第3章多级放大电路习题解答汇总(可编辑修改word版)
第3章--场效应管放大电路习题答案
第3章场效应管放大电路3-1判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（⨯）（2）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（⨯）3-2选择正确答案填入空内。
（1）U GS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有B 。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管（2）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。
A.增大B.不变C.减小3-3改正图P3-3所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共源接法。
图P3-3解：（a）源极加电阻R S。
（b）漏极加电阻R D。
（c）输入端加耦合电容。
（d）在R g支路加－V G G，＋V D D改为－V D D改正电路如解图P3-3所示。
解图P3-33-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。
A 、R i和R o。
（1）利用图解法求解Q点；（2）利用等效电路法求解u图P3-4解：（1）在转移特性中作直线u G S ＝－i D R S ，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出I D Q ＝1mA ，U G S Q ＝－2V 。
如解图P3-4（a ）所示。
解图P 3-4在输出特性中作直流负载线u D S ＝V D D －i D （R D ＋R S ），与U G S Q ＝－2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点，U D S Q ≈3V 。
如解图P3-4（b ）所示。
（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
mA/V 12DQ DSS GS(off)GSDm DS=-=∂∂=I I U u i g UΩ==Ω==-=-=k 5M 1 5D o i Dm R R R R R g A g u3-5 已知图P3-5（a ）所示电路中场效应管的转移特性如图（b ）所示。
《电工电子学》第3章习题答案
第3章习题答案3.2.1 选择题1．晶体管能够放大的外部条件是___C______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏2．当晶体管工作于饱和状态时，其__A_______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的为___C______。
(a) 40 (b) 50 (c) 604．反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能___A______。
(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化5．温度升高，晶体管的电流放大系数b___A______。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变6．温度升高，晶体管的管压降|UBE|__B_______。
(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变7．对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，__C______极的电位最低。
(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极8．温度升高，晶体管输入特性曲线____B____。
(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变9．温度升高，晶体管输出特性曲线___A_____。
(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变10．温度升高，晶体管输出特性曲线间隔___C_____。
(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大11．晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC___B_____。
(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断12.当晶体管的集电极电流时，下列说法正确的是__C_____。
(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的 (c) 晶体管的一定减小13．对于电压放大器来说，___B____越小，电路的带负载能力越强。
(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数14．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位___B____。
第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案
