412i112o -=-=-=--=+++-=R Rv v v A v v R R v R R R R R v R R v v ，。
6线性电子线路试题
线性电子线路试题一、选择题（20分）1．为使P 型半导体变成N 型半导体，应掺入（ ） A 三价元素 B 五价元素 C 增加温度2．由PNP 管组成的共射电路，若输出电压出现顶部削平失真，这种失真为（ ） A 饱和失真 B 截止失真 C 交越失真3．当三极管工作频率f > f β 时， 说明三极管（ ） A β < 1 B β < βO C β <2/o β4．三种组态放大电路中，功率增益最大的是（ ） A 共发电路 B 共基电路 C 共集电路5．为使电路输出电阻小、输入电阻大，应采用（ ）A 电压串联负反馈B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈 6．若三极管工作在饱和模式，则（ ）A 发射结正偏、集电结反偏B 发射结正偏、集电结正偏C 发射结反偏、集电结反偏 7．理想集成运放的特点是（ ）A R i 大、R o 小、A v 大B R i 小、R o 小、A v 大C R i 大、R o 大、A v 大8．测得三极管三个电极对地直流电位分别为-4 V 、-1.2 V 、-1.4 V ，则三个电极按顺序分别为（ ）A c 、e 、bB b 、c 、eC e 、c 、b9．N 沟道增强型MOS 管工作在饱和区时，外加电压极性为（ ） A V GS > 0、V DS > 0 B V GS < 0、V DS > 0 C V GS > 0、V DS < 0 10．与超前补偿技术相比，采用滞后补偿技术可使电路（ ） A ωH 不变 B ωH 增加 C ωH 减小二、（20分）图示电路，各三极管 β = 100，V BE(on) = 0.7 V ，r ce 忽略不计，各电容对交流呈短路。
（1）估算静态电流I CQ1、 I CQ2；（2）画交流通路。
（3）求R i 、A v 。
v iv o三、（15分）差分放大电路如图所示，已知各管 β 值都为100，V都为0.7 V。
线性电子线路
《电子线路》综合复习题（一）班级学号姓名一、填空题；1、二极管由一个PN结构成，其特性是__________，即给P区加_______电位，N区加_________电位时，二极管就导通。
它的电压和电流不成正比，所以它是一种元件。
2、放大器在无信号输入时的电流、电压参数在晶体管输入输出特性曲线族上所确定的点叫做。
其三个参数是、、。
3、某放大器空载时，输出电压为6V，接入2KΩ负载后，输出电压为4V，则该放大器的输出电阻为KΩ。
4、在多级放大器中，前级是后级的，后级是前级的；只有当负载电阻R L 和信号源内阻r s时负载获得的功率最大，这种情况称为。
5、两级放大器的第一级电压增益为40Db，第二级电压增益为60Db，则该放大器的总电压增益为dB，总电压放大倍数为倍。
6、固定式偏置电路的静态工作点随_______的变化而变化，但____ ___电路可以减小对静态工作点的影响。
7、在直流放大器中，如将输入端对地短路而无输入信号时，输出端也会出现忽大忽小忽快忽慢的无规则变化，这种现象称为_______，直接耦合放大器级数越多，放大倍数越大，零点漂移越_______。
8、在甲类、乙类、甲乙类推挽功率放大器中，类功放电路的效率最高；类电路能有效的消除交越失真。
实用的OCL、OTL电路属于功放。
9、带有放大环节的串联型晶体管稳压电源一般有、、和四部分组成。
10、LC正弦波振器的振荡频率f取决于参数。
二、选择题：1、普通整流二极管的两个主要参数-----------------------------------------------（）A、最高反向工作电压V RM和最大整流电流I FMB、最大整流电流I FM和稳定电压V ZC、最高反向工作电压V RM和稳定电流I Z2、已知晶体管的V（BR）CEO=25V，I CM=125mA，P CM=125mW。
在下列条件下允许使用的是-----------------------------------------------------------（）A、I C=50mA，V CE=25VB、I C=20mA，V CE=15VC、I C=10mA，V CE=12V3、交流放大电路中，晶体管一旦进入饱和或截止状态，I B对I C将-------（）A、增强控制能力；B、控制能力不变；C、失去控制能力；D、它们之间没有关系。
线性电子电路试题
线性电子电路试题浙江省2003年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每空1分，共20分)1.利用晶体二极管的___________和___________特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。
2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成___________电流，由外加电场引起载流子运动形成___________电流。
3.已知某晶体三极管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区，由___________材料制造。
