模拟电子技术基础讲义晶体管PPT学习教案
合集下载
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第22页/共50页
黑表笔 1 2 3
红表笔 2 3 1 3 1 2
阻值 ∞ ∞ 4K 4K ∞ ∞
第23页/共50页
黑表笔接1，红表笔接3，接触2：100 K 黑表笔接3，红表笔接1，接触2：30 K
第24页/共50页
4、三极管的命名方式：
国产晶体管的命名方法： 日本半导体器件的命名方法： 美国晶体管型号命名方法： 欧洲晶体管型号命名方法： 韩国三星公司：
(1)发射结 正偏、 集电结 反偏； 工作在放 大区。
(2)发射结 正偏、 集电结 正偏； 工作在饱 和区。
(3)发射结 反偏； 工作在 截止区 。
第41页/共50页
测得PNP型、锗BJT的三个电极b、e、c的对 地电压 分别为 (1)Vb=-6.2V，Ve=-6V，VC=-9V (2) Vb=1V，Ve=1.2V，VC=1.5V (3) Vb=8V，Ve=7.8V，VC=7V 问：管子工作在输出特性曲线的什么 区？
第15页/共50页
(1) 三颠倒，找基极： 三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据
两个PN结连接方式不同，只要找出两个PN结的公 共极，即为三极管的基极。
第16页/共50页
具体方法是将万用表调至电阻挡的 R×100或 R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只管脚上，用 黑表笔去碰三极管的另两只管脚，如果两次全通，则 红表笔所放的管脚就是三极管的基极。如果一次没找 到，则红表笔换到三极管的另一个管脚，再测两次； 如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还 没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个管脚上，用 红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这 样最多测量12次，总可以找到基极。
PCM iCCE
第46页/共50页
V（BR）EBO：集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电 压。
第18页/共50页
(3) 顺箭头，偏转大：
用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e
。
(a) 对于NPN型三极管，用万用电表的黑、红表笔
颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两
次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察
，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定
是：黑表→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正
iC iB
第37页/共50页
当υCE增加时，集电结上加的反向偏 置电压 也随之 增加， 当υCE增 加到一 定电压 （V(BR) CEO）时，集 电结被 击穿， iC突然猛增。
第38页/共50页
发射结正 偏，集 电结反 偏，即 Vc>Vb>Ve(NPN) Vc<Vb<Ve(PNP)
两个结都 正偏， 即
管子工作 在放大 区 NPN
发射极和基极的电压降的绝对值或是0.7V（ 硅）或 是0.2V（锗）
NPN在放大区时Vc>Vb>Ve PNP在放大区时Vc<Vb<Ve
VA-VB=0.7V
硅管；A 和B对应 基极和 发射极
VC最大
C肯定是 集电极
A对应基 极、B对 应发射 极
第40页/共50页
测得NPN型、硅BJT的三个电极b、e、c的对 地电压 分别为 (1)Vb=6.7V，Ve=6V，VC=9V (2) Vb=8V，Ve=7.3V，VC=7.6V (3) Vb=1V，Ve=2V，VC=9V 问：管子工作在输出特性曲线的什么 区？
模拟电子技术基础讲义晶体管
会计学
1
晶体三极管(以下简称三极管)是内部含有两个 PN 结 、 外 部 具 有 三 个 电 极 的 半 导 体 器 件 。 由 于 它的特殊构造，在一定条件下具有“放大”作用 ，被广泛应用于收音机、录音机、电视机、扩音 机及各种电子设备中。
第1页/共50页
1、基本结构和分类
其他参数：除以上主要参数外，对于一些特殊的 晶体管，在置换时还应考虑以下参数：(1)对于低噪 声晶体管，在置换时应当用噪声系数较小或相等的 晶体管。(2)对于具有自动增益控制性能的晶体管， 在置换时应当用自动增益控制特性相同的晶体管。 (3)对于开关管，在置换时还要考虑其开关参数。
第29页/共50页
Vb>Ve、Vb>Vc(NPN) Vb<Ve、Vb<Vc(PNP)
发射结反 偏，即
Vb<Ve(NPN) Vb>Ve(PNP)
第39页/共50页
测得某放大电路中BJT的三个电极A、 B、C的对地 电压分 别为VA= 6.7V， VB=6V，VC=9V。问 ：硅还 是锗？ 管子是 NPN还 是PN P？A、 B、C分别对 应哪个 极？
第25页/共50页
5、三极管的参数： 集 电 板 最 大 直 流 耗 散 功 率 (Pcm) ： 一 般 要 求 用 Pcm与原管相等或较大的晶体管进行置换。但经过 计算或测试，如果原晶体管在整机电路中实际直流 耗散功率远小于其Pcm，则可以用Pcm较小的晶体 管置换。
第26页/共50页
集电极最大允许直流电流(Icm)：一般要求用Icm 与原管相等或较大的晶体管进行置换。 击穿电压：用于置换的晶体管，必须能够在整机 中安全地承受最高工作电压；
（1）输入特性曲线：
iB f (uBE ) uCE 常数
uCE
第31页/共50页
由于发射结是正向偏置 的PN结，所以它的曲线 与PN结的曲线相似。
uCE增加时集电结反偏 ，发射区进入基区的电 子更多地流向集电区， 因此对应于相同uBE，流 向基极的电流比原来时 减小。所以曲线往右移 动。
第32页/共50页
好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所
以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的
一定是发射极e。
第19页/共50页
