第9章 半导体2湿敏资料

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半导体压敏材料

半导体压敏材料

半导体压敏材料是一种能将各种非电物理量(如力学量、光学量等)转换成电物理量的半导体材料。

这类材料在受到压力作用时,其电阻值会发生明显的变化,利用这一特性,可以将各种力学量转换为电信号,从而实现对各种物理量的测量和控制。

其中,压敏电阻器就是半导体压敏材料的一种重要应用。

它是一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护敏感器件。

压敏电阻器的电阻体材料是半导体,例如大量使用的“氧化锌”压敏电阻器,其主体材料有二价元素锌和六价元素氧所构成,因此氧化锌压敏电阻器是一种Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体。

此外,半导体压敏材料还有其他种类,如力敏半导体材料、光敏半导体材料等。

这些材料在力学量、光学量等非电物理量的测量和控制中发挥着重要作用。

以上信息仅供参考,如有需要,建议咨询新型材料领域的专家。

传感技术第九章 气、湿敏传感器

传感技术第九章  气、湿敏传感器
这两种方法统称为水蒸气百分含量法。
2、相对湿度和绝对湿度
水蒸气压是指在一定的温度条件下,混合气体中 存在的水蒸气分压(p)。而饱和蒸气压是指在同一温度 下,混合气体中所含水蒸气压的最大值(ps)。温度越 高,饱和水蒸气压越大。在某一温度下,其水蒸气压 同饱和蒸气压的百分比,称为相对湿度
RH p 100 % ps
电解质型:以氯化锂为例,它在绝缘基板上制作一对电极,涂 上氯化锂盐胶膜。氯化锂极易潮解,并产生离子导电,随湿度 升高而电阻减小。 陶瓷型:一般以金属氧化物为原料,通过陶瓷工艺,制成一种 多孔陶瓷。利用多孔陶瓷的阻值对空气中水蒸气的敏感特性而 制成。 高分子型:先在玻璃等绝缘基板上蒸发梳状电极,通过浸渍或涂 覆,使其在基板上附着一层有机高分子感湿膜。有机高分子的材 料种类也很多,工作原理也各不相同。 单晶半导体型:所用材料主要是硅单晶,利用半导体工艺制成。 制成二极管湿敏器件和MOSFET湿度敏感器件等。其特点是易 于和半导体电路集成在一起。
以上三种气敏器件都附有加热器。在实际应用时, 加热器能使附着在控测部分上的油雾,尘埃等烧 掉,同时加速气体的吸附,从而提高了器件的灵 敏度和响应速度,一般加热到200--400℃,具体 温度视所掺杂质不同而异。
这种气敏器件的优点是:工艺简单,价格便宜, 使用方便;对气体浓度变化时的响应快;即使在 低浓度(3000mg/kg)下,灵敏度也很高。其缺点 在于:稳定性差,老化较快,气体识别能力不强, 各器件之间的特性差异大等。
(2)气敏元件的灵敏度 是表征气敏元件对于被测气体的敏感程度的指
标。它表示气体敏感元件的电参量(如电阻型气敏 元件的电阻值)与被测气体浓度之间的依从关系。
(3)气敏元件的响应时间 表示在工作温度下,气敏元件对被测气体的响

半导体敏感元件(热敏元件与温度传感器)

半导体敏感元件(热敏元件与温度传感器)
解决方案
为了提高温度传感器的可靠性,可以采用耐极端环境的材料和制造工艺,优化结构设计,加强品质控制等方法。此外,定期检查和维护也是保持传感器可靠性的重要措施。
要点三
可靠性问题
06
未来展望
利用纳米材料的高敏感性和稳定性,提高热敏元件和温度传感器的精度和可靠性。
纳米材料
复合材料
生物材料
探索新型复合材料,结合不同材料的优点,实现更广泛的温度测量范围和更高的稳定性。
利用生物材料的独特性能,开发具有生物相容性和环保性的热敏元件和温度传感器。
03
02
01
新材料的应用
研究先进的薄膜工艺,降低热敏元件和温度传感器的制造成本,提高生产效率。
薄膜工艺
利用微纳加工技术,实现热敏元件和温度传感器的微型化和集成化,提高其响应速度和灵敏度。
微纳加工技术
开发具有柔性的热敏元件和温度传感器,适应不同应用场景的需求,如可穿戴设备和生物医疗领域。
磁阻元件
磁阻元件是一种利用磁性材料电阻变化的传感器,其电阻值随温度变化而变化。磁阻元件具有测量范围广、精度高、稳定性好等优点,常用于高精度温度测量和控制系统。
热磁效应
04
温度传感器的应用
工业生产过程中需要对温度进行精确控制,以确保产品质量和生产效率。温度传感器可以实时监测生产设备的温度,并将数据反馈给控制系统,实现精确的温度控制。
详细描述
要点三
总结词
可靠性问题是指温度传感器在特定条件下能否正常工作的问题,涉及到传感器的使用寿命和故障率。
要点一
要点二
详细描述
温度传感器的可靠性问题主要与其工作环境和内部结构有关。在高温、低温、高湿、高压等极端环境下,传感器可能会出现故障或性能下降。此外,传感器的结构设计、制造工艺和材料选择也会影响其可靠性。

