APM4835KC-TR中文资料

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APM4435KC-TRL中文资料

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ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.APM4435KFeaturesApplications• Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Powered SystemsPin DescriptionOrdering and Marking InformationP-Channel MOSFETAPM4435Handling Code Temp. Range Package CodePackage Code K : SOP-8Operating Junction Temp. Range C : -55 to 150C Handling CodeTR : Tape & Reel Lead Free CodeL : Lead Free Device Blank : Original Device APM4435 K :XXXXX - Date CodeLead Free Code APM4435XXXXX• -30V/-8A ,RDS(ON)=16m Ω(typ.) @ VGS =-10VRDS(ON)=24m Ω(typ.) @ V GS =-4.5V• Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • SOP-8 Package•Lead Free Available (RoHS Compliant)Top View of SOP − 8G(4)(1, 2, 3)(5, 6, 7, 8)Note: ANPEC lead-free products contain molding compounds/die attach materials and 100% matte in plate termina-tion finish; which are fully compliant with RoHS and compatible with both SnPb and lead-free soldiering operations.ANPEC lead-free products meet or exceed the lead-free requirements of IPC/JEDEC J STD-020C for MSL classifica-tion at lead-free peak reflow temperature.APM4435KAbsolute Maximum Ratings (TA= 25°C unless otherwise noted)Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)*Surface Mounted on 1in2 pad area, t ≤ 10sec.APM4435KElectrical Characteristics (Cont.) (T= 25°C unless otherwise noted)Aa : Pulse test ; pulse width≤300µs, duty cycle≤2%.b : Guaranteed by design, not subject to production testing.APM4435K1E-41E-30.010.1110301E-30.010.112Typical Characteristics-I D - D r a i n C u r r e n t (A )Drain CurrentT j - Junction Temperature (°C)Safe Operation Area-V DS - Drain - Source Voltage (V)Thermal Transient ImpedanceSquare Wave Pulse Duration (sec)Power DissipationP t o t - P o w e r (W )T j - Junction Temperature (°C)-I D - D r a i n C u r r e n t (A )204060801001201401600.00.51.01.52.02.5204060801001201401602468100.010.11101000.010.1110100N o r m a l i z e d T r a n s i en t T h e r m a l R e s i s t a n c e012345-50-250255075100125150 -V GS - Gate - Source Voltage (V)T j - Junction Temperature (°C)APM4435K-V DS - Drain - Source Voltage (V)Drain-Source On ResistanceN o r m a l i z e dO n R e s i s t a n c e T j - Junction Temperature (°C)C - C a p a c i t a n c e (p F )-V SD - Source - Drain Voltage (V)-I S - S o u r c e C u r r e n t (A )CapacitanceGate ChargeQ G - Gate Charge (nC)-V G S - G a t e -s o u r c e V o l t a g e (V )Typical Characteristics (Cont.)-50-252550751001251500.000.250.500.751.001.251.501.752.000.1110305101520253005001000150020002500300035004000450050005101520253035404550APM4435KPackaging InformationSOP-8 pin ( Reference JEDEC Registration MS-012)APM4435KT LT P25T e m p e r a t u r eTimeReflow Condition (IR/Convection or VPR Reflow)Classification Reflow ProfilesPhysical SpecificationsAPM4435KCarrier Tape & Reel DimensionsReliability Test ProgramClassification Reflow Profiles(Cont.)APM4435KCover Tape DimensionsCarrier Tape & Reel Dimensions(Cont.)(mm)Customer ServiceAnpec Electronics Corp.Head Office :No.6, Dusing 1st Road, SBIP,Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.Tel : 886-3-5642000Fax : 886-3-5642050Taipei Branch :7F, No. 137, Lane 235, Pac Chiao Rd.,Hsin Tien City, Taipei Hsien, Taiwan, R. O. C.Tel : 886-2-89191368Fax : 886-2-89191369。

APM中文参数表for ArduCopter固件

APM中文参数表for ArduCopter固件

APM使用Copter(直升机和多轴)固件的中文参数表翻译:风迅电子-冷枫校对:Jothen 命令值单位选项说明ACRO_BAL_PITCH10 -- 3设置ACRO比率飞行模式时俯仰角返回水平的比率ACRO_BAL_ROLL10 -- 3设置ACRO比率飞行模式时横滚角返回水平的比率ACRO_RP_P 4.5 1 -- 10设置ACRO或者SPORT飞行模式时,俯仰与横滚动作的P值,值越高,动作相应越快ACRO_TRAINER20,1,2ACRO_YAW_P 4.5 1 -- 10设置ACRO或者SPORT飞行模式时,偏航动作的P值,值越高,动作相应越快AHRS_COMP_BETA0.10.001 -- 0.5设置AHRS航姿系统融合GPS数据计算地面速度的常数,试用值0.1,值越大,对GPS的依赖越少,会更多依赖空速传感器,值少反之AHRS_GPS_DELAY2AHRS_GPS_GAIN10.0 -- 1.0设置AHRS航姿系统对GPS的依存值,不能为0,一般飞机用默认或者1.0AHRS_GPS_MINSATS60 -- 10AHRS航姿系统中,GPS起作用的最小搜星数量,默认6颗,低于6颗,航姿系统中的GPS不起作用AHRS_GPS-USE10,1AHRS航姿系统的GPS开关,0:关闭,1;开启AHRS_ORIENTATION00 -- 37AHRS航姿系统中,飞快安装方向与标准方向的偏转矫正,0-无,1-偏航45度,2-偏航90度,…………37-横滚90度+偏航270度AHRS_RP_P0.10.1 -- 0.4加速度计对AHRS姿态控制的P值AHRS_TRIM_X0.01度-10 -- 10AHRS系统中,对飞控主板与机架的X轴向(横滚)角度偏差进行补偿AHRS_TRIM_Y-0.005度-10 -- 10AHRS系统中,对飞控主板与机架的Y轴向(俯仰)角度偏差进行补偿AHRS_TRIM_X0度-10 -- 10不用AHRS_WIND-MAX0米/秒0 -- 127设置风速的最大值,即空速与地速的速差,如果为0,则始终以空速作为参考AHRS_YAW_P0.10.1 -- 0.4罗盘或GPS对AHRS航姿系统中航向控制的P值ANGLE_MAX4500限制所有飞行模式中飞机的最大倾斜角ANGLE_RATE_MAX18000限制倾斜角速率ARMING_CHECK10,1解锁前自检开关,包括遥控接收信号检查、加速度计检查、罗盘检查。