4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是___________电容，集电结的结电容主要是___________电容。
5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的___________沟道，其中由___________形成的沟道称为N沟道。
6.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈___________关系，故又称该区为___________。
7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是___________组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是___________组态放大电路。
8.放大电路的失真分为___________和___________两大类。
9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是___________，引入交流负反馈的目的是改善放大器的___________。
10.深度负反馈条件是___________，此时反馈放大器的增益近似等于___________。
二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。
每小题2分，共20分)1.当PN结外加正向电压时，扩散电流( )漂移电流。
A.大于B.小于D.近似等于2.当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?( )A.阻挡层B.耗尽层C.空间电荷区D.突变层3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数β及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更合适?( )A.β=200,ICEO=10μAB.β=10,ICEO=0.1μAC.β=50,ICEO=0.1μAD.β=100,ICEO=10μA4.常温下，某晶体三极管在ICQ=1mA处，rbe=1.6KΩ，β=50,则等于( )。
电子线路(线性部分)试题及解答5
一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解：（a）不能。
因为输入信号被V B B短路。
（b）可能。
（c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f）不能。
因为输出信号被V C C短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。
因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中， 已知V C C ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当iU ＝0V 时，测得U B E Q ＝0.7V ，若要基极电流I B Q ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b＝ ≈ k Ω；而若测得U C E Q ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数uA ＝ ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。
电子线路线性习题答案
电子线路线性习题答案【篇一：现代电子线路基础(陆利忠)第2章习题答案】习题2.1 求题图2.1电路的静态工作点icq和vceq的值。
已知晶体管的vbe=－0.7v,??50。
22k?rb1rg1100k?rgrb26.8k?15k?题图2.1题图2.2解：转换为戴维南等效电路如下图：rc+vcc其中vb?vcc?rb2??2.8v,rb?rrb2?rb1b2||rb1?5.2k?列输入回路kvl方程：ibq?|vb|?vbe(2.8?0.7)v??38?a，icq??ibq?1.8marb??re(5.2?50?1)k?vceq?vcc?icq(rc?re)??3.8v2.2 已知题图2.2电路中场效应管的夹断电压vp=-2v,工艺参数k?1.25ma/v2。
求静态工作点vgsq、idq和vdsq的值。
解：耗尽型n沟道mosfet管，采用混合偏置：vgsq?vg?idq?rs2 idq?k(vgsq?vp)，解得：idq1?3.4ma,idq2?1.9mavgsq1??3.67ma,vgsq2??0.67mavg?vdd?rg?3.13vrg?rg1作为耗尽型n沟道mosfet管而言，要求Ｖv gsq?vp??2此时Ｖdsq?vdd?(rd?rs)idq?24?1.9ma?（4.7+2）k??11.27v2.3 放大电路及其静态图解如题图2.3所示。
试估算电路的静态工作点icq和vceq各为多少？集电极电阻rc为多少？(a)rl12840(b)(v)题图2.3解：从输出特性曲线可知：vcc =12 v 因此 ibq=vcc-vbe(12?0.7)v12v???60?a（必忽略vbe，否则输出曲线上无对应点）rb200k?200k?对应输出特性曲线：icq=6ma（找出ib=60ua曲线，平行于横轴作平行线与纵轴交点）vceq=vcc-icq?rc，故rc?1k?，vceq?6v。
