(开放样卷A4纸)2009级电信电磁场A卷

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2009级大学物理(下)A

2009级大学物理(下)A
合成运动的运动方程为x=___ 合成运动的运动方程为 0 .
3
2009级《大学物理(下)》 A卷及参考答案 级 大学物理 下 》 卷及参考答案 M 17. (本题 分)S1、S2为振动频率、振 本题4分 为振动频率、 本题 C 动方向均相同的两个点波源, 动方向均相同的两个点波源,振动 S1 S2 方向垂直纸面,两者相距3 , 方向垂直纸面,两者相距 λ/2,(λ N 为波长)如图 已知S 如图。 为波长 如图。已知 1的初相为π/2。 。 (1)若使射线 2C上各点由两波列引起的振动均干涉相 若使射线S 上各点由两波列引起的振动均干涉相 若使射线 消,则S2的初相位应为 2kπ+π/2, k=0, ±1, ±2, …。 (2)若使 1S2连线的中垂线 若使S 连线的中垂线MN上各点由两波列引起的 若使 上各点由两波列引起的 振动均干涉相消, 振动均干涉相消,则S2的初位相应 为2kπ+3π/2, k=0, ±1, ±2, … 。
[C]
2009级《大学物理(下)》 A卷及参考答案 级 大学物理 下 》 卷及参考答案 5. (本题 分)一束自然光自空气射向一 本题3分 一束自然光自空气射向一 本题 块平板玻璃(如图 如图), 块平板玻璃 如图 ,设入射角等于布 儒斯特角i 则在界面2的反射光 儒斯特角 0,则在界面 的反射光 (A) 是自然光. 是自然光. (B) 是线偏振光且光矢量的振动方向垂直于入射面 是线偏振光且光矢量的振动方向垂直于入射面. (C) 是线偏振光且光矢量的振动方向平行于入射面. 是线偏振光且光矢量的振动方向平行于入射面. (D) 是部分偏振光. 是部分偏振光. [B] 6. (本题 分)已知电子的静能为 本题3分 已知电子的静能为 已知电子的静能为0.51MeV,若电子的动能 本题 , 与静止质量m 为0.25MeV,则它所增加的质量∆m与静止质量 0的比 , 与静止质量 值近似为 (A) 0.1, (B) 0.2, (C) 0.5, (D) 0.9 [C]

中南大学电信09电磁场与波考试试卷(A)

中南大学电信09电磁场与波考试试卷(A)

中南大学考试试卷(A)(答案)2011-- 2012学年 上 学期 时间110分钟《电磁场与电磁波》 课程48学时 3学分 考试形式:开卷 专业年级:电信0901-电信0905 总分100分,占总评成绩 70 % 注:此页不作答题纸,请将答案写在答题纸上一、 填空题(本题22分,每空1分)1电磁波在某导电煤质中传播,其波速随________________变化,此现象称_______________.此时的电磁波为_______波2.在外电场的作用下均匀各项同性电介质中的极化强度为P 时,则束缚体电荷密度为__________,面束缚电荷为__________.4 . 在导体表面上的电荷密度σ与导体外的电位函数ϕ有_________关系.它属第_____类边界条件。

5 在理想介质(εμ,)中传播的均匀平面电磁波电场强度的相位与磁场强度的相位_________(相同或不同) ,电磁波电场与磁场的振幅相差一个因子_____.6.电磁波在媒质参数为111,,γμε和222,,γμε的两种导电媒质分界面上的垂直入射 ,反射系数为_________,透射系数为__________。

7. 在两种不同的磁介质的分界面上场量B 在法向_________(连续或变化),在切向________(连续或变化).8亥姆霍兹方程是__________场的波动方程,其方程为____________________和_____________________.9. 在电导率为γ,介电常数为ε的损耗媒质传播角频率为ω的均匀平面电磁波在______条件下为良导体,其电场强度的相位与磁场强度的相位相差_________.10.麦克斯韦方程组反映了_____________和_____________的关系。

11.设宽为a,窄为b 的矩形波导中填充介电常数为ε,磁导率为μ的介质,并在其中传输10TE 波,其截至频率为____________________________,波导波长为_______________________.二.推导,证明题(25分)1.试由均匀无损耗媒质的无源区域中微分形式的麦克斯韦方程组推导波动方程。