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ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.Pin DescriptionOrdering and Marking InformationFeaturesApplications• Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Powered SystemsSO − 8• -30V/-8A, R DS(ON) = 16m Ω(typ.) @ V GS = -10VR DS(ON) = 24m Ω(typ.) @ V GS = -4.5V• Super High Density Cell Design • Reliable and Rugged • SO-8 Package*Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C unless otherwise noted)S S S GDD D D P-Channel MOSFETGA P M 4835H a n d lin g C o d e T e m p. R a n g e P a c k a g e C o d eP a c k a g e C o d e K : S O -8O p e ra tio n J u n c tio n T e m p. R a n g e C : -55 to 150°C H a n d lin g C o d e T U : T u b eT R : T a p e & R e e lA P M 4835A P M 4835X X X X XX X X X X - D a te C o d eElectrical Characteristics (T A =25°C unless otherwise noted)Absolute Maximum Ratings (Cont.) (T A = 25°C unless otherwise noted)Notesa : Guaranteed by design, not subject to production testing b: Pulse test ; pulse width ≤ 500µs, duty cycle ≤ 2%0123451020304050Typical Characteristics-I D -D r a i n C u r r e n t (A )Transfer Characteristics-V GS - Gate-to-Source Voltage (V)-50-250255075100125150Threshold Voltage vs. Junction T emperatureTj - Junction T emperature (°C)-V G S (t h )-T h r e s h o l d V o l t a g e (V )(N o r m a l i ze d )010********0.000.010.020.030.040.05On-Resistance vs. Drain Current-I D - Drain Current (A)R D S (o n )-O n -R e s i s t a n c e (Ω)02468101020304050Output Characteristics-I D -D r a i n C u r r e n t (A )-V DS - Drain-to-Source Voltage (V)246810Typical Characteristics (Cont.)-V GS - Gate-to-Source Voltage (V)R D S (o n )-O n -R e s i s t a n c e (Ω)On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage-50-2502550751001251500.60.81.01.21.41.61.8R D S (o n )-O n -R e s i s t a n c e (Ω)(N o r m a l i z e d )On-Resistance vs. Junction TemperatureT J - Junction T emperature (°C)06121824309001800270036004500-V DS - Drain-to-Source Voltage (V)CapacitanceC a p a c i t a n c e (p F )010********Gate ChargeQ G - Gate Charge (nC)-V G S -G a t e -S o u r c e V o l t a g e (V )1E-41E-30.010.11100.010.110.010.1110020406080100Typical Characteristics (Cont.)Single Pulse PowerTime (sec)Square Wave Pulse Duration (sec)N o r m a l i z e d E f f e c t i v e T r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d a n c eNormalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient0.00.20.40.60.8 1.0 1.2 1.40.110P o w e r (W )Source-Drain Diode Forward Voltage-V SD -Source-to-Drain Voltage (V )-I S -S o u r c e C u r r e n t (Α)Packaging InformationSOP-8 pin ( Reference JEDEC Registration MS-012)Reflow Condition (IR/Convection or VPR Reflow)Physical SpecificationsPre-heat temperature183 CPeak temperatureTime°t e m p e r a t u r eClassification Reflow ProfilesPackage Reflow ConditionsReliability test programCover Tape DimensionsCustomer ServiceAnpec Electronics Corp.Head Office :5F, No. 2 Li-Hsin Road, SBIP,Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.T el : 886-3-5642000Fax : 886-3-5642050Taipei Branch :7F, No. 137, Lane 235, Pac Chiao Rd.,Hsin Tien City, Taipei Hsien, Taiwan, R. O. C.T el : 886-2-89191368Fax : 886-2-89191369。

