量子级联激光器课件

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高速量子级联激光器集成技术

高速量子级联激光器集成技术

高速量子级联激光器集成技术是一种新型的半导体激光器技术,它基于电子在半导体量子阱中的跃迁和声子辅助共振隧穿原理。

这种技术具有高速、高精度和高可靠性的特点,因此在通信、传感、医疗和军事等领域有着广泛的应用前景。

高速量子级联激光器集成技术的核心是利用量子阱的结构来控制电子的能级和跃迁过程。

通过调整量子阱的厚度和组分,可以改变导带子带的能量间隔,从而实现对出射激光波长的控制。

同时,由于这种激光器是基于单极性光源的原理,因此具有较高的发射功率和较小的体积。

在高速量子级联激光器集成技术的应用中,需要解决的关键问题包括如何提高激光器的调制速度和响应时间、如何减小激光器的体积和重量、如何提高激光器的稳定性和可靠性等。

目前,国内外的研究重点主要集中在材料制备、器件设计和封装工艺等方面。

总的来说,高速量子级联激光器集成技术是一种具有重要应用前景的半导体激光器技术,它将为未来的通信、传感和医疗等领域带来革命性的变化。

随着技术的不断发展和完善,相信这种技术将会在未来得到更广泛的应用和推广。

低功耗量子级联激光器

低功耗量子级联激光器

低功耗量子级联激光器
“低功耗量子级联激光器”是一种能够提供高功率、高效率、稳定、可靠性较高的激光器,它主要应用于激光打印、激光显示、激光量测、激光焊接、激光抛光等工业领域。

它具有低功耗、高产出功率、高可靠性、非常长的有效寿命等优势,能够使激光应用更加稳定可靠,同时节约能源。

量子级联激光器是由两个或两个以上的量子级联组成,在每一量子级联中,激光加热的周期性发生,即激光产生的能量被用于加热样品,从而释放出更多的激光束。

当量子级联激光器运行时,在第一个量子级联元件中,能量的传输将发生,随后在第二个量子级联元件中,这种能量的传输将更加有效。

当所有量子级联元件都处于加热状态,激光就会产生,这样就可以获得安定可靠的激光能量。

低功耗量子级联激光器具有非常高的可靠性,可以在稳定的条件下工作,而且能够节约能源。

此外,由于其功率密度大,能够实现更短的激光工艺时间,使激光加工过程更加高效,因此可以为更多的加工行业提供支持。

低功耗量子级联激光器的典型应用包括激光切割、激光定位、激光穿孔、激光焊接、激光定位等,它们都能够为企业提供更加快速准确的加工方式,大大提高加工效率。

低功耗量子级联激光器由于其优越的性能,在许多领域得到了广泛的应用,包括聚焦技术、可见激光、激光文档复制和打印、激光显示、激光量测、激光焊接、激光抛光等。

其可靠性和可控性使它能够
满足不同行业的性能要求,从而可以起到节约能源的作用。

综上所述,低功耗量子级联激光器是一种新型的激光器,具有低功耗、高产出功率、高可靠性、非常长的有效寿命等优势,能够节约能源,大大提高激光应用的可靠性和效率。

它可广泛应用于各种工业领域,有助于提高企业的生产效率,提升企业可持续发展的能力。

前沿--量子级联激光器的发展研究

前沿--量子级联激光器的发展研究

前沿--量子级联激光器的发展研究自1960 年世界上第一台激光器问世以来,已经成功研制的满足不同需要的激光器有:固体激光器、半导体激光器、气体激光器、液体激光器、自由电子激光器、X 射线激光器、量子阱激光器、量子级联激光器、孤子激光器等。