电磁场期末考试试卷A 电信09

电磁场期末考试试卷A 电信09

莆田学院期末考试试卷 (A )卷2011 — 2012 学年第 一 学期课程名称: 电磁场与波 适用年级/专业: 09/电信 试卷类别 开卷( ) 闭卷(√) 学历层次 本科 考试用时 120分钟《.考生..注意:答案要全部抄到答题纸上,做在试卷上不给分.......................》.一、填空题(每空2分,共30分)1.给定两个矢量z y x a a a A 32-+=,zy a a B +-=4,则矢量A 的单位矢量为 ① ,矢量B A ⋅= ② 。

2.高斯散度定理的积分式为 ① ,它广泛的用于将一个封闭面积分变成等价的体积分,或者将一个体积分变成等价的封闭面积分。

3.已知任意一个矢量场A ,则其旋度的散度为 ① 。

4.介质中恒定磁场的基本方程的积分式为 ① , ② , ③ 。

5.一个半径为a 的接地导体球,一点电荷q 位于距球心d 处,则其镜像电荷带电量为 ① ,位置位于 ② ;当点电荷q 向无限远处运动时,其镜像电荷向 ③ 运动。

6.标量场2),,(xxyz z y x +=ψ通过点P(1,1,2)的梯度为① 。

7.引入位移电流的概念后,麦克斯韦对安培环路定律做了修正,其修正后的微分式是 ① ,其物理含义是: ② 。

8.自由空间传播的电磁波,其磁场强度)sin(z t H a Hm y βω-=,则此电磁波的传播方向是 ① ,磁场强度复数形式为 ② 。

二、单项选择题(每小题2分,共20分)1.自由空间中的平行双线传输线,导线半径为a ,线间距为D ,则传输线单位长度的电容为 。

A .)ln(1aa D C -=πεB. )ln(201aaD C -=πε C. )ln(2101aa D C -=πε2.如果某一点的电场强度为零,则该点的电位为 。

A.一定为零 B.不一定为零 C.为无穷大3.真空中一个电流元在某点产生的磁感应强度dB 随该点到电流元距离变化的规律为 。

电子科技大学09级《大学物理(下)》期末考试及答案A卷 (A3版)

电子科技大学09级《大学物理(下)》期末考试及答案A卷 (A3版)

电子科技大学期末考试 09级《大学物理(下)》A 卷(考试时间90分钟,满分100分)一、选择题(每题2分,共20分)1、边长为L 的一个导体方框上通有电流I ,则此框中心的磁感应强度 ( ) (A )与L 无关; (B )正比于2L ; (C )与L 成正比; (D )与L 成反比。

2、在感应电场中电磁感应定律可写成dtd l d E mCK Φ-=⋅⎰,式中K E 为感应电场的电场强度,此式表明 ( )(A )闭合曲线C 上K E处处相等; (B )感应电场是保守力场; (C )感应电场的电场线不是闭合曲线;(D )在感应电场中不能像静电场那样引入电势的概念。

3、一交变磁场被限制在一半径为R 的圆柱体中,在柱内、外分别有两个静止点电荷A q 和B q ,则 ( ) (A )A q 受力,B q 不受力;(B )A q 和B q 都受力;(C )A q 和B q 都不受力;(D )A q 不受力,B q 受力。

4、关于位移电流,下列哪一种说法是正确的( ) (A )位移电流的磁效应不服从安培环路定理;(B )位移电流是由变化磁场产生; (C )位移电流不可以在真空中传播; (D )位移电流是由变化电场产生。

5、根据惠更斯—菲涅尔原理,若已知光在某时刻的波阵面为S ,则S 的前方某点P 的光强决定于波阵面上所有面元发出的子波各自传到P 点的 ( ) (A )振动振幅之和; (B )相干叠加; (C )振动振幅之和的平方; (D )光强之和。

6、严格地说,空气的折射率大于1,因此在牛顿环实验中,若将玻璃夹层中的空气逐渐抽去而成为真空时,则干涉圆环将 ( ) (A )变大; (B )变小; (C )消失; (D )不变7、自然光以60。