第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题（1）按照结构，场效应管可分为 。
它属于 型器件，其最大的优点是 。
（2）在使用场效应管时，由于结型场效应管结构是对称的，所以 极和 极可互换。
MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起，则 极和 极也可互换。
（3）当场效应管工作于恒流区时，其漏极电流D i 只受电压 的控制，而与电压 几乎无关。
耗尽型D i 的表达式为 ，增强型D i 的表达式为 。
（4）一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ，则该管的DSS I = ，p U = 。
（5）某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示，由图可知该管的DSS I = ，p U = 。
（6）N 沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求GS 0u ≥≥ ，DS u > ；而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时，要求GS u > ，DS u > 。
（7）耗尽型场效应管可采用 偏压电路，增强型场效应管只能采用 偏置电路。
（8）在共源放大电路中，若源极电阻s R 增大，则该电路的漏极电流D I ，跨导m g ，电压放大倍数 。
（9）源极跟随器的输出电阻与 和 有关。
答案：（1）结型和绝缘栅型，电压控制，输入电阻高。
（2）漏，源，源，漏，源。
（3）GS u ，DS u ，2GS D DSS P 1u i I U =− ，2GS D DO T 1u i I U=−。
（4）16mA ，4V 。
（5）习题3.1.5图4mA ，−3V 。
（6）p U ，GS p u U −，T U ，GS T u U −。
（7）自给，分压式。
（8）减小，减小，减小。
（9）m g ，s R 。
3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。
解：3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6（a ）所示。
若图中的场效应管为N 沟道结型结构，且p 4V U =−，DSS 1mA I =。
模拟电路 多级放大电路题解
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B（5）C，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是。
山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
多级放大电路答案
科目:模拟电子技术题型:填空题章节:第三章多级放大电路难度:全部-----------------------------------------------------------------------1. 某放大器由三级组成，已知各级电压增益分别为16dB，20dB，24dB，放大器的总增益为60dB 。
2. 某放大器由三级组成，已知各级电压增益分别为16dB，20dB，24dB，放大器的总电压放大倍数为 103。
3. 在差动式直流放大电路中，发射极电阻Re的作用是通过电流负反馈来抑制管子的零漂，对共模信号呈现很强的负反馈作用。
4. 在双端输入、输出的理想差动放大电路中，若两输入电压U i1=U i2，则输出电压U o= 0 。
5. 在双端输入、输出的理想差动放大电路中，若U i1=+1500μV，U i2=+500μV，则可知差动放大电路的差模输入电压U id= 1000uV 。
6. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
7. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
8. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
9. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，其中直接耦合方式易于集成，但存在零点漂移现象。
10. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，其中直接耦合方式易于集成，但存在零点漂移现象。
11. 若三级放大电路的A u1=A u2=30dB，A u3=20 dB，则其总电压增益为 80 dB。
12. 若三级放大电路的A u1=A u2=30dB，A u3=20 dB，则其总电压放大倍数折合为 104倍。
13. 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级负载电阻的，而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源内阻。
14. 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载电阻，而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源。
模拟电子技术课程习题 第三章 多级放大电路
