近红外面阵铟镓砷（InGaAs）CCD

近红外面阵铟镓砷(InGaAs)CCD探测器（相机）
特点：
900nm-1700nm具有较高的灵敏度
16bit AD转化
超强制冷（ΔT>45度）
高动态范围
强大软件支持，易操作
25fps,10MHz读出频率
320*256pixels，640*512pixels两种分辨率选择
应用：
太阳能电池检测
天文观测（红外活动类星体观测）
半导体检测
工业热成像
激光光束分析
近红外面阵铟镓砷(INGAAS)CCD应用:
(1)硅片检测
(2)太阳能电池缺陷检测
光致发光是检测太阳能电池的主要手段。

太阳能电池光致发光图像直观地展现出了太阳电池的扩散长度的分布特征，通过该图像的分析可以有效地发现太阳能电池生产环节可能存在的问题,如裂纹，晶界等。

由于光致发光的波长在1100nm,并且强度非常低, 同时由于用于激发荧光的激光波长为808nm，这就要求CCD相机在1100nm具有高灵敏度，并且最好对808nm激光无响应。

可见光CCD甚至EMCCD在近红外波段量子效率极低，因此需要很长的曝光时间（≥1s），影响检测效率。

本公司代理的近红外面阵铟镓砷(InGaAs)CCD在1100nm处量子效率由于70%，同时在808nm处量子效率几乎为零，是理想的太阳能电池检测仪器。

下图为采用本公司(InGaAs)CCD拍摄的太阳能电池图片，曝光时间为10ms，检测效率提高了100倍！！
太阳能电池基片检测，曝光时间为200ms@320*256pixels
太阳能电池检测，曝光时间为10ms@320*256pixels。