激光科学技术的发展,不仅形成许多重要的应用,而且还带动了多种学科的发展。

1994 年美国贝尔实验室发明的量子级联激光器(Quantum Cascade Laser QCL)开创了具有基础性、战略性、前瞻性的半导体激光前沿领域。

本文详细介绍了量子级联激光器的工作原理、结构、发展研究等。

1 量子级联激光器的工作原理及基本结构与传统的二极管激光器不同,量子级联激光器由量子半导体结构构成,基于带结构工程学设计且由分子束外延(MBE)技术生长。

它是单极型激光器,只依赖一种载流子,在有外加电场的情况下,利用电子量子隧穿通过由一组耦合量子阱构成的注入区,到达由另一组耦合量子阱构成的有源区,导带激发态子能级电子共振跃迁到基态释放能量,发射光子并隧穿到下一级,成为下一级相似结构的注入电子,这样一级一级传递下去,经过多次的子带间跃迁,使其在光腔中达到激射所需增益,形成激光。

其激射波长取决于半导体异质结构中由量子限制效应决定的两个激发态之间的能量差,而与半导体材料的能隙无关。

因此,量子级联激光器的发明被视为半导体激光理论的一次革命和里程碑。

量子级联激光理论的创立和量子级联激光器的发明使中远红外波段高可靠、高功率和高特征温度半导体激光器的实现成为可能。

如上所述,量子级联激光器的重要技术意义在于其波长。

波长完全取决于量子限制效应,通过调节阱宽可调节激射波长。

用同种异构材料,可跨越从中红外至次千米波区域很宽的一个光谱范围,其中一部分光谱对于二级管激光器是不易获得的。

量子级联激光器利用源于量子限制效应的分立电子状态(图1),相应的能量子带几乎是平行的。

结果导致电子发生辐射跃迁至更低子带(例如从n=3 到n=2),所发射的所有光子有相同的频率υ,能量为hv=E3- E2,这里h 是普朗克常量。

量子点激光器课件

量子点激光器课件
量子点激光器的可靠性主要涉及到其寿命和故障率。由 于量子点材料的缺陷和杂质,以及激光器运行过程中产 生的热量和光子辐射等效应,会导致激光器的性能逐渐 下降,甚至发生故障。因此,需要研发具有高稳定性和 可靠性的量子点材料,并优化激光器设计,降低其故障率。
量子点激光器的可扩展性及集成问题
可扩展性
量子点激光器的可扩展性是其未来发展的关键问题之 一。目前,量子点激光器的尺寸和功率都相对较小, 难以满足大规模、高功率的应用需求。因此,需要研 发具有更大尺寸和更高功率的量子点激光器,并实现 其可扩展性。
生物医学成像
基于量子点激光器的生物医学成像技术
量子点激光器可以作为激发源,用于荧光探针标记,实现高分辨率、高灵敏度的 生物医学成像。
量子点激光器在光学分子成像中的应用
量子点激光器可以提供稳定、高效的激发光源,有助于推动光学分子成像技术的 发展。
光谱学与传感
基于量子点激光器的光谱学研究
量子点激光器具有宽光谱范围和窄线宽特性,可用于光谱学研究,如高分辨率 光谱测量和量子频率转换等。
05
量子点激光器面临的挑战 与未来发展方向
量子点激光器的稳定性与可靠性问题
稳定性问题
量子点激光器的稳定性主要受到温度、湿度、压力等环 境因素的影响,这些因素会导致量子点尺寸的变化,进 而影响激光器的性能。为了提高量子点激光器的稳定性, 需要采取恒温、恒湿、真空封装等措施来控制环境因素 的变化。
可靠性问题
量子点激光器课件
• 量子点激光器概述 • 量子点激光器的种类和特点 • 量子点激光器的应用领域 • 量子点激光器的研究进展 • 量子点激光器面临的挑战与未来发展方向 • 量子点激光器实验技术介绍
01
量子点激光器概述