施敏-课后习题答案2

施敏-课后习题答案2


=3/2kT

Ec
N ( E ) F ( E )dE
14. 一半导体的本征温度为当本征载流子浓度等 于杂质浓度时的温度。找出掺杂 1015 磷原子/立 方厘米的硅样品的本征温度。

解:根据题意有 n i N c N v exp(-E g /2kT),
N D 1015 cm 3
本征温度时,Ni=ND
(b)
a kT E ( x) 1106 0.026 260V / cm q
14. 一n型硅晶样品具有21016砷原子/cm3,21015/cm3的本 体复合中心及1010/cm2的表面复合中心。(a)求在小注入情况 下的本体少数载流子寿命、扩散长度及表面复合速度。p及 s的值分别为510-15及210-16 cm2。(b)若样品照光,且均 匀地吸收光线,而产生1017电子-空穴对/cm2· s,则表面的空 穴浓度为多少?
解:在能量为dE范围内单位体积的电子数N(E)F(E)dE, 而导带中每个电子的动能为E-Ec 所以导带中单位体积电子总动能为


)dE
N ( E ) F ( E )dE
而导带单位体积总的电子数为
Ec
导带中电子平均动能:


Ec
( E Ec ) N ( E ) F ( E )dE



1 1 (2) 从(110)面上看,每个面上有 2 2 4 4 个原子 2 4 4 2 2 14 9 . 6 10 所以,每平方厘米中的原子数= 8 2 2a 2 (5.43 10 )

1 1 (3) 从(111)面上看,每个面上有 3 3 2 个原子 6 2

因为霍耳电压为正的,所以该样品为p型半导体(空穴导电) 多子浓度:

半导体器件物理II必背公式 考点摘要

半导体器件物理II必背公式 考点摘要

半二复习笔记1.1MOS结构1.费米势:禁带中心能级(EFi)与费米能级(EF)之差的电势表示2.表面势:半导体表面电势与体内电势之差,体内EFi和表面EFi之差的电势表示3.金半功函数差4.P沟道阈值电压注意faifn是个负值1.3 MOS原理1. MOSFET非饱和区IV公式2. 跨导定义:VDS一定时,漏电流ID随VGS变化率,反映了VGS 对ID 的控制能力3. 提高饱和区跨导途径4.衬底偏置电压VSB>0,其影响5. 背栅定义:衬底能起到栅极的作用。

VSB变化,使耗尽层宽度变化,耗尽层电荷变化;若VGS不变,则反型沟道电荷变化,漏电流变化1.4 频率特性1. MOSFET频率限制因素:①沟道载流子的沟道运输时间(通常不是主要的限制因素)②栅电容充放电需要时间2. 截止频率:器件电流增益为1时的频率高频等效模型如下:栅极总电容CG看题目所给条件。

若为理想,CgdT为0,CgsT约等于Cox,即CG=Cox;非理想情况即栅源、栅漏之间有交叠,产生寄生电容:①CgdT的L为交叠部分长度②CgsT的L为L+交叠部分长度(CgsT=Cgs+Cgsp)。

3. 提高截止频率途径1.5 CMOS1.开关特性2.闩锁效应过程2.1 非理想效应1. MOSFET亚阈特性①亚阈值电流:弱反型态:势垒较低→电子有一定几率越过势垒→形成亚阈值电流②关系式:③注:若VDS>4(kT/e),最后括号部分≈1,IDsub近似与VDS无关④亚阈值摆幅S:漏电流减小一个数量级所需的栅压变化量,S是量化MOS管能否随栅压快速关断的参数。

⑤快速关断:电流降低到Ioff所需VGS变化量小。

因此S越小越好⑥亚阈特性的影响:开关特性变差:VGS=0时不能理想关断;静态功耗增加⑦措施:提高关断/待机状态下器件的阈值电压VT(如通过衬底和源之间加反偏压,使VT增加)、减小亚阈值摆幅2. 沟长调制效应(VDS↑⇒ID↑)①机理理想长沟:L`≈L,导电沟道区的等效电阻近似不变,饱和区电流饱和;实际器件(短沟):L` <L ,导电沟道区的等效电阻减小,ID增加,②夹断区长度③修正后的漏源电流④影响因素衬底掺杂浓度N 越小⇒ΔL的绝对值越大⇒沟道长度调制效应越显著;沟道长度L越小⇒ΔL的相对值越大⇒沟道长度调制效应越显著3. 迁移率变化①概念:MOSFET载流子的迁移率理想情况下:近似为常数;实际受沟道内电场的影响,迁移率非常数。

(施敏)半导体器件物理(详尽版)