入射角照射到某一透明介质表面时,反射光为线偏振光,则 ( ) (A )折射光为线偏振光,折射角为30。

; (B )折射光为部分偏振光,折射角为30。

;(C )折射光为线偏振光,折射角不能确定; (D )折射光为部分偏振光,折射角不能确定。

电磁场与波期末考试试题A卷含答案

电磁场与波期末考试试题A卷含答案

莆田学院期末考试试卷 (A )卷2011 — 2012 学年第 一 学期课程名称: 电磁场与波 适用年级/专业: 09/电信 试卷类别 开卷( ) 闭卷(√) 学历层次 本科 考试用时 120分钟《.考生..注意:答案要全部抄到答题纸上,做在试卷上不给分.......................》.一、填空题(每空2分,共30分)1.给定两个矢量z y x a a a A 32-+=,z y a a B +-=4,则矢量A 的单位矢量为 ① ,矢量B A ⋅= ② 。

2.高斯散度定理的积分式为 ① ,它广泛的用于将一个封闭面积分变成等价的体积分,或者将一个体积分变成等价的封闭面积分。

3.已知任意一个矢量场A ,则其旋度的散度为 ① 。

4.介质中恒定磁场的基本方程的积分式为 ① , ② , ③ 。

5.一个半径为a 的接地导体球,一点电荷q 位于距球心d 处,则其镜像电荷带电量为 ① ,位置位于 ② ;当点电荷q 向无限远处运动时,其镜像电荷向 ③ 运动。

6.标量场2),,(x xyz z y x +=ψ通过点P(1,1,2)的梯度为① 。

7.引入位移电流的概念后,麦克斯韦对安培环路定律做了修正,其修正后的微分式是 ① ,其物理含义是: ② 。

8.自由空间传播的电磁波,其磁场强度)sin(z t H a H m y βω-=,则此电磁波的传播方向是 ① ,磁场强度复数形式为 ② 。

二、单项选择题(每小题2分,共20分)1.自由空间中的平行双线传输线,导线半径为a ,线间距为D ,则传输线单位长度的电容为 。

A .)ln(1aaD C -=πε B. )ln(201aa D C -=πε C. )ln(2101a a D C -=πε2.如果某一点的电场强度为零,则该点的电位为 。

A.一定为零 B.不一定为零 C.为无穷大3.真空中一个电流元在某点产生的磁感应强度dB 随该点到电流元距离变化的规律为 。

2009EM期末试卷A答案

2009EM期末试卷A答案

2009EM 期末试卷A 答案一、写出一般物质中B-D 形式的场定律,并由此导出简单媒质中无源区域的电场波动方程。

(10分)(提示:A A A2)(∇-⋅∇∇=⨯∇⨯∇)解: B-D 形式的场定律为:tB E ∂∂-=⨯∇ tD J H f ∂∂+=⨯∇f D ρ=⋅∇0=⋅∇B4分在简单无源媒质中有:0 =f J , 0=f ρ, E D ε=, H Bμ=. 用场定律变为:t H E ∂∂-=⨯∇μ(1) tE H ∂∂=⨯∇ε(2)0=⋅∇E(3) 0=⋅∇H(4) 2分由公式A A A 2)(∇-⋅∇∇=⨯∇⨯∇,得E E E 2)(∇-⋅∇∇=⨯∇⨯∇对(1)式两边做⨯∇运算,左边=E E E E 22)(-∇=∇-⋅∇∇=⨯∇⨯∇右边=22t E t H ∂∂-=∂⨯∂∇- μεμ从而得到波动方程222=∂∂-∇t E E με 4分二、设圆柱电容器的内导体半径为a ,外导体半径b ,其内一半填充介电常数为1ε的介质,另一半填充介电常数为2ε的介质,如图所示。

当外加电压为0V 时,试求:(1)电容器中的电场强度;(2)单位长度内的储能。

(15分)解:解法一(分离变量法):(1)不妨设内导体电位为0V ,外导体电位为0,按电介质不同将求解区域分为I, II 两块。

对于I 区域,由于不存在自由电荷,所以0)())(()()(12111111=∇-=∇⋅-∇=⋅∇=⋅∇r r r E r Dφεφεε 即0)(12=∇rφ同理,0)(22=∇rφ在求解区域均满足拉普拉斯定理,可用分离变量法求解。