量子级联激光器

量子级联激光器

这种激发器的光子产生依赖于电 区被激发了的电子)
子 级 量 子 阱
注入区(作用是冷却上一个激发
子能级在耦合量子阱中的台阶分
布,当电子从一个高能级量子阱
跃迁入另一个低能级量子阱中将
产生一个光子。 激发区:3个量子阱
PART THREE
研究现状
PART THREE 研究现状
主要问题
量子在穿越不同量子阱界面时, QCL性能受量子阱界面缺陷、 粗糙散射影响,同时由于处于 不同量子阱,导致产生跃迁的 上下能级波函数叠加较少,降
量子级联 激光器
量子级联激光器
(quantum cascade
lasers, QCLs)是基于电 子在半导体量子阱中导
带子带间跃迁和声子辅
助共振隧穿原理的新型 单极半导体器件。
CONTENTS
1
2 3 4
基本概念 结构分析 研究现状 前景应用
PART ONE
基本概念
PART ONE 概述
普通半导体激光器由于受到化学结构的制约,使其大约以相 当于导带价带差的能量向外辐射光,因此不能发射中远红外范 围的光。而于1994年,美国贝尔实验室发明的量子级联激光器
检测应用领域
主要应用方面
THANK YOU FOR WATCHING
感谢聆听
由于其在中长红外光方面的表现,而开创了创新的半导体激光
前沿领域。
结构 是一种多层的量子阱结构,每层结 构包括一个注入区和一个激发区, 其中激发区为三个耦合量子阱。 原理
与半导体激光器不同,是一种单
极型激光器,只依赖一种载流子。
PART TWO
结构分析
PART TWO 基本结构 QCL受激辐射过程只有电子参与,其发光波长由半导体能隙来决定。

太赫兹量子级联激光器原理

太赫兹量子级联激光器原理

太赫兹量子级联激光器原理
太赫兹量子级联激光器(THz-QCL)是一种基于半导体材料
原理的激光器,用于发射太赫兹频率的电磁辐射。

THz-QCL的工作原理可以简要描述如下:
1. 基于量子级联效应(quantum cascade effect),在激光器的
半导体晶体中,通过多层次的量子阱结构(quantum well structure)组成。

这些量子阱结构相互堆叠,每个结构都包含
与特定频率相对应的能带(band)。

2. 将电流通过半导体晶体,将电子注入到量子阱结构中。

在量子阱结构中,通过能带间的跃迁过程,电子会释放出能量并跃迁到低能带。

3. 在这个能带跃迁的过程中,电子会产生太赫兹频率的辐射。

这种辐射的频率取决于量子级联激光器的设计和结构。

4. 反射镜和光学腔(optical cavity)在半导体晶体的两端形成,使得光线在腔内来回传播,增强和放大了太赫兹辐射。

5. 当辐射受到足够的放大并达到临界值时,即可形成激光束。

这个临界值由激光器的电流和设计参数决定。

总的来说,太赫兹量子级联激光器通过量子结构、能带跃迁和光学腔等原理,实现了太赫兹频率的激光输出。

由于其在太赫兹频段的应用潜力,太赫兹量子级联激光器在无线通信、成像、生物医学和安防等领域有着广泛的研究和应用前景。

量子级联激光器的原理及主要应用简述讲解

量子级联激光器的原理及主要应用简述讲解

量子级联激光器的原理及主要应用简述文:邓庆通,上海昊量光电设备有限公司技术工程师量子级联激光器的工作原理与通常的半导体激光器截然不同,它打破了传统 p-n 结型半导体激光器的电子 -空穴复合受激辐射机制,其发光波长由半导体能隙来决定。

QCL 受激辐射过程只有电子参与, 其激射方案是利用在半导体异质结薄层内由量子限制效应引起的分离电子态之间产生粒子数反转, 从而实现单电子注入的多光子输出, 并且可以轻松得通过改变量子阱层的厚度来改变发光波长。