第三章多级放大电路3.1 放大电路产生零点漂移的主要原因是[ ]A.放大倍数太大B.采用了直接耦合方式C.晶体管的噪声太大D.环境温度变化引起参数变化3.2 差动放大电路的设置是为了[ ]A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂D.扩展频带3.3 差动放大电路用恒流源代替Re是为了[ ]A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输出电阻3.4 在长尾式差动放大电路中, Re的主要作用是[ ]A.提高差模电压放大倍数B.抑制零点漂移C.增大差动放大电路的输入电阻D.减小差动放大电路的输出电阻3.4 差动放大电路的主要特点是[ ]A.有效地放大差模信号，强有力地抑制共模信号B.既可放大差模信号，也可放大共模信号C.只能放大共模信号，不能放大差模信号D.既抑制共模信号，又抑制差模信号3.5 若三级放大电路的AV1=AV2=20dB,AV3=30 dB，则其总电压增益为[ ]A. 50dBB. 60dBC. 70dBD. 12000dB3.6 设计一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选两个功率管的功率至少为[ ]A. 1WB. 2WC. 4WD. 5W3.7 与甲类功率放大方式比较，乙类推挽方式的主要优点是[ ]A.不用输出变压器B.不用输出端大电容C.无交越失真D.效率高3.8 乙类放大电路是指放大管的道通角等于[ ]A.360oB.180oC.90oD.小于 90o3.9 集成功率放大器的特点是[ ]A.温度稳定性好，电源利用率高，功耗较低，非线性失真较小。
B.温度稳定性好，电源利用率高，功耗较低，但非线性失真较大。
C.温度稳定性好，功耗较低，非线性失真较小，但电源利用率低。
D.温度稳定性好，非线性失真较小，电源利用率高，功耗也高。
3.10 填空。
1、在三级放大电路中，已知|Au1|=50，|Au2|=80，|Au3|=25，则其总电压放大倍数|Au|= ，折合为 dB。
模拟电子技术基础第四版习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BE B bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模电第四习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
第三章多级放大电路答案
科目：模拟电子技术题型:填空题章节:第三章多级放大电路难度:全部1.某放大器由三级组成，已知各级电压增益分别为16dB, 20dB, 24dB,放人器的总增益为60dB _____ o2.某放大器由三级组成，已知各级电压增益分别为16dB. 20dB, 24dB.放人器的总电压放大倍数为1（/ o3.在差动式直流放人电路中，发射极电阻Re的作用是通过电流负反馈来抑制管了的零漂，对卫模信号呈现很强的负反馈作用。
4.在双端输入、输出的理想差动放人电路中，若两输入电压U1S=U S；,则输出电压0=+500U V,则可知差动放大5.在双端输入.输出的理想差动放大电路中,若U U=+1500P V,UW电路的差模输入电压U沪lOOOuV ________ o6.多级放人电路常用的耦合方式有三种，它们是宜接耦合、阻容耦合和变压器耦合_______ O7.多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
8.多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是 ___________ 、直接耦合和变压器耦合。
9.多级放大电路常用的耦合方式有三种，其中直接耦合方式易于集成，但存在零点漂移现象。
10.多级放大电路常用的耦合方式有三种，其中直接耦合方式易于集成，但存在零点漂移现象。
11.若三级放人电路的A ul=Au.=30dB, Au尸20 dB.则其总电压增益为80 dBo12.若三级放人电路的A ui=A^=30dB, A^O dB.则其总电压放人倍数折合为10。
倍。
13.在多级放人电路中，后级的输入电阻是前级负载电阻的,而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源内阻。
14.在多级放人电路中，后级的输入电阻是前级的负载电阻，而前级的输出电阻则也可视为后级的__________ o15.在实际应用的差动式直流放大电路中，为了提高共模抑制比，通常用恒流源代替发射极电阻Re,这种电路采用双电源供电方式。
16.在实际应用的差动式直流放人电路中，为了提高共模抑制比，通常用恒流源代替发射极电阻Re,这种电路采用双电源供电方式。
模拟电子技术基础详细习题答案童诗白华成英版高教版3章多级放大电路题解
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是。
多级放大电路习题解答
自测题3一、选择：选择：（请选出最合适的一项答案）1、在三种常见的耦合方式中，静态工作点独立，体积较小是（ ）的优点。
A ）阻容耦合 B) 变压器耦合 C ）直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（ ）。
A) 大 B) 小 C) 和放大倍数无关3、在集成电路中，采用差动放大电路的主要目的是为了（ ）A) 提高输入电阻 B) 减小输出电阻 C) 消除温度漂移 D) 提高放大倍数4、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（ ）A) 等于60 B) 等于900 C) 小于900 D) 大于9005、将单端输入——双端输出的差动放大电路改接成双端输入——双端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）；改接成单端输入——单端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）。