边界条件:根据边界条件可设解的形式为ccr B A r r B A r ln )(ln )(221111+=+=φφ )()(,)()(,,)()(,)()(,,00)(,2,0)(,0,)(,2,)(,0,212211212211110101r r n r n r b r a r r n r n r b r a r b rc r b rc V r a rc V r a rc c cφφφεφεπϕφφφεφεϕφπϕπφπϕφπϕπφπϕ=∂∂=∂∂≤≤==∂∂=∂∂≤≤==≤≤==≤≤==≤≤==≤≤=带入边界条件,解得a b V B B V ab bA A ln ln ln ln ln 021021--==-== 从而,有)(ln ln ln ln )()(021r V ab r b r r cφφφ=--==(2)单位长度存储的电场能为a r E a r E a w W II I S e d )(21d )(21d 222211⎰⎰⎰⎰⎰⎰+== εεab Vr r r a b V r r r a b V c c cb ac c c baln ln 2d d ])ln (ln [21d d ])ln (ln [2122120222010-⋅+=-+-=⎰⎰⎰⎰πεεϕεϕεπππ解法二(电场高斯):(1)设内导体的外表面上单位长度的电荷量为q ,外导体的内表面上单位长度的电荷量为-q 。

电磁场试题

电磁场试题

2008 --- 2009学年第二学期工程电磁场试题A卷一.填充题(在下列各题中,请将题中所要求的解答填入题干中的各横线上方内。

本大题共20分,共计10小题,每小题2分)1.麦克斯韦方程组的微分形式是、、、。

2.静电场中,理想介质分界面两侧电场强度E满足的关系是,电位移矢量D满足的关系是。

3.极化强度为P的电介质中,极化(束缚)电荷体密度为ρP = ,极化(束缚)电荷面密度为σP = 。

4.将一理想导体置于静电场中,导体内部的电场强度为,导体内部各点电位,在导体表面,电场强度方向与导体表面法向方向是关系。

5.已知体积为V的介质的磁导率为μ,其中的恒定电流J分布在空间形成磁场分布B和H,则空间的静磁能量密度为,空间的总静磁能量为。

6.在线性和各向同性的导电媒质中,电流密度J、电导率γ和电场强度E之间的关系为,此关系式称为欧姆定律的微分形式。

7.为分析与解算电磁场问题的需要,在动态电磁场中,通常应用的辅助位函数为和;它们和基本场量B、E之间的关系分别为和。

8.任意两个载流线圈之间都存在互感(互感系数).对互感有影响的因素是,对互感没有影响的因素是。

(可考虑的因素有:线圈的几何性质、线圈上的电流、两个线圈的相对位置、空间介质)9.平均坡印廷矢量S av = ,其物理意义是。

10.在自由空间传播的均匀平面波的电场强度为E =e x100cos(ωt-20z)V/m,则波传播方向为,相伴的磁场H= A/m。

二、计算题(本大题共80分,共计7小题。

)1.同轴线的内导体半径为a,外导体的半径为b,其间填充介电常数raεε=的电介质。

已知外导体接地,内导体的电位为U0,如图1所示。

求:(1)介质中的E和D;(2)介质中的极化电荷分布。

(10分)o图12.如图2中所示平行板电容器的极板面积为S,板间距离为l,当电容器两端所加电压为U时,忽略极板的边缘效应。

试应用虚位移法计算平行板电容器两极板之间的作用力。

(15分)Ux)图23.极板面积为S的平行板电容器上外加电压U0,两极板间填充两种有损耗电介质,其厚度、介电常数和电导率分别为d1,d2,ε1,ε2和γ1,γ2,如图3所示。

电磁场2009A参考解答

电磁场2009A参考解答

1 2πγ 土a

6)坡印廷定理的数学表达式为 能量的守恒和转化的规律 增加率 输的功率
S
∂W = − ∫ ( E × H )idS − ∫ E i J d V ,它描述了 电磁场 S V ∂t ∂W ,式中 表示的物理意义是 体积 V 内电磁能量的 ∂t
, − ∫ ( E × H )idS 表示的物理意义是
H =H 0e-j β z ,式中的E0和H0皆为常矢量,则一定有( C )。
(A)ez×E0=0 和ez×H0=0; (B)E0×H0=0; (C)E0·H0=0。 5)以下是关于场线边界上的边界条件的论述,其中错误的是( B )。 (A)沿着 E 线,
∂ϕ = 0; ∂n
(B)沿着H线,φm = 常数; (C)沿着 B 线,磁矢位 A = 常数。
⎛d ⎞ b = ⎜ ⎟ − a 2 ,(1 分) ⎝2⎠
2
⎛d ⎞ ⎛d ⎞ b + ⎜ − a⎟ b +⎜ − a⎟ τ τ 2 2 ⎝ ⎝ ⎠ , ϕ = −ϕ , U = ϕ − ϕ = ⎠ (2 分) ϕA = ln ln B A AB A B ⎛d ⎞ ⎛d ⎞ 2πε 0 πε 0 b −⎜ − a⎟ b −⎜ − a⎟ ⎝2 ⎠ ⎝2 ⎠ 故两线传输线的单位长度电容为
强度E为
1 q2 q ; 在空间建立的电场能量 W = ; 对应电容参数C = e e r 8πε 0 a 4πε 0 r 2
3
4πε 0a 。
3)在时变电磁场中,由动态位函数 φ 和 A 计算电场强度 E 和磁感应强度 B 的关系式 分别为 B = ∇× A 和 E + ∂ 2ϕ ∇ ϕ − με 2 = − ρ ε ∂t
沿环形圆线 l 积分,得到