量子级联激光器比其它激光器的优势在于它的级联过程, 电子从高能级跳跃到低能级过程中, 不但没有损失,还可以注入到下一个过程再次发光。

这个级联过程使这些电子“循环”起来, 从而造就了一种令人惊叹的激光器。

因此, 量子级联激光器的发明被视为半导体激光理论的一次革命和里程碑。

量子级联激光器的特点量子级联激光理论的创立和量子级联激光器的发明使中远红外波段高可靠、高功率和高特征温度半导体激光器的实现成为可能。

一般而言, 量子级联激光器系统包括量子级联激光模块, 控制模块以及接口模块。

量子级联激光器从结构上来说,可以分为分布反馈(Distributed Feedback QCL , F-P (Fabry-Perot QCL 和外腔(External Cavity QCL 。

量子级联激光器由于其独特的设计原理使其具有如下的独特优势:1:可以提供超宽的光谱范围(mid IR to THz 。

2:极好的波长可调谐性。

3:很高的输出功率,同时也可以工作在室温环境下。

目前国际上已研制出3.6~19μm 中远红外量子级联激光器系统。

随着技术的进步,目前量子级联激光器不但能以脉冲的方式工作,而且可以在连续工作的方式输出大功率激光。

激光模块将 QC 激光器装进一个气密性封装内,最大限度的保护了激光器的性能和寿命。

量子级联激光器的分类:QC 激光器的基本结构包括 FP-QCL (上图、 DFB-QCL (中图和 ECqcL (下图。

量子点和量子点激光器ppt课件

量子点和量子点激光器ppt课件

以光束或电
子束直接在
基材上蚀刻
制作出所要
之图案,由
于相当费时
因而无法大
量生产。
以GaAs基材蚀刻窄圆柱式量子点<br> 之SEM影像,水 平线条约0.5微米
4.分闸法(splitgate approach): 以外加电压的方式 在二维量子井平面 上产生二维侷限, 可控制闸极(Gate) 改变量子点的形状 与大小,适合用于 学术研究,但无法 大量生产。
以分闸法产生GaAs/AlGaAs量子点之SEM影像
• 量子点的用途相当广泛,例如:可用于蓝光 雷射、光感测元件、单电子电晶体(single electron transistor, SET)、记忆储存、触 媒以及量子计算(quantum computing)等, 在医疗上更利用各种发光波长不同的量子点 制成萤光标签,成为生物检测用的「纳米条 码」。
能态计算
对于不同维度的电子体系,许多独特的光学性质 来源于它们的态密度。态密度是指单位体积在 能量E附近单位能量间隔内的电子态数。每一 个量子态可被自旋向上和向下的两个电子所占 据。半导体激光器从三维到二维、再到一维、 零维,这种不断发展变化的内因在于不同维度材 料的态密度不同,从而激光器的性能不断改善。
vapor deposition) 制程,并利用晶格 不匹配(lattice mismatch)的原理, 使量子点在特定基 材表面自聚生长, 可大量生产排列规 则的量子点。
在GaAs基材上以自组成法生 长 InAs量子点的STM影像(取自Ref.2)
3.微影蚀刻法
(lithography
and
etching):
• 量子点是目前理论上与实验上的热门研究题 目,世界各国无不积极投入研究,主要领先 的有美国、日本、欧盟及俄罗斯等,台湾也 正在急起直追中。

