CMOS集成电路设计-拉扎维4差分放大器讲述
模拟cmos集成电路设计拉扎维第4章差分放大器
Rin =
RD + rO
RD
+1
1 + ( g m + g mb )rO ( g m + g mb )rO g m + g mb
R = {[1 + (g + g )r ]R + r } || R 路漫漫其修远兮,
吾将上下而求索
out
m
mb o S
o
D
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
11
上一章
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
5
上一章
二极管接法的MOS 管做负载的共源级
线性度好,输出摆幅小,增益不能太大(否 则摆幅小、带宽小)
Av =
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
(W / L)1 1
(W / L)2 1 +
Av =
n (W / L ) 1 p (W / L ) 2
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
6
上一章
电流源做负载的共源级
增益大
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
Av = m ro1 || ro2
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
7
上一章
深线性区MOS管做负载的共源级
输出摆幅大(可以为VDD)
得到精准的Ron2比较困难;受工艺、温度变 化影响比较大,产生稳定、精确的Vb比较 难
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
=
g mR D
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
1 + g mR S
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
9
上一章
共漏级-源跟随器
Rin大,Rout小,输出摆幅 小,增益有百分之几非线性; PMOS管能消除体效应,提高 线性度,但输出阻抗大,带宽 降低;电压缓冲器、电压平移
模拟cmos集成电路设计拉扎维MOS器件物理基础PPT课件
第23页/共61页
跨导gm
VGS对IDS的控制能力 IDS对VGS变化的灵敏度
gm ID VGS VDS cons tant
• 直流关系式-I/V特性 • 交流关系式-小信号电路中的参数
第6页/共61页
MOS管简化模型
简化模型——开关 由VG控制的一个开关
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MOS管的结构
Bulk(body)
源漏在物理结构上是完全对称的,靠什么区分开?
提供载流子的端口为源,收集载流子的端口为漏
最重要的工作区域?
受VG控制的沟道区
• 小信号模型 • 信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算 • 由gm、 gmb、rO等构成低频小信号模型,高频时还需加上 CGS等寄生电容、寄生电阻(接触孔电阻、 导电层电阻等)
沟道电荷的产生
当VG大到一定 程度时,表面势 使电子从源流向 沟道区 VTH定义为表面电 子浓度等于衬底 多子浓度时的VG
第12页/共61页
阈值电压
0 栅与衬底功函数差
COX
OX
TOX
常通过沟道注入把VTH0调节到合适值 工艺确定后,VTH0就固定了,设计者无法改变
第13页/共61页
I/V特性-沟道随VDS的变化
第3页/共61页
掌握器件物理知识的必要性
• 数字电路设计师一般不需要进入器件内部,只把它当开关用即可 • AIC设计师必须进入器件内部,具备器件物理知识
• MOS管是AIC的基本元件 • MOS管的电特性与器件内部的物理机制密切相关,设计时需将两者结
模拟cmos集成电路设计拉扎维第1章绪论
总结词
拉扎维模拟方法在CMOS比较器设计中 具有重要作用,可以预测比较器的性能 和行为。
VS
详细描述
CMOS比较器是模拟集成电路中的关键元 件,用于信号的阈值检测和整形。拉扎维 模拟方法可以准确地模拟CMOS比较器的 静态和动态特性,包括响应时间、失调电 压、比较精度等参数,有助于设计者优化 比较器的性能,提高整个电路的稳定性。
应用实例二:模拟CMOS滤波器设计
总结词
利用拉扎维模拟方法,可以高效地设计和优化CMOS滤波器的性能。
详细描述
CMOS滤波器在通信、音频处理等领域有广泛应用。通过拉扎维模拟方法,可以快速设计和优化 CMOS滤波器的性能,包括频率响应、群延迟、线性相位等参数,从而缩短设计周期并提高滤波器的 性能。
应用实例三:模拟CMOS比较器设计
拉扎维模拟方法的优缺点
优点
拉扎维模拟方法基于物理模型,能够精确模拟CMOS集成电路的性能,对于复杂电路和新型器件具有较高的预测 精度。此外,该方法还支持多物理效应和多尺度模拟,能够模拟电路在不同工艺、温度和电压条件下的性能。
缺点
由于拉扎维模拟方法基于物理模型,因此需要较长的计算时间和较大的计算资源,对于大规模电路的模拟可能会 面临性能瓶颈。此外,该方法需要手动设定电路元件的参数,对于不同工艺和不同设计需求需要进行相应的调整 和优化。
04
拉扎维模拟方法的应用实例
应用实例一:模拟CMOS放大器设计
总结词
通过拉扎维模拟方法,可以有效地模拟CMOS放大器的性能,包括增益、带宽、 噪声等参数。
详细描述
CMOS放大器是模拟集成电路中的基本元件,其性能对于整个电路的性能至关 重要。拉扎维模拟方法可以准确地模拟CMOS放大器的直流和交流特性,包括 增益、带宽、噪声等参数,为设计者提供可靠的参考依据。
拉扎维模拟CMOS集成电路设计 前十章全部课件
重邮光电工程学院
同一衬底上的NMOS和PMOS器件
MOS管所有pn结必须反偏: *N-SUB接VDD! *P-SUB接VSS! *阱中MOSFET衬底常接源极S
重邮光电工程学院
MOS器件符号
MOS管等效于一个开关!
