2发光材料与器件基础
发光材料及物理基础-2
光谱的形状可以用高斯函数来表示,即: E=E0 exp [-(-0)2] (1 - 2) 其中是频率,E是在频率附近的发光能 量密度相对值,E0是在峰值频率0时的 相对能量,是正的常数。
PL Spectrum-Red Film
1.2 PL-Red-1/2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -0.2 350 PL-Red-2/2
ห้องสมุดไป่ตู้ x
I0
I
薄膜吸收示意图
I(λ)=Io(λ)exp(-kλx)
3。光反射
[反射率] Rλ随波长或频率的变化
测量条件:如果材料是一块单晶,经过适当的 加工(如切割、抛光等),利用分光光度计并 考虑到发射的损失,就可以测得吸收光谱。但 是多数实用的发光材料都是粉末状,是由微小 的晶粒组成的。这对精确测量吸收光谱造成很 大困难。在得不到单晶的情况下,通常只能通 过材料的反射光谱来估计它们对光的吸收。
斯托克斯定律: 激发E01-E13 发射E11-E01 发射能量小
反斯托克斯发光: 激发E01-E13 发射E14-E01 发射能量大 电声子相互作用
8. 发光效率
量子效率q :发射的光子数Nf与激发时吸收的光 子(或电子)数Nx之比 q = Nf / Nx (1-1) 功率效率p :发射光的光功率Pf与激发时输入的电 功率或吸收的光功率Px之比 p = Pf / Px …………. (1-2) 光度效率(或流明效率)l :流明效率即是发射的 光通量L(以流明为单位)与激发时输入的电功 率 之比, l = L /Px …………(1-3)
《光电子材料与器件》教学大纲
光电子材料与器件课程教学大纲
一、课程基本信息
课程编号:201411111
课程中文名称:光电子材料与器件
课程英文名称:Optoelectronic Materials and Devices
课程性质:专业核心课程
开课专业:光电信息科学与工程
开课学期:5
总学时: 32 (其中理论26学时,实验6学时)
总学分:2
二、课程目标
光电子材料与器件是一门实用性强的必修基础课,本课程是为光电科学与工程专业的本科生而开设的。本课程除了使学生掌握光电器件的基本工作原理之外,还使学生了解各种光电材料及光电器件的应用。通过学习该课程,使学生在以后的生活和工作中能够学以致用。
培养学生如下的能力和素养:
1、具有应用理论知识指导实验环节的能力;能够解决光电材料的制备及性能测试方面的一些基本问题;具备严谨科学素质,能够达到实验目的或完成特定的试验任务。
2、具有良好的逻辑思维能力和较强的开拓创新意识,具有不断学习和适应发展的能力。
三、教学基本要求
使学生了解纳米光电材料的种类、基本性质及应用。让学生重点掌握各种光电器件(激光器、非线性光学器件、光调制器、光探测器等)的基本工作原理、基本组成和应用,掌握染料敏化太阳能电池的基本原理、结构、制备及提高电池性能的方法,了解常用的染料敏化太阳能电池材料。让学生根据所学知识能够设计出几个简单的光电器件,例如光开关。通过实验环节让学生掌握一些光电材料的制备及性能测试。
四、教学内容与学时分配
1微纳米光电材料与器件(4学时)
1.1纳米光电材料
1.2纳米光电器件
2半导体发光材料及器件(4学时)
第七章分子发光-荧光与磷光
振
之间有重叠
荧 光 S0 光
反系间窜跃:由外部获 取能量后
谱 外转移
T1 ~ S2
发光材料与器件基础
二. 分子荧光(磷光)光谱
1. 荧光(磷光)激发光谱与发射光谱
荧光(磷光)均为光致发光,在光辐射的作用下,荧光物质发射出不
同波长的荧光。 n
MXhvi MX*
n
MX* MXhvj
i1
j1