可调量子级联激光器

可调量子级联激光器

量子级联激光器(Quantum Cascade Laser)是一种特殊的半导体激光器,能够发射中红外和远红外频段的激光。

与传统的p-n结型半导体激光器不同,量子级联激光器的电子-空穴复合受激辐射机制只有电子参与,激射波长的选择可通过有源区的势阱和势垒的能带裁剪实现。

这种激光器基于子带间电子跃迁的中红外波段单极光源,其工作原理与通常的半导体激光器截然不同。

其有源区由耦合量子阱的多级串接组成(通常大于500层),从而实现单电子注入的多光子输出。

量子级联激光器的出现开创了利用宽带隙材料研制中、远红外半导体激光器的先河,在中、远红外半导体激光器的发展史上树立了新的里程碑。

这种激光器的优势在于灵敏度高、检测速度快等,因此在气体检测领域得到了迅速推广。

以上信息仅供参考,如果您想了解更多专业信息,建议查阅相关的文献资料或咨询相关科研人员。

量子理论激光.ppt

量子理论激光.ppt

由驻波条件知 往返光程
2nL kk ( k=1、2、3、….)
n —谐振腔内工作物质的折射率
k—真空中的波长
k
2nL k
k=1 k=2
k=3 L
可以存在的纵模频率为
k
c
k
k c 2nL
相邻两个纵模频率的间隔为
k
c 2nL
数量级估计:
L~ 1 m n ~ 1.0 c = 3108 ms
k
c 2nL
I( 0 )
I ( 0 )
I( 0 )
2
0
例如Ne原子的0.6328 m谱线的频率宽度为
1.3 10 9 Hz
8
c
310
6 510 Hz
14
0.632810
Δ
1.3109 5 1 014
3106
而为什么He—Ne激光器输出激光的
Δ 会小到10 - 15 呢?
原因: 光在谐振腔两端来回反射要产生干涉
1.激活介质: 有合适的能级结构 能实现粒子数反转
2.激励能源: 使原子激发 维持粒子数反转
3.光学谐振腔: 保证光放大 使激光有良好的方向性和 单色性
四、 激光的特点 1.相干性极好 •时间相干性好
相干长度可达几十公里
•空间相干性好 激光波面上各个点可以 做到都是相干的(如基横模)
2.方向性极好
第一节 激 光
激光又名莱塞 (Laser) 全名是 “辐射的受激发射光放大”
(Light amplification by stimulated emission of radiation)
世界上第一台激光器诞生于1960年 1954年制成了受激发射的微波放大器 ——梅塞(Maser) 它们的基本原理都是基于1916年爱因斯坦 提出的受激辐射理论

量子级联激光器ppt课件

量子级联激光器ppt课件
4
5
子级量子阱
注入区 激发区
注入区的作用是冷却上 一个激发区被加速了的 电子
三个量子阱
6
与传统半导体激光器不同,量子级联激光器 是一种单极型激光器,只依赖一种载流子。在有 外加电场的情况下,利用电子量子隧穿通过由一 组耦合量子阱构成的注入区,到达由另一组耦合 量子阱构成的有源区,导带激发态子能级电子共 振跃迁到基态释放能量,发射光子并隧穿到下一 级,成为下一级相似结构的注入电子。
主要解决方法:
采用垂直跃迁有源区结构
11
耦合三量子阱垂直跃迁有源区结构
结构特点:
受激辐射跃 迁过程的上下能 级在同一个量子 阱中,使得电子 的跃迁几率得到 了提高,从而使 QCL 获 得 更 大 的 增益。
12
1997年贝尔实验室提出超晶格有源区结构,电子 在超晶格形成的微带中辐射跃迁产生,利用电子 在微带内的快速弛豫实现粒子数反转。与量子阱 有源区比较,超晶格有源区可承受更大的驱动电 流,从而可获得大的输出光功率;
7
如上图所示,活跃区能带呈现阶梯状。粒子 数反转在n=3和n=2激发态间形成。
8
9
大气通信 应用领域
痕量气体 检测应用
领域
非侵入式医 学诊断与红 外成像领域
主要应用方向
10
主要问题之一:
电子在穿越不同量子阱界面时。QCL性能受到量子阱界面缺陷、 粗糙散射影响,同时由于处于不同量子阱,导致产生跃迁的上下能 级波函数叠加较少,降低了受激跃迁的几率。
1
1.量子级联激光器概述 2.量子级联激光器基本结构与工作原理 3.量子级联激光器材料研发 4.量子级联激光器相关应用 5.量子级联激光器存在问题及解决方法 6.量子级联激光器未来展望