重邮光电工程学院
MOS器件的阈值电压VTN(P)
(a)栅压控制的MOSFET (c)反型的开始
nCox
W L
[(VGS
VTH)VDS
)v(x) 1 2
1 VDS2 2
v(x)
]
2
)]vDS 0
重邮光电工程学院
I/V特性的推导(4)
ID
nCox
W L
[(VGS
VTH)VDS
1 VDS2 ] 2
三极管区(线性区)
每条曲线在VDS=VGS-VTH时
取最大值,且大小为:
ID nCox W (VGS VTH )2
。
t ≈ 50A, C
ox
ox
t ≈ 0.02 m, C
ox ox
6.9 fF/ m 2 1.75fF/ m 2
t ≈ 0.1 m, C 0.35fF/ m 2
ox
ox
重邮光电工程学院
MOS器件电容
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 45
重邮光电工程学院
减小MOS器件电容的版图结构
对于图a:CDB=CSB = WECj + 2(W+E)Cjsw 对于图b: CDB=(W/2)ECj+2((W/2)+E)Cjsw CSB=2((W/2)ECj+2((W/2)+E)Cjsw= = WECj +2(W+2E)Cjsw
CMOS 模拟集成电路课件-差分放大器
21
• 6.5.3 采用MOS电流镜负载的差分对
• 大信号分析
– 当vD足够负,M1关断,没有电流流经晶体管M1,因此M3 关断,M4也关断。由于没有电流流经M4,M2和M5都工 作在深线性区,vDS2 ≈ 0,vDS5≈ 0,因此,vOUT ≈ 0;
– 当vIN1变化到与vIN2接近时,M1管导通,使得尾电流源的 电流ID5一部分流经M3,并且使M4开启,vOUT开始上升.
vIN1 (单位V)
vIN,CM=1.5V
vIN,CM=2V
2020/5/6
偏置电流和输出电平受VIN,CM影响!
6
• “差分对”
6.3 基本差分对
ID1+ID2独立于VIN,CM 如果vIN1=vIN2, ID1=ID2=ISS/2, 输出共模电平为VDD-RISS/2
2020/5/6
7
6.3 基本差分对
iD1
ISS 2
4
vD
4ISS
vD2
nCox (W / L)
iD2
ISS 2
4
vD
4ISS
vD2
可以得到最大差分电压范围,
| vD |≤
2ISS
| vD |≤
2
2iD1,2
2VOD1,2
当vIN1=vIN2,
gm
(iD1 iD2 ) vD
vD 0
则差分增益
ISS
2nCox
W L
ISS 2
• 当vD为正时,流经M1管的电流大于流经M2管的电流,vOUT1
将小于vOUT2。对于足够正的vD,所有ISS都流经M1,此时,
2020/5/6
vOUT1 = VDD – RiD1 = VDD – RISS,而vOUT2 = VDD.