(施敏)半导体器件物理(详尽版)
十分纯净 不含任何杂质 晶格中的原子严格 按周期排列的
实际应用中的
半导体材料
原子并不是静止在具有严格周期性 的晶格的格点位置上,而是在其平 衡位置附近振动
并不是纯净的,而是含有若干杂质, 即在半导体晶格中存在着与组成半 导体的元素不同的其他化学元素的 原子
晶格结构并不是完整无缺的,而存 在着各种形式的缺陷
在晶体中,不但外层价电 子的轨道有交叠,内层电 子的轨道也可能有交叠, 它们都会形成共有化运动;
半导体中的电子是在周期性排列 且固定不动的大量原子核的势场 和其他大量电子的平均势场中运动。 这个平均势场也是周期性变化的, 且周期与晶格周期相同。
但内层电子的轨道交叠较 少,共有化程度弱些,外 层电子轨道交叠较多,共 有化程度强些。
思考
• 既然半导体电子和空穴都能导电,而导 体只有电子导电,为什么半导体的导电 能力比导体差?
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半导体器件物理
●导带底EC 导带电子的最低能量
●价带顶EV 价带电子的最高能量
●禁带宽度 Eg
Eg=Ec-Ev
●本征激发 由于温度,价键上的电子 激发成为准自由电子,亦 即价带电子激发成为导带 电子的过程 。
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如图,晶面ACC’A’在 坐标轴上的
截距为1,1,∞,
其倒数为1,1,0,
此平面用密勒指数表示 为(110),
此晶面的晶向(晶列指 数)即为[110];
晶面ABB’A’用密勒指 数表示为( 100 );
晶面D’AC用密勒指数 表示为( 111 )。
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图1-7 一定温度下半导体的能带示意图 江西科技师范大学
半导体器件物理

半导体2湿敏

半导体2湿敏

还有一些特殊用途的热电偶,以满 足特殊测温的需要。 测量3800℃超高温的钨镍系列热电偶, 测量2~273K的超低温的镍铬-金 铁热电偶等。
我国已采用IEC标准生产热电偶。
表 15-2 为我国采用的几种热电偶 的主要性能和特点。
标准化热电偶的主要性能和特点
标准化热电偶的主要性能和特点
表15-3 S型(铂铑10-铂)热电偶分度表
表 15-4 B型(铂铑30—铂铑6)热电偶分度表
表15-5 K型(镍铬—镍硅)热电偶分度表
表 15-6 E型(镍铬—铜镍)热电偶分度表
热电动势的大小只与两材料及两接点温
度有关,
与热电偶的大小尺寸、形状及沿电 极各处的温度分布无关。
即如果材料不均匀,当导体上存在
温度梯度时,将会有附加电动势产生。 这条定理说明,热电偶必须由两种
不同性质的均质材料构成。
② 中间导体定律
利用热电偶进行测温,必须在回路 中引入连接导线和仪表,接入导线和仪 表后会不会影响回路中的热电势呢?
NAt 和 NBt 分别为导体A和导体B的 电子密度,是温度的函数。
热电偶回路中产生的总热电势:
eAB(T, T0)=
eAB(T)+eB(T,T0)-eAB(T0)-eA(T,T0)
A T B T0
热电偶回路
在总热电势中,温差电势比接触电
势小很多,可忽略不计,则热电偶的热
电势可表示为
eAB(T,T0)=eAB(T)-eAB(T0)
中间导体定律说明,在热电偶测温 回路内,接入第三种导体时,只要第三 种导体的两端温度相同,则对回路的总 热电势没有影响。
图15-10为接入第三种导体热电偶回 路的两种形式。
A t0 t B t0 C C B t1 A C t0

半导体压敏电阻器资料113页文档

半导体压敏电阻器资料113页文档
半导体压敏电阻器资料
6、纪律是自由的第一条件。——黑格 尔 7、纪律是集体的面貌,集体的声音, 集体的 动作, 集体的 表情, 集体的 信念。 ——马 卡连柯
8、我们现在必须完全保持党的纪律, 否则一 切都会 陷入污 泥中。 ——马 克思 9、学校没有纪律便如磨坊没有水。— —夸美 纽斯
10、一个人应该:活泼而守纪律,天 真而不 幼稚, 勇敢而 鲁莽, 倔强而 有原则 ,热情 而不冲 动,乐 观而不 盲目。 ——马 克思
1、最灵繁的人也看不见自己的背脊。——非洲 2、最困难的事情就是认识自己。——希腊 3、有勇气承担命运这才是英雄好汉。——黑塞 4、与肝胆人共事,无字句处读书。——周恩来 5、阅读使充实,会谈使人敏捷,写作使人精确。——培根

施敏-课后习题答案

施敏-课后习题答案

ni (9.65109 ) 2 16 3 4.7 103 cm3 (a) 热平衡时 no N D 2 10 cm , p0 n0 2 1016
2
从书上公式(50),推导
U th o N t pn pno
pn pno 2n E Ei 1 i cosh t n kT no
(a)
J n扩散 ( x) qDn
dn (a) qDn N 0 exp( ax ) dx
因为热平衡时,样品内部没有载流子的净流动,所以有
J n漂移 J n扩散 J n 0
根据欧姆定律的微分形式
J n漂移 E (x)
Dn N 0 exp(ax)
E
J n扩散 ( x)

因为霍耳电压为正的,所以该样品为p型半导体(空穴导电) 多子浓度:
IBZW 2.5 103 30104 0.05 p 1.461017 cm3 qVH A 1.6 1019 10103 1.6 103