A) 不变 B ）增大一倍 C) 减小一半 D) 不确定解：1、A 2、A 3、C 4、C 5、A C二、填空：6、若差动放大电路两输入端电压分别为110i u mV =，24i u mV =，则等值差模输入信号为id u = mV ，等值共模输入信号为ic u = mV 。
若双端输出电压放大倍数10ud A =，则输出电压o u = mV 。
7、三级放大电路中，已知1230u u A A dB ==，320u A dB =，则总的电压增益为 dB ，折合为 倍。
8、在集成电路中，由于制造大容量的 较困难，所以大多采用 的耦合方式。
9、长尾式差动放大电路的发射极电阻e R 越大，对 越有利。
10、多级放大器的总放大倍数为 ，总相移为 ， 输入电阻为 ，输出电阻为 。
解：6、3mV 7mV 30mV7、80 4108、电容 直接耦合9、提高共模抑制比10、各单级放大倍数的乘积 各单级相移之和 从输入级看进出的等效电阻 从末级看进出的等效电阻三、计算： 11、如图T3－11，设12C E V =，晶体管50β=，300bb r Ω'=，11100b R k Ω=，2139b R k Ω=，16c R k Ω=，1 3.9e R k Ω=，1239b R k Ω=，2224b R k Ω=，23c R k Ω=，2 2.2e R k Ω=，3L R k Ω=，请计算u A &、ir 和o r 。
模拟电子技术第3章多级放大电路
一、选择题(05 分)1.试从下列答案中选择正确的填空。
答案：A．共射放大电路，B．共基放大电路，C．共集放大电路(1)如果输入信号源为高内阻电压源，则多级放大电路中的输入级应采用( )；(2)如果负载变化时要求有较稳定的输出电压，则多级放大电路中的输出级宜采用( )；(3)如果负载变化时要求有较稳定的输出电流，则多级放大电路中的输出级宜采用( )或 ( )；(4)用作量测的多级放大电路，其输入级应采用( )。
(04 分)2.选择填空。
(1)直接耦合与阻容耦合多级放大电路之间主要不同点是( )。
A．所放大的信号不同，B．交流通路不同，C．直流通路不同(2)因为阻容耦合放大电路( )（A1．各级静态工作点Q相互独立，B1．Q点相互影响，C1．各级A u相互影响，D1．各级A u相互不影响），所以这类电路( ) （A2．温漂小，B2．能放大直流信号，C2．放大倍数稳定），但是( )（A3．温漂大，B3．不能放大直流信号，C3．放大倍数不稳定）。
(03 分)3.拟用晶体管构成一个三极放大电路，要求从信号源索取的信号电流要小，带负载能力要强，电压放大倍数要大，试选择正确答案填空。
答案：A．共射放大电路，B．共基放大电路，C．共集放大电路(1)输入级选用( )；(2)中间级选用( )；(3)输出级选用( )。
(05 分)4.选择填空。
(1)差分放大电路是为了＿＿而设置的（A．提高放大倍数，B．提高输入电阻，C．抑制温漂），它主要通过＿＿来实现。
（D．增加一级放大电路，E．采用两个输入端，F ．利用参数对称的对管）。
(2)在长尾式的差分放大电路中，R e的主要作用是＿＿。
A．提高差模电压放大倍数，B．抑制零漂，C．增大差模输入电阻(3)在长尾式的差分放大电路中，R e对＿＿有负反馈作用。
A．差模信号，B．共模信号，C．任意信号(4)差分放大电路利用恒流源代替R e是为了＿＿。
A．提高差模电压放大倍数，B．提高共模电压放大倍数，C．提高共模抑制比(5)具有理想电流源的差分放大电路，采用不同的连接方式，其共模抑制比＿＿。
多级放大电路
第三章多级放大电路3.1 放大电路产生零点漂移的主要原因是[ ]A.放大倍数太大B.采用了直接耦合方式C.晶体管的噪声太大D.环境温度变化引起参数变化3.2 差动放大电路的设置是为了[ ]A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂D.扩展频带3.3 差动放大电路用恒流源代替Re是为了[ ]A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输出电阻3.4 在长尾式差动放大电路中, Re的主要作用是[ ]A.提高差模电压放大倍数B.抑制零点漂移C.增大差动放大电路的输入电阻D.减小差动放大电路的输出电阻3.4 差动放大电路的主要特点是[ ]A.有效地放大差模信号，强有力地抑制共模信号B.既可放大差模信号，也可放大共模信号C.只能放大共模信号，不能放大差模信号D.既抑制共模信号，又抑制差模信号3.5 若三级放大电路的AV1=AV2=20dB,AV3=30 dB，则其总电压增益为[ ]A. 50dBB. 60dBC. 70dBD. 12000dB3.6 设计一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选两个功率管的功率至少为[ ]A. 1WB. 2WC. 4WD. 5W3.7 与甲类功率放大方式比较，乙类推挽方式的主要优点是[ ]A.不用输出变压器B.不用输出端大电容C.无交越失真D.效率高3.8 乙类放大电路是指放大管的道通角等于[ ]A.360oB.180oC.90oD.小于 90o3.9 集成功率放大器的特点是[ ]A.温度稳定性好，电源利用率高，功耗较低，非线性失真较小。
B.温度稳定性好，电源利用率高，功耗较低，但非线性失真较大。
C.温度稳定性好，功耗较低，非线性失真较小，但电源利用率低。
D.温度稳定性好，非线性失真较小，电源利用率高，功耗也高。
3.10 填空。
1、在三级放大电路中，已知|Au1|=50，|Au2|=80，|Au3|=25，则其总电压放大倍数|Au|= ，折合为 dB。