模拟CMOS集成电路设计(毕查德·拉扎维著,陈贵灿等译,西安交通大学出版社) 绪论课件
模拟CMOS集成电路设计教材n模拟CMOS集成电路设计,毕查德.拉扎维著,陈贵灿等译,西安交通大学出版社参考资料n半导体集成电路,朱正涌,清华大学出版杜n CMOS模拟电路设计(英文),P.E.Allen,D.R.Holberg,电子工业出版社n模拟集成电路的分析与设计,P.R.Gray等著,高等教育出版社半导体集成电路发展历史n1947年BELL实验室发明了世界上第一个点接触式晶体管(Ge NPN)半导体集成电路发展历史n1948年BELL 实验室的肖克利发明结型晶体管n1956年肖克利、布拉顿和巴丁一起荣获诺贝尔物理学奖n50年代晶体管得到大发展(材料由Ge→Si)半导体集成电路发展历史n1958年TI公司基尔比发明第一块简单IC。
n在Ge晶片上集成了12个器件。
n基尔比也因此与赫伯特·克勒默和俄罗斯的泽罗斯·阿尔费罗夫一起荣获2000年度诺贝尔物理学奖。
半导体集成电路发展历史n19世纪60年代美国仙童公司的诺依斯开发出用于IC的平面工艺技术,从而推动了IC制造业的大发展。
半导体集成电路发展历史n60年代TTL、ECL出现并得到广泛应用n1966年MOS LSI发明(集成度高,功耗低)n70年代MOS LSI得到大发展(出现集成化微处理器,存储器)n80年代VLSI出现,使IC进入了崭新的阶段。
n90年代ASIC、ULSI和巨大规模集成GSI等代表更高技术水平的IC 不断涌现,并成为IC应用的主流产品。
n21世纪SOC、纳米器件与电路等领域的研究已展开n展望可望突破一些先前认为的IC发展极限,对集成电路IC的涵义也将有新的诠释。
集成电路用半导体工艺,或薄膜、厚膜工艺(或这些工艺的组合),把电路的有源器件、无源元件及互连布线以相互不可分离的状态制作在半导体或绝缘材料基片上,最后封装在一个管壳内,构成一个完整的、具有特定功能的电路、组件、子系统或系统。
模拟集成电路n1967年国际电工委员会(IEC)正式提出模拟集成电路的概念,它包括了除逻辑集成电路以外的所有半导体集成电路。
CMOS集成电路设计拉扎维反馈
馈变化。
可见,3dB带宽增加了βA0倍,但是以增益的减小为代价的
扩展带宽的使用实例
反馈提供了一种增加电路带宽的方法,如果同时要求高的 增益,可以采用多个高带宽放大器级连
电路模型:
2 放大器的种类
一个检测电压的电路必须具有高的输入阻抗(像一个电压表),而一个检测电流信号 的电路必须具有低的输入阻抗(像一个电流表)。
检测和输出 电流信号。
放大器的种类
改进性能的四种放大器:
改变了输出阻抗,或者提高了增益
例題 : 计算图中跨导放大器的增益。
答:
在此情況下的增益被定义为 Gm=Iout/Vin,也就是
Gm
VX Vin
Iout VX
gm1(rO1 || RD ) gm2
3 检测和返回机制
信号的检测和返回
VOUT
1
VIN
1
1 gm1ro1
C2 C1
1 g r m1 o1
C1 C2
, for large gm1ro1
反馈电路的特性
1. 增益灵敏度降低:
一个实例(右边共源级电路):
无反馈时: AV g r m1 o1
由于gm1和 rO1 都随工艺和温度而 变,电路的增益不稳定. 带反馈时: 如果 gm1ro1 >>1,
负反馈会使系统趋于稳定
反馈:闭环传输函数
前馈网络
反馈网络
H(s)
开环传输函数,开环增益
Y(s)/ X(s)
闭环传输函数,闭环增益
G(s)
若与频率无关,可用 反馈系数代替
H(s)× G(s)
拉扎维带隙基准模拟cmos集成电路设计
华大微电子:模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 17
第18页/共29页
Bandgap Ref Ch. 11 # 18
PTAT电流的产生
第19页/共29页
P TAT 电 流 的 产 生
华大微电子:模拟集成电路原理
第20页/共29页
VREF
VBE3
R2 R1
VT
ln n
Bandgap Ref Ch. 11 # 19
第4页/共29页
与电源无关的偏置
如何产生IREF?
I out
VDD R1 1 g m1
W W
L1 L2
华大微电子:模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 4
第5页/共29页
与电源无关的偏置
华大微电子:模拟集成电路原理
2Iout
nCOX W
L
N
VTH 1
2I out nCOX K W
华大微电子:模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 10
第11页/共29页
与温度无关的偏置
华大微电子:模拟集成电路原理
Vout
VBE2
VT
ln n1
R2 R3
Bandgap Ref Ch. 11 # 11
第12页/共29页
与温度无关的偏置
华大微电子:模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 12
第27页/共29页
实例分析
华大微电子:模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 27
第28页/共29页
感谢您的观看。
华大微电子:模拟集成电路原理
CMOS模拟集成电路设计 拉扎维课件
1st 代:MOS1,MOS2,MOS3; 2nd代:BSIM,HSPICE level=28,BSIM2 3rd代:BSIM3,MOS model9,EKV(Enz-Krummenacher-Vittoz)
目前工艺厂家最常提供的MOS SPICE模型为BSIM3v3 (UC Berkeley)
CMOS模拟集成电路设计
绪论、MOS器件物理基础
王永生 Harbin Institute of Technology Microelectronics Center
2009-1-16
提纲
2
提纲
1、绪论 2、MOS器件物理基础
HIT Microelectronics
王永生
2009-1-16
2.3.1体效应
对于NMOS,当VB<VS时,随VB下降,在没反型前, 耗尽区的电荷Qd增加,造成VTH增加,也称为“背栅 效应”
其中,γ为体效应系数
HIT Microelectronics