I0--入射光强度。
IF KC
IP KC
2. 荧光(磷光)的平均寿命 分子在激发态的平均时间或者说处于激发
态的分子数目衰减到原来的1/2所经历的时间。 对于处于S1(T1)电子态的荧光体来说,其
平均寿命()可以左式表示:
F(P)
1
n
kF(P) ki
i1
发光材料与器件基础
3. 荧光(磷光)的量子产率
I 0 I t I 0 (1 e 2 .3ε 0 b3 ) C
荧光强度(IF)与相应的吸光分数成正比:
I F ( I 0 I t) I 0 ( 1 e 2 . 3ε b 0 ) C 3
按照级数展开式:
ex 1 x x 2 x 3 x 4 x n
对于稀溶液,当 bc<0.05(磷光 bc<0.01)时:
IF2 .3k 0F I0εbC IP2 .3k 0P I0εbC
发光材料与器件基础
第十二页,共39页。
例如,将n型半导体CdS上电析一层p型半导体Cu2S形成p-n结,就可以制成高 性能的太阳能电池。
(a)未加正偏压的p-n结
(b)加正偏压的p-n结
图2.5 p-n结注入发光过程示意
第十六页,共39页。
2.2 固体光吸收的本质 3. 光导电现象 在晶体对光的基础吸收中,同时会产生电子和空穴成为载流子,
第一页,共39页。
2.1 发光材料
发光材料的定义
发光材料又称发光体,是一种能够把从外界吸收的各种形式的能量 转换为非平衡光辐射的功能材料。光辐射有平衡辐射和非平衡辐射 两大类,即热辐射和发光。
任何物体只要具有一定温度,则该物体必定具有与此温度下处于热平衡状 态的辐射。
非平衡辐射是指在某种外界作用的激发下,体系偏离原来的平衡态,如 果物体在回复到平衡态的过程中,其多余的能力以光辐射的形式释放出来, 则称发光。因此发光是一种叠加在热辐射背景上的非平衡辐射,其持续时 间要超过光的振动周期。
C→V过程 在高温下发生的电子由
价带向导带的跃迁。
发光材料与器件基础_第三章
晶格弛豫能所折合的声子数为
4
∆R可表示电子与声子作用的强弱
2019/2/12
1 2 m q ( R ) 2 2
p (黄昆因子)
位形坐标模型与吸收和 光发射过程示意图
电信系光电工程专业
3.2 位形坐标模型
弗兰克-康登(Franck-Condon)原理
U
由于跃迁时间<<晶格弛豫时间, 电子竖直跃迁
2
g
U
A
v1 v D 0
Ue(R)
B F C
Ug(R)
E
2
)
u1 u
R
0
R0
r0 r
另,B、D点振子出现的几率为
W ve ( r r0 ) C exp[(
2
Ug(R):电子处于基态时的系统能量
7
发光强度 em 2 I ( 0 ) W exp[( ) ] exp[( a
2019/2/12
与实验结果一致!
电信系光电工程专业
3.2 位形坐标模型
若温度升高,使体系处 于激发态中振动能级v'以 上,激发态电子可无辐射 地到达基态,再经晶格驰 豫回到基态的平衡位置。 温度猝灭的几率
发射光谱的温度猝灭
U
Ue(R) A B v1 v D 0 Ug(R) E v=v'
I
发光材料:发光材料基本知识资料
1.2 发 光 材 料 的 光 谱 特 征
发射光谱 —— 发光的能量(或强度)按波长或频率 的分布
图 1-1 (a) Excitation ( ?em = 431 nm) and (b) emission
(?ex = 310 nm) spectra of Ca 8[A1l2O24](WO 4)2 at RT
1.2 发 光 材 料 的 光 谱 特 征
激发光谱 —— 发光的某一谱线或谱带的强度随激发 波长(或频率)的变化
激发光谱反映不同波长的光激发材料的效果。 激发光谱可用来研究发光材料中的能量传递现象。 激发光谱与吸收光谱既有联系又有区别。