第3章多级放大电路习题解答
第3章-多级放大电路-习题解答第3章自测题、习题解答自测题3一、选择：选择：（请选出最合适的一项答案）1、在三种常见的耦合方式中，静态工作点独立，体积较小是（）的优点。
A）阻容耦合B) 变压器耦合C）直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（）。
A) 大B) 小C) 和放大倍数无关3、在集成电路中，采用差动放大电路的主要目的是为了（）A) 提高输入电阻B) 减小输出电阻C) 消除温度漂移D) 提高放大倍数4、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（）A) 等于60 B) 等于900 C) 小于900 D) 大于9005、将单端输入——双端输出的差动放大电路改接成双端输入——双端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）；改接成单端输入——单端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）。
A) 不变 B ）增大一倍 C) 减小一半 D) 不确定解：1、A 2、A 3、C 4、C 5、A C二、填空：6、若差动放大电路两输入端电压分别为110i umV=，24i u mV=，则等值差模输入信号为id u =mV ，等值共模输入信号为icu = mV 。
若双端输出电压放大倍数10udA=，则输出电压o u =mV 。
7、三级放大电路中，已知1230u u AA dB==，320u AdB=，则总的电压增益为 dB ，折合为 倍。
8、在集成电路中，由于制造大容量的 较困难，所以大多采用 的耦合方式。
9、长尾式差动放大电路的发射极电阻eR 越大，对 越有利。
10、多级放大器的总放大倍数为 ，总相移为 ，输入电阻为 ，输出电阻为 。
解：6、3mV 7mV 30mV7、80 4108、电容 直接耦合 9、提高共模抑制比10、各单级放大倍数的乘积 各单级相移之和 从输入级看进出的等效电阻 从末级看进出的等效电阻三、计算： 11、如图T 3－11，设12CEV=，晶体管50β=，300bb rΩ'=，11100b R k Ω=，2139b R k Ω=，16c R k Ω=，13.9e Rk Ω=，1239b R k Ω=，2224b R k Ω=，23c R k Ω=，22.2e Rk Ω=，3LRk Ω=，请计算uA 、ir 和or 。
第三章 习题答案汇总
习题一、填空题1．晶体管工作在放大区时，具有发射结正偏、集电结反偏的特点。
2.晶体管工作在饱和区时，具有发射结正偏、集电结正偏的特点。
3.饱和失真和截止失真属于非线性失真，频率失真属于线性失真。
4.共集电极放大器又叫射极输出器，它的特点是：输入电阻高（高、低）；输出电阻低（高、低）；电压放大倍数约为 1 。
5.多级放大器由输入级、____中间级_____ 和输出级组成；其耦合方式有__阻容耦合____和直接耦合、变压器耦合三种；集成运算放大器运用的是直接耦合耦合方式。
6．三种最基本组态的放大器分别是共基极放大电路、___共发射极_______和___共集电极。
其中输入电阻最大的是共集电极电路，而输出电阻最小的是共集电极电路。
7.多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的乘积。
输入电阻约等于第一级的输入电阻电阻，而输出电阻约等于输出级的输出电阻电阻。
8.多级放大器总的上限频率比其中任何一级的上限频率都要__低___(高/低),而下限频率比任何一级的下限频率都要___高____(高/低)。
9．若使放大器不产生频率失真，则要求其__高频__频率响应和__低频___频率响应均不产生失真。
10.晶体管的内部结电容和负载电容主要影响放大器的___高频__特性,而耦合电容和旁路电容主要影响放大器的__低频____特性。
二、选择题1.为了放大变化缓慢的微弱信号，放大电路应该采用（A ）耦合方式；为了实现阻抗变换，放大电路应采用（C ）耦合方式。
A. 直接B. 阻容C. 变压器D.光电2.阻容耦合和直接耦合多级器之间的主要不同是（A ）。
A.所放大的信号不同B.交流通路不同C.直接通路不同3..直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比，低频特性（A ）。
A.好B.差C.差不多4.具有相同参数和相同放大倍数的两级放大器，在组成它的各个单极放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降（A ）。
A.3dBB.6dBC.9dBD.20dB5.多级放大电路与单极放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都（D ）。
电子技术学习指导与习题解答：第3章 多级放大电路
第3章 多级放大电路3.1 如图 3.7所示为两级阻容耦合放大电路，已知12CC =U V ，20B1B1='=R R k Ω，10B2B2='=R R k Ω，2C2C1==R R k Ω，2E2E1==R R k Ω，2L =R k Ω，5021==ββ，6.0BE2BE1==U U V 。
（1）求前、后级放大电路的静态值。
（2）画出微变等效电路。
（3）求各级电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
u s+u o -CC图3.7 习题3.1的图分析 两级放大电路都是共发射极的分压式偏置放大电路，各级电路的静态值可分别计算，动态分析时需注意第一级的负载电阻就是第二级的输入电阻，即i2L1r R =。
