第9章 半导体2湿敏资料
第9章 化学物质传感器
湿敏元件是最简单的湿度传感器。产品的基本形式都 是在基片上涂覆感湿材料形成感湿膜。空气中的水蒸汽吸附 于感湿材料后,元件的阻抗、介质常数发生很大的变化,从 而制成湿敏元件。
电阻式
湿敏元件根据工作方式的不同
电容式 湿度传感器是由湿敏元件及转换电路组成的,具有把 环境湿度转换为电信号的能力。
导电机理用一句话描述: 半导体表面因吸附气体引起半导体元件电
阻值变化,根据这一特性,从阻值的
变化测出气体的种类和浓度。
典型代表,这类半导体传感器的使用温度较高,大约200~ 500℃。为了进一步提高它们的灵敏度,降低工作温度,通 常向母料中添加一些贵金属(如 Ag , Au, Pb 等),激活剂及粘接剂 Al2O3 , SiO2 , ZrO2 等。 目前常见的 SnO2 系列气敏元件有
图9-2 直热式气敏器件结构
旁热式SnO2 气敏元件
旁热式SnO2 气敏元件严格地讲是一种厚膜型元件 。 在一根薄壁陶瓷管的两端设臵一对金电极及铂一铱合金丝 引出线,然后在瓷管的外壁涂覆以SnO2为基础材料配制的浆料 层,经烧结后形成厚膜气体敏感层。在陶瓷管内放入一根螺旋 形高电阻金属丝作为加热器(加热器电阻值一般为30~40Ω)。 这种管芯的测量电极与加热器分离,避免了相互干扰,而且 元件的热容量较大,减少了环境温度变化对敏感元件特性的影 响。 其可靠性和使用寿命都较直 热式气敏元件为高。目前市售 的SnO2 系气敏元件大多为这种 结构形式。
第九章_半导体传感器(3)
7
9.1 气敏传感器 一、半导体气敏传感器导电机理
当氧化型型气体吸附到N型半导体上, 半导体的载流子减少,电阻率上升; 当氧化型型气体吸附到P型半导体上, 半导体的载流子增多,电阻率下降; 当还原型气体吸附到N型半导体上, 半导体的载流子增多,电阻率下降; 当还原型气体吸附到P型半导体上,
30
9.2 湿敏传感器 二、湿敏传感器应用之一 ——土壤湿度测量 结构:电路由检测、放大、稳压源组成
• • • • • RH为硅湿敏电阻,温度25℃时响应时间小于5秒; 检测土壤含水量范围RH=0~100%,RH为VT提供偏流; RH插入土壤,湿度不同时传感器电阻值不同; RH变化引起VT基极电流变化使Ie在R2上转换为电压, 经同相放大器放大,输出VD3控制在5V电压。
当溶液置于一定湿度场中,若环境RH 上 升,溶液吸收水分子使浓度下降 电阻率 ρ 上升,反之RH下降,溶液浓度上升, 电阻率ρ 下降。
RH RH
吸湿——浓度 脱湿——浓度
R R
氯化锂湿敏电阻
27
通过测量溶液电阻R值实现对湿度测量。
9.2 湿敏传感器
二、半导体陶瓷湿敏电阻
半导体陶瓷湿敏电阻(半导瓷) 通常用两种以上的金属—氧化物—半导体烧结成多孔陶瓷, 材料有正温度系数和负温度系数两种。 负特性湿敏半导体瓷的导电机理 水分子氢原子具有很强的正电场,水分子在半导瓷表面 吸附时从表面俘获电子,使半导瓷表面带负电。
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半导体器件物理 光照与半导体
光照对半导体材料的导电能力也有很大的影响。 例如,硫化镉(CdS)薄膜的暗电阻为几十兆欧, 然而受光照后,电阻降为几十千欧,阻值在受光照以 后改变了几百倍。 光敏电阻 成为自动化控制中的一个重要元件。
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半导体器件物理 其他因素与半导体
除温度、杂质、光照外,电场、磁场及其他 外界因素(如外应力)的作用也会影响半导体材 料的导电能力。
原子并不是静止在具有严格周期性 的晶格的格点位置上,而是在其平 衡位置附近振动 并不是纯净的,而是含有若干杂质, 即在半导体晶格中存在着与组成半 导体的元素不同的其他化学元素的 原子 晶格结构并不是完整无缺的,而存 在着各种形式的缺陷
晶格中的原子严格 按周期排列的
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半导体器件物理
极其微量的杂质和缺陷, 能够对半导体材料的物理性质 和化学性质产生决定性的影响 例1
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思考
• 既然半导体电子和空穴都能导电,而导 体只有电子导电,为什么半导体的导电 能力比导体差?
