模拟电子技术 基础教案
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云南民族大学教案
课程名称: 模拟电子技术基础
授课班级: 12级电子信息类1班、12
级电子信息类2班、12级网
络工程班、12级电气类1班、
12级电气类2班
任课教师: 王霞
职称: 助教
课程性质: 专业必修课
授课学期:2013-2014学年第一学期云南民族大学教案
云南民族大学教案
八、选用教材和主要参考书:
教材:《模拟电子技术基础简明教程》(第三版),杨素行主编,北京:高等教育出版社,2006年5月第3版。
主要参考书:
[1] 童诗白, 华成英主编. 模拟电子技术基础(第4版) . 北京:高等教育出版社, 2006.
[2] 罗桂娥主编. 模拟电子技术基础(电类). 长沙:中南大学出版社,2005.
九、教学主要内容及教学安排:
1.2 半导体二极管
1.2.1 PN结及其单向导电性
1.PN结中载流子的运动
2. PN结的单向导电性
加正向电压加反向电压
PN结处于正向导通(on)状态,正向等效电阻较小。反向电流非常小,PN结处于截止(cut-off)状态。
结论:PN结具有单向导电性:正向导通,反向截止。
1.2.2二极管的伏安特性
1.二极管的结构
2.二极管的类型
3.二极管的伏安特性
(1)正向特性
(2)反向特性
1.2.3 二极管的主要参数
1.最大整流电流I F
2.最高反向工作电压U R
3.反向电流I R
4.最高工作频率f M
5.势垒电容C b
6.扩散电容C d
二极管单向导电举例1 1.2.4 稳压管
1.PN结反向击穿机理解释
2.稳压管的主要参数
3.稳压管的稳压原理
(1)稳压管必须工作在反向击穿区
(2)稳压管应与负载R L并联,
(3)必须限制流过稳压管的电流I Z
4.举例说明如何选择限流电阻R
补充内容:
二极管的等效电路(或称为等效模型)
1)理想模型:即正向偏置时管压降为0,导通电阻为0;反向偏置时,电流为0,电阻为∞。适用于信号电压远大于二极管压降时的近似分析。
2)简化电路模型:是根据二极管伏安特性曲线近似建立的模型,它用两段直线逼近伏安特性,即正向导通时压降为一个常量Uon;截止时反向电流为0。
3)小信号电路模型:即在微小变化范围内,将二极管近似看成线性器件而将它等效为一个动态电阻r D 。这种模型仅限于用来计算叠加在直流工作点Q上的微小电压或电流变化时的响应。
【教学方法】
利用PPt的图形显示,设计一些动画图形讲解PN结的单向导电原理。
用举例方法介绍二极管单向导电,稳压管的典型应用。
【课堂小结】
本节讲解了PN结的单向导电性,二极管的伏安特性,稳压二极管的性能和稳压原理;
【课堂讨论】
有两个稳压管VD1 和VD2 ,它们的稳压值为U Z1=6V,U Z2=8V,正向导通压降均为U D =0.6V,将它们串联可得到几种稳压值。
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一、讲授章节名称:第一章、半导体器件
§1.3双极结型三极管
二、本章节授课时间:第二周的周二1~2节
授课学时:2学时
三、本章节授课教师姓名:王霞职称:助教
四、本章节教学目标和教学要求:
1、掌握三极管的结构,三极管内部载流子的运动和电流分配关系。
2、熟练掌握三极管的特性曲线和三极管的主要参数。
五、教学重点、难点:
1.3.2 三极管中载流子的运动和电流分配关系
三极管内部载流子的运动过程:
1.发射
在发射结正偏电压作用下,发射区大量电子向基区发射。
2. 复合和扩散
电子在基区中边扩散边复合,因基区掺杂浓度近少,被复合的电子很少,绝大部分扩散到集电极边缘。
3.收集
在集电极反偏压作用下,将扩散过来的电子收集到集电极,成为集电极电流的主要部分。
同时形成反向饱和电流I CBO。
1.3.3 三极管的特性曲线 1. 输入特性
()常数==CE u BE B u f i
2. 输出特性
()常数==B i CE C u f i
(1) 截止区:
I B ≤ 0的区域,I C ≈ 0 ,发射结和集电结都反偏。 (2)放大区:
发射结正偏、集电结反偏ΔI C =βΔI B (3) 饱和区:
发射结和集电结都正偏,U CE 较小,I C 基本不随I B 而变化。当U CE =U BE 时,为临界饱和;当U CE < U BE 时过饱和。
3.晶体管工作在三种不同工作区外部的条件和特点 工作状态 NPN 型
PNP 型
特点 截止状态
E 结、C 结均反偏
E 结、C 结均反偏
I C ≈0
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2.1 放大的概念
放大的本质: 是实现能量的控制。
放大作用: 是小能量对大能量的控制作用。
放大的对象: 是变化量。
放大电路的核心元件: 是双极型三极管和场效应管。
2.2放大电路的主要技术指标
1.放大倍数
2.最大输出幅度
无明显失真的最大输出电压(或电流),一般指电压的有效值,以U om(或I om)表示。
3.非线性失真系数
所有的谐波总量与基波成分之比:
4. 输入电阻
5. 输出电阻
6. 通频带
放大倍数在高频和低频段分别下降至中频放大倍数的0.707倍时所包括的频率范围,用BW表示。