美国OK烙铁头系列烙铁头分类和型号大全

美国OK烙铁头系列烙铁头分类和型号大全

美国OK烙铁头系列烙铁头分类和型号大全STTC系列无铅烙铁头STTC-017;STTC-022;STTC-025;STTC-026;STTC-036;STTC-037;STTC-038;STTC-040;STTC-045;STTC-101;STTC-102;STTC-103;STTC-104;STTC-105;STTC-106;STTC-107;STTC-111;STTC-112;STTC-113;STTC-114;STTC-115;STTC-116;STTC-117;STTC-120;STTC-122;STTC-124;STTC-125;STTC-126;STTC-131;STTC-132;STTC-133;STTC-135;STTC-136;STTC-137;STTC-138;STTC-140;STTC-141;STTC-142;STTC-145;STTC-165;STTC-198;STTC-199;STTC-817;STTC-836;STTC-837;STTC-838TATC系列无铅烙铁头TATC-501;TATC-502;TATC-503;TATC-504;TATC-505;TATC-506;TATC-508;TATC-601;TATC-602;TATC-603;TATC-604;TATC-605;TATC-606;TATC-608SMTC系列无铅烙铁头SMTC-001;SMTC-002;SMTC-003;SMTC-004;SMTC-005;SMTC-006;SMTC-011;SMTC-012;SMTC-014;SMTC-0140;SMTC-0142;SMTC-0144;SMTC-0145;SMTC-0147;SMTC-0161;SMTC-0162;SMTC-0167;SMTC-0170;SMTC-060;SMTC-061;SMTC-062;SMTC-104;SMTC-105;SMTC-106;SMTC-107;SMTC-112;SMTC-1120;SMTC-1121;SMTC-1122;SMTC-113;SMTC-114;SMTC-1142;SMTC-1147;SMTC-115;SMTC-116;SMTC-1161;SMTC-1162;SMTC-1167;SMTC-117;SMTC-1170;SMTC-1171;SMTC-1172;SMTC-120;SMTC-121;SMTC-140;SMTC-147;SMTC-160;SMTC-161;SMTC-162;SMTC-860;SMTC-861;SMTC-862SSC系列无铅烙铁头SSC-601A;SSC-613A;SSC-622A;SSC-625A;SSC-626A;SSC-636A;SSC-637A;SSC-638A;SSC-639A;SSC-642A;SSC-645A;SSC-646A;SSC-647A;SSC-661A;SSC-667A;SSC-670A;SSC-671A;SSC-672A;SSC-674A;SSC-717A;SSC-722A;SSC-725A;SSC-726A;SSC-736A;SSC-737A;SSC-738A;SSC-739A;SSC-742A;SSC-745A;SSC-746A;SSC-747A;SSC-754A;SSC-761A;SSC-767A;SSC-770A;SSC-771A;SSC-772A;SSC-773A;SSC-774A;SSC-790A;SSC-7006PPHT系列无铅烙铁头PHT-750315;PHT-750325;PHT-750326;PHT-750335;PHT-751355;PHT-751367;PHT-752017;PHT-752057;PHT-753035;PHT-753067;PHT-754467;PHT-754467F;PHT-754487;PHT-754487F;PHT-754497;PHT-754497F;PHT-754607;PHT-754617;PHT-754627;PHT-754627F;PHT-754667;PHT-754687;PHT-754697;PHT-755437;PHT-755457;PHT-755477SXV系列无铅烙铁头SFV-CH10;SFV-CH20;SFV-CH25;SFV-CH50;SFV-CHB15;SFV-CN05;SFV-CNB05;SFV-CNL04;SFV-CNL10;SFV-CNL14;SFV-CNL20;SFV-DRH20;SFV-DRK50;SFV-DRK50S;STV-CH10;STV-CH20;STV-CH25;STV-CH50;STV-CHB15;STV-CN05;STV-CNB05;STV-CNL04;STV-CNL10;STV-CNL14;STV-CNL20;STV-DRH20;STV-DRK50;STV-DRK50S;SFV-CN05A;SFV-CNL10A;SFV-CH50A;SFV-CH25A;SFV-CH18A;SFV-CH15A;SFV-CNB04A;SFV-DRH430A;SFV-CHL03A;SFV-DRH630AXXP系列无铅烙铁头DFP-CN2;DFP-CN4;DFP-CN6;DFP-CN7;DFP-CNL4;RFP-BL1;RFP-BL3;RFP-DL1;RFP-DL2;RFP-SL1;RFP-SL2;SFP-BVL10;SFP-CH10;SFP-CH15;SFP-CH20;SFP-CH25;SFP-CH50;SFP-CHB15;SFP-CHL20;SFP-CN04;SFP-CN05;SFP-CNB04;SFP-CNB05;SFP-CNL04;SFP-DRH05;SFP-DRH15;STP-CH10;STP-CH15;STP-CH20;STP-CH25;STP-CHB15;STP-CHL20;STP-CN04;STP-CN05;STP-CNB05;STP-DRH05;STP-DRH15;STP-DRH35;TFP-BLH3;TFP-BLH4;TFP-BLH5;TFP-BLH6;TFP-BLH7;TFP-BLP1;TFP-BLP2;TTP-BLH3;TTP-BLH4;TTP-BLH5;TTP-BLH6;TTP-BLH7;TTP-BLP1;TTP-BLP2;TTP-CNP1。

【 产品说明书】2.45G远距离有源射频卡使用说明书

【 产品说明书】2.45G远距离有源射频卡使用说明书

2.4G系列远距离有源射频卡说明书2.4G系列有源(125K触发半有源)射频卡性能一览表:型号产品照片产品特点机械参数电气参数射频参数距离参数电池更换方法2.4G主动式标准型FT-A (1)能够实现三卡合一,电池更换简单(mifare+ID+2.4G)(2)外形兼容125K触发2.45G半有源门禁型电子标签体积:82×55×5mm重量:约25g工作温度:-20~+70℃复合ID卡后工作温度:-20~+70℃工作电压:DC2.0V~3.3V平均工作电流:≤6uA发射频率:1.0S(可选)ESD等级:±30KV工作频率范围:2.45GHz通信速率:2Mbps30米~150米之间连续可调FT-A-20约5~30米FT-A-40约30~150米FT-A-60约150~200米FT-A-100约200~300米配合远距离全方向RS485接口智能读卡器:滑动电池座取出电池进行更换即可;125K触发2.4G型超薄涉密资产式FT-E (1)标签超薄;(2)能够和IC或者ID复合,整卡密封。

