电力电子技术期末复习资料汇总
《电力电子技术》复习资料
电力电子技术第五版复习资料第1章绪论1 电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。
2 电力变换的种类（1）交流变直流AC-DC：整流（2）直流变交流DC-AC：逆变（3）直流变直流DC-DC：一般通过直流斩波电路实现（4）交流变交流AC-AC：一般称作交流电力控制3 电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技术和变流技术。
第2章电力电子器件1 电力电子器件与主电路的关系（1）主电路：指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。
（2）电力电子器件：指应用于主电路中，能够实现电能变换或控制的电子器件。
2 电力电子器件一般都工作于开关状态，以减小本身损耗。
3 电力电子系统基本组成与工作原理（1）一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。
（2）检测主电路中的信号并送入控制电路，根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。
（3）控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。
（4）同时，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证系统正常可靠运行。
4 电力电子器件的分类根据控制信号所控制的程度分类（1）半控型器件：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
如SCR晶闸管。
（2）全控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。
如GTO、GTR、MOSFET 和IGBT。
（3）不可控器件：不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。
如电力二极管。
根据驱动信号的性质分类（1）电流型器件：通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。
如SCR、GTO、GTR。
（2）电压型器件：通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。
如MOSFET、IGBT。
根据器件内部载流子参与导电的情况分类（1）单极型器件：内部由一种载流子参与导电的器件。
电力电子技术期末考试复习资料
《电力电子技术》课程综合复习资料一、判断题1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
答案：√2、逆变角太大会造成逆变失败。
答案：×3、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
答案：×4、触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。
答案：×5、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
答案：×6、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。
答案：×7、变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。
答案：√8、变频调速装置是属于无源逆变的范畴。
答案：√9、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
答案：×10、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
答案：√11、晶闸管可控整流电路是一种变流电路。
答案：√12、电源总是向外输出功率的。
答案：×13、在单相全控桥电路中，晶闸管的额定电压应取U2。
答案：×14、实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。
答案：√15、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。
答案：×16、使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。
答案：√17、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。
答案：×18、电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。
答案：√19、把交流电变成直流电的过程称为逆变。
答案：×20、电力电子系统中“环流”是一种有害的不经过负载的电流，必须想办法减少或将它去掉。
答案：√二、单选题1、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）。
A．0°～90°B．0°～180°C．90°～180°D．180°～360°答案：A2、α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
（免费版）电力电子技术复习资料
（免费版）电⼒电⼦技术复习资料(免费版)电⼒电⼦技术复习资料电⼒电⼦复习题⼀、填空1、请在正确的空格内标出下⾯元件的简称：电⼒晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有⾜够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要⾼和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的⽅法是串专⽤均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为⽅波。
5、型号为KS100-8的元件表⽰双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同⼀桥臂上的上、下⼆个元件之间进⾏；⽽120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进⾏的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升⾼时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