2.4 在测绘某电子设备的部分电路时,画得放大电路如题图2.4所示,但半导体器件型号模糊不清。
全国各大高校线性电子线路习题集-答案
一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分)1.PN结的反向击穿有雪崩和________两种击穿。
2.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由________产生的。
3.衡量双极型三极管放大能力的参数是________。
4.已知某晶体三极管的fT和β，则fβ=________。
5.根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为________区、饱和区、截止区和击穿区。
6.MOS场效应管按导电沟道划分为N和________两大类。
7.对放大器偏置电路的要求有两个：一是合适，二是________。
8.放大电路的失真按失真机理分为线性失真和________失真两大类。
9.若引入反馈使放大器的增益________，这样的反馈称为负反馈。
10.放大电路中，为稳定静态工作点，应引入________反馈。
11.如图所示两级放大电路，其中级间采用耦合方式，T1接成组态，T2接成组态，R1和R2的作用是。
12.差分放大器的基本特点是放大、抑制。
13.集成运放主要包括输入级、、和偏置电路。
14.放大电路静态工作点设置过高，则输出电压波形容易出现失真。
15.理想运放工作在线性区域的两个重要特性是、_____________。
16.已知某开环放大电路在输入信号电压为1mV时，输出电压为1V；当加上负反馈后达到同样的输出电压时，需加输入信号为10mV。
由此可知基本放大器的电压增益为___________，反馈系数为_________。
17.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从1mA变为2mA,约为。
那么它的18.在单级共射电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察UO和UI的波形，则UO和UI的相位关系为；若为共集电路，则UO和UI的相位关系为。
19.在多级放大电路中，放大倍数等于______________,后级的输入电阻是前级的，而前级的输出电阻则也可视为后级的。
7线性电子线路试题
线性电子线路试题一、是非题（20分）1．室温下，温度升高时，P型半导体中的电子浓度将显著增加。
（）2．场效应管中，当沟道出现预夹断时，漏极电流为零。
（）3．三种组态电路比较，共基电路电流增益最大。
（）4．若一个电路带负载能力强，则它的输出电阻必定很小。
（）5．三极管共发放大器，若Q点过高，通常会产生截止失真。
（）6．分压偏置共发放大器，若集电极电阻R C增加，则Q点上移。
（）7．三极管输入电阻r'be，随静态电流I CQ的增加而减小。
（）8．后级放大器输入电阻越大，对前级放大器影响越小。
（）9．共集放大器输出电压v o比输入电压v i差一个V BE(on)。
（）10．为使共集放大器A v s ≈ 1，应尽量增大R S和R L值。
（）二、（20分）图示电路，各三极管 β = 100，V= 0.7 V，r ce忽略不计，各电容对BE(on)交流呈短路。
（1）求静态电流I CQ1、I CQ2；（2）画出电路的交流通路；（3）求R i、A V、A v s。
三、（10分）图示电路，已知场效应管的g= 1 mS，r ds = 200 kΩ。
（1）画出电路的m交流等效通路。
（2）计算电压增益A V。
四、（15分）图示电路，已知 β = 50，VBE(on)= 0.7 V。
r ce忽略不计。
（1）估算I CQ1、V CQ1。
（2）计算R id、R od、A v d。
五、（15分）指出下列电路的反馈极性与反馈类型，并在深度负反馈条件下估算Av fs。
已知各管参数相同，β = 100，r'be = 1 kΩ。
六、（10分）下列电路运放是理想的，试写出输出电压vo的表达式。
v iv oV EEv i(-6V)v ov i10 k七、（10分）下列电路运放是理想的，设电容两端初始电压为0，试写出输出电压vo 的表达式。
v i1v ov参考答案一、对、错、错、对、错、错、对、对、错、错 二、（1）I CQ1 ≈ I CQ2 = βI BQ1 = 1.07 mA（2）（3）A v = A v 1 A v 2 ≈ -123.92，86.67is i -≈+=R R A R A vvs ，Ω≈='k 42.2//e1b 1B i r R R三、（1）（2）R i = R G3 + R G1 // R G2 = 1 075 k Ω，33.311S m Dm -=+-=R g R g A v四、（1）I CQ1 = 0.65 mA 、V CQ1 = 4.05 V ；（2）R id = 24 k Ω，R od = 3 k Ω，A vd = -37.5 五、前三级电路构成电流串联负反馈。
《线性电子线路》作业题
2006级广电工程 《线性电子线路》作业题【一】一、填空题：1、二极管的最重要特性是______ ，反映反向特性的参数是______电压。