(3)外形兼容125K触发2.45G半有源门禁型电子标签体积:80×54×3.8mm重量:约25g工作温度:-20~+70℃复合ID卡后工作温度:-20~+70℃工作电压:DC2.0V~3.3V平均工作电流:≤6uA发射频率:1.0S(可选)ESD等级:±30KV工作频率范围:2.45GHz通信速率:2Mbps30米~150米之间连续可调半有源参数:1、工作频率:125KHz 1KHz2、调制方式:OOKc3、工作频率范围:2.45GHz4、通信速率:2Mbps电池不可更换,内置900mAh超薄大容量锂电池,长寿命;2.4G主动式标准型FT-A1 能够实现三卡合一,电池更换简单;(mifare+ID+2.4G)体积:82×55×5mm重量:约25g工作温度:-20~+70℃复合ID卡后工作温度:-20~+70℃工作电压:DC2.0V~3.3V平均工作电流:≤6uA发射频率:1.0S(可选)ESD等级:±30KV工作频率范围:2.45GHz通信速率:2Mbps30米~150米之间连续可调FT-A1-20约5~30米FT-A1-40约30~150米FT-A1-60约150~200米FT-A1-100约200~300米配合远距离全方向RS485接口智能读卡器:紧固型,螺丝卯固滑动电池座取出电池进行更换即可;2.4G主动式煤矿人员卡FT-M125K被动触发标签体积小,质量轻,方便粘贴在物体表面,更换电池简单1节CR2032纽扣电池体积:φ33×8.5mm重量:约18g工作温度:-20~+70℃工作电压:DC2.0V~3.3V平均工作电流:≤8uA发射频率:1.0SESD等级:±8 KV工作频率范围:2.4~2.5GHz通信速率:1Mbps配合全向读卡器:85米配合定向读卡器:在20~200米之间连续可调使用螺丝刀拆除上盖,可直接更换电池,再重新安装上外壳即可2.4G主动式钥匙扣型FT-J 外形美观,钥匙扣式挂带设计,电池更换简单1节CR2032纽扣电池体积:57.5×32×11mm重量:约26g工作温度:-20~+70℃工作电压:DC2.0V~3.3V平均工作电流:≤8uA发射频率:1.0SESD等级:±8 KV工作频率范围:2.4~2.5GHz通信速率:1Mbps配合全向读卡器:85米配合定向读卡器:在20~150米之间连续可调使用螺丝刀拆除上盖,可直接更换电池,再重新安装上外壳即可2.4G主动式按键报警型FT-B可升级为125K被动触发标签能够实现三卡合一,电池更换简单,有太阳能功能功能(mifare+ID+2.4G)与读卡器配套使用能够实现按键报警功能体积:86×55×8.0mm重量:约32g工作温度:-20~+70℃工作电压:DC2.0V~3.3V平均工作电流:≤8uA发射频率:1.0SESD等级:±8 KV工作频率范围:2.4~2.5GHz通信速率:1Mbps配合全向读卡器:85米配合定向读卡器:在20~150米之间连续可调。

ADM483中文资料

ADM483中文资料
APPLICATIONS
Low power RS-485 applications EMI sensitive systems DTE-DCE interfaces Industrial control Packet switching Local area networks Level translators
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ADM483
TABLE OF CONTENTS
Specifications..................................................................................... 3 Timing Specifications....................................................................... 4 Absolute Maximum Ratings............................................................ 5
3.5 7
0.1 120 350
ADM483
Max
5
5 5 0.2 3 0.2 250 250
0.8
±2
+200
1 –0.8 ±2 0.4
95 ±2 10 250 650
The part is fully specified over tnge, and is available in an 8-lead SOIC package.
Rev. 0
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APM飞控介绍

APM飞控介绍

这个内容是为以前投简历时写的,时间紧,没太认真写。

懂点电子的应该能看懂,因为最近比较忙,也没时间写个好点的,能供普通爱好者理解的文章。

等我以后有时间了一定写一个,造福模友。

无人机的未来是广阔的!希望文章能对大家有帮助。

车神(chasing high)2011.11.22APM飞控系统介绍APM飞控系统是国外的一个开源飞控系统,能够支持固定翼,直升机,3轴,4轴,6轴飞行器。

在此我只介绍固定翼飞控系统。

APM飞控系统主要结构和功能组成功能飞控主芯片Atmega1280/2560 主控芯片PPM解码芯片Atmega168/328 负责监视模式通道的pwm信号监测,以便在手动模式和其他模式之间进行切换。

提高系统安全惯性测量单元双轴陀螺,单轴陀螺,三轴加速度计测量三轴角速度,三轴加速度,配合三轴磁力计或gps测得方向数据进行校正,实现方向余弦算法,计算出飞机姿态。

GPS导航模块Lea-5h或其他信号gps模块测量飞机当前的经纬度,高度,航迹方向(track),地速等信息。

三轴磁力计模块HMC5843/5883模块测量飞机当前的航向(heading)空速计MPXV7002模块测量飞机空速(误差较大,而且测得数据不稳定,会导致油门一阵一阵变化)空压计BMP085芯片测量空气压力,用以换算成高度AD芯片ADS7844芯片将三轴陀螺仪、三轴加速度计、双轴陀螺仪输出温度、空速计输出的模拟电压转换成数字量,以供后续计算其他模块电源芯片,usb电平转换芯片等飞控原理在APM飞控系统中,采用的是两级PID控制方式,第一级是导航级,第二级是控制级,导航级的计算集中在medium_loop( ) 和fastloop( )的update_current_flight_mode( )函数中,控制级集中在fastloop( )的stabilize( )函数中。

导航级PID控制就是要解决飞机如何以预定空速飞行在预定高度的问题,以及如何转弯飞往目标问题,通过算法给出飞机需要的俯仰角、油门和横滚角,然后交给控制级进行控制解算。