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半导体器件物理
●导带底EC 导带电子的最低能量
●价带顶EV
价带电子的最高能量 ●禁带宽度 Eg
Eg=Ec-Ev
●本征激发
由于温度,价键上的电子 激发成为准自由电子,亦 即价带电子激发成为导带 电子的过程 。
传感器原理及应用技术(刘笃仁)-第9章
第9章 气、湿敏传感器
近年来发展的厚膜型SnO2气敏元件,添加了ThO2,提高 了元件的气体识别能力,尤其是对CO的灵敏度远高于对其 他气体的灵敏度。特别是添加ThO2的元件,在检测CO时, 其灵敏度随时间有周期性的振荡现象(见图9.5),其频 率和振幅与气体的浓度有关。虽目前尚不明确其机理,但 可 利 用 这 一 现 象 对 CO 浓 渡 作 较 精 确 的 定 量 检 测 ( 见 图 9.6)。
第9章 气、湿敏传感器 第9章 气、湿敏传感器
9.1 气敏传感器 9.2 湿敏传感器
第9章 气、湿敏传感器
9.1 气敏传感器
9.1.1 气敏元件按照其与气体的相互作用主要是局限于半
导体表面,还是涉及到内部,可分为表面控制型和体控制 型两类;按照半导体变化的物理特性,又可分为电阻式和 非电阻式,如表9.1所示。
第9章 气、湿敏传感器
图9.2(c)所示是厚膜型气敏元件。这类元件一般是 把半导体氧化物粉末、添加剂、粘合剂及载体混合成浆 料,再把浆料印刷(丝网印刷)到基片上(厚度数微米到 数十微米)制成的,其灵敏度与烧结体型的相当,工艺性、 机械强度和性能的一致性都很好。
上述气敏元件的加热器是用来烧去附在元件表面的 油雾与尘埃,加速气体的吸附,从而提高元件的灵敏度和 响应速度。元件的工作加热温度取决于氧化物材料及被 测气体的种类,一般在200~400 ℃。
半导体器件物理施敏课后答案
半导体器件物理施敏课后答案
【篇一:半导体物理物理教案(03级)】
>学院、部:材料与能源学院
系、所;微电子工程系
授课教师:魏爱香,张海燕
课程名称;半导体物理
课程学时:64
实验学时:8
教材名称:半导体物理学
2005年9-12 月
授课类型:理论课授课时间:2节
授课题目(教学章节或主题):
第一章半导体的电子状态
1.1半导体中的晶格结构和结合性质
1.2半导体中的电子状态和能带
本授课单元教学目标或要求:
了解半导体材料的三种典型的晶格结构和结合性质;理解半导体中
的电子态, 定性分析说明能带形成的物理原因,掌握导体、半导体、
绝缘体的能带结构的特点
本授课单元教学内容(包括基本内容、重点、难点,以及引导学生
解决重点难点的方法、例题等):
1.半导体的晶格结构:金刚石型结构;闪锌矿型结构;纤锌矿型
结构
2.原子的能级和晶体的能带
3.半导体中电子的状态和能带(重点,难点)
4.导体、半导体和绝缘体的能带(重点)
研究晶体中电子状态的理论称为能带论,在前一学期的《固体物理》课程中已经比较完整地介绍了,本节把重要的内容和思想做简要的
回顾。
本授课单元教学手段与方法:
采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授
本授课单元思考题、讨论题、作业:
作业题:44页1题
本授课单元参考资料(含参考书、文献等,必要时可列出)
1.刘恩科,朱秉升等《半导体物理学》,电子工业出版社2005?