2、测得工作在放大电路中的三极管三个电极的电位分别为V 1=6V ，V 2=11.3V ，V 3=12V ，则该三极管的管型为 ，所用材料为 ，管脚1为 极，管脚2为 极，管脚3为 极。
3、PN 结加正向电压或正向偏置，外电场与自建场方向 ,阻挡层 ，ＰＮ结处于 状态, 它所呈现出的正向电阻值 。
4、负反馈放大器有较高的工作稳定性，其程度取决于放大器的 。
如果电路引入电压串联负反馈，则电路有 的输入阻抗和较稳定的 。
适合于 信号源的放大。
若要求电路输出电流稳定或输出电阻大，应引入负反馈。
5、差动放大器对 有较强的放大能力，对 有较强的抑制能力，其抑制能力重要取决于电路的 。
6、放大器由于存在着 和 的影响，使工作频率升高时，增益下降，并且相角 加大。
7、在本征硅(或锗)中掺入少量的 元素，如磷、砷、锑等，就得到N 型半导体，其多子是 ，少子是 。
在本征硅(或锗)中掺入少量的三价元素，如硼、铝、铟等，就得到 型半导体，其多子是 ，少子是 。
8、在三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生 失真，静态工作点设置太高将产生 失真。
9、某放大器的f L 为10HZ ，f H 为500HZ ，其BW 为 ，f L 称为 ，f H 称为 。
10、放大器常用的耦合方式有 、 和 三种形式。
11、在常温下，二极管的死区电压硅管为 V ，锗管为 V 。
导通后，在教大电流下的正向压降硅管为 V ，锗管为 V 。
12、设稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为6V 和9V ，正向压降为0.7V ，把它们串联相接可得 种稳压值，分别为 ；把它们并联可得 种稳压值，分别为 。
13、衡量晶体管放大能力的参数是 ，晶体管的极限参数是 ， ， 。
14、在差动放大器中，差模信号是指 及 的两个输入信号；而共模信号是指 及 的两个输入信号。
1线性电子线路试题
线性电子线路试题一、是非题（20分）1．测得三极管在放大电路中三个管脚电位分别为 ① 2 V 、② 2.7 V 、③ 6 V ，则管脚 ③是发射极，管脚 ① 是集电极。
（ ）2．若将N 型半导体变成P 型半导体应掺入三价元素。
（ ） 3．晶体三极管输入电阻r b 'e 是动态电阻，故其值与Q 点无关。
（ ） 4．增强型MOS 管既可采用自偏置方式，也可采用分压偏置方式。
（ ） 5．场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。
（ ） 6．一NPN 型管构成的共发射极电路，若输出电压负半周出现削平失真，则该失真是截止失真。
（ ）7．多级放大器级数越多，放大倍数越高，但通频带越窄。
（ ） 8．负载电阻越大，则放大器输出电阻就越大。
（ ） 9．三种组态电路中，共基电路特点是：R i 小、R o 大、A i 大。
（ ） 10．晶体三极管频率特性参数之间的关系为：ωα>ωβ>ωT （ ）二、（8分）图示电路中二极管是理想的，已知输入电压v i = 6sin ωt (V)，试画出输出电压v o 的波形。
三、（20分）图示电路，三极管 β =150，V BE （on ）= 0.7 V ，r ce 忽略不计，各电容对交流呈短路。
（1）估算静态电流I CQ ；（2）求R i 、R o 、A v 。
i v tv i 6O-6v o+-四、（12分）图示电路，已知 β =100，V BE（on ）= 0.7 V 。
若R L = 10 k Ω，r ce 忽略不计。
（1）估算静态电流I CQ1。
（2）计算R id 、R od 、A v d 。
五、（10分）试判断下列电路的反馈极性与反馈类型。
(1) ____________________ (2) ____________________六、（10分）（1）判断图示电路的反馈极性与反馈类型。
（2）在深度负反馈条件下估算A v fs 。
电容C E 对交流呈短路。
电子线路 线性部分 (第四版)第一章 习题解答
1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？解：否。
还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。
1-3 一功率放大器要求输出功率P 。
= 1000 W ，当集电极效率C 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D 和功率管耗散功率P C 各减小多少？解：当C1 = 40 时，P D1 = P o / C = 2500 W ，P C1 = P D1 - P o =1500 W当C2 = 70 时，P D2 = P o / C =1428.57 W ，P C2 = P D2 - P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D 下降，(P D1 - P D2) = 1071.43 WP C 下降，(P C1 - P C2) = 1071.43 W1- 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a ）所示，已知V CC = 5 V ，试求下列条件下的P L 、P D 、C （运用图解法）：（1）R L = 10，Q 点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 ，I BQ 同（1）值，I cm = I CQ ；（3）R L = 5，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 ，Q 点在负载线中点，充分激励。
