2012年河北工业大学890半导体物理学考研试题
河北工业大学2012年结构力学真题答案
河北工业大学2012年攻读硕士学位研究生入学考试试题参考答案（结构力学Ⅰ）一、是非题1. 02.×3. 04.×考点：1-3题考察静定结构、超静定结构的一般性质，4题考察组合结构的计算。
解析：1-3题请看下面编者语。
4题解答如下：AE 、EH 是梁式杆，AD 、DF 、FH 、CD 、GF 是链杆，故先求出支座反力、截断链杆DF 、解除E 点约束，取左半部分为研究对象,对E 点取距由0=∑E M 得：0223=⨯-⨯-⨯a F a P a P DF ，P F DF 2=，再根据D 结点的平衡可知：P N 21-=（求DF F 时也可以对A 点取距，根据对称性，E 结点的竖向力P 21，0=∑A M ，022/=⨯-⨯+⨯a F a P a P DF P F DF 2=）编者语：（1）关于静定结构、超静定结构的一般性质。
（2）关于组合结构的计算二、选择题1、B考点：影响线的应用中荷载最不利位置的确定。
解析：B R 的影响线如图所示：因必有一集中荷载在顶点，当48kN 力在顶点时，kN kN R B 682140148=⨯+⨯=，当40kN 力在顶点时，kN kN R B 721403248=⨯+⨯=，故kN R B 72=，选B 。
（选项中的C 选项分明是48kN+40kN=88kN 的结果，这只能是两力都加在B 上，而这是不可能的）。
编者语：关于荷载最不利位置的确定，有如下总结：最常见的、也是最重要的是上述2)、3)种情况，第5)种情况很少见，也可以说没有出过题目，故2)、3)情况必须要掌握，本题考察的是第2)种情况。
2.A考点：多跨静定梁的内力传递解析：当荷载作用于基本部分时，只有基本部分受力，附属部分不受力。
当荷载作用于附属部分时，则不仅附属部分受力，基本部分一般也受力。
本题中左边部分为主体结构，右边部分为附属结构，P力作用在主体结构上，右边附属结构不受力。
编者语：（1）有很多同学不明白，力作用在铰上，到底是作用在哪一边？我的回答是随便假设一边都可以算出相同的结果！现以此题来分析！由整体分析可知，水平力为零：当力作用在左边铰时：进一步解出：当力作用在右边铰时：进一步解出：故得出结论，对于集中荷载计算时，假设集中力作用在铰的任何一边都是可行的，故题目中直接把荷载加在铰上，但是要注意，当铰接处作用力偶时，应看清作用在铰的左侧还是右侧，力偶不能直接作用在铰上，只能作用在铰两侧的截面上。
河北工业大学考研历年真题之材料科学基础2006--2012年考研真题
6.反应扩散 7。 淬硬性 8。 淬透性 : 9。 相起伏 10.非 均匀形核
二、选择题 (共 ⒛ 分,每题 2分 。答案一律写在答题纸上、否则无效。)
1.置 换固溶体中,溶 质原子的扩散是通过
~实 现。
A∶ 原子换位机制 B:丨司隙扩散机制 C∶ 空位机制 D∶ 传导机制
2,在 离子晶体中,负 离子多面体相互间
连接时,结 构最稳定。
A∶ 共用顶 B:共 用棱 C∶ 共用面 D∶ 不共用
3.bcc结 构的单晶体中,
面与I1131方 向垂直。
A∶ (112) B: (211) C∶ (121) D∶ (121)
4.在 具有包共晶转变的三元相图中,L+s相 区与四相平衡平面
接触 。
A∶ 线 B:面
C∶ 点 D∶ 体
接触 。
A∶ 线 B:面
C∶ 点 D∶ 体
5,用 热扩散方法在一定温度下对单晶 ⒏掺杂时,掺杂元素扩散的距离与扩散温度呈
A∶ 直线 B:指 数 C∶ 抛物线 D∶ 平衡
6,下 列因素中,对再结晶后晶粒大小没有影∶ 再结晶退火温度 D∶ 原始晶粒尺寸
关系。
⒎ 全 硼 ___鹅
河北工业大学 2012年 攻读硕 士学位研 究生入学考试试题