apm8005kc电路原理

apm8005kc电路原理

APM8005KC是一款电子元件,它的电路原理涉及多个方面。

首先,它是一个电源管理IC,负责控制和管理系统的电源供应。

具体来说,它会根据系统的需求调整电源的输出电压和电流,以确保系统正常运行。

其次,APM8005KC还具有过流保护和过热保护功能。

当电源电流过大或温度过高时,它会触发保护机制,关闭电源或降低电源的输出,以避免对系统造成损坏。

此外,APM8005KC还具有一些其他功能,例如欠压保护和自动重启动等。

这些功能可以进一步提高系统的稳定性和可靠性。

总的来说,APM8005KC的电路原理是通过各种机制和控制策略来确保系统的电源供应稳定、可靠,并在异常情况下采取相应的保护措施,以避免对系统造成损坏。

这些原理的实现需要通过电路设计和软件编程等手段来完成。

常用纽扣电池对照表之欧阳语创编

常用纽扣电池对照表之欧阳语创编
天球AG8
AG9
L936
1.5
50
9.5
3.6
1
LR45,394
天球AG9
AG10
L1130
1.5
80
11.6
3.1
1.1
LR54,390/189
GP超霸189天球AG10南孚LR54万胜LR1130
AG11
L721
1.5
20
7.9
2.1
0.4
LR58,362/361
天球AG11
AG12
L1142
1.5
松下SR621SW万胜SR621SW天球AG1
AG2
L726
1.5
23
7.9
2.6
0.5
LR59 379/396
万胜SR521天球AG2
AG3
L736
1.5
42
7.9
3.6
0.7
LR41 384/192
天球AG3万胜LR41
AG4
L626
1.5
17
6.8
2.6
0.4
LR66 377
万胜SR626松下SR626天球AG4
96
11.6
4.2
1.6
LR43,301/186
GP超霸186天球AG11万胜LR43
AG13
L1154
1.5
160
11.6
5.4
2
LR44,A76/357
GP超霸A76南孚A76天球AG13万胜LR44
松下SR44白象LR44
SR616
1.55
19
6.8
1.6
0.3
321
松下SR616万胜321

美国镇流器电路图

美国镇流器电路图

美国镇流器电路图1. 概述ML4831是一种亮度可调的高功率因数、高效率电子镇流器控制器。

它主要由功率因数控制器、振荡器、预热关断时序、控制选通逻辑、输出驱动器及过压、过热保护等部分组成(参见图1)。

重新启动和灯管再输出由外部时序控制,并且考虑到对不同灯管特性的综合控制,镇流器控制装置可通过频率调制(FM)来调整灯管的功率,通过补偿编程调整灯管的功率,通过补偿编程来调整压控振荡器(VCO)的工作频率。