解：(1) R L = 10 时，作负载线(由V CE = V CC - I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ，I BQ1 = I bm = 2.4mA因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA所以mW 26421cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 =1.1 W ， C = P L / P D = 24(2) 当 R L = 5 时，由V CE = V CC - I C R L作负载线，I BQ 同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA这时，V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA所以 mW 15621cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ， C = P L / P D = 12(3) 当 R L = 5 ，Q 在放大区内的中点，激励同(1)，由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。
电子线路(线性部分)试题9
一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放入倍数（4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。
3线性电子线路试题
线性电子线路试题一、填空题（20分）1．三极管具有放大器作用的外部条件是_____________________________。
2．杂质半导体中，多子浓度取决于______浓度，少子浓度取决于______。
3．放大器设置偏置电路的主要目的是________________________________。
4．晶体三极管是______控制器件，场效应管是______控制器件。
5．N 沟道增强型MOS 管饱和区工作时，外加电压极性V GS ______，V DS ______。
6．温度升高时三极管参数 β____、I CBO ____、V BE （on ）____，其结果均使I CQ ____。
7．单端输出差分放大器，抑制零点漂移主要靠____________________作用。
8．固定偏置电路，若换一个 β 值较小的三极管，则I BQ ______，V CEQ _______。
9．为使高阻输出放大器与低阻负载很好匹配，可在放大器与负载之间插入_____________电路。
10．二极管的基本特性是__________________________。
二、（10分）图示电路中稳压二极管是理想的，已知输入电压v i = 10sin ω t (V)，试画出输出电压v o 的波形。
tv i /V10O-10tv o /V10-10三、（12分）图示电路，已知各管 β = 100，|V BE(on)| = 0.7 V ，I BQ 可忽略不计。
（1）T 2管构成的电路起什么作用？（2）若I 0 = 2 mA ，V CQ1 = 2.3 V ，各管V CEQ = 3 V ，为使V OQ = 0 V ，电阻R E2 =？四、（20分）图示电路，各三极管参数均相同，已知 β = 100，V BE(on) = 0.7 V ，r ce 忽略不计。
（1）估算静态电流I CQ1。
（2）计算R id 、R od 、A v d 。
《线性电子线路》作业题
2０0６级广电工程《线性电子线路》作业题【一】一、填空题:1、二极管的最重要特性是_＿_＿__ ，反映反向特性的参数是＿＿____电压。
２、测得工作在放大电路中的三极管三个电极的电位分别为V1=6Ｖ，V２＝11.3V，Ｖ3=12V,则该三极管的管型为，所用材料为 ,管脚１为极，管脚2为极，管脚3为极。
3、ＰＮ结加正向电压或正向偏置,外电场与自建场方向,阻挡层,ＰＮ结处于状态, 它所呈现出的正向电阻值。
４、负反馈放大器有较高的工作稳定性,其程度取决于放大器的。
如果电路引入电压串联负反馈,则电路有的输入阻抗和较稳定的。
适合于信号源的放大。
若要求电路输出电流稳定或输出电阻大，应引入负反馈。
5、差动放大器对有较强的放大能力，对有较强的抑制能力,其抑制能力重要取决于电路的。
6、放大器由于存在着和的影响,使工作频率升高时,增益下降,并且相角加大。
7、在本征硅(或锗)中掺入少量的元素,如磷、砷、锑等，就得到Ｎ型半导体，其多子是,少子是。
在本征硅(或锗）中掺入少量的三价元素，如硼、铝、铟等,就得到型半导体，其多子是，少子是。
8、在三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生失真，静态工作点设置太高将产生失真。
9、某放大器的ｆL为1０HＺ，f H为500HZ，其BW为，ｆL称为，ｆH 称为。