科目名称
材料科学基础 (D
科目代码 880
[B] 共2 页
适用专业
材料学、 材料物理化学、材料加工工程
注 :所有试题答案一律 写在 答题纸上 ,答 案 写在试卷 、草 稿纸上一律无效 。
一、解释下列名词 (共 ⒛ 分,每 题 2分 。答案一律写在答题纸上、否则无效。)
10.关 于金属玻璃的说法错误的是 ( )。
第 1页
A,虽 然是固态但仍保持了液态时的原子的排列 B,其 原子排列具有晶格结构和晶体缺陷 C。 其原子的杂乱排布与玻璃中的原子排布相似
【河北工业大学2012年考研专业课真题】马克思主义哲学原理2012
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们
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同
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们
的肉、血和头脑都
是
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在
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科 目名称 适用专业 、领域
注 :所 有试题答案一律写在答题纸上
,
科 目代码
720
共
1页
答案写在试卷 、草稿纸上一律无效 。
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貂 ” 的 功 绩 。 但
森
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哭
类
的
足
迹
。
所
(完整)北工大半导体物理历年真题
历年真题 第一章1、Si 、GaAs 半导体材料的导带底、价带顶分别在k 空间什么位置？其晶体结构和解理面分别是什么?哪个是直接带隙,哪个是间接带隙？（2006）2、对于金刚石结构的硅Si 和闪锌矿结构的砷化镓GaAs ，在（111）晶面上，其原子面密度和面间距都是最大，为什么Si 的解理面是（111)，而GaAs 不是？（2007）3、半导体材料的禁带宽度Eg 、N 型半导体杂质激活能△Ed 以及亲和势X 分别表示半导体电子的什么状态特性？（2009年简答题7分）4、与真空电子运动相比,半导体中电子的运动有何不同？(2009年简答题7分）(1-9题 63分，每小题7分（2010））5、如图是一个半导体能带结构的E –k 关系； 1）哪个能带具有x 方向更小的有效质量? 2)考虑两个电子分别位于两个能带中的十字线处，哪个电子的速度更大些？6、写出硅(Si)和砷化镓(GaAs ）的晶体结构、禁带宽度和解理面。
?（2011年简答题6分）第二章3、高阻的本征半导体材料和高阻的高度补偿的半导体材料的区别是什么？(2006）• 1 深能级杂质和浅能级杂质概念(西交大）• 1以硅为例,举例说明掺入浅能级和深能级杂质的目的和作用？（西电）• 2。
什么是浅能级杂质?什么是深能级杂质？列举出半导体硅中各一种杂质元素的例子。
半导体中掺入这些杂质分别起什么作用 ？ （2011）第三章• 11、定性画出N 型半导体样品，载流子浓度n 随温度变化的曲线（全温区），讨论各段的物理意义，并标出本征激发随温度的曲线.设该样品的掺杂浓度为ND 。
比较两曲线,论述宽带隙半导体材料器件工作温度范围更宽。