2、由晶闸管构成的逆变器换流⽅式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电⼒电⼦元件构成的逆变器可分为有源逆变器与⽆源逆变器两⼤类。
4、有⼀晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管； 200表⽰表⽰200A，9表⽰900V。
5、单结晶体管产⽣的触发脉冲是尖脉冲脉冲；主要⽤于驱动⼩功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产⽣的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发⼤功率的晶闸管。
1、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳极A ，阴极K 和门极G晶闸管的导通条件是阳极加正电压，阴极接负电压，门极接正向电压形成了⾜够门极电流时晶闸管导时，导通；关断条件是当晶闸管阳极电流⼩于维持电流IH通的晶闸管关断。
2、可关断晶闸管的图形符号是；电⼒场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电⼒晶体管的图形符号是；3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在0o—180o变化，在阻感性负载时移相范围在 —180o变化。
电力电子期末复习资料
电力电子技术期末复习资料考试题型：一、填空：1*20=20分二、选择：2*15=30分三、判断：1*10=10分四、简答题：5*3=15分四、计算题：10+15=25分1、电力晶体管GTR ；门极可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；2、电力电子器件一般工作在__开关__状态。
3、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
4、按照能够被控制电路信号所控制的程度，电力电子器件可以分为全控型、半控型、不可控型器件5、按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
6、电力电子器件的功率损耗的有通态损耗、断态损耗、开关损耗7、三相桥式全控整流电路晶闸管的导通顺序为VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT68、肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
9、晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
10.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有IL__大于__IH。
11、交流-交流变流电路就是把一种形式的交流电变成另一种形式的交流电的电路12、在整流电路的负载两端并联一个二极管，称为续流二极管13、三相桥式全控整流电路中共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲依次差120014.逆变就是把直流电变成交流电的过程。
15.电流从一个支路向另一个支路转移的过程，也称为换相。
16、当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通17.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
18、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。
电力电子技术复习资料
电力电子技术复习资料第一章 电力电子器件及驱动、保护电路1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换和传输的技术。
P12、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。
P13、电力电子技术的主要功能：1）、整流与可控整流电路也称为交流/直流（AC/DC ）变换电路；2）、直流斩波电路亦称为直流/直流(DC/DC)转换电路；3）、逆变电路亦称为直流/交流(DC/AC)变换电路；4）、交流变换电路（AC/AC 变换）。
P14、电力电子器件的发展方向主要体现在：1）、大容量化；2）、高频化；3）、易驱动；4）、降低导通压降；5)、模块化；6）、功率集成化。
P25、电力电子器件特征：1）、能承受高压；2）、能过大电流；3）、工作在开关状态。
P46、电力电子器件分类：1)、不可控器件，代表：电力二极管；2）、半控型器件，代表：晶闸管；3）、全控型器件，代表：电力晶体管（GTR ）。
P57、按照加在电力电子器件控制端和公共端之间的驱动电路信号的性质又可以将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。
P68、晶闸管电气符号。
P19、晶闸管关断条件：阴极电流小于维持电流；晶闸管导通条件：阳极加正压，门极加正压。
导通之后门极就失去控制。
P1110、晶闸管的主要参数（选管用）重复峰值电压——额定电压U Te ；晶闸管的通态平均电流I T(A V)——额定电流。
P1311、K f =电流平均值电流有效值===2)(πAV T T I I 1.57。
P14 12、根据器件内部载流载流子参与导电的种类不同，全控型器件又分为单极型、双极性和复合型三类。
P1713、门极可关断晶闸管（GTO ）具有耐压高、电流大等优点，同时又是全控型器件。
P1814、电力晶体管(GTR)具有自关断能力、控制方便、开关时间短、高频特性好、价格低廉等优点。
P1915、GTR 发生二次击穿损坏，必须具备三个条件：高电压、大电流和持续时间。
电力电子技术期末重要知识点考试重点
《电力电子技术》复习提要
一、主要知识点：
1、电力电子技术的概念。
电力电子器件的分类。
电力电子装置提供给负载的是各种不同的直流电源、恒频交流电源和变频交流电源，因此也可以说，电力电子技术研究的也就是电源技术。
电力电子技术的节能效果十分显著，因此它也被称为是节能技术。
2、晶闸管的结构与工作原理，晶闸管得导通条件，GTO与晶闸管区别。
这样做的目的？晶闸管的各电流参数的定义。
GTR的二次击穿。
3、电力电子器件的主要消耗。
4、各种整流电流的移相范围，触发脉冲间隔与晶闸管的最大反向电压。