VTH 0
VTH
王永生
2009-1-16
MOS器件物理基础
15
2.3.2 沟道长度调制效应
当沟道夹断后,当VDS增大时,沟道长度逐渐减小, 即有效沟道长度L’是VDS的函数。
定义L’=L-ΔL, ΔL/L=λVDS
λ为沟道长度调制系数。
HIT Microelectronics
王永生
2009-1-16
MOS器件物理基础
16
2.3.3亚阈值导电性
当VGS≈VTH时和略小于VTH ,“弱”反型层依然存在, 与VGS呈现指数关系。当VDS大于200mV时,
这里ζ>1,VT=kT/q
模拟CMOS集成电路设计 拉扎维 ——复旦大学课件
参杂半导体
• 掺入三家获五价原子,提供一个载流子。
• N型:掺入五价元素,如磷(P)、砷(As),
提供一个电子,电子导电。
若:ND 是参杂浓度,D代表施主浓度 多子(电子)浓度: nn = ND
少子(空穴)浓度:
Pn
=
n
2 i
/
ND
• P型:掺入三价元素,如硼(B),
提供一个空穴,空穴导电。
若:NA 是参杂浓度,A代表施主浓度 多子(空穴)浓度: Pp = NA
参数化模块/单元 layout
宏模型 Matlab…
器件
器件特性
版图描述 design rule
器件模型 spice model
模拟集成电路的应用
• 模拟电路本质上是不可替代的
– 自然界是“模拟”的
• 集成传感器、显示驱动 • 模数和数模转换
– 数字信号经过传输后à模拟信号
• 无线和有线通讯 • 磁盘驱动
单极点低通Gm-C滤波器
Gm由偏置电流或电压确定,易受工艺、温度和电源 电压变化的影响
磁盘驱动器中的模块电路(2)
• 模数转换器(ADC)
– 6位ADC, – 由VCO提供采样时钟。采样频率由数字时钟恢复电路控
制。 – 偏移控制:采集63个比较器的失调电压,反馈到输入
端,抵消由此引起的失真。
• 数字信号处理
dQn dVR
=
ε 0ε si 2 ΦB
qN D + VR
1
2
=
Cj0
1
1
+
VR ΦB
2
C j0
=
ε
0ε si qN 2Φ B
D
2
= ε0εsi xn
拉扎维模拟CMOS集成电路设计
Introduction to Analog Design
Why analog? (8)
Since the electrical current converted by a photodiode is very small, the receiver after the photodiode must process a low-level signal at a very high speed, which requires a low noise, broadband circuit design.
Natural signals are analog, while many signals we used are digital So we need ADC to convert an analog signal to digital signal and then use DSP to process the digital signal.
Introduction to Analog Design
Why analog? (5) 3. Disk Drive Electronics
The signal received from the magnetic head is really weak and the noise is quite high. Just like Fig. 1.1b, there needs amplification, filtering and ADC for further processing.
Fig. 1.5 Signal and interferers received by the antenna of a wireless receiver.
拉扎维的《AnalogCMOS集成电路设计》学习感受
拉扎维的《AnalogCMOS集成电路设计》学习感受从学校微电子专业毕业,工作已经五年了。
最近终于完完整整地看完一遍拉扎维的《Design of Analog CMOS integrated circuits》。
在此记一下学习本书的感受和心得。
1、《Analog CMOS集成电路设计》是一本很好的集成电路设计入门的书籍。
其中涉及到许多的背景知识,随着读者的水平不一,看到的层次不一。
有些第一次看没感受,多看几次会有感受;有些在经历相关工作前看没觉得,但有工作经验之后看有新的体会;还有一些,你看了之后会去查找相关的专业知识来进行补充。
第一章《绪论》讲述了模拟设计的应用场合,设计挑战及要求(如鲁棒性、PVT)。
第二章《MOS器件物理基础》是全书的基础,推导出器件的电流公式Id及跨导公式gm,后面的设计都紧紧围绕着两个公式展开。
后面的习题对了解MOS管的行为,提升设计的直觉有很大的帮助。
第三章《单级放大器》基于MOS的三个端子讲述了三种单级放大器:共源级、共栅极、共漏级(源跟随);和一种组合:共源共栅。
其中例3.10涉及到50ohm高速传输线知识和实际的相关设计比较。
第四章《差动放大器》,描述了差动对信号具有抗噪声的优点(还有EMI降低),及差动对的分析、共模抑制比、吉尔伯特单元等。
第五章《电流镜》,分析了电流镜的特点和在差动电路中的应用。
第六章《放大器的频率特性》,介绍了密勒效应,每一级的极点的计算和评估。
这章开始涉及频率响应。
第七章《噪声》,介绍了IC中的各种噪声:热噪声4kTR(4kTrgm)、闪烁噪声(1/f噪声)K/(CoxWLf).给出了多种电路的主要噪声的谱和RMS计算,相应的低噪声的要求和特征。
第八章《反馈》,系统地描叙了反馈的结构,种类(V-V,V-I,I-I,I-I),环路增益计算,负反馈对电路性能带来的改变(增益灵敏度降低、阻抗有益改变、带宽增加,非线性减少)。
第九章《运算放大器》介绍运放中的一系列技术,最主要的事套筒式和折叠式;单级和多级运放,共模反馈,Rail-Rail介绍,大信号的转换速率slewing rate响应,电源抑制,注意Vdd至Vout约为1。
拉扎维模拟CMOS集成电路设计前十章全部课件
汽车触发气囊的加速度检测原理图
重邮光电工程学院
模拟设计困难的原因是什么(1)?