霍耳系数: 1 1 RH 42.8cm3 / C qp 1.6 1019 1.46 1017 电阻率: (假设只有一种掺杂) 1 1 0.212cm 19 17 qp p 1.6 10 1.4610 200Leabharlann (a) q
a q kT n N 0 exp(ax) q a kT n N 0 exp( ax) a kT n N D q n N D a kT q
注,可用题十中的公式:

kT E(x) q
dN D ( x) 1 N ( x) dx D

(1) 低温情况(77K) 由于低温时,热能不 足以电离施主杂质,大部 分电子仍留在施主能级, 从而使费米能级很接近施 主能级,并且在施主能级 之上。(此时,本征载流 子浓度远小于施主浓度)

半导体器件物理施敏答案

半导体器件物理施敏答案

半导体器件物理施敏答案【篇一:施敏院士北京交通大学讲学】t>——《半导体器件物理》施敏 s.m.sze,男,美国籍,1936年出生。

台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授,美国工程院院士,台湾中研院院士,中国工程院外籍院士,三次获诺贝尔奖提名。

学历:美国史坦福大学电机系博士(1963),美国华盛顿大学电机系硕士(1960),台湾大学电机系学士(1957)。

经历:美国贝尔实验室研究(1963-1989),交通大学电子工程系教授(1990-),交通大学电子与资讯研究中心主任(1990-1996),国科会国家毫微米元件实验室主任(1998-),中山学术奖(1969),ieee j.j.ebers奖(1993),美国国家工程院院士(1995), 中国工程院外籍院士 (1998)。

现崩溃电压与能隙的关系,建立了微电子元件最高电场的指标等。

施敏院士在微电子科学技术方面的著作举世闻名,对半导体元件的发展和人才培养方面作出了重要贡献。

他的三本专著已在我国翻译出版,其中《physics of semiconductor devices》已翻译成六国文字,发行量逾百万册;他的著作广泛用作教科书与参考书。

由于他在微电子器件及在人才培养方面的杰出成就,1991年他得到了ieee 电子器件的最高荣誉奖(ebers奖),称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

施敏院士多次来国内讲学,参加我国微电子器件研讨会;他对台湾微电子产业的发展,曾提出过有份量的建议。

主要论著:1. physics of semiconductor devices, 812 pages, wiley interscience, new york, 1969.2. physics of semiconductor devices, 2nd ed., 868 pages, wiley interscience, new york,1981.3. semiconductor devices: physics and technology, 523 pages, wiley, new york, 1985.4. semiconductor devices: physics and technology, 2nd ed., 564 pages, wiley, new york,2002.5. fundamentals of semiconductor fabrication, with g. may,305 pages, wiley, new york,20036. semiconductor devices: pioneering papers, 1003 pages, world scientific, singapore,1991.7. semiconductor sensors, 550 pages, wiley interscience, new york, 1994.8. ulsi technology, with c.y. chang,726 pages, mcgraw hill, new york, 1996.9. modern semiconductor device physics, 555 pages, wiley interscience, new york, 1998. 10. ulsi devices, with c.y. chang, 729 pages, wiley interscience, new york, 2000.课程内容及参考书:施敏教授此次来北京交通大学讲学的主要内容为《physics ofsemiconductor device》中的一、四、六章内容,具体内容如下:chapter 1: physics and properties of semiconductors1.1 introduction 1.2 crystal structure1.3 energy bands and energy gap1.4 carrier concentration at thermal equilibrium 1.5 carrier-transport phenomena1.6 phonon, optical, and thermal properties 1.7 heterojunctions and nanostructures 1.8 basic equations and exampleschapter 4: metal-insulator-semiconductor capacitors4.1 introduction4.2 ideal mis capacitor 4.3 silicon mos capacitorchapter 6: mosfets6.1 introduction6.2 basic device characteristics6.3 nonuniform doping and buried-channel device 6.4 device scaling and short-channel effects 6.5 mosfet structures 6.6 circuit applications6.7 nonvolatile memory devices 6.8 single-electron transistor iedm,iscc, symp. vlsi tech.等学术会议和期刊上的关于器件方面的最新文章教材:? s.m.sze, kwok k.ng《physics of semiconductordevice》,third edition参考书:? 半导体器件物理(第3版)(国外名校最新教材精选)(physics of semiconductordevices) 作者:(美国)(s.m.sze)施敏 (美国)(kwok k.ng)伍国珏译者:耿莉张瑞智施敏老师半导体器件物理课程时间安排半导体器件物理课程为期三周,每周六学时,上课时间和安排见课程表:北京交通大学联系人:李修函手机:138******** 邮件:lixiuhan@案2013~2014学年第一学期院系名称:电子信息工程学院课程名称:微电子器件基础教学时数: 48授课班级: 111092a,111092b主讲教师:徐荣辉三江学院教案编写规范教案是教师在钻研教材、了解学生、设计教学法等前期工作的基础上,经过周密策划而编制的关于课程教学活动的具体实施方案。

半导体敏感元件(湿度)

半导体敏感元件(湿度)

H1 H 2 T
ΔT—温度25℃与另一规定环境温度之差;
3 湿度传感器的主要参数
F 响应时间

t -
Kt K(1e )
注:通常脱湿响应时间大于吸湿相应时间;