5、空电路对电感性负载来讲，都存在一个失控的问题，必须加续流二极管才能得以解决。
半空电路或带续流二极管的可控整流电路均不能实现逆变。
原因？
6、三相半波与三相全控可控整流电路带阻感性负载时，电流是否连续的临界角。
7、整流电路波形的画法，特别是三相带在电感性负载电路各电流波形的画法与电压电流的定量计算。
8、同步信号为锯齿波的触发电路的结构。
9、晶闸管可控整流电路可否在其输出两端并联电容？
10、逆变电路的分类，有源逆变的条件，逆变失败的原因，最小
逆变的限制。
11、逆变电路的换流方式。
电压、电流型逆变电路的特点，工作原理，波形的画法
12、晶闸管串联时实现动态均匀压的方法，晶闸管并联时实现动态均压的方法。
13、PWM控制技术。
二、题型及分值：
填空题30分，选择题；20分，判断题20分，简答题20分，作图与计算题10分。
《电力电子技术》综合复习资料全
《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
3、整流是指将变为的变换。
4、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
5、逆变角β与控制角α之间的关系为。
6、MOSFET的全称是。
7、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是；另一方面是。
8、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为器。
9、变频电路从变频过程可分为变频和变频两大类。
10、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。
11、就无源逆变电路的PWM控制而言，产生SPWM控制信号的常用方法是。
12、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题，通常主要采取的隔离措施包括：和。
13、IGBT的全称是。
14、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为。
15、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为或。
16、脉宽调制变频电路的基本原理是：控制逆变器开关元件的和时间比，即调节来控制逆变电压的大小和频率。
17、型号为KP100-8的元件表示管、它的额定电压为伏、额定电流为安。
二、判断题1、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
3、在单相桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。
4、GTO属于双极性器件。
5、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量，必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
6、对于三相全控桥整流电路，控制角α的计量起点为自然换相点。
7、IGBT属于电压驱动型器件。
8、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
9、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。
10、GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。
《电力电子技术》复习资料
《电力电子技术》复习资料一 电力电子器件1. 要点：① 半控器件：晶闸管（SCR ）全控器件：绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）、电力晶体管（GTR ）、 门极关断晶闸管（GTO ）、电力场效应管（MOSEFT ） 不可控器件：电力二极管各器件的导通条件、关断方法、电气符号及特点。
②注意电流有效值与电流平均值的区别： 平均值：整流后得到的直流电压、电流。
有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
波形系数：K f =有效值/平均值 。
③电力电子技术器件的保护、串并联及缓冲电路： du /dt ：关断时，采用阻容电路（RC ）。
di/dt ：导通时，采用电感电路。
二 整流电路1. 单相半波电路：① 注意电阻负载、电感负载的区别： ② 有效值与平均值的计算：平均值：整流后得到的直流电压、电流。
21cos 0.452d U U α+=d d U I R=有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
U U =U I R = 波形系数：电流有效值与平均值之比。
f dIk I =② 注意计算功率、容量、功率因数时要用有效值。
③ 晶闸管的选型计算：Ⅰ求额度电压：2TM U =，再取1.5~2倍的裕量。
Ⅱ 求额度电流（通态平均电流I T （AV ）） 先求出负载电流的有效值（f d I k I =）； →求晶闸管的电流有效值（I T =I ）；→求晶闸管的电流平均值（()/T AV T f I I k =），再取1.5~2倍裕量。
2. 单相全桥电路负载：①注意电阻负载、电感负载和反电动势负载的区别： ② 电阻负载的计算：α移相范围：0~π负载平均值：整流后得到的直流电压、电流。
（半波的2倍）21cos 0.92d U U α+=d d U I R=负载有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
U U =U I R = 晶闸管:电流平均值I dT 、电流有效值I T :dT d12I I =T I =③ 电感负载的计算：Ⅰ加续流二极管时，与电阻负载相同。
电力电子技术期末复习资料汇总(总8页)
电力电子技术期末复习资料汇总(总8页)-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除电力电子技术复习题库第二章：1.使晶闸管导通的条件是什么①加正向阳极电压；②加上足够大的正向门极电压。
备注：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流。
2.由于通过其门极能控制其开通，但是不能控制其关断，晶闸管才被称为（半控型）器件。
3.在电力电子系统中，电力MOSFET通常工作在（ A ）状态。
A. 开关B. 放大C. 截止D. 饱和4.肖特基二极管（SBD）是（ A ）型器件。