（2006—20分)•４、室温下，一N 型样品掺杂浓度为Nd ，全部电离.当温度升高后，其费米能级如何变化?为什么？一本征半导体，其费米能级随温度升高如何变化？为什么？（2007）• 4、一块N 型半导体，随温度升高，载流子浓度如何变化?费米能级如何变化?（2009)• 7、定性说明掺杂半导体费米能级与掺杂浓度和温度的关系是怎样的？(2010)• 10、（20分）设某一种半导体材料室温下（300 K)本征载流子浓度为1.0 × 1010 cm −3，价带和导带有效状态密度N V = N C = 1019 cm −3, • 1） 求禁带宽度；• 2) 如果掺入施主杂质N D = 1016 cm −3，求300 K 下，热平衡下的电子和空穴浓度；• 3) 对于上面的样品，在又掺入N A = 2 × 1016 cm −3的受主杂质后，求新的热平衡电子和空穴浓度（300 K ）。
2012年河北工业大学892通信原理考研试题
一 单项选择题 (共 20分 ,每题 2分 。答案一律写在答题纸上 ,否则无效 。
1、 一个均值为零的平稳高斯窄带噪声,它 的包络一维分布服从
。
A。 高斯分布 B,均匀分布 C。 瑞利分布 D。 莱斯分布
2、 用单音/(θ =∞ s@泖 r对载波α D=∞ s@0r进 行调频,若 J0('膨 )=0,则其调制效率为
C.单
D,I】
DB3码
)¨ 8、 平稳随机过程的自相关函数 R另 ←
A.只 为正的偶函数 B。 只为负的偶函数 C。 可正可负的偶函数 D。 不能确定
9、 二进制数字基带传输系统的误码率计算公式为
A· 凡 =P(1)+P(0) B.凡
=`(1)P(0/1)+P(0)`(1/0)
C· 凡 =P(0/1)十 P(1/0) D,凡 =P(0)P(0/1)+P(1)P(1/0)
10、 单路话音信号的最高频率为 4图乇,抽样频率为 8I【IIz,以 PCM方 式传输,抽样后按 8级量化,设传输
的二进制信号波形为矩形脉冲 ,占空比为 咙 ,则 PCM基 带信号频谱的第一零点频率为 A。 2锴△L B,48KIIz c,1勿 σ姒 D,6oKIlz
第 1页
二、填空题 (共 Is分 ,每 空 1分 。答案一律写在答题纸上,否则无效。
5、 若升余弦系统滚降系数α越大,码 间串吐
A,越 小 B。 越大 C。 不变 D.无 关
6、 采用 13折 线A律编码时,抽样脉冲值为-1025Δ ,其段落码为____ˉ
A,l110 B。 11o c。 111 D.1o1
7、
在
“ 0”
“ 1”
等概率出现情况下,包含直流成分的码¨
河北工业大学材料科学基础历年考研真题
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分享考研资料，助力考研成功！认证店铺：考研资料2010年河北工业大学880材料科学基础（B卷）考研真题
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分享考研资料，助力考研成功！认证店铺：考研资料2007年河北工业大学435材料科学基础（A卷）考研真题
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2006年河北工业大学439材料科学基础（A卷）考研真题
(NEW)河北工业大学电气工程学院电路历年考研真题汇编
▪
四、（本题12分）图示电路中，已知R1＝80Ω，R2＝30Ω，US＝ 44∠36.9°V，ω＝1000rad/s，C＝50μF，L1＝50mH，L2＝40mH，M＝ 20mH。求：
（1）ab端口的戴维宁等效电路；
（2）若在ab端口接负载ZL，ZL为多大时能获得最大功率？并求此最 大功率。
五、（本题15分）图示电路中，电源为正序对称三相电源，其线电 压Ul＝380V，端线阻抗Zl＝1＋j1Ω，三角形连接负载Z＝21＋j15Ω，R ＝10Ω。求两功率表读数及三相电源发出的总功率。