(b) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其 电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔 ，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所 以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的 一定是集电极c。
三极管还可以作电子开关，配合其它元件还 可以构成振荡器。
第10页/共50页
晶体三极管的三种工作状态：
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结 的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极 电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集 电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称 三极管处于截止状态。
第2页/共50页
(1). 使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子 ； (2). 使基区掺杂浓度最小，且区最薄，以有效地传输 载流子； (3). 使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以 有效地收集载流子。
第3页/共50页
第4页/共50页
三极管的分类：
按半导体材料分：锗三极管和硅三极管； 按制作工艺分：扩散管、合金管等； 按功率不同：小功率管、中功率管和大功率管； 按工作频率不同：低频管、高频管和超高频管； 按用途分：放大管，开关管等。
第17页/共50页
(2) PN结，定管型： 找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与
另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类 型。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两 个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则 说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很 小，则被测管即为PNP型。
第5页/共50页
BE
二 氧 化 硅 保 护膜
N 型硅
P 型硅 B
N 型硅
C
( a) 平 面 型
第6页/共50页
E 铟球
P N 型锗
P
铟球
C ( b) 合 金 型
第7页/共50页
第8页/共50页
第9页/共50页
2、三极管的放大作用： 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三
极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较 大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。 我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍 数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三 极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流 的变化也会有一定的改变。
第13页/共50页
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判 别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修 过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压 ，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
第14页/共50页
3、管型判别和管电极判别： “三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺
箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”
第11页/共50页
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结 的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发 射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对 集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大 作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处 放大状态。
第12页/共50页
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于 PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时 ，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而 是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去 电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小， 集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极 管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
（2）输出特性曲线：
iC f (uCE ) iB 常数
第33页/共50页
第34页/共50页
发射结电压小于 开启电压，且集电 结反向偏置，此时
第35页/共50页
iB 0 iC 0
发射结电压大于开 启电压，即发射结正 向偏置，且集电结反 向偏置，此时
iC iB