A. 单极B. 双极C. 混合5.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度可以分为：①不可控器件；②半控型器件；③全控型器件6.下列电力电子器件中，（C）不属于双极型电力电子器件。
A. SCRB. 基于PN结的电力二极管C. 电力MOSFETD. GTR7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件（电力二极管除外）分为（电流驱动型）和（电压驱动型）两类。
8.同处理信息的电子器件类似，电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为（单极性器件）、（双极型器件）和（复合型器件）。
9.（通态）损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。
当器件的开关频率较高时，（开关）损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。
（填“通态”、“断态”或“开关”）10.电力电子器件在实际应用中，一般是由（控制电路）、（驱动电路）和以电力电子器件为核心的（主电路）组成一个系统。
11. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，肖特基二极管（SBD）属于（不可控）型器件。
12.型号为“KS100-8”的晶闸管是（双向晶闸管）晶闸管，其中“100”表示（额定有效电流为100A ），“8”表示（额定电压为800V）。
13.型号为“KK200-9”的晶闸管是（快速晶闸管）晶闸管，其中“200”表示（额定有效电流为200A），“9”表示（额定电压为900V ）。
《电力电子技术》复习资料
《电力电子技术》复习资料一、填空题1．晶闸管有三个电极：阳极、阴极和门极。
2．晶闸管导通的条件是：在阳极和阴极之间加足够的正向电压的同时，门极加适当的正向电压。
3．反电势负载的特点是只有整流电路输出电压大于负载反电势时才有电流产生。
4．晶闸管关断可以采取减少阳极电流使之不能维持正反馈，断开阳极电源或者在阳极和阴极之间加反向电压的方法。
5．三相全控桥式整流电路在任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个在共阴极组，一个在共阳极组。
6．不可控两端器件，它具有整流作用，而无可控功能。
7．同一套晶闸管电路，既可作整流，又能作逆变，常称这一装置为变流器。
8．当0＜α＜90°时。
变流器工作在整流状态，当α=90°时工作在中间状态，当90°＜α＜180°时，若同时存在一个适当的外接直流电源，变流器工作于逆变状态。
9．在逆变电路中，由于电路的电阻很小，应当尽量避免两个电源反极性相连。
10．规定逆变角β以控制角α=∏时作为计量的起始点，此时的β等于β=0。
11．逆变电路可以分为有源逆变和无源逆变两大类。
12．三相可控整流电路的基本形式是三相半波可控整流电路。
13．绝缘栅双极晶体管具有开关速度快、输入阻抗高、通态电压低、耐压高、电容量大等优点。
14．晶闸管逆变器是一种把固定的直流电压变成固定或可调的交流电压的装置。
15．功率场效应晶体管的最大功耗，随管壳温度的增高而下降。
16．肖特基二极管适用于电压不高，要求快速、高效的电路中。
17．功率场效应晶体管的特点是：栅极的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自动关断，同时不存在二次击穿，安全工作区范围宽。
18. 绝缘栅双极晶体管的本质是一个____场效应晶体管__________ 。
19、肖特基二极管的_____开关时间______短，故开关损耗远小于普通二极管。
21. 肖特基二极管正向压降小，开启电压__低_____ ，正向导通损耗小。
电力电子技术复习资料
三相桥式 PWM 型逆变电路中，输出相电压有两种电平：0.5Ud和-0.5 Ud。输出线电压有三种电平 Ud、0、- Ud。
电力电子技术复习资料
一、填空题：
1.电力变换常分为四大类（AC/DC）即:交流变直流（整理）、直流变交流（逆变）、交流变交流（变频、变相）、直流变直流（斩波）。
2.在电力电子器件的分类中，可以控制导通不能控制关断的器件称为半控器件如：晶闸管又称作可控硅整理器（SCR）；既可以控制导通又能控制关断的器件称:
b.整流电路的工作状态增多；
c.晶闸管的电流变化率减小，有利于晶闸管的安全导通；
d.换相时晶闸管电压出现缺口，产生正的电压变化率，可能使晶闸管误导通。
e.换相使电网电压出现缺口，增加了谐波成份，成为新的干扰源。
2.逆变产生的条件？
答：a.要有直流电动势，其极性需和晶闸管的导通方向一致，其值应大于交流器直流侧的平均电压。
12.交流调压电路：在每半个周波内通过对晶闸管开通相3.交流调功电路：以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断，改变通态周期数和断态周期数的比，可以方便地调节输出功率的平均值，这种电路称为交流调功电路。
14.交流电力电子开关：如果并不着意调节输出平均功率，而是根据需要接通或断开电路，则称串入电路中的晶闸管为交流电力电子开关。
④与计算法和调制法相比，相同开关频率时输出电流中高次谐波含量较多；
⑤采用闭环控制。
9.晶闸管触发电路应满足什么要求？
电力电子技术-期末考试复习要点
电⼒电⼦技术-期末考试复习要点课程学习的基本要求及重点难点内容分析第⼀章电⼒电⼦器件的原理与特性1、本章学习要求1.1 电⼒电⼦器件概述，要求达到“熟悉”层次。
1）电⼒电⼦器件的发展概况及其发展趋势。
2）电⼒电⼦器件的分类及其各⾃的特点。
1.2 功率⼆极管，要求达到“熟悉”层次。
1）功率⼆极管的⼯作原理、基本特性、主要参数和主要类型。
2）功率⼆极管额定电流的定义。
1.3 晶闸管，要求达到“掌握”层次。
1）晶闸管的结构、⼯作原理及伏安特性。
2）晶闸管主要参数的定义及其含义。
3）电流波形系数k f的定义及计算⽅法。
4）晶闸管导通和关断条件5）能够根据要求选⽤晶闸管。
1.4 门极可关断晶闸管（GTO），要求达到“熟悉”层次。
1）GTO的⼯作原理、特点及主要参数。
1.5 功率场效应管，要求达到“熟悉”层次。
1）功率场效应管的特点，基本特性及安全⼯作区。
1.6 绝缘栅双极型晶体管（IGBT），要求达到“熟悉”层次。
1）IGBT的⼯作原理、特点、擎住效应及安全⼯作区。
1.7 新型电⼒电⼦器件简介，要求达到“熟悉”层次。