皖西学院09级电磁场与电磁波答案doc

皖西学院09级电磁场与电磁波答案doc

皖西学院11—12学年度第1学期期末考试试卷(A 卷)机电 系 电信 专业 09 级 电磁场与电磁波 课程一.判断题(每小题2分,共20分) ×√√√√×√√×√二、填空题(每小题2分,共10分)1. 自由空间中原点处的源(J ρ或)在t 时刻发生变化,将在 t+r/c 时刻影响到r 处的位函数(A ϕ或)。

2. 均匀平面电磁波由空气中垂直入射到无损耗介质(0,4,00===σεεμμ)表面上时,反射系数Γ =-1/3 ,透射系数τ = 2/3 。

3. 矩形波导管中只能传输 TE 波模和 TM 波模的电磁波。

4. 设海水为良导体,衰减常数为α,则电磁波在海水中的穿透深度为 1/α ,在此深度上电场的振幅将变为进入海水前的1/e 倍。

5. 极化强度为P →的电介质中,极化体电荷密度p ρ= P∙∇-,极化面电荷密度sp ρ=n e P ∙。

二、选择题(每小题3分,共15分)1. 在分析恒定磁场时,引入矢量位A →,并令B A →=∇⨯,这样做的依据是( c )。

A .0B ∇⨯= B .J Bμ=⨯∇ C .0=∙∇B D .以上均不是2. 电偶极子幅射场的辐射功率密度与之成正比的是( B )。

A .θsinB .θ2sin C .2cos θ D .cos θ3. 频率f=50MH Z 的均匀平面波在理想介质(0,4,00===σεεμμ)中传播时,相速应该是(B )。

A .等于光速C B.等于C/2 C D .等于C/4 4. 均匀平面波从空气中垂直入射到无损耗媒质(0,4,00===σεεμμ)表面上,则电场反射系数为( A )。

A .31-B .31C .32D .32- 5. 横截面尺寸为a ×b 的矩形波导管,内部填充理想介质时的截止频率c f =,工作频率为f 的电磁波在该波导中传播的条件是(B )。

A .f=f cB .f >f cC .f <f cD .f ≤f c四、解答题(每小题15分,共计15分)1、论述垂直极化波斜射到理想导体表面时,理想导体外表面合成波的特点。

2009电子电工高考试卷

2009电子电工高考试卷

绝密★启用前江苏省2009年普通高校单独招生统一考试试卷电子电工专业综合理论本试卷分第Ⅰ卷(客观题)和第Ⅱ卷(主观题)两部分。

第Ⅰ卷1至4页,第Ⅱ卷5至12页。

两卷满分300分。

考试时间150分钟。

第Ⅰ卷(共120分)一、选择题(本大题共18小题,每小题5分,共90分,每小题只有一个正确答案。

请将唯一正确的答案填涂在答题卡上)1.在题1图所示二端网络中,电压U 与电流I 之间的关系为A .U = 10-5IB .U = 10+5 IC .U = 5 I -10D .U = -5 I -10题1图2.在题2图所示电路中,当电流源产生的功率为20 W 时,R w 的值为A .0B .2.5 ΩC .7.5 ΩD .5 Ω3.设两电流分别为A 4π3πcos 51⎪⎭⎫ ⎝⎛+=t i ,A 2ππcos 42⎪⎭⎫ ⎝⎛-=t i , 则i 1对i 2的相位差为A .超前π4 rad B .滞后 34πrad C .滞后 π4 rad D .超前 34πrad4.在题4图所示对称三相电路中,当开关S 闭合时电流表读数为1 A ,若将开关S 打开,则电流表读数A .变大B .变小C .不变D .为零30V5 V +_Z ZZZ ZZ 1题4图5.电路如题5图所示。