低功耗量子级联激光器

低功耗量子级联激光器

低功耗量子级联激光器随着21世纪科技的发展,低功耗量子级联激光器的发展也变得日趋重要。

量子级联激光器(QCL)是一种新型的可用于实现低功率应用的激光器,它拥有高可靠性和高峰值功率,可以满足高速大容量传输系统的性能要求。

低功耗量子级联激光器的发展是当今光通信技术的重要研究方向。

QCLs吸收电化学过程中的热量,进而激发发光的原子能级,从而使光的能量得以发射出来。

低功耗量子级联激光器的出现使得低功耗激光通信技术变得可能。

低功耗量子级联激光器有许多优点,例如高功率、高效率、高速传输等,可以有效提升光通信技术的效率和可靠性。

例如,它可以同时承载多路信号,可以实现高效率多路传输,从而提高系统的容量。

低功耗量子级联激光器还比传统的激光通信技术更加稳定,可以提供更高的穿墙性能,耐受更大的幅值抖动和更高的温度变化,因此可以实现更高稳定性的通信。

低功耗量子级联激光器的研究也带来了许多挑战。

首先,它们很容易受到环境温度变化的影响,因此,如何提供稳定性与高可靠性是一个重要的技术挑战。

其次,由于低功耗量子级联激光器的输出功率和效率都较低,如何有效地提高其性能也是一个关键问题。

低功耗量子级联激光器的发展具有重要的意义,它可以在很大程度上改善现有的光通信技术,以满足未来对高效率高速通信的需求。

目前,研究者正在致力于研发出更有效、更可靠的低功耗量子级联激光器,以期满足未来光通信应用的需求。

综上所述,低功耗量子级联激光器在21世纪科技发展中占据重要地位,它的出现使得低功率应用得以实现,拥有高可靠性和高峰值功率,可以满足高速大容量传输系统的性能要求。

低功耗量子级联激光器同时存在着一些挑战,例如,它们对环境温度变化的敏感性,输出功率和效率低等问题,研究人员也正在努力研发出更有效、更可靠的低功耗量子级联激光器,以期满足未来光通信应用的需求。

太赫兹;半导体激光器;量子级联激光器;波导

太赫兹;半导体激光器;量子级联激光器;波导

太赫兹;半导体激光器;量子级联激光器;波导摘要:1.太赫兹技术简介2.半导体激光器的特点与应用3.量子级联激光器的工作原理与优势4.波导在太赫兹技术中的应用5.我国在太赫兹技术研究方面的发展与成果正文:1.太赫兹技术简介太赫兹技术,又称为亚毫米波技术或太赫兹波技术,是指工作在0.1THz 到10THz 频率范围内的无线电波技术。