2.田敬民,张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》?电子工
业
出版社2005
3. 施敏著,赵鹤鸣等译,《半导体器件物理与工艺》,苏州大学出
版社,2002
施敏-课后习题答案
4 7.831014 3 ( 2a ) 2 3 (5.43108 ) 2 4
2
2.
假如我们将金刚石晶格中的原子投影到底部,原 子的高度并以晶格常数为单位表示,如下图所示。 找出图中三原子(X, Y, Z)的高度。
解:此正方形内部诸原子可视为是由一个顶点及其 所在 三个邻面的面心原子沿体对角线平移1/4 长度后,向底面投影所得。 因此,x的高度为3/4 y的高度为1/4 z的高度为3/4
ni (9.65109 ) 2 n p 5 1015
2
1.86104 cm3
1 qp p 1 1.6 1019 5 1015 150 8.33cm
8. 给定一个未知掺杂的硅晶样品,霍耳测量提供了以下的 信息:W = 0.05 cm,A = 1.610-3 cm2(参考图3.8),I = 2.5 mA,且磁场为30T(1特斯拉(T)= 10-4 Wb/cm2)。若 测量出的霍耳电压为 +10 mV,求半导体样品的霍耳系数、 导体型态、多数载流子浓度、电阻率及迁移率。
(2) 常温情况(T=300K)
NC 2.86 1019 EC EF kT ln( ) 0.0259ln( )eV 0.205eV 16 ND 10
(3) 高温情况(T=600K) 根据图2.22可看出ni =3X1015 cm-3,已接近施主浓度 EF -Ei = kT ln(n/ni) = 0.0518ln(ND/ni) = 0.0518ln3.3=0.06eV
施敏-课后习题答案
为一超越方程,可以查图2.22得到近似解
ni 1015 cm3 对应
的点在1.8左右,即
1000 1 .8 T
T 556 K
将T=556K代入原式 验证得, Ni=1.1X1015,基本 符合
16. 画出在77K,300K,及600K时掺杂1016 砷原子/立方厘 米的硅的简化能带图。标示出费米能级且使用本征费米能级 作为参考能量。
ni (9.6510 ) n p 5 1015
2
9 2
1.8610 cm
4
3
1 qp p 1 1.6 1019 5 1015 350 3.57cm
(c) 51015硼原子/cm3、1017砷原子/cm3及1017镓 原子/cm3
p N A N D 5 1015 1017 1017 5 1015 cm3
ni (9.65109 ) 2 16 3 4.7 103 cm3 (a) 热平衡时 no N D 2 10 cm , p0 n0 2 1016
2
从书上公式(50),推导
U th o N t pn pno
pn pno 2n E Ei 1 i cosh t n kT no
因为霍耳电压为正的,所以该样品为p型半导体(空穴导电) 多子浓度:
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13
≤30°C/85% RH ≤30°C/60% RH ≤30°C/60% RH ≤30°C/60% RH ≤30°C/60% RH ≤30°C/60% RH ≤30°C/60% RH ≤30°C/60% RH
3
有关术语和定义
➢ HIC: Humidity Indicator Card 湿度指示卡
➢ MBB: Moisture Barrier Bag
防百度文库袋
➢ Desiccant
干燥剂
➢ Active Desiccant
活性干燥剂
➢ Floor Life
允许暴露时间
➢ Shelf Life
存储期限