A. 模拟设计涉及到在速度、功耗、增 益、精度、电源电压等多种因素间 进行折衷,而数字电路只需在速度 和功耗之间折衷。
B. 模拟电路对噪声、串扰和其它干扰 比数字电路要敏感得多。
C. 器件的二级效应对模拟电路的影响 比数字电路要严重得多。
I/V特性的推导(3)
ID WCox[VGS V(x) VTH ]v
对于半导体:
ID WCox[VGS V (x) VTH ]n dV(x)
dx
L
VDS
IDdx WCoxn[VGS V(x) VTH]dV
(ID为常数)
x 0
V
[iD
ID
0
x]0L [nCoxW ((vGS VTH
重邮光电工程学院
I/V特性的推导(2)
沟道单位长度电荷(C/m) 电荷移
I Qd v
动速度 (m/s)
Qd WCox(VGS VTH )
Qd(x) WCox(VGS V
(x) VTH )
Qd:沟道电荷密度 Cox:单位面积栅电 容
WCox:MOSFET单 位长度的总电容
重邮光电工程学院
, (unchanged)
重邮光电工程学院
MOS管跨导gm不同表示法比较
跨导gm
1
2
3
上式中:
ID I0 exp
重邮光电工程学院
亚阈值导电特性
VGS
kT
(ζ>1,是一个非理想因子)
q
重邮光电工程学院
MOS器件版图
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 43
重邮光电工程学院
模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第九章运算放大器
合理安排元件的位置,使它们在版图上相对集中, 以减小连线误差和寄生效应。
方向匹配
确保同一类型的元件具有相同的旋转方向,以减 小失配误差。
防止噪声干扰
01
02
03
隔离噪声源
将噪声源与敏感电路隔离, 以减小噪声干扰。
滤波器设计
在版图中加入适当的滤波 器,以减小信号中的噪声 成分。
接地措施
合理接地,减小地线阻抗 和电位差,以减小噪声干 扰。
在数字电路中的应用
模拟数字转换器(ADC)
运算放大器在ADC中用于放大模拟信号并将其转换为数字信 号。
数字模拟转换器(DAC)
运算放大器在DAC中用于将数字信号转换为模拟信号,实现 数字控制和调节。
在信号处理中的应用
信号调理
运算放大器用于信号的放大、缩小、隔离和缓冲,以适应后续的 信号处理或测量设备。
模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第九章
运算放大器
$number {01}
目 录
• 运算放大器概述 • 运算放大器的基本结构和工作原
理 • 运算放大器的应用 • 运算放大器的设计流程 • 运算放大器的版图设计技巧 • 运算放大器的实际应用案例分析
01
运算放大器概述
定义与功能
定义
运算放大器是一种具有高放大倍数、 高输入电阻和低输出电阻的直接耦合 放大电路,通常由两个晶体管组成。
运算放大器的主要参数
增益
01 运算放大器的放大倍数,通常
用开环增益表示。
带宽
02 运算放大器能够处理的信号频
率范围,通常用单位Hz表示。
输入电阻
03 运算放大器的输入端电阻,通
常用MΩ表示。
输出电阻
模拟CMOS集成电路设计第四章差分放大器剖析
模拟CMOS集成电路设计第四章差分放大器剖析第四章差分放大器是模拟CMOS集成电路设计中的重要内容。
差分放大器是一种基本的电路结构,用于放大差分信号,具有功率增益高、抗干扰能力强等特点。
在本章中,将对差分放大器的原理、结构以及常用的设计方法进行剖析。
差分放大器的基本原理是利用两个互补的输入信号来放大差分信号,以提高共模信号的抵抗能力。
其硅上集成电路结构是由两个互补的差分对称结构组成,输入端与输出端相互交错连接。
在输入端,通过两个电流源提供定电流给差分对称结构,从而形成了输出端的差分输出信号。
通过合理的电路设计和调整输入电流、电压等参数,可以实现差分放大器的不同功能和性能。
差分放大器的结构主要由输入级、中间级和输出级组成。
输入级主要起到放大差分信号的作用,输入对称性好,起到抵消共模信号的作用。
中间级是为了提高放大倍数和频率响应而设计的,起到归一化和驱动输出级的作用。
输出级是为了放大电流而设计的,输出电流只与力度源的电流有关,可以通过调整力度源的电流大小来改变输出电流。
在差分放大器的设计中,需要注意一些关键的参数和指标。
其中,差分增益是指输入差分信号与输出差分信号之间的比例关系,一般用dB来表示。
共模抑制比是指在输入信号中存在共模信号时,输出信号中共模信号的相对衰减程度,一般用dB来表示。
输入偏置电流是指输入电流偏离理想值的程度,一般用nA级别来表示。
输入电阻和输入电容是指输入端对于差分信号和共模信号的阻抗和容性,一般用Ω和F来表示。
在差分放大器的设计中,可以采用多种方法来实现不同的功能和性能。
例如,可以通过引入电流源、电阻、电容等器件来调整放大倍数和频率响应。
可以通过选择不同的电流源来改变差分放大器的工作模式,例如共基极模式、共射极模式等。