G 湿滞回线和湿滞回差

业 H 电压特性
加直流电压,会引起湿敏元件的感湿体内水

分子电解,致使其电导率随时间的延长而下降。

故采用交流电压。
2 湿敏传感器分类
沈干
湿 球

球 温
温 度

度 计




刻度盘
干湿球式湿度计
纱布
水槽
2 湿敏传感器分类
干湿球式湿度计
原理沈Biblioteka 利用水蒸发要吸热降温,而蒸发的快慢(即降温的多少)是和
当时空气的相对湿度有关。





3 湿度传感器的主要参数
A 湿度量程 低湿型(0.5%RH-30%RH) 中湿型(30%RH-70%RH)
而凝结成露珠,相对湿度为100%RH,简称露点。
霜点温度
如果露点温度低于0℃时,水蒸气将结霜,统称为露点。
2 湿敏传感器分类
按湿敏元件输出的电学量

电阻式、电容式和频率式等;

按探测功能


相对湿度、绝对湿度、结露和多功能式四种;

按材料

毛发式、干湿球式、陶瓷式、有机高分子式、半导体式和电解质式等。
业 在加工好的粉料中加入有机粘合剂,搅拌
大 均匀后,装入模具内,经压力机加压成型。
强的电子亲和力。
水分子结构示意图

半导体敏感元件(热敏元件与温度传感器).共34页文档

半导体敏感元件(热敏元件与温度传感器).共34页文档
半导体敏感元件(热敏元件 与温度传感器).
26、机遇对于有准备的头脑有特别的亲和力 。 27、自信是人格的核心。
28、目标的坚定是性格中最必要的力 量泉源 之一, 也是成 功的利 器之一 。没有 它,天 才也会 在矛盾 无定的 迷径中 ,徒劳 无功。- -查士 德斐尔 爵士。 29、困难就是机遇。--温斯顿.丘吉 尔。 30、我奋斗,所以我快乐。--格林斯 潘。
Thank you
6、最大的骄傲于最大的自卑都表示心灵的最软弱无力。——斯宾诺莎 7、自知之明是最难得的知识。——西班牙 8、勇气通往天堂,怯懦通往地狱。——塞内加 9、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。——赫尔普斯 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。——笛卡儿

《湿敏元件简介》课件

《湿敏元件简介》课件

工业控制领域
在工业控制领域,湿敏元件广泛应用于环境湿度、气体湿度等测量和控
制系统中。随着工业自动化程度的提高,市场需求将进一步扩大。
02 03
医疗保健领域
在医疗保健领域,湿敏元件可用于监测呼吸、气体交换等生理参数,提 高医疗诊断的准确性和可靠性。随着人们对健康需求的增加,市场需求 也将不断增长。
农业领域
湿敏元件的温度特性是指在不同温度下,元件的灵敏度、响应时间等性能的变化情况。理想的湿敏元 件应在较宽的温度范围内保持稳定的性能表现,以满足各种环境下的使用需求。
湿度范围
总结词
湿敏元件能够检测到的湿度范围
详细描述
湿度范围是湿敏元件的一个重要性能指标,它决定了元件的应用范围。不同湿敏元件的 湿度范围可能有所不同,从数十百分比RH到数百百分比RH不等。选择适合应用需求的
VS
市场竞争激烈
随着技术的不断发展和市场的不断扩大, 越来越多的企业进入湿敏元件领域,导致 市场竞争日趋激烈。解决方案是加强品牌 建设、提高产品质量和服务水平,提升企 业核心竞争力。
技术创新与突破
新型湿敏材料的研发
探索和开发新型湿敏材料,以提高湿敏元件的灵敏度和稳定性, 是当前技术创新的重要方向。
纳米技术的应用
利用纳米技术制造更小、更精确的湿敏元件,以提高其响应速度和 精度。
集成化与智能化
将湿敏元件与其他传感器、微处理器等集成在一起,实现智能化测 量和控制。
市场发展前景
01
《湿敏元件简介》ppt课件
目录
• 湿敏元件概述 • 湿敏元件的制造工艺 • 湿敏元件的性能指标 • 湿敏元件的应用场景 • 湿敏元件的发展趋势与挑战
01
湿敏元件概述
定义与特性

半导体器件物理 施敏 第二版共48页PPT

半导体器件物理 施敏 第二版共48页PPT
和NA-。这样一来,产生了一个电场BJ阻止它们的
继续扩散。
在平衡态,扩散=漂移, BJ =常数
p
-- ++ -- ++
n
电荷和电势分布满足Poisson方程: BJ
ddx22 ss,sq(NDNApn)
内建电势
内建电势概念
在热平衡时p型和n型中性区的总静电势差
VbinpkqTlnND ni2NA
4.3 耗尽区
4.3.1 突变结电场电势分布
耗尽层近似
假定:ND ,NA 是常数
耗尽层近似
Possion方程
耗尽层近似
总耗尽层宽度为: xm xn xp
N区有: E(x)E mqsD N xqsD N (xxn)
P区: E(x)ddxqsN A(xxp)
电场随x线性变化,在x=0时达最大值:
反向偏压势垒电容
C J V b i V R ( n当 V RV b i时 , C J V R n )
其中对线性缓变结n=1/3,突变结n=1/2 ,超突变结 n>1/2 电压灵敏度:超突变结>突变结>线性缓变结
VR p+
n
超突变结m=-3/2 线性缓变结m=1 突变结m=0
三种结的杂质分布
4.5.1 理想情况
耗尽区边界的
np
n p0
e x p(
qV kT