2、本章重点难点分析有关晶闸管电流计算的问题：晶闸管是整流电路中⽤得⽐较多的⼀种电⼒电⼦器件，在进⾏有关晶闸管的电流计算时，针对实际流过晶闸管的不同电流波形，应根据电流有效值相等的原则选择计算公式，即允许流过晶闸管的实际电流有效值应等于额定电流I T对应的电流有效值。
利⽤公式I = k f×I d = 1.57I T进⾏晶闸管电流计算时，⼀般可解决两个⽅⾯的问题：⼀是已知晶闸管的实际⼯作条件（包括流过的电流波形、幅值等），确定所要选⽤的晶闸管额定电流值；⼆是已知晶闸管的额定电流，根据实际⼯作情况，计算晶闸管的通流能⼒。
前者属于选⽤晶闸管的问题，后者属于校核晶闸管的问题。
1）计算与选择晶闸管的额定电流解决这类问题的⽅法是：⾸先从题⽬的已知条件中，找出实际通过晶闸管的电流波形或有关参数（如电流幅值、触发⾓等），据此算出通过晶闸管的实际电流有效值I，考虑（1.5~2）倍的安全裕量，算得额定电流为I T = (1.5~2) I /1.57，再根据I T值选择相近电流系列的晶闸管。
《电力电子技术 》复习资料
一卷一、选择题1．单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是（ D ）。
A、增加晶闸管导电能力；B、抑制温漂；C、增加输出稳定性；D、防止失控现象产生。
2．三相桥式PWM逆变电路中的六个光耦需要隔离电源的个数为（ C ）A．6个 B． 3个 C．4个D．1个3．三相桥式可控整流电路带阻感负载时角α的移相范围是（ B ）A．0-120° B．0-90° C．0-180° D．0-150°4．对于IGBT为功率器件的两电平电压型三相逆变电路，当控制其各相对直流电源中点电压波形为方波时，其换流方式为（ A ）A．纵向换流 B．横向换流 C．强迫换流 D．电网换流5．基本DC-DC斩波电路中，功率开关器件与输入直流电源共地的是（ B ）A．BUCK斩波电路 B．Cuk斩波电路 C．升降压斩波电路 D．Zeta斩波电路6．单相交流调压电路，阻感负载参数为R=0.5Ω，L=2mH，其α移相范围为（ D ）A．0－180° B．27.62°－180° C．30°－180° D．51.49°－180°7．PN结正向电流较小时表现为较高的欧姆电阻，正向电流较大时，由于载流子浓度骤升表现为很小的非线性电阻，PN结的这种特性称为（ C ）A．齐纳击穿 B．雪崩击穿 C．电导调制D．电容效应8．下列器件属于电压驱动型功率器件的是（ D ）A．SCR B．GTO C．GTR D．IGBT9．同步整流电路中通常利用具有低导通电阻性质的（ B ）来替代高频整流二极管。
A．IGBT B．MOSFET C．肖特基二极管D．快恢复二极管10．在PWM逆变电路的正弦波调制信号为鞍形波的目的在于（ B ）。
A、消除谐波分量；B、提高直流电压利用率；C、减少开关次数；D、削弱直流分量。
二、填空题1．请在空格内写出下面元件的字母简称：晶闸管SCR；绝缘栅双极晶体管IGBT ；智能功率模块 IPM ；功率因数校正 PFC 。
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第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在开关状态。
红在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
苑电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路屮存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
L按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
匸电力二极管的工作特性可概扌舌为承受止向电压导通，承受反和电压截止。
6・电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。
匕晶闸管的基木工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止O匹对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH o 匹晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，IJDSM大于_Uboo11 •逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
2GT0的多元集成结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
生M0SFET的漏极伏安特性11«的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性11«的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。
込电力M0SFET的通态电阻具有正温度系数。
15^TGBT的开启电压UGE (th)随温度升高而略冇下降,开关速度小于电力MOSFET o匹按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端Z间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。
12JGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有止温度系数。
18•在如下器件：电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（TGBT）中，属于不町控器件的是电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是_ GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT ；屈于单极型电力电子器件的冇电力MOSFET ,屈于双极型器件的冇电力二极管、晶闸管、GTO、GTR ,属于复合型电力电子器件得有【GBT ；在可控的器件屮，容量最大的是晶闸管,工作频率最高的是电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT ,屈于电流驱动的是晶闸管、GTO、GTR 。
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1-2晶闸管的导通条件、关断条件分别是什么？答：要使晶闸管从阻断态转为导通态，必须同时满足以下条件：1.阳极与阴极之间加正向电压，UAK >0。
2.门极与阴极之间加正向电压， UGK>0。