解 （1）各级电路静态值的计算采用估算法。
第一级：412102010CC B2B1B2B1=⨯+=+=U R R R U （V ）7.126.04E1BE1B1E1C1=-=-=≈R U U I I （mA ）0.034507.11C1B1===βI I （mA ）2.5)22(7.112)(E1C1C1CC CE1=+⨯-=+-=R R I U U （V ） 第二级：412102010CC B2B1B2B2=⨯+='+''=U R R R U （V ）7.126.04E2BE2B2E2C2=-=-=≈R U U I I （mA ）电子技术学习指导与习题解答46 0.034507.12C2B2===βI I （mA ） 2.5)22(7.112)(E2C2C2CC CE2=+⨯-=+-=R R I U U （V ）（2）微变等效电路如图3.8所示。
R U +-图3.8 习题3.1解答用图（3）求各级电路的电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
三极管V 1的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E11be1=⨯++=++=I r β(Ω) 三极管V 2的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E22be2=⨯++=++=I r β(Ω) 第二级输入电阻为：93.008.1//10//20////be2B2B1i2==''=r R R r （k Ω） 第一级等效负载电阻为：63.093.0//2//i2C1L1==='r R R （k Ω） 第二级等效负载电阻为：12//2//L C2L2==='R R R （k Ω） 第一级电压放大倍数为：3008.163.050be1L11u1-=⨯-='-=r R A β 第二级电压放大倍数为：5008.1150be2L22u2-=⨯-='-=r R A β 两级总电压放大倍数为：1500)50()30(u2u1u =-⨯-==A A A3.2 在 如图 3.9所示的两级阻容耦合放大电路中，已知12CC =U V ，30B1=R k Ω，20B2=R k Ω，4E1C1==R R k Ω，130B3=R k Ω，3E2=R k Ω，5.1L =R k Ω，5021==ββ，8.0BE2BE1==U U V 。
第三章习题解答
第三章习题解答第三章习题与思考题◆◆习题3-1 在图单管共射放大电路中，假设分别改变下列各项参数，试分析放大电路的中频电压放大倍数｜Aum｜、下限频率fL 和上限频率fH将如何变化。
①增大隔直电容C1；②增大基极电阻Rb；③增大集电极电阻Rc；④增大共射电流放大系数β；⑤增大三极管极间电容Cb’e、Cb’c。
解：.Ausm??fH?Ri?R?cRs?RirbeRi?Rb//rbe,fL?12?(Rs?Ri)C112?R'C'R'?rb'e//[rbb'?(Rs//Rb)]C'?Cb'e?(1?K)Cb 9;c?Cb'e?(1?gmRc)Cb'cIEQ?ICQ??VCC?UBEQRbrbe?rbb'?26mV?gm? IEQrb'e①?? 增大隔直电容C1：｜Aum｜基本不变，fL降低，fH基本不变。
②增大基极电阻Rb｜Aum｜将减小，fL将降低，fH将降低。
③增大集电极电阻Rc在波形基本不失真的前提下，｜Aum｜将增大，fL基本不变，fH 将降低。
④增大共射电流放大系数β若rb'e不变，则在波形基本不失真的前提下，｜Aum｜将增大，fL基本不变，fH将降低。
⑤增大三极管极间电容Cb’e、Cb’c。
｜Aum｜和fL基本不变，fH将降低。
.....本题的意图是掌握频率特性的基本概念，理解放大电路的参数与｜Aum｜、fL和fH之间的定性关系。
◆◆习题3-2 若某一放大电路的电压放大倍数为100倍，则其对数电压增益是多少分贝？另一放大电路的对数电压增益为80dB，则其电压放大倍数是多少？.?|?100，则20lg|A?|?40；如20lg|A?|?80，则|A?|?10000。
解：如|Auuuu本题的意图是了解电压放大倍数与对数电压增益之间的关系。
(完整版)第三章习题解答
第三章双极型三极管基本放大电路a.R B 开路b. R C 开路c. R B 短路d. R B 过小5.对于题3-1图所示放大电路中，当 V CC =12V , R c =2k Q,集电极电流I C 计算值为1mA 。
用直流电压表测时 U CE =8V ，这说明 _______ 。
a.电路工作正常b.三极管工作不正常c.电容C i 短路d.电容C o 短路6.对于题3-1图所示放大电路中，若其他电路参数不变，仅当R B 增大时，U CEQ 将 ________ ;若仅当R c 减小时，U CEQ 将 _________ ;若仅当R L 增大时，U CEQ 将 __________ ;若仅更换一个 卩较 小的三极管时， U CEQ 将_______ ;a 增大b.减小c.不变d.不确定7.对于题3-1图所示放大电路中， 输入电压u i 为余弦信号，若输入耦合电容 C i 短路，则该电 路 ______ 。
a.正常放大b.出现饱和失真c.出现截止失真d.不确定8. 对于NPN 组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压 _____________ 失真；若产 生截止失真，则输出电压 _______ 失真。
a 顶部b.低部9. 当输入电压为余弦信号时，如果 PNP 管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流i b 的波形将 ___________ ，集电极电流i c 的波形将 _____________ ，输出电压u o 的波形将 __________ 。