少数载流子浓度
pn
pn0
e x p(
qV kT

稳态连续方程:
总电流是常数
D Jpdd J2 (P 2 xxp n)J (n p -xE p)d =d J S[p exx p( qkpvT) 10]

湿敏器件

湿敏器件

1、质量百分比和体积百分比
质量为M的混合气体中,若含水蒸气的质量为m,则 质量百分比为 m/M×100%
2013-7-31 24
材料学院 School of Mater
在体积为V的混合气体中,若含水蒸气的体积为v,则
体积百分比为 v/V×100%
这两种方法统称为水蒸气百分含量法。
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应用: 半导体净化车间Leabharlann 2013-7-313
应用: 温室
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应用: 气象
玉山
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应用: 文物保护: 敦煌 材料学院 School of Mater
30%RH时,极易产生静电而影响生产。
• 又如,仓库的湿度过大,会使存放的物质变质或霉烂。在农业的育苗、栽培、 生产以及保鲜等方面也都需要对湿度进行测量和控制。为了使人们生活环境 舒适,现代的空调系统不仅能控制温度,而且要控制湿度。从上面的情况可 以看出,湿敏元件的应用领域是十分广阔的。
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RH
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p 100% ps
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绝对湿度(用符号AH表示)表示单位体积内,空气里所含水 蒸气的质量,其定义为
m v V
m——待测空气中水蒸气质量; V——待测空气的总体积; ρv——待测空气的绝对湿度。
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项目九 湿敏

项目九  湿敏

MOS二极管结构和等效电路
(2) 钯-MOS场效应晶体管气敏器件 这个N型区就将源极和漏极连接起来,形成导电通道, 钯-MOS场效应晶体管(Pd-MOSFET)的结构与普通MOS即为N型沟道。此时,MOSFET进入工作状态。若此时,在 FET结构,参见图。从图可知,它们的主要区别在于栅极G。 源(S)极和漏(D)极之间加电压VDS,则源极和漏极之间有电流 Pd-MOSFET的栅电极材料是钯(Pd),而普通MOSFET的栅电极 流通(IDS)。IDS随VDS 和V 有很强的吸附性,当H 吸附在Pd栅 材料为铝(Al)。因为Pd对H2GS的大小而变化,其变化规律即为 2 MOSFET的V-A特性。当VGS<VT时,MOSFET的沟道未形成, 极上,引起Pd的功函数降低。由MOSFET工作原理可知,当 故 无 漏 源 电 流 。 V T 的 大 小 除 了 与 衬 底 材 >V 性 质 有 关 栅极(G)、源极(S)之间加正向偏压VGS,且VGS料 的 (阈值电压) T 外,还与金属和半导体之间的功函数有关。 时,则栅极氧化层下面的硅从P型变为N型。
①MgCr2O4-TiO2湿敏元件 氧化镁复合氧化物-二氧化钛(MgCr2O4-TiO2)湿敏 材料通常制成多孔陶瓷型“湿-电” 转换器件,它是负特性 半导瓷。MgCr2O4为P型半导体。它的电阻率较低,阻值温度 特性好。
SM-1型湿敏器件结构
②ZnO-Cr2O3陶瓷湿 敏元件 ZnO-Cr 2 O 3 湿敏元件 的结构是将多孔材料的电极 烧结在多孔陶瓷圆片的两表 面上,并焊上Pt引线,然后 待敏感元件装入有网眼过滤 器的方形塑料盒中用树脂固 定,就形成了ZnO-Cr 2 O 3 陶瓷湿度传感器。其结构如 图所示。
(一)SnO2气敏传感器的应用 自动吸排油烟机能感知厨房等处的油烟等所造成的室内空 当污染气体浓度降低到顶置值Cs以下时,排风扇仍继续 气污染,并自动开动排风扇。净化室内空气。图(a)给出了一 工作一段时间,直到污染浓度降到足够低的Cd点才停止排风。 种实用控制电路。SnO2气敏传感器采用TGS109图(b)。当室 Cd控制点由延时电路设置,图示出了气体浓度和排风扇开、 内空气受到污染时,随着污染空气浓度的增加,传感器TGS109 关的关系。电路中的电阻R2和电位器W1分别用于修正传感器 的电阻就会减小,一旦空气污染气体浓度达到电位器W2设置的 的固有电阻及灵敏度的离散度。 数值C时,图中BG晶体管导通,从而,继电器(JN、J)接通、排 风扇启动通风换气。