半宽度(谱线宽度) —— 光谱曲线最大强度的一半 所对应的两个波长之差
发光材料对光的吸收,和一般物质一样,都遵循以下 的规律:
I (? ) ? ? I 0 ( )e ? k? x
吸收光谱 —— kλ(吸收系数)随波长(或频率)的 变化
不同的发光材料的吸收光谱有不同的特点。
1.2 发 光 材 料 的 光 谱 特 征
反射光谱 —— 反射率Rλ随波长(或频率)的变化 。
1-发光材料基础
一、发光材料分类
•发光材料分类
光致发光(Photoluminescence):由电磁辐射(通常为紫外光)激发。 阴极射线发光(Cathodolumniescence):由高能量电子束激发。 电致发光(Electrolumniescence):由电场或电流激发。 摩擦发光(Triboluminescence):由机械能激发。 化学发光(Chemiluminescence):由化学反应的能量激发。
• 荧光材料一般表示形式:基质:激活剂[敏化剂或共激活剂]
DGUT 《显示与照明技术》·
无机荧光粉中常见的元素
DGUT 《显示与照明技术》·
• 用于制备基质材料的正离子在周期表中的位置
DGUT 《显示与照明技术》·
• 用于制备基质材料的负离子在周期表中的位置
DGUT 《显示与照明技术》·
• 用于制备激活剂材料的正离子在周期表中的位置
光致发光(PL)光谱
• PL光谱
DGUT 《显示与照明技术》·
半导体基质荧光粉的发光过程
DGUT 《显示与照明技术》·
发光模型例子
DGUT 《显示与照明技术》·
DGUT 《显示与照明技术》·
DGUT 《显示与照明技术》·
目录
• 发光材料分类
• 发光材料组成
• 发光过程与发光机理
光电子材料及应用课件:2-1第二章-无机固体发光材料
如果激发能量转换为可见光区的电磁辐 射,这个物理过程称为固体的发光。
8
▪ 将具有这种发光行为的物质称为发光物质。 ▪ 发光物质常称为荧光体或磷光体
▪ 适当的材料吸收高能辐射,接着就发出光,其发射出的 光子的能量比激发辐射的能量低
29
2.1.2光致发光材料的常见应用 荧光灯(日光灯、节能灯)
30
2.1.2光致发光材料的常见应用
荧光灯(fluorescent lamp)是一种充有氩气的低气压汞蒸气的气体放 电灯,在低压汞蒸气放电过程中会产生大量的波长为253.7mm的紫外 线,以及少量波长为185nm的紫外线和可见光。在灯管表面涂有荧光 粉,可以将波长为253.7nm的紫外线转化为可见光。
43
CIE色度图
▪ 在照明于显示技术中,对颜色效果的要求越来越 高,只用语言无法准确地描述颜色,更不能说明 相近颜色之间的细微差别
▪ CIE色度图是采用物理方法代替人眼来测量颜色, 用数字定量地表示颜色
▪ 曾有许多不同用途的色度系统,应用最广泛的是 1931-CIE标准色度系统
44
1931-CIE标准色度图
③缺陷能级与导带之间;
④两个不同能量的缺陷能级之间。
24
24
可见,发光是一种宏观现象,但它 和晶体内部的缺陷结构、能带结构、 能量传递、载流子迁移等微观性质和 过程密切相关。
《光电子材料与器件》第2章:半导体发光材料及器件-LD培训课件
半导体激光器的工作原理
半导体激光器的特性
光学特性: 一.光谱:
峰值波长、光谱宽度、波长温度系数 二.模式:纵模(频率)
横模(与谐振腔垂直的平面上光场 的分布)
半导体激光器的工作原理
半导体激光器的特性
纵模的性质: 纵模数随注入电流而变,电流越高,
模数约少(主模增益增加。边模增益 减少); 峰值波长随温度变化 动态谱线展宽(注入电流变化、载流 子浓度改变、有源区折射率改变)
P区复合。 当正偏时,外加加压减小了耗尽层厚度,当外加