3-1选择填空1•晶体管工作在放大区时，具有如下特点a.发射结正偏，集电结反偏。
c.发射结正偏，集电结正偏。
2.晶体管工作在饱和区时，具有如下特点a.发射结正偏，集电结反偏。
c.发射结正偏，集电结正偏。
Ob.发射结反偏, d.发射结反偏,Ob.发射结反偏, d.发射结反偏， 集电结正偏。
集电结反3•在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于 a.共射b.共集c.共基4•对于题3-1图所示放大电路中，当用直流电压表测得集电结正偏。
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第3 章自测题、习题解答自测题3一、选择：选择：（请选出最合适的一项答案）1、在三种常见的耦合方式中，静态工作点独立，体积较小是（）的优点。
A）阻容耦合B) 变压器耦合C）直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（）。
A) 大B) 小C) 和放大倍数无关3、在集成电路中，采用差动放大电路的主要目的是为了（）A) 提高输入电阻B) 减小输出电阻C) 消除温度漂移D) 提高放大倍数4、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（）A) 等于60 B) 等于900 C) 小于900 D) 大于9005、将单端输入——双端输出的差动放大电路改接成双端输入——双端输出时，其差模电压放大倍数将（）；改接成单端输入——单端输出时，其差模电压放大倍数将（）。
A) 不变B）增大一倍C) 减小一半D) 不确定解：1、A 2、A 3、C 4、C 5、A C二、填空：6、若差动放大电路两输入端电压分别为u i1 = 10mV ，u i 2 = 4mV ，则等值差模输入信号为u id =mV，等值共模输入信号为uic=mV。
若双端输出电压放大倍数A ud =10 ，则输出电压u o =mV。
7、三级放大电路中，已知A u1 =A u 2 = 30dB ，A u 3 = 20dB ，则总的电压增益为dB，折合为倍。
8、在集成电路中，由于制造大容量的较困难，所以大多采用的耦合方式。
9、长尾式差动放大电路的发射极电阻R e 越大，对越有利。
10、多级放大器的总放大倍数为，总相移R b 11100k Ω R c 16k ΩR b 12 39k Ω R c 23k Ω+E C12VV 1R b 2139k ΩV 2R R L 3k Ωe 22u ou i R e 1 3.9k Ω24k Ω R e 22.2k Ω为 ，输入电阻为 ，输出电阻为。
解：6、3mV 7mV 30mV7、80 1048、电容 直接耦合 9、提高共模抑制比10、各单级放大倍数的乘积 各单级相移之和 从输入级看进出的等效电阻 从末级看进出的等效电阻三、计算：11、 如 图 T 3－ 11， 设 E C = 12V ， 晶 体 管= 50 ， r bb ' = 300Ω，R b 11 = 100k Ω，R b 21 = 39k Ω， R c 1 = 6k Ω， R e 1 = 3.9k Ω， R b 12 = 39k Ω， R b 22 = 24k Ω， R c 2 = 3k Ω， R e 2 = 2.2k Ω， R L = 3k Ω，请计算 A u 、 r i 和 r o 。
（15 分）（提示：先求静态工作点 I EQ ，再求 r be ）解：V 1 管的直流通路如图 11-1 所示：图 T3－11I EQ 1 = R b 21E CR b 11 + R b 21R e 1- 0.7 39 ⨯12 - 0.7= 100 + 39 = 0.684mA 3.9R b 11r = r + (1+)26mV≈ 2.24k Ωbe1bb'I EQ1R b 2111-1+E CR c 1V 1 R e 1同理可得：R b 22 E C- 0.724 ⨯12 - 0.7I EQ 2 = R b 12 + R b 22R e 2 = 24 + 39 = 1.76mA 2.2r = r + (1+ )26mV≈ 1.05k Ω be2 bb'I EQ2R b 11 iR b 21Ir be 1I b 1R c 1 R b 12R b 22b 2r be 2I b 2R c 2 R LU o交流等效电路如图 11-2 所示：11- 2A = U o = -I b 2 (R c 2 // R L )uU I rib 1 be 1又有： I = -I b 1 (R c 1 // R b 12 // R b 22 )(R c 1 // R b 12 // R b 22 ) + r be 2故： A = -(R c 1 // R b 12 // R b 22 ) ⨯ -(R c 2 // R L ) ≈ 1344 u(R // R // R ) + rr c 1b 12b 22be 2be 1r i = R b 11 // R b 21 // r be 1 ≈ 2.07k Ωr o = R c 2 = 3k Ω12、如图 T 3－12 所示， R e 1 = R e 2 = 100Ω，BJT 的= 100 ，U BE = 0.6V 。
求：（1） 当u o1 = u o2 = 0V 时，Q 点（ I B 1 、 I C 1 、）；（2） 当u i1 = 0.01V 、u i2 = -0.01V 时，求输出电压u o = u o1 = u o2 的值；（3） 当c 1 、c 2 间接入负载电阻 R L = 5.6k Ω时，求 u o 的值；（4） 求电路的差模输入电阻 r id 、共模输入电阻 r ic 和输出电阻 r o 。