第36页/共50页
发射结正向偏置 ，且集电结也正向 偏置，此时
⒉ 极间反向电流 ① 集电极—基极反向饱和电流ICBO ② 集电极—发射极反向饱和电流ICEO
第43页/共50页
发射极 开路，c 、b间 加上一 定的反 向电压 时的反 向电流 。在一 定温度 下，这 个反向 电流基 本上是 个常数 ，所以 成为反 向饱和 电流， 这个电 流很小 ，它随 温度的 变化而 变化。
基极开 路，c、 e间加 上一定 的反向 电压时 的集电 极电流 。该电 流从集 电区穿 过基区 流至发 射区， 所以又 称穿透 电流。 ICEO=（1+β）ICBO
第44页/共50页
⒊ 特征频率fT
由于晶体 管PN 结结电 容的存 在，晶 体管的 交流电 流放大 系数β是频率 的函数 。信号 频率增 加到一 定程度 时，β值 下降。
第20页/共50页
第21页/共50页
(4) 测不出，动嘴巴： 在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两
只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住( 或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头，偏转大” 的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人 体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明 显。在实际测量过程，也可以不用嘴去接触基电极 ，而用一个手指去接触基电极。
(1)发射结 正偏、 集电结 反偏； 工作在放 大区。
(2)发射结 正偏、 集电结 正偏； 工作在饱 和区。
(3)发射结 反偏； 工作在 截止区 。
第42页/共50页
四、晶体管的主要参数
⒈ 共射极电流放大系数β β 。
和 在晶体管的很大的一个工作范围之内 近似相 等。β的值一 般选择 在几十 至一百 多；太 大，管 子性能 不稳定 ；太小 ，管子 放大能 力差
YANGZHOU UNIVERSITY
CHINA
6、晶体管的代换原则 (1) 类型相同：材料相同，极性相同。 (2) 特性相近： (3) 外形相似：
C第o3l0le页g/e共o5f0P页hysics Science & Technology
三、晶体管的共射特性 曲线
特性曲线 ：晶体 管的各 电极电 压与电 流之间 的关系 曲线。
第27页/共50页
频率特性：晶体管频率特性参数，常用的有以下2 个：(1)特征频率Ft：它是指在测试频率足够高时， 使晶体管共发射极电流放大系数时的频率。(2)截止 频率fb：在置换晶体管时，主要考虑Ft与fb。通常 要求用于置换的晶体管，其Ft与fb，应不小于原晶 体管对应的Ft与Fb。
第28页/共50页
⒋ 极限参数
在IC的一个很大的变化之内β值基本 不变， 但当IC超过某 一个值ICM时β明 显下降 。该电 流称为 最大集 电极电 流。
第45页/共50页
集电结上 允许损 耗的功 率最大 值PCM。超过 该值， 管子发 热，性 能下降 ，甚至 烧毁。 温度越 高， PCM值越小，所 以晶体 管的使 用受到 环境温 度的限 制。硅 管的上 限温度 达150 ℃、锗 管的达 70℃。 为了降 低温度 ，常采 用加散 热装置 的方法 。
黑表笔 1 2 3
红表笔 2 3 1 3 1 2
阻值 ∞ ∞ 4K 4K ∞ ∞
第23页/共50页
黑表笔接1，红表笔接3，接触2：100 K 黑表笔接3，红表笔接1，接触2：30 K
第24页/共50页
4、三极管的命名方式：
国产晶体管的命名方法： 日本半导体器件的命名方法： 美国晶体管型号命名方法： 欧洲晶体管型号命名方法： 韩国三星公司：
(1)发射结 正偏、 集电结 反偏； 工作在放 大区。
(2)发射结 正偏、 集电结 正偏； 工作在饱 和区。
(3)发射结 反偏； 工作在 截止区 。
第41页/共50页
测得PNP型、锗BJT的三个电极b、e、c的对 地电压 分别为 (1)Vb=-6.2V，Ve=-6V，VC=-9V (2) Vb=1V，Ve=1.2V，VC=1.5V (3) Vb=8V，Ve=7.8V，VC=7V 问：管子工作在输出特性曲线的什么 区？
第15页/共50页
(1) 三颠倒，找基极： 三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据
两个PN结连接方式不同，只要找出两个PN结的公 共极，即为三极管的基极。
第16页/共50页
具体方法是将万用表调至电阻挡的 R×100或 R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只管脚上，用 黑表笔去碰三极管的另两只管脚，如果两次全通，则 红表笔所放的管脚就是三极管的基极。如果一次没找 到，则红表笔换到三极管的另一个管脚，再测两次； 如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还 没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个管脚上，用 红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这 样最多测量12次，总可以找到基极。
PCM iCCE
第46页/共50页
V（BR）EBO：集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电 压。
第18页/共50页
(3) 顺箭头，偏转大：
用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e
。
(a) 对于NPN型三极管，用万用电表的黑、红表笔
颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两
次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察
，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定
是：黑表→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正
iC iB
第37页/共50页
当υCE增加时，集电结上加的反向偏 置电压 也随之 增加， 当υCE增 加到一 定电压 （V(BR) CEO）时，集 电结被 击穿， iC突然猛增。