电压为Eg时,耗尽层消失,P区和N区接触。
半导体激光器的工作原理
半导体激光器的工作Biblioteka Baidu理
GaAs的禁带宽度: 1.42 eV
普朗克常数 = 6.626068 × 10-34 m2 kg / s e=1.6021892×10-19C
半导体激光器的材料
1962年,GaAs激光器,77K的温度 下,脉冲输出;
1970年,半导体激光器的室温下连 续输出;
波长范围履盖了可见光到长波红外, 寿命百万小时,室温下连续工作, 输出功率由几毫瓦到千瓦级。
半导体激光器的基本原理 电子能导带跃迁进入价带,典型的情况是 从
导带底跃迁进入价带顶。 费米-狄拉克统计规律:
半导体激光器的工作原理
半导体激光器的特性
半导体激光器的工作原理
发光材料的基础知识
E = hν = hc/λ
1240 E (eV) = ( nm )
= 1.24 × 10-4 × w (cm-1)ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
w (cm-1) =
10 7 ( nm ) = 8064.5×E (eV)
1.1.2 发光
发 光 =明 亮(?) 白炽灯---钨丝通电加热到2000 ℃左右产生---热辐射。
热辐射:是一种普遍现象,与物体受热后有较高的温度有关,是固体晶
红外辐射 (infrared)〕 780 nm-1 mm
光色 波长
表 1 -1各种可见光色对应的真空中的光波波长(nm)
紫光 蓝光 天蓝 绿光 黄绿 黄光 橙光 红光
380- 420- 490- 500- 550- 570- 590- 620420 490 500 550 570 590 620 760
作为基质化合物至少应具备如下基本条件:
1. 基质组成中阳离子应具有惰性气体元素电子构型,或具有闭壳层电子结构 2. 阳离子和阴离子都必须是光学透明的; 3. 晶体应具有确定的某种缺陷。
已用作基质的无机化合物主要有: 1. 氧化物及复合氧化物,如Y2O3,Gd2O3,Y3AI5O12(YAG),SrTiO3等; 2. 含氧酸盐,如硼酸盐,铝酸盐,镓酸盐,硅酸盐,磷酸盐,钒酸盐,钼酸盐和 钨酸盐以及卤磷酸盐等。 3.稀土卤氧化物(如LaOCl,LaOBr),稀土硫氧化物(如Y2O2S,Gd2O2S)等
发光材料的基础知识
几个概念
吸 光 度
图1-7 吸收光谱
被吸收的光子的能量(波长、波数和 能量eV)
吸收光谱以被吸收的光子的能量(波长、波数和能量eV)为横坐
标,吸光度D或、log为纵坐标,给出分子对具有不同能量光
子的吸收特性。
图1-8
2 漫反射光谱(diffuse reflection spectrum)
图1-10 (Ba,Ca,Mg)10(PO4)Cl2:Eu2+的激发光谱(a)和漫反射光谱(b) 最强激发谱峰位于365nm,而漫反射率最低处却在240~340nm之间
4 发射光谱( emission spectrum)
发射光谱表示发光的能量按波长(或频率)的分布。发射光谱不仅 与激发光的强度及波长密切相关而且直接反映激活离子的电子跃 迁,有时还反映出激活离子所处的晶格位置---结构探针。
掺杂到基质晶格中的激活剂的价态、在晶格中的位置、 激活剂周围的情况,是否有共激活剂等,决定发光中心 的发光特性。
1.2 .1光谱与能级
1 吸收光谱(absorption spectrum)
当光照射到发光材料上时,一部分被反射、散射,一部分被 透射,剩余的部分被材料吸收,遵循beer定律
其中,I0(λ) 为波长为λ的光照射到物质的强度; I (λ)为光通过厚度X的发光材料后的强度;X-厚度; k λ是不依赖光强,随波长而变化的函数,称为吸收系数;
1发光材料与器件基础.