可以通过串联和并联电阻、电容等元件来调整放大器的输入和输出阻抗。
可以通过使用不同的差分对称结构来实现不同的特性,例如双极性、互补型等。
综上所述,差分放大器是模拟CMOS集成电路设计中的重要内容。
拉扎维模拟CMOS集成电路设计(前十章全部课件)
Φ MS:多晶硅栅与硅衬底功函数之差 Qdep耗尽区的电荷,是衬源电压VBS的函数
模拟集成电路设计绪论 Ch. 1 # 23
重邮光电工程学院
MOS管的开启电压VT及体效应
VTH VTH0 2F VSB 2 F ,
2qsiNsub Cox
(a)自然界信号的数字化 ( b)增加放大器和滤波器以提高灵敏度
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 3
重邮光电工程学院
数字通信
数字信号通过有损电缆的衰减和失真
失真信号需放大、滤波和数字化后才再处理
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 4
重邮光电工程学院
数字通信
1 0
11
10 01
00
使用多电平信号以减小所需的带宽 组合二进制数据 DAC 多电平信号 ADC 确定所传送电平
模拟集成电路设计绪论 Ch. 1 # 4
重邮光电工程学院
MOS器件符号
MOS管等效于一个开关!
模拟集成电路设计绪论 Ch. 1 # 5
重邮光电工程学院
MOS器件的阈值电压VTN(P)
(a)栅压控制的MOSFET
(c)反型的开始
(b)耗尽区的形成
(d)反型层的形成
模拟集成电路设计绪论 Ch. 1 # 6
源极跟随器
无体效应
有体效应
模拟集成电路设计绪论 Ch. 1 # 24
重邮光电工程学院
MOSFET的沟道调制效应
模拟集成电路设计绪论 Ch. 1 # 25
重邮光电工程学院
MOSFET的沟道调制效应
L
L’
L' L L 1 1/ L' (1 L / L) L 1 1/ L' (1 V DS ), VDS L / L L nCox W ID (VGS VTH )2 (1 VDS) 2 L
模拟cmos集成电路设计拉扎维第4章差分放大器ppt课件
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差分放大器
优点
抗干扰能力强,高线性度等 和单端电路相比,差分电路规模加倍
与获得的性能提高相比,这个不算做缺点
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
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本讲
差分放大器简介 简单差分放大器 基本差分对放大器
大信号差分特性 大信号共模特性 小信号差分特性 小信号共模特性
MOS管做负载的基本差分对放大器 差分放大器的应用-Gilbert单元
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本讲
差分放大器简介 简单差分放大器 基本差分对放大器
大信号差分特性 大信号共模特性 小信号差分特性 小信号共模特性
MOS管做负载的基本差分对放大器 差分放大器的应用-Gilbert单元
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差分放大器简介
AIC中非常重要的电路模块 对两个信号的差值进行放大
(V X V )Y Vin 2引起的 = g m RDVin 2
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小信号差分特性-用叠加法求全差分时的 差模增益
(VX V ) = Y Vin1引起的 gm RDVin1 (VX VY )Vin 2引起的 = gm RDVin2
(VX V ) = Y Vin1和Vin2共同引起的 gmRD (Vin1 Vin2 )
Rout
=
g
1 m+ g
mb
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10
上一章
共栅级
Rin小,Rout大
Av = gm(1+ )RD
Rin = 1/[gm (1+ )]
Rin =
RD + rO
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共漏级-源跟随器
源跟随器输入输出特性呈现显著的非线性。为了缓解这一问题, 可以用一个电流源代替电阻。电流源由工作在饱和区的NMOS管 来实现。电路如下图:
Rout
1 g m g mb
共栅级 • 共栅级
– Rin大,Rout小,增益高
Vout ( g m g mb ) rO 1 RD Vin rO ( g m g mb ) rO RS RS RD
V01- V02
V01
V02
极性相反的两路受干 扰小信号, 差动输出 时干扰消除了!