➢ MSL: Moisture Sensitivity Level 潮湿敏感等级
5
怎样识别湿敏元件
外包装可见雨点警示标志图标(如下图) :
6
标示
级别/等级
拆封后规定使 用时间
拆封后的保存环境
使用环境 烘烤时间和温度
我们如何控制湿敏元件:
干燥包装:
在湿敏元件存储和运输过程中的一种保存方法。
包括:
• MBBs : Moisture Barrier Bags(防湿包装袋)
传感器基础 第9章
① 按元件输出的电学量分类可分为:电阻 式、电容式、频率式等。 ② 按其探测功能可分为:相对湿度、绝对 湿度、结露和多功能式四种 ③ 按材料则可分为:陶瓷式、有机高分子 式、半导体式、电解质式等。
第9章 半导体式传感器
另外,根据与水分子亲和力是否有关,可以 将湿敏传感器分为水亲和力型湿敏传感器和非水 亲和力型湿敏传感器。水分子易于吸附在物体表 面并渗透到固体内部的这种特性称为水分子亲和 力,水分子附着或浸入湿敏功能材料后,不仅是 物理吸附,而且还有化学吸附,其结果使功能材 料的电性能产生变化,如LiCl、ZnO材料的阻抗 发生变化。因此,这些材料就可以制成湿敏元件, 另外利用某些材料与水分子接触的物理效应也可 以测量湿度。因此,这两大类湿敏传感器可细分 为表9-2所示的各种湿敏传感器。
9.1.1 半导体气敏传感器的分类 半导体气敏传感器包括用氧化物半导体陶瓷 材料作为敏感元件制作的气敏传感器以及用单晶 半导体器件制作的气敏传感器,分类如表9-1所 示。 按照半导体变化的物理特征,可分为电阻型 和非电阻型两类。前者是利用敏感元件吸附气体 后电阻值随着被测气体的浓度改变来检测气体的 浓度或成分;后者是利用二极管伏安特性和场效 应管的阈值电压变化来检测被测气体。
第9章 半导体式传感器
9.2.3 湿敏传感器的应用
1. 自动气象站湿度测报 湿度传感器广泛用于自动气象站的遥测 装置上,采用耗电量很小的湿度传感器可 以由蓄电瓶供电长期自动工作,几乎不需 要维护。用于无线电遥测自动气象站的湿 度测报原理方框图如图所示。
《湿敏元件简介》课件
环境监测
在环境监测领域,湿敏元件主要 用于监测空气湿度,以了解和预 测天气变化、气候变化等环境因
素。
在气象站、环境监测站等场所, 湿敏元件可以用于监测大气湿度 ,为气象预报和环境评估提供数
据支持。
《湿敏元件简介》ppt课件
目录
• 湿敏元件概述 • 湿敏元件的制造工艺 • 湿敏元件的性能指标 • 湿敏元件的应用场景 • 湿敏元件的发展趋势与挑战
01
湿敏元件概述
定义与特性
定义
湿敏元件是一种能够感应周围环 境湿度并转换为可测量信号的电 子器件。
特性
具有高灵敏度、快速响应、长期 稳定性等优点,广泛应用于气象 、环保、工业控制等领域。
响应时间
总结词
湿敏元件从一种湿度状态变为另一种湿度状态所需的时间
详细描述
响应时间是衡量湿敏元件性能的重要指标,它表示湿敏元件 从一种湿度状态变为另一种湿度状态所需的时间。快速响应 的湿敏元件能够更快地检测到湿度变化,适用于需要实时监 测的应用场景。
温度特性
总结词
湿敏元件在不同温度下的性能表现
详细描述
技术创新与突破
新型湿敏材料的研发
探索和开发新型湿敏材料,以提高湿敏元件的灵敏度和稳定性, 是当前技术创新的重要方向。
半导体敏感元件(湿度)
测量绝对湿度的感湿特性曲线
⑶ 湿滞特性
阳极氧化时生成的多孔Al2O3有多个解理面,易于产生裂纹,以致在该处易于聚集 水分而成缓慢的扩散源。气孔孔型不规则,分布不均匀,外电极上有机物的玷污,过厚 的外电极金属膜以及过大的感湿面积等,都是湿滞的原因。
7 元素半导体湿敏元件
面电阻明显下降,引起感湿陶瓷的
电阻下降。
(a)未吸附水分子时
(b)吸附水分子后
P型半导体陶瓷表面能态
6 半导体陶瓷湿敏元件