13
2018/10/8
电信系光电工程专业
1.2 晶向和晶面
2) 晶向和晶向指数
把一族晶列的共同方向称为晶向. 设想在晶体中任取 一格点作为原点, 以a1、a2和a3为轴建立坐标系, 每条 轴上均以一个周期为单位长度. 于是任一格点A的位矢 为
R l1a1 l2a2 l3a3
其中l1、l2、l3是有理数(整数或分数)。若l1、l2、l3不 是互质整数, 则可将它们化为互质整数,用以标志晶列 的方向,称为晶向指数。
有长程取向序, 无平移对称序;
纳米晶体
长程有序至晶粒, 但粒径小(1~100纳米)
2018/10/8 电信系光电工程专业
第一章
无机发光材料的基础知识
你要要掌握: 1、空间点阵需要用哪些参量来描述?晶体周期 性如何描述? 2、晶胞和原胞; 3、晶向和晶面; 4、晶体的缺陷; 5、能带理论; 6、电子排列规律。
空位: 填隙离子: 杂质离子:R2+离子进入晶格间隙位置 N3+离子置换M2+离子 缔和中心:
27
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电信系光电工程专业
1.3 晶体缺陷
点缺陷化学反应方程
缺陷反应和化学反应一样,可以写成反应方程式。写点 缺陷方程式必须遵循以下一些基本规则: 晶格位置平衡 质量平衡 电荷平衡
第1章半导体发光材料及器件资料
1.2 半导体发光材料
二、典型半导体发光材料
GaN
直接跃迁型半导体材料,具有带隙宽、热导率高、化学性
能稳定的特点。室温条件下,带隙宽度 Eg 3.39eV
纤锌矿结构,可外延生长单晶。
1.2 半导体发光材料
二、典型半导体发光材料
GaN与III族氮化物半导体InN及AlN的性质接近,均为直 接跃迁型半导体材料,它们构成的三元固溶体的带隙可以 从1.9eV连续变化到6.2eV。
导带
E
电子
Eg
空穴
k
k 0
价带
(m) 1.240
yx2
Eg(eV)
1 .1 半导体及半导体发光基础
1.1.2 半导体发光
普朗克常数 h= 6.626068 × 10-34 m2 kg / s e=1.6021892×10-19C
1 .1 半导体及半导体发光基础
1.1.2 半导体发光
yx2
E
导带
声子 yx2
n ZnS (荧光粉) II-VI族半导体化合物,带隙宽度为3.6eV。使用ZnS粉末,用
Cu作为激活剂,可以在交流驱动下,实现场致发光。发 光光谱可覆盖整个可见光波段。
1.3 发光二极管
发光二极管
Light Emitting Diode
大功率3W,5WRGB三基色LED灯
1.3 发光二极管
发光材料与器件基础_第三章
发光材料与器件基础_第三章
第三章发光材料与器件基础
1.发光材料的种类与结构
发光材料是指在电场、电流或其他外部激励下可以发射出特定波长的
光的物质。常见的发光材料主要包括发光二极管(LED)、有机发光二极
管(OLED)、稀土发光材料等。
1.1发光二极管(LED)
发光二极管是一种将电能转化为光能的半导体器件。根据电能转化的
方式,发光二极管主要分为电致发光二极管(Electroluminescent Diode,简称ELD)和注入发光二极管(Injected Light-Emitting Diode,简称ILED)。
1.1.1电致发光二极管(ELD)
电致发光二极管是将电能通过电容和发光二极管内部的导电液体转化
为光能的器件。它由两个导电电极、液体电解质和发光材料构成。当电压
施加到电极上时,产生电流,电流通过电解质,使其发生化学反应,释放
出能量,激活发光材料,发出光线。
1.1.2注入发光二极管(ILED)
注入发光二极管是将电能通过电场作用,直接注入发光材料并转化为
光能的器件。它由一个P型的发光层和一个N型的注入层组成。当正向电
压施加到器件上时,电子从N型注入层向P型发光层注入,与发光层中的
空穴发生复合反应,释放出能量,产生光。
1.2有机发光二极管(OLED)
有机发光二极管是一种使用有机化合物作为发光层材料的发光二极管。它具有颜色饱和度高、发光性能稳定、发光范围广等优点,被广泛应用于
显示和照明领域。有机发光二极管的结构包括阳极、阴极和有机发光层。
1.3稀土发光材料
稀土发光材料是一类利用稀土离子的电子能级跃迁产生光的材料。它
发光材料课件-2
发光材料
主讲:刘波
同济大学物理系
第二章发光物质对激发能的吸收
提纲
2.1 概述
2.2 基质晶格对吸收的影响
2.3 离子能级图
2.4 基质晶格吸收
2.1 概述
材料发光必须先吸收能量