这些功能集成在一块芯片上,它可以在不同的场合下使用。

芯片的主要特点如下:●功率因数校正和功率调节功能由一块集成电路完成。

●低失真,高效率,连续升压,平均电流检测功率因数。

●快速启动或瞬时启动,启动时间可调。

●灯管电流反馈控制亮度。

●变频调光和启动。

●灯管熄灭情况下,可调再启动,以避免镇流器发热。

●内部超温关断保护代替了外部传感保护,保证了设备的安全。

●PFC中过压比较器可以消除因负载开路引起的失控。

●采用大幅度振荡器和标准电流乘法器,提高了抗噪力。

2.引脚功能ML4831采用双列直插18引脚封装,引脚排列如图2所示。

各引脚功能说明如下:●EA OUT:PC误差放大器输出和校正端。

●IA OUT:PFC平均电流互导放大器的输出和调整节点。

●I(SINE):PFC电流乘法器输入。

●IA+:PFC平均电流互导放大器同相输入和PFC逐周限流比较器峰值电流检测点。

●LAMP F.B:灯管起弧电流取样(或调节)误差放大器的反相输入端,也是亮度控制输入节点。

●LFB OUT:灯管电流误差跨导放大器输出。

●R(SET):外接电阻,它设定振荡器的最高频率Fmax和R(X)/C(x)充电电流。

●INTERRUPT:用于灯管的熄灭检测和再起动。

当该脚的时间间隔后再起动。

●R(X)/C(X):预热定时,亮度锁定和中断。

●GND:地●P GND:芯片功率接地端。

●OUT B:镇流器的MOSFET驱动输出端B。

●OUT A:镇流器的MOSFET驱动输出端A。

3m4836技术参数 -回复

3m4836技术参数 -回复

3m4836技术参数-回复3m4836技术参数是指一种特定的产品或设备的规格和性能信息。

这些技术参数可以帮助用户了解产品的功能、特点和适用范围,从而做出正确的选择和决策。

以下是一篇1500-2000字的文章,详细介绍3m4836技术参数。

第一步:介绍3m4836技术参数的背景和用途(100-200字)3m4836是一种特殊的产品,其技术参数可以为用户提供产品的详细信息和性能表现。

这些参数包括产品的尺寸、重量、电池容量、使用时间、功率等。

了解这些技术参数可以帮助用户根据自己的需求选择合适的产品,并能够更好地利用产品的优势进行工作或娱乐。

第二步:详细介绍3m4836的外观和尺寸参数(300-400字)3m4836的外观设计简洁大方,采用了优质的材料和精细的工艺,使其看起来高端大气。

产品的尺寸为XX厘米(长)×XX厘米(宽)×XX厘米(高),重量为XX克。

这种小巧的尺寸和轻量化的重量使得3m4836携带方便,可以随身携带,适用于各种场合。

第三步:介绍3m4836的电池容量和使用时间参数(300-400字)3m4836的电池容量为X毫安时,可通过USB接口供电或使用电池供电。

当使用电池供电时,充电一次可支持连续使用X小时。

这种长久的使用时间让用户能够更好地享受产品的功能,而不必频繁充电。

第四步:详细介绍3m4836的功率和性能参数(500-600字)3m4836具有X瓦的功率,能够提供稳定而强劲的性能表现。

该产品采用了先进的技术和优质的芯片,具有高效的数据处理能力和出色的图像显示效果。

不论是在办公工作还是观看娱乐内容时,3m4836都能够呈现出清晰、流畅的画面,给用户带来良好的使用体验。

此外,3m4836还具有X英寸的高清显示屏,分辨率为XXXX×XXXX像素。

这种高分辨率的显示屏能够呈现细腻、逼真的图像效果,让用户在使用产品时能够更清晰地看到细节。

3m4836还支持X种连接方式,例如HDMI接口、USB接口等。

TSM4835资料

TSM4835资料

TSM483530V P-Channel Enhancement Mode MOSFETV DS = - 30VR DS (on), Vgs @ - 10V, Ids @ - 9.5A =18m Ω R DS (on), Vgs @ - 4.5V, Ids @ - 7.5A =30m ΩFeaturesAdvanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistanceHigh gate voltageOrdering InformationPart No.PackingPackageTSM4835CS Tape &Reel SOP-8 Block DiagramAbsolute Maximum Rating (Ta = 25 o C unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage V DS - 30 V Gate-Source VoltageV GS ± 25 V Continuous Drain Current, V GS @4.5V. I D- 9.5APulsed Drain Current, V GS @4.5V I DM - 50 ATa = 25 oC 2.5 W Maximum Power DissipationTa > 25 o CP D 1.6 WOperating Junction TemperatureT J +150 oC Operating Junction and Storage Temperature RangeT J , T STG- 55 to +150o CThermal PerformanceParameter Symbol Limit UnitJunction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted) R θja 50 oC/WNote: Surface mounted on FR4 board t<=5sec.Pin assignment:1. Source 8. Drain2. Source 7. Drain3. Source 6. Drain4. Gate5. DrainElectrical CharacteristicsTa = 25oC, unless otherwise notedParameter Conditions Symbol Min Typ Max UnitStaticDrain-Source Breakdown Voltage V GS = 0V, I D = - 250uA BV DSS - 30 ---- VDrain-Source On-State Resistance V GS = - 10V, I D = -9.5A R DS(ON) -- 13 18 Drain-Source On-State Resistance V GS = - 4.5V, I D = -7.5A R DS(ON) -- 22 30 m Ω Gate Threshold Voltage V DS = V GS , I D = - 250uA V GS(TH) - 1-- - 3 VZero Gate Voltage Drain Current V DS = - 30V, V GS = 0V I DSS -- -- - 1.0 uA Gate Body Leakage V GS = ± 25V, V DS = 0V I GSS -- -- ± 100 nA Forward TransconductanceV DS = - 15V, I D = - 8A g fs -- 22 -- S DynamicV DS = - 15V, I D = - 4.6A, V GS = - 5V-- 23 34Total Gate ChargeQ g-- 54 60Gate-Source Charge Q gs -- 8.5 -- Gate-Drain Charge V DS = - 15V, I D = - 4.6A,V GS = - 10VQ gd --10.3 --nCTurn-On Delay Time t d(on) -- 24 30 Turn-On Rise Time t r -- 12 30 Turn-Off Delay Time t d(off) -- 78 120 Turn-Off Fall Time V DD = - 15V, R L = 15Ω, I D = - 1A, V GEN = - 10V, R G = 6Ω t f --37 80 nS Input Capacitance C iss -- 2520 -- Output CapacitanceC oss -- 490 -- Reverse Transfer Capacitance V DS = - 15V, V GS = 0V, f = 1.0MHzC rss --330 -- pF Source-Drain Diode Max. Diode Forward CurrentI S -- -- - 2.1 A Diode Forward VoltageI S = - 2.1A, V GS = 0VV SD -- - 0.77 - 1.2 VNote : pulse test: pulse width <=300uS, duty cycle <=2%Typical Characteristics Curve (Ta = 25 o C unless otherwise noted)Electrical Characteristics Curve (continued)。

APC各种UPS型号说明

APC各种UPS型号说明

APC各种UPS型号说明20XX年/06/01 04:43 下午| 已更新20XX年/06/08 03:26 下午| 解答ID ***** Symmetra LX UPS型号说明目前国内销售的Symmetra系列UPS有塔式、带扩展电池的塔式、机架式三种,解释如下:SY:代表Symmetra系列UPSA:代表黑色机器第一个数字:代表机器的实际功率,单位VA第二个数字:代表机柜可扩充到的最大功率后缀:I代表230或400V电压等级,IXR代表带扩展电池,RMI代表机架式机柜,可放入标准19英寸机柜。

则上述机型分别为:*****6I 12KVA,可扩容到16KVA的塔式机器*****6IXR 12KVA,可扩容到16KVA的塔式带扩展电池的机器*****6RMI 12KVA,可扩容到16KVA的机架式机器*****6I 16KVA塔式机器*****6IXR 16KVA塔式带扩展电池的机器*****6RMI 16KVA机架式机器***** 4KVA,可扩容到8KVA的塔式机器*****MI 4KVA,可扩容到8KVA的机架式机器*****I 8KVA,可扩容到16KVA的塔式机器*****IXR 8KVA,可扩容到16KVA的塔式带扩展电池的机器*****RMI 8KVA,可扩容到16KVA的机架式机器***** 8KVA塔式机器*****MI 8KVA机架式机器如何通过UPS的型号识别APC Smart-UPS的功能已发布20XX年/05/15 01:13 下午| 已更新20XX年/10/18 11:23 下午| 解答ID 9930APC Smart-UPS系列的UPS,相同功率段的机器,可以分标机、长机;塔式机和机架式,这些都可以通过具体型号来识别。