传感器_jdhu_09

传感器_jdhu_09

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河南农业大学电气工程系 • 概述
湿度传感器
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木材烘干
纸 品
芯片生产要求最高的湿度稳定性
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河南农业大学电气工程系 • 概述 半导体传感器是典型的物理型传感器,它是利用 某些材料的电特征的变化实现被测量的直接转换, 如改变半导体内载流子的数目。 凡是用半导体材料制作的传感器都属于半导体传 感器。 其中包括:光敏电阻、光敏二极管、光敏 晶体管、霍尔元件、磁敏元件、压阻元件、气敏、 湿敏等等。
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河南农业大学电气工程系
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9.1 气敏传感器 9.1.1 半导体气敏传感器工作原理 气体与半导体接触时情况 (1) 电阻型半导体气敏传感器 N型半导体多电子 P型半导 当氧化型气体吸附到N型半导体上, 体多空穴 半导体的载流子减少,电阻率上升; 当氧化型气体吸附到P型半导体上, 半导体的载流子增多,电阻率下降; 当还原型气体吸附到N型半导体上, 半导体的载流子增多,电阻率下降; 当还原型气体吸附到P型半导体上, 半导体的载流子减少,电阻率上升; N型半导体与气体接触 时的氧化还原反映 Research Institute of Agricultural Measurement Technology
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第9章 半导体磁敏传感器