5 一个二端网络，其电压u（t）和电流i（t）非关联参考方向， i（t）＝1.414sinωt＋0.707sin3ωt A，u（t）＝20＋28.28cos（ωt－30°） ＋14.14cos（3ωt＋30°）V。则端口电压有效值为______，端口吸收的平 均功率为______。
6 图示为非线性电阻及其伏安特性曲线。该非线性电阻工作在某 直流激励的电路中时，工作点Q如图所示。则工作点处的静态电阻和动 态电阻分别为______和______。
A．－8A B．3A C．－2A D．0A
4 图示电路中第一个回路的电流方程是（ ）。
A．（R4＋R1＋R7）I1－R1I2－R4I3＝gU1 B．（R4＋R1＋R7）I1－R1I2＋R4I3＝－gU1 C．（R4＋R1＋R7）I1－R1I2＋R4I3＝gR7U1 D．（R4＋R1＋R7）I1－R1I2＋R4I3＝－gR7U1 5 已知某电路的基本割集矩阵Qf，则形成树支的集合为 （ ）。
2 （3分）线性二端口电路如图所示，电源为正弦电压源。现利用 双综示波器同时观察电阻电压uR与电源电压uS，试绘出电压uR与uS的正 弦波波形示意图______。
2012年河北工业大学考研试题870微观经济学
某低档商品的价格下降9在 其他情况不变时9(
)。
;
A,替 代效应和收入效应相互加强导致该商品需求量增加
B。
替代效应和收入效应相互加强导致该商品需求量减少
;
C,替 代效应倾向于增加该商品的需求量9而 收入效应倾向于减少其需求量
12、
:
D,替 代效应倾向于减少该商品的需求量,而 收入效应倾向于增加其需求量。 。
B,只 有厂商 B的 生产成本是递减的
C。
)
厂商 A的 资本投入是厂商 B的 两倍 如呆厂商 A用 3单 位劳动与厂商 B的 2单 位资本相交换 9厂 商 A的 产量将增加 上述说法均不准确
D。
E。
4、
一个完全竞争的厂商每年获得 1000元 利润 ,其 规模收益是不变的 (
A。
B。
)。
在长期,它 可 以通过增加一倍投入获得加倍的利润 当利润开始削减时,它 可 以提高价格 在长期 9它 可 以获得相同的利润
河北工 业大学 2012年 攻读硕士学位研 究生入 学考试试题 科目 名称
适用专业、领域
[A]卷
共
微 观 经 济 学
代码 科目
8zO
3
页
区 域经济学、 金融学、 产业经济学、劳 动经济学、 数量经济学
注 :所 有试题答案一律写在 答题纸上 ,答 案写在试卷、草稿纸上一律无效 。
一、选择题 (共 15分 ,每 题 1分 。答案一律写在答题纸上 ,否 则无效 。 )
二、名词解释 《 每题 2。 5分 9共 ⒛ 分 )
1、
替代效应
2、
学习效应
3、 纳什均衡
4、 范围经济
5、
停止营业点 6、 卡特尔组织
01半导体物理真题哈工大半导体考研真题
哈尔滨工业大学
二OO 一年硕士研究生考试试题
考试科目：半导体物理_____________ 考试科目代码：[ ] 适用专业：微电子学与固体电子学___
考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号。
答在试题上无效。
一、 解释下列名词或概念（20分）：
1、准费米能级
6、施主与受主杂质 2、小注入条件
7、本征半导体 3、简并半导体
8、光电导 4、表面势
9、深能级杂质 5、表面反型层
10、表面复合速度 二、画出n 型半导体MIS 结构理想C-V 特性曲线，如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层-半导体
存在界面态将分别对曲线有何影响？（20分）
三、简述半导体中可能的光吸收过程（20分）
四、画出p-n 结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n 结势垒区形成的物理过程（20分）