本文介绍了识别方法。

一,Smart-UPS系列中在线互动式UPS 的识别1,型号中数字:数字表示UPS的功率,以VA(伏安)为单位。

2,安装方式的区别:含有“RM”的机型,表示是机架式UPS,可以安装在19英寸标准机柜中,并在包装箱内配送一套机架安装套件。

固特控制技术 三相全桥整流模块 说明书

固特控制技术 三相全桥整流模块 说明书

GOLD CONTROL固特控制技术有限公司MDS3-Phase Rectifier Bridges Module三相全桥整流模块特 性:●国际标准封装●焊接结构,优良的温度特性和功率循环能力●玻璃钝化工艺(方片)芯片主要用途:●低通态压降≤1.3●直流屏●引线端与底板电气绝缘,2500V 交流电压●变频器●阻断电压高达1600V ●电焊机●高达12倍抗浪涌能力●直流充电电源●安装方便●直流电动机●环保产品(符合ROHS 要求)结温T j (℃)最小典型最大Io 单相全波整流电路,℃TC=10015030A I RRM 15010mA I D 30A Tc 80℃I F(AV)25A I F(RMS)40A I FSM 465AI 2t 2.8A 2S *103V TO 1.0V V FM 251.3V V iso 50Hz,R.M.S,t=1min,I iso :1mA(max)2500V R th(j-c) 2.5℃/W T stg -40125℃W t200g固特电力半导体模块通过欧盟CE 、ISO9001、符合ROSH 认证企业Page 3of 12007-01产品热线:TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ :453742705Email:*****************移动电话Mobile :139****0504MDS30A主要技术参数参数符号测试条件参数值单位直流输出电流反向重复峰值电压V RRM V RRM tp=10ms V V RSM =V RRM +200V 反向重复峰值电流at V RRM15080016002500最大输出电流正向平均电流正向有效值电流正向浪涌电流10ms 正弦半波150浪涌电流平方时间积V R =0.6V RRM 通态门槛电压峰值压降I FM =30A绝缘电压结壳热阻单面散热贮存温度重量Gold Power字母c:串联K:共阴器件类别: A :共阳Q:单相全桥D: 普通整流管S:三相全桥G:三相共阳半桥T :普通晶闸管 Y :三相共阴半桥F :D 和T加()为混合型器件顺序单位:mmPage 3of 22007-01产品热线:TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ :453742705Email:***************** 移动电话Mobile :139****0504内部电路 circuit外 形 尺 寸70mm*40mm*28.5mm说 明表中的参数为每个整流芯片的额定值和特性参数适用型号: MDS方桥电力半导体模块命名示例M字母数字功率半导体模块内部电路形式:额定通态平均电流I T(AV)性能曲线图额定正向平均电流I F(AV) 直流输出电流I o外形图、接线图、安装孔尺寸●使用说明为了本公司的半导体功率模块能满足您的高可靠使用要求,请注意以下几点事项:1、过电流的保护可采用半导体专用快熔;2、RC吸收(缓冲)建议使用吸收模块(本公司可供应);3、使用环境条件:a)半导体功率模块工作温度为:-40℃~+125℃(结温);整流为:-40℃~150℃;b)环境相对湿度≤85%;海拔1000米以下;c)使用环境应无剧烈振动和冲击,环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质气氛;d)模块采用强制风冷时风速应>6米/分,环境温度一般应控制在-40℃~60℃,散热器温度一般应控制在80℃以下。

爱莎锂电容型电流保护器产品说明说明书

爱莎锂电容型电流保护器产品说明说明书

Eaton PDG22G0150TFFJEaton Power Defense molded case circuit breaker, Globally Rated, Frame 2, Two Pole, 150A, 35kA/480V, T-M (Fxd-Fxd) TU, Standard Line and Load (PDG2X2TA225)Eaton Power Defense molded case circuit breakerPDG22G0150TFFJ 78667931195088.9 mm 152.4 mm 69.9 mm 2.041 kg Eaton Selling Policy 25-000, one (1) year from the date of installation of theProduct or eighteen (18) months from thedate of shipment of the Product,whichever occurs first.RoHS Compliant CCC MarkedIEC 60947-2UL 489CSAProduct NameCatalog Number UPCProduct Length/Depth Product Height Product Width Product Weight WarrantyCompliancesCertifications150 AComplete breaker 2Two-polePD2 Global Class A T-M (Fxd-Fxd) TU600 Vac600 VStandard Line and Load35 kAIC at 480 Vac 10 kAIC Icu @125 Vdc 18 kAIC @600V (UL/CSA) 65 kAIC @240V (UL)8 kAIC Icu/ 4 kAIC Ics/ 16.8 kAIC Icm @690V (IEC)20 kAIC Icu/ 15/13 kAIC Ics/ 42 kAIC Icm @525V South Africa (IEC)10 kAIC Icu @250 Vdc25 kAIC Icu/ 20 kAIC Ics/ 52.5 kAIC Icm @480V Brazil (IEC) 35 kAIC @480V (UL)36 kAIC Icu/ 36 kAIC Ics/ 75.6 kAIC Icm @380-415V (IEC) 30 kAIC Icu/ 22.5 kAIC Ics/ 63 kAIC Icm @440V (IEC) 55 kAIC Icu/ 55 kAIC Ics/ 121 kAIC Icm @240V (IEC)Eaton Power Defense MCCB PDG22G0150TFFJ 3D drawing Consulting application guide - molded case circuit breakers Amperage Rating Circuit breaker frame type Frame Number of poles Circuit breaker type Class Trip Type Voltage rating Voltage rating - max TerminalsInterrupt rating Interrupt rating range 3D CAD drawing packageApplication notesBrochuresPower Defense technical selling bookletPower Defense brochurePower Defense molded case circuit breaker selection posterPower Defense molded case circuit breakers - Frame 2 product aidCatalogsMolded case circuit breakers catalogCertification reportsPower Defense Declaration concerning California’s Proposition 65PDG2 CB reportPDG4 CCC certificationPDG4 CB reportEU Declaration of Conformity - Power Defense molded case circuit breakersInstallation instructionsPower Defense Frame 2 clamp terminal (steel), 20A, 2 pole instructions - IL012246EN H02Power Defense Frame 2 tunnel terminal kits - PDG2X1TA225K instructions- IL012239EN H01Power Defense Frame 2 PDG2 and PDC(E)9 breaker instructions -IL012106ENPower Defense Frame 2 multi wire connector kit -PDG2X3(2)(4)TA2256W instructions - IL012242EN H01Power Defense Frame 2 global interphase barrier 2 pole – IL012324EN Power Defense Frame 2 tunnel terminal (aluminum), 100A, 2 pole instructions - IL012237EN H02Power Defense Frame 2 terminal kit - PDG2X3(2)(4)TA225RF instructions - IL012245EN H01Power Defense Frame 2 tunnel terminal (aluminum), 50A, 2 pole instructions - IL012236EN H02Power Defense Frame 2/3/4/5/6 voltage neutral sensor module wiring instructions – IL012316ENPower Defense Frame 2 screw terminal_end cap kit, 225A, 2 pole instructions - IL012257EN H01Power Defense Frame 2 multi wire connector kit -PDG2X3(2)(4)TA2253W instructions - IL012243EN H01Power Defense Frame 2 box terminal (steel), 100A, 2 pole instructions - IL012234EN H02Power Defense Frame 2 global terminal shield, 2 pole - IL012330EN Power Defense Frame 1 IEC and Frame 2 Rotary Mechanism with NFPA Handle Attachment Instructions (IL012260EN).pdfPower Defense Frame 2 locking devices and handle block instructions -IL012149ENPower Defense Frame 2 terminal kit - PDG2X3(2)(4)TA150RF instructions - IL012244EN H01Power Defense Frame 1-2-3-4 IP door barrier assembly instructions - IL012278ENPower Defense Frame 2 tunnel terminal (aluminum), 150A, 2 pole instructions - IL012238EN H02Installation videosPower Defense Frame 2 TMTU Aux, Alarm, ST and UVR Animated Instructions.rhPower Defense Frame 2 withTMTU, Shunt Trip_UVR Animated Instructions.rhMultimediaPower Defense Frame 3 Variable Depth Rotary Handle Mechanism Installation How-To VideoEaton Power Defense for superior arc flash safetyPower Defense Frame 6 Trip Unit How-To VideoPower Defense Frame 2 Variable Depth Rotary Handle Mechanism Installation How-To VideoPower Defense molded case circuit breakersPower Defense Frame 5 Trip Unit How-To VideoPower Defense BreakersSpecifications and datasheetsEaton Specification Sheet - PDG22G0150TFFJTime/current curvesPower Defense time current curve Frame 2 - PD2White papersMolded case and low-voltage power circuit breaker healthMaking a better machineIntelligent circuit protection yields space savingsSingle and double break MCCB performance revisitedSafer by design: arc energy reduction techniquesMolded case and low-voltage breaker healthEaton Corporation plc Eaton House30 Pembroke Road Dublin 4, Ireland © 2023 Eaton. All Rights Reserved. Eaton is a registered trademark.All other trademarks areproperty of their respectiveowners./socialmedia。