用差分放大器消除时钟噪声
• 对称差动时钟大信号通过寄生电容耦合 到小信号的噪声因极性相反而相互抵消
差动工作还有什么优点?
差分放大器的优点
电源噪声对单端电路产生的干扰 差动信号的优点: 1. 能有效抑制共模噪声。 VX- Vy
差动放大器 Ch.4 # 33
基本差分对的定量分析(4)
β 4ISS 2 4. 因: ΔID = ΔVin -ΔVin 2 β
静态时△Vin =0, Gm为:
M1、M2的等效跨导Gm为:
ISS G m = βISS = 2β( ) 2
ΔID 2ISS -βΔVin Gm = = ΔVin 4ISS 2 -ΔVin β
– 线性度好,输出摆幅小,增益不能太大(否 则摆幅小、带宽小)
(W / L)1 1 Av ( W / L)2 1
n (W / L)1 Av p (W / L) 2
电流源做负载的共源级 • 电流源做负载的共源级
– 增益大
Av gm ro1 || ro2
带源极负反馈的共源级 • 带源极负反馈的共源级
2
β 4ISS 2 ΔID = ΔVin -ΔVin 2 β
这是个重要公式, 可 由此得出以下结论:
1. 静态时, △Vin=0, ∴ △ID=0, 即ID1= ID2= ISS/2 2. △ID只有在△Vin很小时, 才与△Vin近视成正比 ΔID
ΔV βISS
in
差动放大器 Ch.4 # 31
这是CG放大器
利用小信号等 效电路,可求得:
VRL1
g m1R L1 = Vin 1+ g m1R L1 g m1R L1 = Vin = Vin 1+ g m1R L1
VT = lim VRL1
R L1 →∞
差分对的小信号特性(2)
差分对的小信号特性(3)
gmR D VX = A VX Vin1 = Vin1 2 gmR D VY = A VX VT = Vin1 2 (VX-VY ) |Vin1=∆Vin=-gmRD ∆Vin
2
同单级共源放大器的增益
G m = βISS = 2β( ISS ) 2
漏极电流和Gm随输入电压变化曲线
差分对的小信号特性(1)
差分对的小信号特性(1)
差分对的小信号特性(1)
差分对的小信号特性(1)
RD1=RD2=RD gm1=gm2=gm
利用叠加定理 ,先考虑Vin1的 作用,先求VX
1 1 RS = = g m2 g m
β 2ID 2 ID = (VGS - VTN ) VGS = + VTN 2 β
ΔVin = VGS1 - VGS2
ΔVin
2
2ID1 2ID2 = β β
两边平方, 且考 虑到ID1+ ID2= ISS
2ISS 4 β 2 2 = ID1ID2 4ID1ID2 =(ISS - ΔVin ) β β 2
M1和M2线性
Ι ISS SS + Vb VinCM VDD R D + VTN β 2 1(2)
共模输入电压与输出摆幅
M1饱和要求: VX ≥ VinCM - VTN
X Y
上式表明, 输入共模电平越大,Vx 越大, 允许输出的输出摆幅就 越小。幸运的是, 因运放通常需 至少两级放大才能获得实际可 使用的放大倍数, 因此对前级的 摆幅要求大大降低。
gmR D gmR D A VX = =1+ g m R S 2
这是带负反馈电 阻RS的CS放大器
gmR D VX = A 性(2)
差分对的小信号特性(2)
利用叠加定理 ,先考虑Vin1的 作用,再求VY
1 1 RT = = g m1 g m
VT=Vin RL1 求开路电压VT
基本差分对的定量分析(3)
3. 为求得最大差模输入电压,假定△Vinmax时,M1上通过的电 流恰好为ISS,M2刚好截至,即VGS2=VTN,此时有:
2ISS VGS1 = + VTN β
ΔVinmax
2ISS = VGS1 - VGS2 = β
基本差分对的定量分析(3)
3. 为求得最大差模输入电压,假定△Vinmax时,M1上通过的电 流恰好为ISS,M2刚好截至,即VGS2=VTN,此时有:
不足:输出摆幅受 一定影响
Rout [1 ( g m2 g mb 2 )rO 2 ]rO1 rO 2
第四章 差分放大器
4.1 单端与差动的工作方式
差动工作比单端工作有什么优点?