电子束,射线等也可以产生吸收和发射,但紫外线的吸收可以精确的调节激发波长和能量,观察到吸收的细节。
本章介绍材料对紫外光的吸收过程。
Y 2O 3:Eu 3+的吸收谱
横坐标波长(nm );纵坐标相对强度Host lattice
基质晶格吸收
CT=charge transition
电荷迁移吸收
Eu 3+线谱吸收
三种吸收特征带谱:HL ,CT 吸收线谱:Eu 3+吸收
位形坐标模型:位形坐标模型是关于电子和离子晶格振动总能量与离子平均位置(用一个坐标表示)相关的物理模型。用
激发态基态
激发态
光学吸收跃迁是垂直的。
因为电子的激发时间很短,电子的
运动比核快很多,激发结束的瞬间
系统的位形没能来得及发生变化。基态
,右边决定吸收谱形状
上式左边决定跃迁几率求和
完整吸收谱需要对所有是振动波函数是电偶极跃迁算符,波函数分别是激发态和基态的光学吸收跃迁几率
'V v v ,|||'χχχr g e g r e >
><<
基态R 0处(v=0)的振动波函数最大,有着最大的吸收跃迁几率。基态偏离R 0处(v>0)也会产生吸收跃迁,但几率降低。
这样导致吸收谱具有一定的宽度。R
0处对应的吸收能量为E 0则抛物线左侧和右侧对应能量分别高于和低于E 0。
位形坐标与对应的吸收谱
吸收谱的宽度取决于基态和激发态抛物线最低值R的差值(△R)
如果两个抛物线的最低R值相同(△R=0),则吸收为线谱。这种跃迁叫做零振动跃迁或零声子跃迁。
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跃迁。具有较大的理化能的施主杂质所发生的D→V跃迁应当低于能隙很
多,这就是深施主杂质跃迁 D→V过程。
C
C
C
E
D
DD
电子泵抽运造成 的 电 子 -空 穴 对
DA
A
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V
V
V
V
2.2 固体光吸收的本质
C→A过程 本征半导体导带中的一个电子落在受主杂质原子上,
并使受主杂质原子电离化,这个过程的能量为Eg—EA。例如对GaAs来 说,许多受主杂质的EA为0.03ev,所以C→A过程应发生在1.49ev处。 实际上,在GaAs的发光光谱中,已观察到1.49ev处的弱发光谱线,它
11
V
V
V
V
2.2 固体光吸收的本质
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电信系光电工程专业
6
2.2 固体光吸收的本质
激子吸收 除了基础吸收以外,还有
一类吸收,其能量低于能隙宽度,它
对应于电子由价带向稍低于导带底处
导带
的的能级的跃迁有关。这些能级可以 看作是一些电子-空穴(或叫做激子
激子能级
,excition)的激发能级(图5.2)处 于这种能级上的电子,不同于被激发
那么可能发生中性施主杂质给出一个电子跃迁到受主杂质上的过程,这
就是D→A过程.。发生跃迁后,施主和受主杂质都电离了,它们之间的
结合能为:
Eb=-e2/4πεKr
2.1
该过程的能量为:Eg—ED—C EA—Eb。
C
C
E
D
DD
电子泵抽运造成 的 电 子 -空 穴 对
DA
A
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电信系光电工程专业
的能隙之中。当材料受到光照时,受主缺陷能级接受价带迁移来的电子,
而施主能级上的电子可以向导带迁移,这样就使原本不能发生基础吸收的
物质由于缺陷存在而发生光吸收,图5.3给出了各种光吸收的情况。
C→V过程 在高温下发生的电子 由价带向导带的跃迁。
E→V过程 这是激子衰变过程。
C
E D
C
C
DD
这种过程只发生在高纯半导体和低
电子泵抽运造成 的 电 子 -空 穴 对
温下,这时KT不大于激子的结合能
。可能存在两种明确的衰变过程:
自由激子的衰变和束缚在杂质上的 V
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激子的衰变。
电信系光电工程专业
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A
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V
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2.2 固体光吸收的本质
D→V过程 这一过程中,松弛的束缚在中性杂质上的电子和一个价