A 电子导电理论
感湿机理
沈 阳
N型金属氧化物半导体
A
B
工
Ei
业 大 学
A 过程: 正感湿过程。
B 过程:随着相对湿度增加,界面积累的空穴浓度将超过导带中原有
电子浓度,出现反型层,界面电阻率下降,呈现负感湿特性。
沈 阳 工 业 大 学
类型 特点
测湿范围宽,工作温度高,响应时间短、精度高;
陶瓷湿敏元件利用其表面多孔性吸湿导电。 B 质子导电理论
感湿机理
A 电子导电理论 水分子特点
C 电子-质子混合导电理论
极性分子,电子云趋向于氧原子,氢 原子附近有很强的正电场,水分子具有很 强的电子亲和力。
水分子结构示意图
6 半导体陶瓷湿敏元件
感湿机理 沈 阳 工 业 大 学
第09章半导体传感器69页
表9-2 半导体气敏传感器的各种检测对象气体
9.2 湿 敏 传 感 器
湿度是指大气中的水蒸气含量,通常采用绝对湿度和相对 湿度两种表示方法。绝对湿度是指在一定温度和压力条件下, 每单位体积的混合气体中所含水蒸气的质量,单位为g/m3,一般 用符号AH表示。对湿度是指气体的绝对湿度与同一温度下达到 饱和状态的绝对湿度之比,一般用符号%RH表示。相对湿度给 出大气的潮湿程度,它是一个无量纲的量,在实际使用中多使 用相对湿度这一概念。
7
器 件 加热 用 的 加 热 器(印 制 厚 膜 电阻 )
(c)
图9-2 (a) 烧结型气敏器件; (b) 薄膜型器件; (c) 厚膜型器件
图9-2(a)为烧结型气敏器件。这类器件以SnO2半导体材料为 基体,将铂电极和加热丝埋入SnO2材料中,用加热、加压、温 度为700~900℃的制陶工艺烧结成形。因此,被称为半导体陶瓷, 简称半导瓷。半导瓷内的晶粒直径为1μm左右,晶粒的大小对电 阻有一定影响,但对气体检测灵敏度则无很大的影响。烧结型 器件制作方法简单,器件寿命长;但由于烧结不充分,器件机 械强度不高,电极材料较贵重,电性能一致性较差,因此应用 受到一定限制。
器 件 电 阻 / k
10 0
稳 定状 器件加热 态
响 应 时 间 约 1 min 以 内 氧 化型
50
5
还 原型
第九章湿敏传感器
RH为感湿膜的体电阻; C为导电微粉浓度; a、p为由树脂、导电微
粉决定的系数。
图 9-14 结露传感器的结构
9.5 有机物及高分子聚合物湿度传感器
图 9-15 湿度-阻值特性曲线
图 9-16 响应时间-温度关系曲线
9.5 有机物及高分子聚合物湿度传感器
❖ 高分子电容式湿度传感器 ❖ 原理:
基于电极间的高分子感湿材料吸附环境中的水 分子时介电常数变化制成高分子电容式湿度传感 器,其电容量与环境中水蒸气相对压(p/p0)关 系可由下式表示
9.6 半导体结型和MOS型湿度传感器 ❖ 湿敏MOS场效应管 输出电压Vout与膜的电容Cs有如下关系:
RL为与漏极相连接的负载电阻; gm为FET的跨导; Ci为绝缘层的电容; Cs为取决于环境的相对湿度和其他适当的常数。
9.6 半导体结型和MOS型湿度传感器
图 9-25 MOSEFET湿敏器件的横截面图
图 9-32 登莫式传感器结构
图 9-33 登莫式传感器电阻-湿度特性
9.8 溶性电解质湿度传感器
❖ 浸渍式
图 9-34 玻璃带上浸LiCl的湿度传感器 的结构
图 9-35 玻璃带上浸LiCl的湿度传感器的 感湿特性曲线
9.8 溶性电解质湿度传感器
❖ 光硬化树脂电解质湿敏元件
表 9-1 典型氯化锂湿敏元件主要技术特性
湿敏电阻特性
湿敏电阻是利用湿敏材料吸收空气中的水分而导致本身电阻值发生变化这一原理而制成的。
1、半导体陶瓷湿敏元件