共模电平
• 单端信号的参考电位为一固定电位(常为地电位)
• 差动信号定义为两个结点电位之差, 且这两个结点 的电位相对于某一固定电位大小相等,极性相反。在 差动信号中, 中心固定电位称为“共模”(CM)电平
定义: 差模输入电压vID = v1 - v2 共模输入电压vIC = (v1 +v2 )/2 v1 = vIC + vID/2 v2= vIC - vID/2
用差分放大器消除时钟噪声
差动工作与单端工作相比, 一个 重要优势在于它对环境噪声具有
更强的抗干扰能力!! 单端工作时时钟大 信号通过寄生电容 干扰放大的小信号
RD rO RD 1 Rin 1 ( g m g mb )rO ( g m g mb )rO g m g mb
Rout {[1 (gm gmb )ro ] RS ro }|| RD
共源共栅级
• 共源共栅级
– Rout大,高增益,屏蔽特性好
Av gm1Rout
Vin1和Vin2是差动相位信号
• 当Vin1和Vin2存在很大的 共模干扰
• 各自的直流电平设置的 不好时, 随着共模电平 VinCM变化, M1 和M2的 偏置电流会变化
简单差动电路
共模电平VinCM变化, M1 和 M2的偏置电流会变化, 导致 跨导和输出共模电平变化 跨导变化会改变小信号增益, 输出共模电平偏离会降低最 大允许输出摆幅, 导致输出端 出现严重失真 应使M1 和M2偏置电流受输 入共模电平的影响尽可能小
输入共模电平对输出的影响
如何减小输入共模电平变化的影响呢?
4.2 基本差动对
Vin1-Vin2 足够负, M1截止, M2导通 Vin1-Vin2 相差不大 时 , M1 和 M2均导通 Vin1-Vin2 足够正, M1导通, M2截止
4.2 基本差动对
Vin1=Vin2 时,小信号增益(即斜率)最大
第四章 差分放大器
差动放大器 Ch.4 # 1
说明
– 知识结构基本完整,有一些“设计”经验后,才能够 对这门课有更好的认识 – 通过对运放的学习,运用和理解前面所学的知识
小信号等效电路
• 很多同学不会画 • 有些先修知识要靠大家课下抽时间去补
MOS管的小信号 模型是基础
MOS管的低频小信 号等效电路
基本差分对的共模特性—Vin,CM
当VP≤Vb-VTN时, M3 工作在线性区,等效 于一个小电阻
VinCMmin
为保证M1和M2饱和, VinCMmin=?, VinCMmax =?
基本差分对的共模输入范围
ISS β = 1( 2)(VinCM - VP - VTN )2 2 2 ISS VinCM = + VP + VTN β 1 ( 2)
基本差分对的共模特性—Vin,CM
• Vin,CM=0, M1,M2截止,Id3=0,Vout1= Vout2=Vdd
• Vin,CM↑Vin,CM> Vth时M1,M2饱和导通, M3等效为电阻, • Vin,CM足够大,M3饱和: Vin,CM≥VGS1+(VGS3-VTH3) • Vin,CM继续变大, M1,M2进入线性区 : Vin,CM≥Vout1+VTH=VDD-RDISS/2+VTH
2ISS 2ISS VGS1 = + VTN ΔVinmax = VGS1 - VGS2 = β β
同理,M1恰好截至,M2上通过的电流恰好为ISS时,此时有:
ΔVinmax
2ISS =β
故允许输入的最大差模电压范围△VID为:
2ISS (这就是电路能处理信号的最大差模电压。) ΔVID = β
例: 若两级运放AI=100, AII=400(即AV=92dB), 假定输出 V0=±10V, 则第二级的输入电压范围(也即第一级的输出 电压摆幅)仅需为: ±10V/400= ±25mV。第一级的小信号 输入范围仅为: ±25mV/100 =250μ V。
基本差分对的定量分析(1)
在左图的电阻负载基本差动对中, 记: △Vin=Vin1-Vin2, 且1= 2= =μ nCOX(W/L) ,假定M1和M2均工作在饱和区,ISS为理想 恒流源,则由平方律关系有:
(M3饱和要求) ISS
VinCMmin
ISS ≥ + Vb β 1(2)
(M1饱和要求)
VX = VDD
ISS R D ≥ VinCM - VTN 2
VinCMmax ≤ VDD