10、放大器常用的耦合方式有、和三种形式。
１1、在常温下,二极管的死区电压硅管为V，锗管为Ｖ。
导通后,在教大电流下的正向压降硅管为V，锗管为V。
12、设稳压管DＺ1和D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为０．7V，把它们串联相接可得种稳压值,分别为;把它们并联可得种稳压值，分别为。
13、衡量晶体管放大能力的参数是,晶体管的极限参数是，，。
１4、在差动放大器中,差模信号是指及的两个输入信号；而共模信号是指及的两个输入信号。
1５、理想运放条件是。
二、分析题：1.如图电路(１),当Vｉ1和Ｖi2为0V或5V时，求Vi1和Ｖi2的值不同组合的情况下，输出电压Ｖｏ的值。
2020年4月浙江自考线性电子电路试卷及答案解析
浙江省2018年4月自考线性电子电路试卷课程代码：02340一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_________电流，由外加电场引起载流子运动形成_________电流。
2.温度升高时，晶体二极管的I s将_________，V D(on)将_________。
3.晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和_________结均为_________偏置。
4.N沟道MOSFET中，为保证器件正常工作，_________极应接在电位的最低点，而P沟道的MOSFET，则该电极应接在电位的_________。
5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是_________和_________。
6.放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_________失真和_________失真两大类。
7.电流源电路的主要参数是_________和_________。
8.反馈元件并接到输入信号源两端的为_________反馈，否则为_________反馈。
9.负反馈放大电路自激的幅度条件是_________，相位条件是_________。
10.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的_________电阻、无限大的差模电压增益和_________抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.杂质半导体中多数载流子浓度( )A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关2.一个硅二极管在正向电压V D=0.6V时，正向电流I D为10mA，若V D增大到0.66V(即增加10%)，则电流I D( )A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.某晶体三极管的I B为10μA，I C为1mA，I CEO为0.1mA则该管的β值为( )A. 100B. 110C. 90D. 8014.已知某三极管V BE=0.7V，V CE=3V，则该管工作在_________区。
线性电子线路例题
有三只三极管， 锗管β＝ 例 ： 有三只三极管 ， 分别为 锗管 ＝ 150， ， ICBO＝2µA； 硅管 ＝100，ICBO＝1µA； 硅 ； 硅管β＝ ， ； 管β＝40，ICEO＝41µA；试从β和温度稳定性选 ＝ ， ；试从 和温度稳定性选 择一只最佳的管子。 76择一只最佳的管子。P76-81 解： β值大，但ICBO也大，温度稳定性较差； 值大， 也大，温度稳定性较差； 值大 β值较大，ICBO＝1µA，ICEO＝101 µA ； 值较大， 值较大 ， β值较小，ICEO＝41µA， ICBO＝1µA。 值较小， 值较小 ， 。 、 ICBO相等，但 相等， 较大， 的β较大，故 较大 较好。 较好。
例： ：Rb1=33K , Rb2=10K , Rc= 3.3K , 已知： 已知
Re1=200 , Re2=1.3K , Vcc=12V , rbe=994 , β=50，RL=5.1K 。试计算 、Ri、Ro。 试计算Au、 、 。 ， • • • ○ +Vcc • • Ui =Ub r= +(1+b RIb′ R1 I 0 be − β I β) Rc Đc Đb e L Rb1 Ui βib rbe • • Ii = = ⋅ r be + · Rb Rb Re1 · U i r e I b(1+ β)Re1 RC RLL R • Ui Rb2 Uo b + Re1 (1 + Ui) I b ⋅Uie1 β R 1 2 Re2 + + Rb1 Rb2 ' • 50( 3 L Ri = R−// R 2 βRbe +(1+ β)R 1].3 // 5.1) //[r b =− e AU =b1 0.994 10//(0+ β)Re1 = 33//rbe +(1.994+51×0.2) + 51 × 0.2 RO = RC = 3.3K Ω = − 8Ω = 4.6K. 9
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2006级广电工程《线性电子线路》作业题【一】一、填空题：1、二极管的最重要特性是______ ，反映反向特性的参数是______电压。