铬酸镁-二氧化钛陶瓷湿敏元件是较常用的一种湿度传感器,它是由MgCr2O4-TiO2固熔体组成的多孔性半导体陶瓷。这种材料的表面电阻值能在很宽的范围内随湿度的增加而变小,即使在高湿条件下,对其进行多次反复的热清洗,性能仍不改变。该元件采用了MgCr 2O4-TiO2多孔陶瓷,电极材料二氧化钌通过丝网印制到陶瓷片的两面,在高温烧结下形成多孔性电极。在陶瓷片周围装置有电阻丝绕制的加热器,以450、1min对陶瓷表面进行热清洗。湿敏电阻的电阻-相对湿度特性曲线如图2.5.1所示。
图2.5.1 电阻-湿度特性曲线
图2.5.2是这种湿敏元件应用的一种测量电路。图中R为湿敏电阻,为温度补偿用热敏电阻。为了使检测湿度的灵敏度最大,可使R=。这时传感器的输出电压通过跟随器并经整流和滤波后,一方面送入比较器1与参考电压U1比较,其输出信号控制某一湿度;另一方面送到比较器2与参考电压U2比较,其输出信号控制加热电路,以便按一定时间加热清洗。
图2.5.2 湿敏电阻测量电路方框图
2、氯化锂湿敏电阻
图2.5.3是氯化锂湿敏电阻的结构图。它是在聚碳酸酯基片上制成一对梳状金电极,然后浸涂溶于聚乙烯醇的氯化锂胶状溶液,其表面再涂上一层多孔性保护膜而成。氯化锂是潮解性盐,这种电解质溶液形成的薄膜能随着空气中水蒸汽的变化而吸湿或脱湿。感湿膜的电阻随空气相对湿度变化而变化,当空气中湿度增加时,感湿膜中盐的浓度降低。
图2.5.3 氯化锂湿敏电阻结构
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如果对某一种半导瓷,它的晶粒间 的电阻并不比晶粒内电阻大很多,那么 表面层电阻的加大对总电阻并不起多大 作用。
不过,通常湿敏半导瓷材料都是多 孔的,表面电导占的比例很大,故表面 层电阻的升高,必将引起总电阻值的明
显升高。
但是,由于晶体内部低阻支路仍然
存在,正特性半导瓷的总电阻值的升高
没有负特性材料的阻值下降得那么明显。 图9-10给出了Fe3O4正特性半导瓷湿
由于水分子中的氢原子具有很强的 正电场,当水在半导瓷表面吸附时,就
有可能从半导瓷表面俘获电子,使半导
瓷表面带负电。
如果该半导瓷是P型半导体,则由
于水分子吸附使表面电势下降,将吸引
更多的空穴到达其表面,于是,其表面
层的电阻下降。
若该半导瓷为N型,则由于水分子 的附着使表面电势下降,
如果表面电势下降较多,不仅使表 面层的电子耗尽,同时吸引更多的空穴 达到表面层, 有可能使到达表面层的空穴浓度大 于电子浓度,出现所谓表面反型层,这 些空穴称为反型载流子。 它们同样可以在表面迁移而表现出 电导特性。
相对湿度给出大气的潮湿程度,无
量纲,在实际使用中多使用相对湿度。
湿敏传感器是能够感受外界湿度变
化,并通过器件材料的物理或化学性质
变化,将湿度转化成有用信号的器件。
湿度检测较之其它物理量的检测困难。
1.空气中水蒸气含量要比空气少得 多;
2.液态水会使一些高分子材料和电 解质材料溶解,一部分水分子电离后与 溶入水中的空气中的杂质结合成酸或碱,
9.2 湿 敏 传 感 器
湿度是指大气中的水蒸气含量,通
常采用绝对湿度和相对湿度两种表示方 法。 绝对湿度的定义:
在一定温度和压力条件下,每单位
体积的混合气体中所含水蒸气的质量, 单位为g/m3,用符号AH表示。
相对湿度的定义:
气体的绝对湿度与同一温度下达到
饱和状态的绝对湿度之比,用符号%RH
表示。
9.2.1
氯化锂湿敏电阻
氯化锂湿敏电阻是利用吸湿性盐类
潮解,离子导电率发生变化而制成的测
湿元件。
1 4
2 3 1 —引 线 ; 2 —基 片 ; 3 —感 湿 层 ; 4 —金 电 极
图9-7 湿敏电阻结构示意图
氯化锂通常与聚乙烯醇组成混合体,
在氯化锂(LiCl)溶液中,Li和Cl均以
正负离子的形式存在, 而Li+对水分子的吸引力强,离子
氯化锂湿度—电阻特性曲线