五、在一维情况下，以p 型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20分） 题号 一 二 三 四 五
总 分 分数 20 20 20 20 20
１００分 第 1 页 共 1 页。
2012年河北工业大学890半导体物理学考研试题
为 0,陇 ⒍V的 某种施主杂质,若 ⒏样品费米能级在导带底之下 0,ω ⒛V,
计算这种施主杂质能级被电子占据的概率;(10分 )(提 示:室温下 kOTHl,陇 ⒍V) 五、分析题 Ω0分 )CF9T有 试题答案一律写在答题纸上,答案写在试卷、草稿纸上一律无效) 将一个半导体 Gc晶 片切成 A不口 B两 个样品,A样 品掺入浓度为 1,5× 10%m书 的施主杂质磷和浓度为 1.0×
[Al卷
共
sg0
2
页
度,分 别用费米分布 函数和玻耳兹曼分布函数计算该能级被电子占据的概率。(10分 ) 三、计算题 Ω0分 )(所 有试题答案一律写在答题纸上,答案写在试卷、草稿纸上一 律无效) 半导体中均匀的掺入浓度为 质全部电离,求
:
1 10气 卩 的受主杂质硼 ,室 温条件下杂
能级;(10分 )
第 2页
口 叫 ~。
3、
施主杂质和受主杂质具有相互抵消的作用 ,通 常将这种抵消作用称作~。 半导体能带中电子的能量状态遵守~分
有些杂质既可以成为
施主 ,叉 可 以成为受主 ,通 常将这种杂质称作___杂 质 。
4、
布规律 ,其 分布函数表达式为
。
5、
半导体中载流子浓度分布不均匀时,载 流子将做____运 动,这 种运动产生的电流叫贮 运动,这 种运动产生的电流称为~电
nOpˉ
(选 :随 温度变化、或不随温度变化 ),如 果掺杂浓度
变化,但 满足非简并,则 nOp0~(选 :随 掺杂浓度变化、或不随掺杂浓度变化) 半导体 ⒏ 中的载流子主耍受到两种机制的散射,它 们分别是 ・ 概率的温度关系为___,后 者的散谢 概率的温度关系为___。
2012年河北工业大学 机械原理考研真题(回忆版)(1)(1)
距离考完研已经过了很长时间了，有些题目已经忘了，我能记得的大致如下：一、简答题（共5个每题6分）1、什么是动平衡？什么是静平衡？各至少需要几个平衡面？静平衡、动平衡的力学条件各是什么？（课后题P81 6—1）2、采用当量摩擦系数及当量摩擦角的意义何在？当量摩擦系数与实际摩擦系数不同是不是因为两物体接触面形状改变，从而引起摩擦系数改变的结果？（课后题P64 4—5）3、什么是机械的工作循环图？在机械系统设计中有什么作用？（课后题P296 14—3）还有两个我忘了，反正差不多都是课后习题二、计算题1、计算自由度的一个题，比较简单2、计算齿轮系传动比并判断从动齿轮的转向（图是课后题P234 11—17的图）3、求平衡质量（图好像就是课后题P87 6—7的图，只不过把不平衡质量的角度变了一下，然后好像是在给定的两个平衡面上平衡）4、一个大题分好多问：给了一个输出力矩随转角变化的曲线图，求运转不均匀系数，最大转速最小转速和飞轮转动惯量（很简单的计算问题）5、一个大题分好多问：告诉你齿数模数之类的，叫你求中心距、基圆半径，还有改变了中心距叫你求啮合角，还有一问是问可不可以改用斜齿轮（就是斜齿轮可以通过改变螺旋角来改变中心距），也是很基础的计算，没有拐弯抹角的东西三、画图综合1、一个直动偏心滚子盘形凸轮机构，画压力角、升程角、转过多少角度之类的，都是很基础的东西2、连杆机构，已知一些条件，让你画出此连杆机构3、用图解法求速度，加速度，并要求列出矢量方程给外校考生的建议：1、2012年机械工程专业，学术型报名520人左右，保送26人，分数情况，330分以上100