要使晶闸管从导通态转为阻断状态，需满足以下条件之一：1.使阳极电流接近0，IA =0。
2.在阳极与阴极之间加反向电压，UAK<0。
1-3目前常用的全控型电力电子器件有哪些？答：门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管1-4有一功率二极管，其通态平均电流为100A，问最大允许通过的电流有效值是多少？该有效值与电流波形是否有关系？答：电流的有效值I=1.57ITa=1.57*100=157A.与波形没有关系。
1-5试分析IGBT和电力MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处.答：IGBT比电力MOSFET在背面多一个P型层，IGBT开关速度小，开关损耗少具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小。
开关速度低于电力MOSFET。
电力MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好。
所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。
2-1单相桥式全控整流电路，U=100V，负载中R=2Ω，L值极大，当α=30︒时要求：①作出u d、i d的波形和电路图；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次侧电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
②整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次侧电流有效值I2分别为Ud＝0.9 U2 cosα＝0.9×100×cos30°＝77.97(A)Id＝U d/R＝77.97/2＝38.99(A)I2＝I d＝38.99 (A)③晶闸管承受的最大反向电压为：U2＝100＝141.4（V）流过每个晶闸管的电流的有效值为：IVT＝I d∕＝27.57（A）故晶闸管的额定电压为：UN＝(2~3)×141.4＝283~424（V）晶闸管的额定电流为：IN＝(1.5~2)×27.57∕1.57＝26~35（A）晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
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电力电子技术期末复习资料汇总电力电子技术复习题第二章：1.使晶闸管导通的条件是什么?①加正向阳极电压;备注：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流2.由丁通过其门极能控制其开通，但是不能控制其关断，晶闸管才被称为（3.在电力电子系统中，电力MOSFE通常工作在（A ）状态A.开关B. 放大C. 截止D. 饱和4.肖特基二极管（SBD是（A ）型器件A.单极B. 双极C. 混合5.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度可以分为:①不可控器件; ②半控型器件; ③全控型器件6. 下列电力电子器件中，（C ）不届丁双极型电力电子器件A. SCRB. 基丁PN结的电力二极管C.电力MOSFETD. GTR7. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件（电力二极管除外）分为（电流驱动型）和（电压驱动型）两类8. 同处理信息的电子器件类似，电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为（单极性器件）、（双极型器件）和（复合型器件9. （通态）损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。
当器件的开关频率较高时，（开关）损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。
（填“通态”、“断态”或“开关”）10. 电力电子器件在实际应用中，一般是由（控制电路）、（驱动电路）和以电力电子器件为核心的（主电路）组成一个系统11. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，肖特基二极管（SBD届丁（不可控）型器件12. 型号为“KS100-8'的晶闸管是（双向晶闸管）晶闸管，其中“100”表示（额定有效电流为100A ）, “8”表示（额定电压为800V13. 型号为“KK200-9'的晶闸管是（快速晶闸管）晶闸管，其中“ 200”表示（额定有效电流为200A ）, “9”表示（额定电压为900V ）合型器件都是（电压驱动）型器件，而双极型器件均为（电流驱动15. 对同一晶闸管，维持电流I H —<擎住电流I I 。
电力电子技术考试复习资料
一、单选题1.单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断答案： B2.要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。
A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压答案： A3.单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。
A、180°B、60°C、360°D、120°答案： A4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止答案： B5.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )A、功率晶体管B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管答案： D6.二极管两端加上正向电压时（）。