在50%~80%相对湿度范围内,电阻 与湿度的变化成线性关系。 氯化锂湿敏元件的优点是滞后小, 不受测试环境风速影响,检测精度高达 ±5%,
但其耐热性差wk.baidu.com不能用于露点以下 测量,器件性能重复性不理想,使用寿 命短。
9.2.2 半导体陶瓷湿敏电阻 用两种以上的金属氧化物半导体材
料混合烧结而成为多孔陶瓷。
这些材料有:
ZnO-LiO2-V2O5系、
Si-Na2O-V2O5系、 TiO2-MgO-Cr2O3系、 Fe3O4等。
前三种材料的电阻率随湿度增加而
下降,称为负特性湿敏半导体陶瓷。
最后一种的电阻率随湿度增加而增 大,称为正特性湿敏半导体陶瓷 (以下简 称半导瓷)。
1. 负特性湿敏半导瓷的导电机理
使湿敏材料受到腐蚀和老化,从而 丧失其原有的性质;
3. 湿信息的传递必须靠水对湿敏器 件直接接触来完成,因此湿敏器件只能 直接暴露于待测环境中,不能密封。
对湿敏器件要求:在各种气体环境 下稳定性好,响应时间短,寿命长,有 互换性,耐污染和受温度影响小等。
微型化、集成化及廉价是湿敏器件 的发展方向。
金属 电极 湿敏 陶瓷片 加热 线圈 固定 端子
陶瓷 基片
引线
图9-11 MgCr2O4-TiO2陶瓷
在MgCr2O4-TiO2陶瓷片的两面涂覆 有多孔金电极。 金电极与引出线烧结在一起,
为了减少测量误差,在陶瓷片外设 置由镍铬丝制成的加热线圈,以便对器 件加热清洗,排除恶劣气氛对器件的污 染。
几种半导瓷湿敏负特性
2. 正特性湿敏半导瓷的导电机理 正特性湿敏半导瓷的导电机理的解
释可以认为这类材料的结构、电子能量
状态与负特性材料有所不同。
当水分子附着半导瓷的表面使电势 变负时,导致其表面层电子浓度下降, 但这还不足以使表面层的空穴浓度增加 到出现反型程度,此时仍以电子导电为 主。
于是,表面电阻将由于电子浓度下 降而加大,这类半导瓷材料的表面电阻 将随湿度的增加而加大。
敏电阻阻值与湿度的关系曲线。
2 20 2 00 1 80
电 阻 /
1 60 1 40 1 20 1 00 80 0 20 40 60 80 相 对 湿 度 / %R H 1 00
Fe3O4半导瓷的正湿敏特性
从图 9-9 与图 9-10 可以看出,当相 对湿度从 0%RH 变化到 100%RH 时,
因此,由于水分子的吸附,使N型
半导瓷材料的表面电阻下降。
由此可见,不论是P型还是N型半导 瓷,其电阻率都随湿度的增加而下降。
6 10
5 10
3
2
1
电 阻 /
4 10
3 10
0
2 0 4 0 6 0 8 0 1 00 相对湿度 / %R H
1 —Zn O—LiO 2 —V 2 O5 系; 2 —Si—Na 2 O—V 2 O5 系; 3 —TiO —MgO—Cr O 系 2 2 3
水合程度高,其溶液中的离子导电能力
与浓度成正比。
当溶液置于一定温湿场中,若环境
相对湿度高,溶液将吸收水分,使浓度
降低,因此,其溶液电阻率增高。
反之,环境相对湿度变低时,则溶 液浓度升高,其电阻率下降,从而实现
对湿度的测量。
7 .0 6 .5
电阻值的对 数 /
吸附 脱附 1 5℃
6 .0 5 .5 5 .0 4 .5 4 .0 40 50 60 70 80 相 对 湿 度 / %R H 90
整个器件安装在陶瓷基片上,电
极引线一般采用铂—铱合金。
8 10
7 10
6 10
电 阻 /
5 10
2 0℃
4 10
负特性材料的阻值均下降 3个数量级,
而正特性材料的阻值只增大了约一倍。
3. 典型半导瓷湿敏元件
(1)MgCr2O4-TiO2湿敏元件 氧化镁复合氧化物——二氧化钛湿敏
材料通常制成多孔陶瓷型“湿—电”转 换器件,
它是负特性半导瓷, MgCr2O4 为 P型半导体,它的电阻率低,阻值温 度特性好, 结构如图9-11所示。