人左右，340分以上80人左右，350分以上45人左右（按照今年的情况，进复试的话可能至少要320+，各学院成绩单可以去论坛置顶帖里找到）专业硕士，报名20人左右，300分以上5人，保送20人虽然考河北工业大学的难度相对来说不是很大，但也要量力而行，选对学校很重要2、关于资料，河北工业大学的专业课不是很难，千万不要乱花冤枉钱去网上买什么内部资料、讲义之类的（当然，能搞到最好），通过历年真题可以看出，很多真题就是课后原题，把课本搞清楚了，课后题做熟练，真题好好研究（其实真题就是最好的考试大纲），现在网上有卖《河北工业大学机械原理习题集》的，据说是河北工业大学机械教研室编的，我用过，是2004年编的（也不知道是不是他们机械教研室编的），个人感觉已经没有多大的参考价值（不过里面还是有一些不错的题目）3、个人经验，如果课后题和真题都搞懂了，可以拿别的学校的真题做一下（比如你有同学考南京理工大学等等、、、，可以借他们的真题做一下，当然每个学校的考试重点是不一样的额）广告：本人出售中国矿大机械原理讲义、南京理工大学机械原理历年真题和答案、哈尔滨工程大学机械原理习题集和历年真题答案及部分期末考试题（都是打印版的，所以不能免费上传给大家了）附：机械原理历年真题及2012年河北工业大学各学院成绩单。
半导体物理学孟庆巨答案
半导体物理学孟庆巨答案1、C.分子间存在着间隙(正确答案)D.分子在永不停息地做无规则运动(正确答案)答案解析：扩散现象是一种物质的分子进入另一种物质内部的现象，因而说明分子间有间隙，且分子在永不停息地做无规则运动下列关于布朗运动的叙述，正确的有（）*A.悬浮小颗粒的运动是杂乱无章的(正确答案)2、电饭锅、电烤箱和微波炉都利用了电流的热效应[判断题] *对错(正确答案)答案解析：微波炉没有利用电流热效应3、探究物体所受重力大小与物体的体积的关系时，物体密度是需要控制的变量[判断题] *对错(正确答案)答案解析：需要控制质量相同4、磁场和磁感线都是客观存在的[判断题] *对错(正确答案)答案解析：磁场客观存在，磁感线不存在5、假如人们已研制出常温下的超导体，则可以用它制作电炉子的电阻丝[判断题] *对错(正确答案)答案解析：电炉丝利用电流的热效应，需要有电阻，不能用超导体。
超导体适合做导线6、81．如图是A、B、C三种物质的质量m与体积V的关系图线，由图可知，A、B、C三种物质的密度ρA、ρB、ρC和水的密度ρ水之间的关系是（）[单选题] *A.ρA≥ρB＞ρC且pA＜ρ水B．ρA＜ρB＜ρC且ρC＞ρ水C．ρA＜ρB＜ρC且ρA＞ρ水D．ρA＞ρB＞ρC且ρB＝ρ水(正确答案)7、68．如图甲所示，上方装有电子阀门的圆柱形容器放在水平桌面上。
控制阀门，使容器中相同时间内流入液体的质量相等，注入液体直至图乙状态。
图丙所呈现的物理量之间的函数关系图像可能是（）[单选题] *A．液面上升速度v和时间t的关系B．液体密度ρ和液体体积V的关系C．液体质量m和液体密度ρ的关系D．液面上升高度h和时间t的关系(正确答案)8、下列说法正确的是（）*A.一定质量的理想气体，放热的同时外界对其做功，其内能可能减少(正确答案)B.单晶体有固定的熔点，多晶体和非晶体没有固定的熔点C.热量能够自发地从高温物体传递到低温物体，但不能自发地从低温物体传递到高温物体(正确答案)D.当分子间的距离增大时，分子之间的引力和斥力均同时减小，而分子势能一定增大9、83．下列各实例中，主要属于应用密度知识的是（）[单选题] *A．测量血压的血压计B．中医传统的治疗器械﹣拔火罐C．包装盒中防震填充物采用泡沫塑料(正确答案)D．拦河大坝筑成上窄下宽的形状10、60．从太阳发出的带电粒子流在地球两极，与地磁场相互作用，使高层大气分子或原子激发就会形成绚丽多彩的极光现象。