第38页/共50页
发射结正 偏，集 电结反 偏，即 Vc>Vb>Ve(NPN) Vc<Vb<Ve(PNP)
两个结都 正偏， 即
管子工作 在放大 区 NPN
发射极和基极的电压降的绝对值或是0.7V（ 硅）或 是0.2V（锗）
NPN在放大区时Vc>Vb>Ve PNP在放大区时Vc<Vb<Ve
VA-VB=0.7V
硅管；A 和B对应 基极和 发射极
VC最大
C肯定是 集电极
A对应基 极、B对 应发射 极
第40页/共50页
测得NPN型、硅BJT的三个电极b、e、c的对 地电压 分别为 (1)Vb=6.7V，Ve=6V，VC=9V (2) Vb=8V，Ve=7.3V，VC=7.6V (3) Vb=1V，Ve=2V，VC=9V 问：管子工作在输出特性曲线的什么 区？
模拟电子技术基础讲义晶体管
会计学
1
晶体三极管(以下简称三极管)是内部含有两个 PN 结 、 外 部 具 有 三 个 电 极 的 半 导 体 器 件 。 由 于 它的特殊构造，在一定条件下具有“放大”作用 ，被广泛应用于收音机、录音机、电视机、扩音 机及各种电子设备中。
第1页/共50页
1、基本结构和分类
其他参数：除以上主要参数外，对于一些特殊的 晶体管，在置换时还应考虑以下参数：(1)对于低噪 声晶体管，在置换时应当用噪声系数较小或相等的 晶体管。(2)对于具有自动增益控制性能的晶体管， 在置换时应当用自动增益控制特性相同的晶体管。 (3)对于开关管，在置换时还要考虑其开关参数。
第29页/共50页
Vb>Ve、Vb>Vc(NPN) Vb<Ve、Vb<Vc(PNP)
发射结反 偏，即
Vb<Ve(NPN) Vb>Ve(PNP)
第39页/共50页
测得某放大电路中BJT的三个电极A、 B、C的对地 电压分 别为VA= 6.7V， VB=6V，VC=9V。问 ：硅还 是锗？ 管子是 NPN还 是PN P？A、 B、C分别对 应哪个 极？
第25页/共50页
5、三极管的参数： 集 电 板 最 大 直 流 耗 散 功 率 (Pcm) ： 一 般 要 求 用 Pcm与原管相等或较大的晶体管进行置换。但经过 计算或测试，如果原晶体管在整机电路中实际直流 耗散功率远小于其Pcm，则可以用Pcm较小的晶体 管置换。
第26页/共50页
集电极最大允许直流电流(Icm)：一般要求用Icm 与原管相等或较大的晶体管进行置换。 击穿电压：用于置换的晶体管，必须能够在整机 中安全地承受最高工作电压；
（1）输入特性曲线：
iB f (uBE ) uCE 常数
uCE
第31页/共50页
由于发射结是正向偏置 的PN结，所以它的曲线 与PN结的曲线相似。
uCE增加时集电结反偏 ，发射区进入基区的电 子更多地流向集电区， 因此对应于相同uBE，流 向基极的电流比原来时 减小。所以曲线往右移 动。
第32页/共50页
好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所
以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的
一定是发射极e。
第19页/共50页
(b) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其 电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔 ，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所 以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的 一定是集电极c。
三极管还可以作电子开关，配合其它元件还 可以构成振荡器。
第10页/共50页
晶体三极管的三种工作状态：
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结 的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极 电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集 电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称 三极管处于截止状态。
第2页/共50页
(1). 使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子 ； (2). 使基区掺杂浓度最小，且区最薄，以有效地传输 载流子； (3). 使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以 有效地收集载流子。
第3页/共50页
第4页/共50页
三极管的分类：
按半导体材料分：锗三极管和硅三极管； 按制作工艺分：扩散管、合金管等； 按功率不同：小功率管、中功率管和大功率管； 按工作频率不同：低频管、高频管和超高频管； 按用途分：放大管，开关管等。
第17页/共50页
(2) PN结，定管型： 找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与
另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类 型。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两 个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则 说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很 小，则被测管即为PNP型。
第5页/共50页
BE
二 氧 化 硅 保 护膜
N 型硅
P 型硅 B
N 型硅
C
( a) 平 面 型
第6页/共50页
E 铟球
P N 型锗
P
铟球
C ( b) 合 金 型
第7页/共50页
第8页/共50页
第9页/共50页
2、三极管的放大作用： 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三