2、测得工作在放大电路中的三极管三个电极的电位分别为V1=6V，V2=11.3V，V3=12V，则该三极管的管型为，所用材料为，管脚1为极，管脚2为极，管脚3为极。
3、PN结加正向电压或正向偏置，外电场与自建场方向,阻挡层，ＰＮ结处于状态, 它所呈现出的正向电阻值。
4、负反馈放大器有较高的工作稳定性，其程度取决于放大器的。
如果电路引入电压串联负反馈，则电路有的输入阻抗和较稳定的。
适合于信号源的放大。
若要求电路输出电流稳定或输出电阻大，应引入负反馈。
5、差动放大器对有较强的放大能力，对有较强的抑制能力，其抑制能力重要取决于电路的。
6、放大器由于存在着和的影响，使工作频率升高时，增益下降，并且相角加大。
7、在本征硅(或锗)中掺入少量的元素，如磷、砷、锑等，就得到N型半导体，其多子是，少子是。
在本征硅(或锗)中掺入少量的三价元素，如硼、铝、铟等，就得到型半导体，其多子是，少子是。
8、在三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生失真，静态工作点设置太高将产生失真。
9、某放大器的f L为10HZ，f H为500HZ，其BW为，f L称为，f H称为。
10、放大器常用的耦合方式有、和三种形式。
11、在常温下，二极管的死区电压硅管为V，锗管为V。
导通后，在教大电流下的正向压降硅管为V，锗管为V。
12、设稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，把它们串联相接可得种稳压值，分别为；把它们并联可得种稳压值，分别为。
13、衡量晶体管放大能力的参数是，晶体管的极限参数是，，。
14、在差动放大器中，差模信号是指及的两个输入信号；而共模信号是指及的两个输入信号。
15、理想运放条件是。
二、分析题：1.如图电路(1),当Vi1和Vi2为0V或5V时，求Vi1和Vi2的值不同组合的情况下，输出电压Vo的值。
设二极管是理想的。
2.如图电路(2)为差动放大器单端化电路，分析电路差模输入和共模输入时的输出电压V。
Vcc(5V) V CCR3R C CT3V O Vi1 V0 + T1 T2+V i1V i2 Vi2 - -EE图(1) 图(2)三、判断题：如图(3)、图(4)、图(5)、图（6）、图（7）电路，判断电路的反馈极性及反馈类型。
V CC V CCR1R2 R1R3R3 RV i V0V i V0R4R4(图3) (图4)2R1－V0＋R3+页脚内容7页脚内容7+V CC2V0C3（图7）四、计算题：1.如图(8)为共射放大电路,Ω=Ω=Ω==KRKRKRVVCC2,5,20,12321321'4,300,3,50,1CCCrKRKRbbLΩ===Ω=β对交流短路。
(1) 计算静态工作点CeQCQVI,; (2) 计算电路的电压增益VA（3）计算电路的输入电阻和输出电阻。
2.电路如图(9)所示,已知，R1=100KΩ，R2=10KΩ，R4=4.7KΩ，R5=500Ω，R6=2KΩ，分别求R3=0、R3=10KΩ时的电压增益。
3.如图(10)加法电路,R1=60KΩ，R2=30KΩ，R3=20KΩ，R f=200KΩ,V i1=0.1V,V i2=-0.8V, V i3=0.2V, 试求:(1)输出电压V；(2) 同相端的补偿电阻pRV aV CCR4R LR22V032006级广电工程《线性电子线路》作业题【二】一、选择题1. 判别放大器属于正反馈还是负反馈的方法是（）A.输出端短路法B.瞬时极性法C.输入諯短路法2.串联负反馈使放大器的输入阻抗( )A.变大B.变小C.不变3．若需设计一只单级放大器，要求输入阻抗大,输出阻抗小，请选择下述放大电路（）A、共射放大B、共基放大C、共集放大D、共源放大4．差动放大电路中用恒流源代替R e是为了（）A.提高差模放大倍数B.提高共模放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输入电阻5.三级管开作在放大区，要求（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏6．在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的（）A．可变电阻区 B.恒流区 C.夹断区 D.击穿区7.若信号源为高内阻的电流源需要放大,而且负载阻抗较易产生变化,则放大电路应引入( )A.电压串联负反馈B.电流串联负反馈C.电压并联负反馈D.电流并联负反馈8. 共模抑制比K CMR越大，表明电路（）A.放大倍数越稳定B. 交流放大倍数愈大C.抑制温漂能力越强D.输入信号中差模成分越大9.同相放大器作为深度电压串联负反馈电路,有较高的输入阻抗和极低的输出阻抗,但对集成运放的( )要求较高。
A.输入失调电流B.差模信号放大能力C.负载电阻稳定性D.对共模信号的抑制能力10.影响小信号谐振放大器的工作稳定性是因为晶体管的内反馈影响,这种影响是通过( )造成的。