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ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.Pin Description
Ordering and Marking Information
Features
Applications
• Power Management in Notebook Computer,
Portable Equipment and Battery Powered Systems
SO − 8
• -30V/-8A, R DS(ON) = 16m Ω(typ.) @ V GS = -10V
R DS(ON) = 24m Ω(typ.) @ V GS = -4.5V
• Super High Density Cell Design • Reliable and Rugged • SO-8 Package
*Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.
Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C unless otherwise noted)
S S S G
D
D D D P-Channel MOSFET
G
A P M 4835
H a n d lin g C o d e T e m p. R a n g e P a c k a g e C o d e
P a c k a g e C o d e K : S O -8
O p e ra tio n J u n c tio n T e m p. R a n g e C : -55 to 150°C H a n d lin g C o d e T U : T u b e
T R : T a p e & R e e l
A P M 4835
A P M 4835X X X X X
X X X X X - D a te C o d e
Electrical Characteristics (T A =25°C unless otherwise noted)
Absolute Maximum Ratings (Cont.) (T A = 25°C unless otherwise noted)
Notes
a : Guaranteed by design, not subject to production testing b
: Pulse test ; pulse width ≤ 500µs, duty cycle ≤ 2%
012345
10
20
30
40
50
Typical Characteristics
-I D -D r a i n C u r r e n t (A )
Transfer Characteristics
-V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
-50
-250255075100125150
Threshold Voltage vs. Junction T emperature
Tj - Junction T emperature (°C)-V G S (t h )-T h r e s h o l d V o l t a g e (V )(N o r m a l i z
e d )
010********
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
On-Resistance vs. Drain Current
-I D - Drain Current (A)
R D S (o n )-O n -R e s i s t a n c e (Ω)
0246810
1020
30
4050
Output Characteristics
-I D -D r a i n C u r r e n t (A )
-V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
2
4
6
8
10
Typical Characteristics (Cont.)
-V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
R D S (o n )-O n -R e s i s t a n c e (Ω)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-50
-250255075100125150
0.60.81.01.21.41.61.8
R D S (o n )-O n -R e s i s t a n c e (Ω)(N o r m a l i z e d )
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J - Junction T emperature (°C)0612182430
900
1800
2700
3600
4500
-V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
C a p a c i t a n c e (p F )
010********
Gate Charge
Q G - Gate Charge (nC)-V G S -G a t e -S o u r c e V o l t a g e (V )
1E-4
1E-30.010.1110
0.010.1
1
0.01
0.1110
020
40
60
80
100
Typical Characteristics (Cont.)
Single Pulse Power
Time (sec)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N o r m a l i z e d E f f e c t i v e T r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d a n c e
Normalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
0.0
0.20.40.60.8 1.0 1.2 1.4
0.110
P o w e r (W )
Source-Drain Diode Forward Voltage
-V SD -Source-to-Drain Voltage (V )
-I S -S o u r c e C u r r e n t (Α)
Packaging Information
SOP-8 pin ( Reference JEDEC Registration MS-012)
Reflow Condition (IR/Convection or VPR Reflow)
Physical Specifications
Pre-heat temperature
183 C
Peak temperature
Time
°t e m p e r a t u r e
Classification Reflow Profiles
Package Reflow Conditions
Reliability test program
Cover Tape Dimensions
Customer Service
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Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.
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