太赫兹波位于红外线和微波之间,具有穿透力强、能量低、传输速度快等特点,被认为是未来光子学和电子学的重要发展方向。

在众多应用领域中,半导体激光器和量子级联激光器是太赫兹技术的重要组成部分,而波导则扮演着光子传输的重要角色。

2.半导体激光器的特点与应用半导体激光器是一种常见的激光器类型,具有体积小、效率高、光束质量好、寿命长等特点。

它通过电子和空穴的复合释放能量,从而产生激光。

半导体激光器广泛应用于光通信、光存储、激光雷达、生物医学等领域。

在太赫兹技术中,半导体激光器作为光源,为太赫兹波的生成和传输提供了基础。

3.量子级联激光器的工作原理与优势量子级联激光器(QCL)是一种半导体激光器,其工作原理是通过电子和空穴在量子阱中反复隧穿产生激光。

与传统半导体激光器相比,量子级联激光器具有更低的阈值电流、更高的输出功率、更小的体积等优势。

在太赫兹技术中,量子级联激光器由于其优越的性能,被广泛应用于太赫兹波的生成和放大。

4.波导在太赫兹技术中的应用波导是一种光波传输的器件,可以将光波限制在一定的空间范围内,并沿着特定的路径传输。

在太赫兹技术中,波导主要应用于太赫兹波的传输和调制。

波导可分为多种类型,如金属波导、光纤波导、液晶波导等,各种波导材料和结构在不同的应用场景下均具有独特的优势。

5.我国在太赫兹技术研究方面的发展与成果我国在太赫兹技术研究方面取得了显著的成果。

我国科研人员在太赫兹波的生成、传输、检测等方面进行了深入研究,并成功研制出一系列具有国际竞争力的太赫兹器件。

此外,我国政府也高度重视太赫兹技术的发展,将其列为国家重点支持的研发领域。

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如上图所示,活跃区能带呈现阶梯状。粒 子数反转在n=3和n=2激发态间形成。
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2019/7/1
大气通信 应用领域
痕量气体 检测应用
领域
非侵入式医 学诊断与红 外不同量子阱界面时。QCL性能受到量子阱界面缺陷、 粗糙散射影响,同时由于处于不同量子阱,导致产生跃迁的上下能 级波函数叠加较少,降低了受激跃迁的几率。
主要解决方法:
采用垂直跃迁有源区结构
耦合三量子阱垂直跃迁有源区结构
结构特点:
受激辐射跃 迁过程的上下能 级在同一个量子 阱中,使得电子 的跃迁几率得到 了提高,从而使 QCL 获 得 更 大 的 增益。
1997年贝尔实验室提出超晶格有源区结构,电 子在超晶格形成的微带中辐射跃迁产生,利用电 子在微带内的快速弛豫实现粒子数反转。与量子 阱有源区比较,超晶格有源区可承受更大的驱动 电流,从而可获得大的输出光功率;
主要解决方法:
综上所述QCL相对于一般半导体激光器具有以下特点:
SUCCESS
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2019/7/1
子级量子阱
注入区 激发区
注入区的作用是冷却上 一个激发区被加速了的 电子
三个量子阱
与传统半导体激光器不同,量子级联激光器 是一种单极型激光器,只依赖一种载流子。在有 外加电场的情况下,利用电子量子隧穿通过由一 组耦合量子阱构成的注入区,到达由另一组耦合 量子阱构成的有源区,导带激发态子能级电子共 振跃迁到基态释放能量,发射光子并隧穿到下一 级,成为下一级相似结构的注入电子。
量子级联激光器是一种多层的量子阱结构, 每一层结构包括一个注入区和一个激发区,其中 激发区为三个耦合量子阱。这种激光器的光子产 生依赖于电子能级在耦合量子阱中的台阶分布。 当电子从一个高能级量子阱跃迁入另一个低能级 量子阱中时将产生一个光子。从发光机理上看, 这是一种新型激光器,因为其并不像普通激光二 极管那样依赖电子与空穴的符合产生光子。
2001年Faist小组分析了量子阱有源区结 构具有高注入效率的优势,但电子隧穿时间长、 排空速度慢,而超晶格有源区结构则具有微带排 空时间极快的优势,提出了由束缚态到连续态跃 迁的新思路。
主要问题之二:
QCL器件供作有源区由 数百层纳米外延层组

器件有源区热损耗 较大
量子阱界面面功率较 高
器件工作效率较低
1.量子级联激光器概述 2.量子级联激光器基本结构与工作原理 3.量子级联激光器材料研发 4.量子级联激光器相关应用 5.量子级联激光器存在问题及解决方法 6.量子级联激光器未来展望
普通半导体激光器由于受到化学结构的制 约,使其大约以相当于导带价带差的能量向外辐 射光,因此不能发射中远红外范围的光。而于 1994 年 , 美 国 贝 尔 实 验 室 发 明 的 以 GaInAs/AlInAs作为量子阱材料的量子级联激光 器(Quantum Cascade Laser QCL)由于其在中红 外光方面的表现而开创了具有基础性、战略性、 前瞻性的半导体激光前沿领域。
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