第9章 半导体磁敏传感器
模拟检测出转角。
三、磁阻元件的应用
(3)无触点点开关。当磁阻元件接近永久磁铁时会 使元件阻值增大,再根据需要将信号放大或直 接驱动晶体管,就可以实现无触点开关功能或 计数功能。电路如图9-17所示。
§9-3 磁敏二极管和磁敏三极管
磁敏二极管和磁敏三极管是由锗 或硅半导体材料制成的,其中二极管 具有长基区的P+一i一N+型的二极管 结构,磁敏三极管则是具有双极型晶 体管结构的磁电转换元件。
1.不等位电动势U0及其补偿
当霍尔元件在额定控制电流作用下, 不加外磁场时,霍尔输出端之间的空载 电动势,称为不等位电动势U0。
U0产生的原因:
(1)制造工艺不可能保证将两个霍尔电 极对称地焊在霍尔片的两侧,致使两电 极点不能完全位于同一等位面上,如图 5-8a所示。
(2)霍尔片电阻率不均匀或片厚薄不均 匀或控制电流极接触不良都将使等位面 歪斜(见图5-8b),致使两霍尔电极不在同 一等位面上而产生不等位电动势。
磁阻效应与霍尔效应区别在于,霍尔电势是指 垂直于电流方向的横向电压,而磁阻效应则是 沿电流方向产生的阻值变化。磁阻效应与材料 性质及几何形状有关,一般迁移率愈大的材料, 磁阻效应愈显著;元件的长、宽比愈小,磁阻 效应愈大。
磁阻元件是利用半导体的磁阻效应而制作的元 件,这种元件的电阻值能够随着磁场的增加而 增大。它的优点是像电阻元件一样,只有两个 端子,结构简单,安装方便。缺点是磁阻元件 的电特性比霍尔元件的复杂,不是单一的线性 输出。半导体磁阻元件外形呈扁平状,非常薄, 它 是 在 0.1~0.5mm 的 绝 缘 基 片 上 蒸 镀 上 约 20~25μm 的 一 层 半 导 体 材 料 制 成 的 , 也 有 在 半 导体薄片上腐蚀成型的。为了增加有效电阻, 将其制成电阻应变片那样的弯曲栅格,端子用 导线引出后,再用绝缘材料覆盖密封。常见的 磁阻元件有lnSb(栅格型)、lnSb—NiSb(共晶型) 和薄膜型等。
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敏电阻阻值与湿度的关系曲线。
2 20 2 00 1 80
电 阻 /
1 60 1 40 1 20 1 00 80 0 20 40 60 80 相 对 湿 度 / %R H 1 00
Fe3O4半导瓷的正湿敏特性
从图 9-9 与图 9-10 可以看出,当相 对湿度从 0%RH 变化到 100%RH 时,
料混合烧结而成为多孔陶瓷。
这些材料有:
ZnO-LiO2-V2O5系、
Si-Na2O-V2O5系、 TiO2-MgO-Cr2O3系、 Fe3O4等。
前三种材料的电阻率随湿度增加而
下降,称为负特性湿敏半导体陶瓷。
最后一种的电阻率随湿度增加而增 大,称为正特性湿敏半导体陶瓷 (以下简 称半导瓷)。
1. 负特性湿敏半导瓷的导电机理
使湿敏材料受到腐蚀和老化,从而 丧失其原有的性质;
3. 湿信息的传递必须靠水对湿敏器 件直接接触来完成,因此湿敏器件只能 直接暴露于待测环境中,不能密封。
对湿敏器件要求:在各种气体环境 下稳定性好,响应时间短,寿命长,有 互换性,耐污染和受温度影响小等。
微型化、集成化及廉价是湿敏器件 的发展方向。
9.2 湿 敏 传 感 器
湿度是指大气中的水蒸气含量,通
常采用绝对湿度和相对湿度两种表示方 法。 绝对湿度的定义:
在一定温度和压力条件下,每单位
体积的混合气体中所含水蒸气的质量, 单位为g/m3,用符号AH表示。
相对湿度的定义:
气体的绝对湿度与同一温度下达到
饱和状态的绝对湿度之比,用符号%RH
表示。
由于水分子中的氢原子具有很强的 正电场,当水在半导瓷表面吸附时,就
有可能从半导瓷表面俘获电子,使半导
瓷表面带负电。
如果该半导瓷是P型半导体,则由
于水分子吸附使表面电势下降,将吸引
更多的空穴到达其表面,于是,其表面
层的电阻下降。
若该半导瓷为N型,则由于水分子 的附着使表面电势下降,
如果表面电势下降较多,不仅使表 面层的电子耗尽,同时吸引更多的空穴 达到表面层, 有可能使到达表面层的空穴浓度大 于电子浓度,出现所谓表面反型层,这 些空穴称为反型载流子。 它们同样可以在表面迁移而表现出 电导特性。
如果对某一种半导瓷,它的晶粒间 的电阻并不比晶粒内电阻大很多,那么 表面层电阻的加大对总电阻并不起多大 作用。
不过,通常湿敏半导瓷材料都是多 孔的,表面电导占的比例很大,故表面 层电阻的升高,必将引起总电阻值的明
显升高。
但是,由于晶体内部低阻支路仍然
存在,正特性半导瓷的总电阻值的升高
没有负特性材料的阻值下降得那么明显。 图9-10给出了Fe3O4正特性半导瓷湿
9.2.1
氯化锂湿敏电阻
氯化锂湿敏电阻是利用吸湿性盐类
潮解,离子导电率发生变化而制成的测
湿元件。
1 4
2 3 1 —引 线 ; 2 —基 片 ; 3 —感 湿 层 ; 4 —金 电 极
图9-7 湿敏电阻结构示意图
氯化锂通常与聚乙烯醇组成混合体,
在氯化锂(LiCl)溶液中,Li和Cl均以
正负离子的形式存在, 而Li+对水分子的吸引力强,离子
因此,由于水分子的吸附,使N型
半导瓷材料的表面电阻下降。
由此可见,不论是P型还是N型半导 瓷,其电阻率都随湿度的增加而下降。
6 10
5 10
3
2
1
电 阻 /
4 10
3 10
0
2 0 4 0 6 0 8 0 1 00 相对湿度 / %R H
1 —Zn O—LiO 2 —V 2 O5 系; 2 —Si—Na 2 O—V 2 O5 系; 3 —TiO —MgO—Cr O 系 2 2 3
几种半导瓷湿敏负特性
2. 正特性湿敏半导瓷的导电机理 正特性湿敏半导瓷的导电机理的解
释可以认为这类材料的结构、电子能量
状态与负特性材料有所不同。
当水分子附着半导瓷的表面使电势 变负时,导致其表面层电子浓度下降, 但这还不足以使表面层的空穴浓度增加 到出现反型程度,此时仍以电子导电为 主。
于是,表面电阻将由于电子浓度下 降而加大,这类半导瓷材料的表面电阻 将随湿度的增加而加大。
金属 电极 湿敏 陶瓷片 加热 线圈 固定 端子
陶瓷 基片
引线
图9-11 MgCr2O4-TiO2陶瓷
在MgCr2O4-TiO2陶瓷片的两面涂覆 有多孔金电极。 金电极与引出线烧结在一起,
为了减少测量误差,在陶瓷片外设 置由镍铬丝制成的加热线圈,以便对器 件加热清洗,排除恶劣气氛对器件的污 染。
氯化锂湿度—电阻特性曲线
在50%~80%相对湿度范围内,电阻 与湿度的变化成线性关系。 氯化锂湿敏元件的优点是滞后小, 不受测试环境风速影响,检测精度高达 ±5%,
但其耐热性差,不能用于露点以下 测量,器件性能重复性不理想,使用寿 命短。
9.2.2 半导体陶瓷湿敏电阻 用两种以上的金属氧化物半导体材
负特性材料的阻值均下降 3个数量级,
而正特性材料的阻值只增大了约一倍。
3. 典型半导瓷湿敏元件
(1)MgCr2O4-TiO2湿敏元件 氧化镁复合氧化物——二氧化钛湿敏
材料通常制成多孔陶瓷型“湿—电”转 换器件,
它是负特性半导瓷, MgCr2O4 为 P型半导体,它的电阻率低,阻值温 度特性好, 结构如图9-11所示。
水合程度高,其溶液中的离子导电能力
与浓度成正比。
当Hale Waihona Puke 液置于一定温湿场中,若环境相对湿度高,溶液将吸收水分,使浓度
降低,因此,其溶液电阻率增高。
反之,环境相对湿度变低时,则溶 液浓度升高,其电阻率下降,从而实现
对湿度的测量。
7 .0 6 .5
电阻值的对 数 /
吸附 脱附 1 5℃
6 .0 5 .5 5 .0 4 .5 4 .0 40 50 60 70 80 相 对 湿 度 / %R H 90
整个器件安装在陶瓷基片上,电
极引线一般采用铂—铱合金。
8 10
7 10
6 10
电 阻 /
5 10
2 0℃
4 10
相对湿度给出大气的潮湿程度,无
量纲,在实际使用中多使用相对湿度。
湿敏传感器是能够感受外界湿度变
化,并通过器件材料的物理或化学性质
变化,将湿度转化成有用信号的器件。
湿度检测较之其它物理量的检测困难。
1.空气中水蒸气含量要比空气少得 多;
2.液态水会使一些高分子材料和电 解质材料溶解,一部分水分子电离后与 溶入水中的空气中的杂质结合成酸或碱,
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