A.C b’e结电容B.C b’c结电容C.C Ce输出电容D.r b’c集电结电阻11.设置差动放大器的目的是（）A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂D.扩展频带12.负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）A.输入信号所包含的干扰和噪声B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输入信号中的干扰和噪声13.为使运放两个输入端所存在的共模电压最小，宜选用（）A.同相输入比例放大器B. 反相输入比例放大器C. 差动输入放大器D.电压跟随器14. 用万用表直流电压档测得三极管各极对地的电位分别为V B=3V，V E=0V，V C=12V，则三极管的工作状态为（）A.放大B.饱和C.截止D.损坏15．多级放大电路与单级放大电路相比，通频带（）A.变宽B.变窄C.不变16.场效应管本质是一个（），晶体管本质是一个（）A.电流控制电流器件B.电流控制电压器件C.电压控制电流器件D.电压控制电压器件17.晶体管工作时，参与导电的载流子是（）A.多子B.少子C.多子和少子18.N沟道场效应管的漏极电流由下面载流子的漂移形成的（）A. 电子B.空穴C. 电子和空穴19.直接耦合放大电路能放大（）A．直流信号 B.交流信号 C. 交直流信号20.复合管的反向击穿电压等于（）A.各晶体管反向击穿电压之和 B .前面管子的反向击穿电压C. 后面管子的反向击穿电压D.各晶体管反向击穿电压值中的较小者。
二、分析题:1.如图(1)共射放大电路和放大后的输出波形(a)、(b)。
产生了何种失真？试分析说明失真原因及调整方法。
2.如图(2)电路,画出电路的混合π型等效电路,并定性分析C1,C3对该电路的低频下限频率的影响。
3.如图(3)利用T型反馈网络的反相放大器,分析推导电路的电压增益A V,并说明该电路与单电阻反馈网络相比有何优点?12V V02tV0( a ) 图(1) (b) (c)V CCV0R L V03图(2) 图(3)三、计算题:1.如图(4)电路及晶体管输出特性,若Ω=Ω=Ω=KRKRKR3,20,60321,50,16,24==Ω=βVVKRCC,(1) 用图解法求静态工作点(2)求输入电阻)300('Ω==bbirR(3) 求电压增益A V I e(mA)120μA100μ+ 80μAV060μA40μA20μAV C e(V)- - 0 5 10 15 20页脚内容7页脚内容7图(4)2.如图(5)差动放大电路,指出电路的反馈类型,若已知Ω==Ω=K R R K R 7.2,1321,K R K R K R 5.1,10,6.3654=Ω==,试:(1)确定稳压管D 的稳压电压 (2) 计算放大器的闭环电压增益+12VD + V 0 --12V 图(5)3.如图(6)单调谐回路谐振放大器,,7.100MHz f =在谐振点0f f =上usj y ms j y re ie )5010(,)5.02(+-=+=,us j y ms j y Oe fe )4020(,)520(+=-=,若要求KHz BW A V 100,507.00=-=,求回路的(1) L (2) C (3) Q 0C V 0图（6）2006级广电工程《线性电子线路》作业题【三】一、试分析谐振放大器工作不稳定的内部原因是什么?为了解决其稳定问题,可采取什么措施。
二、放大器中如何引入负反馈？四、在一锗单晶材料中掺入施主杂质，其浓度为Nd=1×1017cm -3，试求室温即T=300K 时的自由电子浓度和空穴浓度。
五、如图(1)电路,输入V i 为正弦波电压，试绘出负载电阻RL 两端的电压波形。
设二极管是理想的。
D 2 ++R L V 0图(1) -六、如图（2）电路,已知两管的直流传输系数,120,98.0,99.02221mA I T E ===的αα0CB I 可以忽略,电压,18V V CC =电阻Ω=100R ,(1)确定电流I C1、I B1、I E1、I C2、I C 的值 (2) 确定V ce 的值 (3)确定复合管的β值R + I C2 T 1 V Ce -T 2页脚内容7I B2I E2图(2)七、如图(3)电路中电容对交流短路,已知β1=60，β2=120，r bb1=200Ω, r bb2=400Ω,R 1=100K Ω，R 2=24K Ω，R 3=15K Ω,R 4=4.7K Ω，R 5=33K Ω，R 6=6.8K Ω,R 7=7.5K Ω，R 8=2K Ω, R L =5K Ω,V CC =24V 。
(1)计算电路静态工作点(2) 计算电路的总电压增益A V , ,输入、输出阻抗R i 、R 0+V CCR 7C 4 + V 0 R L-图(3)八、如图(4)电路为MC1530集成运放的内部电路简化图,若15021==ββ,20043==ββ,(1) 分析说明其工作原理 (2) 估算其电压增益A VV CC10K 3 T 1 T 4V i + 10KV 0V EE (-15V)图(4)九、试设计一个反相放大器，要求输入电阻为100K Ω，放大倍数200，用电阻阻值不超过500K Ω。
十、三级同步调谐单回路放大器的中心频率MHz f 7.100=,要求总的通频带为100K,且在失谐为KHz 250±时衰减等于20dB,试求每个回路的Q e 值。
《线性电子电路》教学要求一、课程性质与学习目的《线性电子电路》课程是电子、通信等专业的重要专业技术基础课程。
本课程的任务是使学生能对模拟电子电路（线性部分）的基本原理、基本知识和基本技能有全面认识。
掌握半导体器件和集成电路的特性及参数，掌握放大、负反馈、运放应用等电路的组成、工作原理、性能特点及基本分析方法和工程计算方法。