（图中 r o 为电流源的等效电阻）U b 2图 T3－12解：1（1） I C 1 = I C 2 =2I 0 = 1mAI B 1 = I B 2= I C 1= 10 AU CE 1 = U CC - R c 1I C 1 -U E = 10 - 5.6 ⨯1- (-0.6) = 5V（2）r = r+ (1+)26mV≈ 2.7k Ωbebb'I EQ半边差动电路的交流等效电路如图 12 所示：I b 1 A u 1= U o 1 = U I -I b 1R c 1 [r + (1+ )R ] i 1 b 1 be e 1-R 故U = Uc 1 ≈ -0.44V o 1i 1r + (1+ )Rbee 1同理得：Uo 2 ≈ 0.44V 12故：Uo = U o 1 -U o 2 = -0.88V U o 1 -(R c 1 // R L) 2 （3）此时 A u 1 = U = r + (1+ )R ≈ -14.6 i 1 be e 1 Uo 1 = U i 1 ⨯(-14.6) ≈ -0.146V r be 1Ib 1 U i 1R c 1Uo 1R e 1R C 2 220Ω12VR C 1R C 1 T 1 T 2u iR E 2 10ku o47kr be 3I b 3R E 3R C 3故：Uo = U o 1 -U o 2 = -0.292V （4） r id = 2[r be + (1+ )R e 1 ] = 25.6k Ωr ic = r be + (R e 1 + r 0 )(1+ ) ≈ 10.1M Ω r o = 2R c 1 = 11.2k Ω13 如图 T3－13，直流零输入时，直流零输出。
已知1 = 2 = 3 = 80 , U BE = 0.7V ,计算R C1的值和电压放大倍数 Au 。
-12V图 T3－13解：I C 3I E 3I =0 - (-12)= 1.2mA R C 3 =I C 3 (1+)= 1.215mA= 0 - 0.7 - (-12) ≈ 0.12mA E 2 2 ⨯ 47 I = I E 2= 0.12 ⨯ 80 = 0.119mA C 21+ 81R C 1 =I E 3 R E 3 + U BE I C 2 = 1.215⨯ 0.22 + 0.7= 8.13k Ω0.119画出第二级的交流等效电路如图 13 所示：26mVI b 3r be2 = r bb' + (1+ )I E2≈ 17.7k ΩU iU o13r = r + (1+ )26mV≈ 1.83k Ω be3 bb'I E3第二级的输入电阻为：R i 2 = r be 3 + (1+ )R E 3 = 1.83 + 81⨯ 0.22 = 19.7k Ω第二级的放大倍数为：A u 2= -I I b 3 R C 3 r - (1+ )R = -40.7 b 3 be 3E 3第一级的放大倍数为：A u 1= -(R C 1 // R i 2 ) = 13 -2 ⨯ r be 2故： Au = A u 1 A u 2 = 13⨯(-40.7) = -529习题 33.1 多级直接耦合放大电路中，（ ）的零点漂移占主要地位。
A) 第一级B) 中间级 C) 输出级3.2 一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为 0dB ，第二级的电压增益为 40dB ， 第三级的电压增益为 20dB ，则总的电压增益为（ ）A) 0dB B) 60dB C) 80dB D) 800dB3.3 在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移（ ）。
A ）比直接耦合电路大B ）比直接耦合电路小C ）与直接耦合电路基本相同3.4 要求流过负载的变化电流比流过集电极或发射极的变化电流大，应选()耦合方式。
A ） 阻容B ）直接C ）变压器D ）阻容或变压器3.5 要求静态时负载两端不含直流成分，应选( )耦合方式。
A ）阻容B ）直接C ）变压器D ）阻容或变压器3.6 一个多级放大器一般由多级电路组成，分析时可化为求的问题，但要考虑之间的影响。
3.7 直接耦合放大电路存在的主要问题是。
3.8在阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种耦合方式中，既能放大直流信号，又能放大交流信号的是，只能放大交流信号的是，各级工作点之间相互无牵连的是，温漂影响最大的是，信号源与放大器之间有较好阻抗配合的是，易于集成的是，下限频率趋于零的是。
3.9某直接耦合放大器的增益为100，已知其温漂参数为1 mV / C ，则当温度从20 o C 升高到30 o C 时，输出电压将漂移。
3.10由通频带相同的两个单级放大器组成两级阻容耦合放大器，总的通频带就要变窄，这是为什么？3.11一个三级放大电路，测得第一级的电压放大倍数为1，第二级的电压放大倍数为100，第三级的电压放大倍数为10，则总的电压放大倍数为（）A) 110 B) 111 C) 1000 D) 不能确定3.12一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将（）A) 首先产生饱和失真B) 首先产生截止失真C) 双向同时失真3.13多级放大电路的输入电阻就是的输入电阻，但在计算时要考虑可能产生的影响。
3.14多级放大电路的输出电阻就是的输出电阻，但在计算时要考虑可能产生的影响。
3.15阻容耦合方式的优点是；缺点是。
3.16多级放大器通常可以分为、和。
3.17在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的，而前级的输出电阻也可看作后级的。