极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较 大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。 我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍 数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三 极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流 的变化也会有一定的改变。
第13页/共50页
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判 别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修 过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压 ，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
第14页/共50页
3、管型判别和管电极判别： “三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺
箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”
第11页/共50页
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结 的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发 射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对 集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大 作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处 放大状态。
第12页/共50页
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于 PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时 ，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而 是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去 电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小， 集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极 管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
（2）输出特性曲线：
iC f (uCE ) iB 常数
第33页/共50页
第34页/共50页
发射结电压小于 开启电压，且集电 结反向偏置，此时
第35页/共50页
iB 0 iC 0
发射结电压大于开 启电压，即发射结正 向偏置，且集电结反 向偏置，此时
iC iB
第36页/共50页
发射结正向偏置 ，且集电结也正向 偏置，此时
⒉ 极间反向电流 ① 集电极—基极反向饱和电流ICBO ② 集电极—发射极反向饱和电流ICEO
第43页/共50页
发射极 开路，c 、b间 加上一 定的反 向电压 时的反 向电流 。在一 定温度 下，这 个反向 电流基 本上是 个常数 ，所以 成为反 向饱和 电流， 这个电 流很小 ，它随 温度的 变化而 变化。
基极开 路，c、 e间加 上一定 的反向 电压时 的集电 极电流 。该电 流从集 电区穿 过基区 流至发 射区， 所以又 称穿透 电流。 ICEO=（1+β）ICBO
第44页/共50页
⒊ 特征频率fT
由于晶体 管PN 结结电 容的存 在，晶 体管的 交流电 流放大 系数β是频率 的函数 。信号 频率增 加到一 定程度 时，β值 下降。
第20页/共50页
第21页/共50页
(4) 测不出，动嘴巴： 在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两
只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住( 或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头，偏转大” 的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人 体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明 显。在实际测量过程，也可以不用嘴去接触基电极 ，而用一个手指去接触基电极。
(1)发射结 正偏、 集电结 反偏； 工作在放 大区。
(2)发射结 正偏、 集电结 正偏； 工作在饱 和区。
(3)发射结 反偏； 工作在 截止区 。
第42页/共50页
四、晶体管的主要参数
⒈ 共射极电流放大系数β β 。
和 在晶体管的很大的一个工作范围之内 近似相 等。β的值一 般选择 在几十 至一百 多；太 大，管 子性能 不稳定 ；太小 ，管子 放大能 力差
YANGZHOU UNIVERSITY
CHINA
6、晶体管的代换原则 (1) 类型相同：材料相同，极性相同。 (2) 特性相近： (3) 外形相似：
C第o3l0le页g/e共o5f0P页hysics Science & Technology
三、晶体管的共射特性 曲线
特性曲线 ：晶体 管的各 电极电 压与电 流之间 的关系 曲线。
第27页/共50页
频率特性：晶体管频率特性参数，常用的有以下2 个：(1)特征频率Ft：它是指在测试频率足够高时， 使晶体管共发射极电流放大系数时的频率。(2)截止 频率fb：在置换晶体管时，主要考虑Ft与fb。通常 要求用于置换的晶体管，其Ft与fb，应不小于原晶 体管对应的Ft与Fb。
第28页/共50页
⒋ 极限参数
在IC的一个很大的变化之内β值基本 不变， 但当IC超过某 一个值ICM时β明 显下降 。该电 流称为 最大集 电极电 流。
第45页/共50页
集电结上 允许损 耗的功 率最大 值PCM。超过 该值， 管子发 热，性 能下降 ，甚至 烧毁。 温度越 高， PCM值越小，所 以晶体 管的使 用受到 环境温 度的限 制。硅 管的上 限温度 达150 ℃、锗 管的达 70℃。 为了降 低温度 ，常采 用加散 热装置 的方法 。