带中的空穴复合,相应跃迁能量是Eg—ED。例如对GaAs来说,低温下的 Eg 为 1.1592ev , 许 多 杂 质 的 ED 为 0.006ev , 所 以 D→V 跃 迁 应 发 生 在 1.5132ev处。因此,发光光谱中在1.5132ev处出现的谱线应归属于这种
17.10.2020
电信系光电工程专业
导带 能隙 (禁带)
价带
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2.2 固体光吸收的本质
例如,离子晶体的能隙宽度一般为几个电子伏,相当于紫外光的 能量。因此,纯净的理想离子晶体对可见光以至红外区的光辐射, 都不会发生光吸收,都是透明的。碱金属卤化物晶体对电磁波透明 的波长可以由~25μm到250nm,相当于0.05~5ev的能量。当有足 够强的辐射(如紫光)照射离子晶体时,价带中的电子就有可能被 激发跨过能隙,进入导带,这样就发生了光吸收。这种与电子由价 带到导带的跃迁相关的光吸收,称作基础吸收或固有吸收。例如, CaF2的基础吸收带在200nm(约6ev)附近,NaCl的基础吸收约为8ev ,Al2O3的基础吸收约在9ev。
能隙(禁带)
到导带上的电子,不显示光导电现象
,它们和价带中的空穴偶合成电子空穴对,作为整体在晶体中存在着或
价带
运动着,可以在晶体中运动一段距离
(~1μm)后再复合湮灭。
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2.2 固体光吸收的本质
缺陷存在时晶体的光吸收 晶体的缺陷有本征的,如填隙原子和空位
,也有非本征的,如替代杂质等。这些缺陷的能级定于在价带和导带之间
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2.1 发光材料
固体发光的基本特征
(1)任何物体在一定温度下都具有平衡热辐射,而发光是指 吸收外来能量后,发出的总辐射中超出平衡热辐射的部 分。
(2)(2) 当外界激发源对材料的作用停止后,发光还会持续一 段时间,称为余辉。一般10e-8为界限,短于为荧光, 长于为磷光。
பைடு நூலகம்
应当归属于自由电子-中性受主杂质跃迁。导带电子向深受主杂质上的
跃迁,其能量小于能隙很多,这就是深受主杂质跃迁C→A过程。
C
C
C
E
D
DD
电子泵抽运造成 的 电 子 -空 穴 对
DA
A
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V
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V
V
V
V
2.2 固体光吸收的本质
D→A过程 如果同一半导体材料中,施主和受主杂质同时存在,
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2.1 发光材料
发光材料的定义
发光材料又称发光体,是一种能够把从外界吸收的各种形式的能 量转换为非平衡光辐射的功能材料。光辐射有平衡辐射和非平衡 辐射两大类,即热辐射和发光。
任何物体只要具有一定温度,则该物体必定具有与此温度下处 于热平衡状态的辐射。
非平衡辐射是指在某种外界作用的激发下,体系偏离原来的平 衡态,如果物体在回复到平衡态的过程中,其多余的能力以光辐 射的形式释放出来,则称发光。因此发光是一种叠加在热辐射背 景上的非平衡辐射,其持续时间要超过光的振动周期。
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2.2 固体光吸收的本质
我们先讨论纯净物质对光的吸收。
基础吸收或固有吸收 固体中电子的能 带结构,绝缘体和半导体的能带结构如图 5.1所示,其中价带相当于阴离子的价电子 层,完全被电子填满。导带和价带之间存 在一定宽度的能隙(禁带),在能隙中不 能存在电子的能级。这样,在固体受到光 辐射时,如果辐射光子的能量不足以使电 子由价带跃迁至导带,那么晶体就不会激 发,也不会发生对光的吸收。
2发光材料与器件基础
第二章 发光材料基本概念
2.1 发光材料
固体的光性质,从本质上讲,就是固体和电磁波的相互作用, 这涉及晶体对光辐射的反射和吸收,晶体在光作用下的发光,光 在晶体中的传播和作用以及光电作用、光磁作用等。基于这些性 质,可以开发出光学晶体材料、光电材料、发光材料、激光材料 以及各种光功能转化材料等。在本章中,我们从固体对光的吸收 的本质开始,然后介绍光电材料、发光材料和激光材料等。