A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通答案： B7.为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路答案： B8.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A、电容B、电感C、蓄电池D、电动机答案： B9.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )A、三相半波可控变电流电路B、单相半控桥C、接有续流二极管的三相半控桥D、接有续流二极管的单相半波可控变流电路答案： A10.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )A、大功率三极管B、逆阻型晶闸管C、双向晶闸管D、可关断晶闸管答案： B11.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFET答案： C12.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )A、α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB、α以及负载电流IdC、α和U2D、α、U2以及变压器漏抗XC答案： A13.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
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电力电子技术复习题库第二章：1.使晶闸管导通的条件是什么？①加正向阳极电压；②加上足够大的正向门极电压。
备注：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流。
2.由于通过其门极能控制其开通，但是不能控制其关断，晶闸管才被称为（半控型）器件。
3.在电力电子系统中，电力MOSFET通常工作在（ A ）状态。
A. 开关B. 放大C. 截止D. 饱和4.肖特基二极管（SBD）是（ A ）型器件。
A. 单极B. 双极C. 混合5.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度可以分为：①不可控器件；②半控型器件；③全控型器件6.下列电力电子器件中，（C）不属于双极型电力电子器件。
A. SCRB. 基于PN结的电力二极管C. 电力MOSFETD. GTR7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件（电力二极管除外）分为（电流驱动型）和（电压驱动型）两类。
8.同处理信息的电子器件类似，电力电子器件还可以按照器件部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为（单极性器件）、（双极型器件）和（复合型器件）。
9.（通态）损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。
当器件的开关频率较高时，（开关）损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。
（填“通态”、“断态”或“开关”）10.电力电子器件在实际应用中，一般是由（控制电路）、（驱动电路）和以电力电子器件为核心的（主电路）组成一个系统。
11. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，肖特基二极管（SBD）属于（不可控）型器件。
12.型号为“KS100-8”的晶闸管是（双向晶闸管）晶闸管，其中“100”表示（额定有效电流为100A ），“8”表示（额定电压为800V）。
13.型号为“KK200-9”的晶闸管是（快速晶闸管）晶闸管，其中“200”表示（额定有效电流为200A），“9”表示（额定电压为900V ）。
14.单极型器件和复合型器件都是（电压驱动）型器件，而双极型器件均为（电流驱动）型器件。
（填“电压驱动”或“电流驱动”）15. 对同一晶闸管，维持电流I H<擎住电流I L。
（填“>”、“<”或“=”）16.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管阳极电流大于维持电流（保持晶闸管导通的最小电流）；要使晶闸管由导通变为关断，可使阳极电流小于维持电流可以使晶闸管由导通变为关断。
在实际电路中，常采用使阳极电压反向、减小阳极电压，或增大回路阻抗等方式使晶闸管关断。
17.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答：CTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断。
GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1 a 和2 a ，由普通晶闸管的分析可得：1 a + 2 a =1 是器件临界导通的条件。
1 a +2 a ＞1，两个等效晶体管过饱和而导通；1 a + 2 a ＜1，不能维持饱和导通而关断。
GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：②GTO 在设计时2 a 较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断；②GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1，普通晶闸管1 a + 2 a 31.15，而GTO 则为1 a + 2 a1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；③多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
18.下面电力电子器件中（D）属于电压驱动型器件。
A. GTR (电力晶体管)B. GTO（门极可关断晶闸管）C. SCR（晶闸管）D. IGBT（绝缘栅双极性晶体管）19.下面电力电子器件中（B）不属于全控型器件。
A. GTRB.SCRC. 电力MOSFETD. IGBT20.下面电力电子器件中（ A ）属于全控型器件。
A. GTRB.SCRC. 肖特基二极管第三章：1.整流电路按组成的器件可分为（不可控型电路）、（半控型电路）和（全控型电路）。
2.整流电路按电路结构可分为（桥式电路）和（零式电路）。
3.整流电路按交流输入相数分为（单相电路）和（双相电路）。
4.整流电路按变压器二次电流的方向是单向或双向，分为（单拍电路）和（双拍电路）。
5.整流电路按控制方式可分为（相控式电路）和（斩波式电路）。
6.什么叫触发延迟角？答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起，到施加触发脉冲上的电角度，称之为触发延迟角。
7.带电阻负载的单相半波可控整流电路中晶闸管的α移相围为（0）°~（180 ）°。
8.带阻感负载的单相半波可控整流电路中晶闸管的α移相围为（0）°~（180）°。
9.单相半波可控整流电路中晶闸管承受的最大正向电压为（U2），最大反向电压为（U2）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）10.带电阻负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管承受的最大正向电压为（U2），最大反向电压为（U2）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）11.带阻感负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管承受的最大正向电压为（U2），最大反向电压为（U2）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）12.带电阻负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管的 移相围为（0）°~（180 ）°。
13.带阻感负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管的 移相围为（0）°~（90）°。
14.单相全波可控整流电路中晶闸管承受的最大电压为（U2）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）15.三相半波可控整流电路又称为（B）脉波整流电路，三相桥式全控整流电路又称为（C）脉波整流电路。
A. 双B. 三C. 六D. 十二16.什么叫自然换相点？答：三相正弦波，无论在正半周还是在负半周,两相相交的点,就是三相整流波形的自然换相点。
17.带电阻负载的三相半波可控整流电路中晶闸管的α移相围为（0）°~（150）°。
18.带阻感负载的三相半波可控整流电路中晶闸管的α移相围为（0）°~（90）°。
19.三相半波可控整流电路中晶闸管承受的最大反向电压为（U2）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）20.带电阻负载的三相桥式全控整流电路中晶闸管的α移相围为（0）°~（120）°。
21.带阻感负载的三相桥式全控整流电路中晶闸管的α移相围为（0）°~（90）°。
22.三相半波可控整流电路中负载电流连续时，整流输出电压的平均值U d=（ 1.17 U2）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2，晶闸管的触发延迟角为α）23.三相桥式全控整流电路中负载电流连续时，整流输出电压的平均值U d=（ 2.34 U2）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2，晶闸管的触发延迟角为α）24.三相桥式全控整流电路中晶闸管承受的最大反向电压为（U2）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）25.什么叫换相重叠角？答：换相过程持续时间用电角度用 表示，称为换相重叠角。
26.出现换相重叠角γ，整流输出电压平均值U d将（降低）。
（填“降低”或“增加”）27.由于电路中的电力电子器件采用整流二极管，不可控整流电路也称为（二极管）整流电路。
28.电容滤波的单相不可控整流电路，通常在设计时根据负载的情况选择电容C值，使，T为交流电源的周期，此时输出电压U d≈（U2）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）29.电容滤波的三相不可控整流电路，负载电流I d断续和连续的临界条件是（WRC=）。
30.电容滤波的三相不可控整流电路中二极管承受的最大反向电压为（U2）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）31.什么是谐波？什么是谐波次数？答：谐波是指电流中所含有的频率为基波的整数倍的电量，一般是指对周期性的非正弦电量进行傅里叶级数分解，其余大于基波频率的电流产生的电量。
谐波次数为整数，用谐波频率同基波频率之比给出。
（谐波次数是能引起谐振的谐波次数）32.在电压波形为正弦波、电流波形为非正弦波的电路中，功率因数由（基波电流相移）和（电流波形畸变）这两个因素共同决定。
33.单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次电流中含有哪些次数的谐波？其中主要是哪几次？答：单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有2k（k=1、2、3…）次谐波，其中幅值最大的是2次谐波。
变压器二次侧电流中含有2k＋1（k＝1、2、3……）次即奇次谐波，其中主要的有3次、5次谐波。
34.三相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次电流中含有哪些次数的谐波？其中主要是哪几次？答：三相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有6k（k=1、2、3…）次谐波，其中幅值最大的是6次谐波。
变压器二次侧电流中含有6k＋1（k＝1、2、3……）次，其中主要的有5次、7次谐波。
35.什么是有源逆变？答：当交流侧和电网连接时，这种逆变电路称为有源逆变电路。
备注：将直流电变为和电网频率的交流电，并返送到交流电网去的过程称为有源逆变。
36.整流电路中产生有源逆变的条件是什么？答：①直流电动势E>Ud，且极性与晶闸管方向一致。
②晶闸管的控制角 >，使Ud为负值。
37.什么是逆变失败（或逆变颠覆）？答：逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或者逆变颠覆。
补充：逆变失败的原因：①逆变角太小；②出现触发脉冲丢失；③主电路期间损坏④电源缺失等。
防止逆变失败的方法采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角 等。
38.逆变时允许采用的最小逆变角一般取（30 ）o ~（35 ）o。
39.带阻感负载的三相桥式全控整流电路中，功率因数λ=（0.955）。
（假设晶闸管的触发延迟角为α）=0.95540.变流器工作在逆变状态时，控制角 必须在（ D ）。
A.0°~90°B. 30°~120°C. 60°~150°D. 90°~150°41.对于单相全波电路，当控制角0 < <时，电路工作在（整流）状态；< < π时，电路工作在（逆变）状态。