已知加在R -C 串联电路两端的电压u = [60 - 25 sin(3ωt+ 30º )] V ,R = 4 Ω,Ω= 9 1Cω,则电路中的电流 i 为 A.5sin(3ωt + 66.9°) A B.9.85sin(3ωt - 84°) AC.5sin(3ωt - 113.1°) AD. [15 - 5sin(3ωt + 66.9︒)] A题5图6.下列说法中正确的是A.硅钢片具有高导磁率,可制造永久磁铁B.交流电磁铁上有短路铜环,是为了防止振动C.调压器既可用来调节交流电压,也可用来调节直流电压D.电压互感器副边不能开路,电流互感器副边不能短路7.题7图(a)所示的放大器,在输入正弦电压时,输出u o 波形如题7图(b)所示,则该电路所出现的失真类型及减小失真所应采取的措施是A .出现饱和失真,应调大R PB .出现饱和失真,应调小R PC .出现截止失真,应调大RP D .出现截止失真,应调小R P题7图8.电路如题8图所示,欲稳定电路的输出电压,应采用的方法是A .1与3相接B .1与4相接C .2与3相接D .2与4相接题8图9.题9图(a )所示电路的输入信号u i 为正弦波,输出u o 波形如(b )图所示。

电磁场试题

电磁场试题

华侨大学2008 --- 2009学年第二学期工程电磁场试题A卷一.填充题(在下列各题中,请将题中所要求的解答填入题干中的各横线上方内。

本大题共20分,共计10小题,每小题2分)1.麦克斯韦方程组的微分形式是、、、。

2.静电场中,理想介质分界面两侧电场强度E满足的关系是,电位移矢量D满足的关系是。

3.极化强度为P的电介质中,极化(束缚)电荷体密度为ρP = ,极化(束缚)电荷面密度为σP = 。

4.将一理想导体置于静电场中,导体内部的电场强度为,导体内部各点电位,在导体表面,电场强度方向与导体表面法向方向是关系。

5.已知体积为V的介质的磁导率为μ,其中的恒定电流J分布在空间形成磁场分布B和H,则空间的静磁能量密度为,空间的总静磁能量为。

6.在线性和各向同性的导电媒质中,电流密度J、电导率γ和电场强度E之间的关系为,此关系式称为欧姆定律的微分形式。

7.为分析与解算电磁场问题的需要,在动态电磁场中,通常应用的辅助位函数为和;它们和基本场量B、E之间的关系分别为和。

8.任意两个载流线圈之间都存在互感(互感系数).对互感有影响的因素是,对互感没有影响的因素是。

(可考虑的因素有:线圈的几何性质、线圈上的电流、两个线圈的相对位置、空间介质)9.平均坡印廷矢量S av = ,其物理意义是。

10.在自由空间传播的均匀平面波的电场强度为E =e x100cos(ωt-20z)V/m,则波传播方向为,相伴的磁场H= A/m。

二、计算题(本大题共80分,共计7小题。

)1.同轴线的内导体半径为a,外导体的半径为b,其间填充介电常数raεε=的电介质。

已知外导体接地,内导体的电位为U0,如图1所示。

求:(1)介质中的E和D;(2)介质中的极化电荷分布。

(10分)o图12.如图2中所示平行板电容器的极板面积为S,板间距离为l,当电容器两端所加电压为U时,忽略极板的边缘效应。

试应用虚位移法计算平行板电容器两极板之间的作用力。

09年级电子电工技术专业(数控第二学期A卷)

09年级电子电工技术专业(数控第二学期A卷)

电工电子技术武汉软件工程职业学院2008-2009学年第二学期期末考试试卷(A闭卷)一、选择题(单选题,每题2分,共10分)1、纯净的不含任何杂质、晶体结构排列整齐的半导体称为。

A 导体B 绝缘体C 本征半导体2、自由电子导电是这种半导体的主要导电方式,故称这种杂质半导体为型半导体。

A空穴 B 电子 C电位3、集成运算放大电路均是采用耦合方式。

A 直接B电容 C变压器4、桥式整流电容滤波电路的输出电压为伏。

A 0.9U2 B 0.45U2C 1.2U25、把能够存储一位______信号的基本电路叫触发器。

A 三值 B二值 C四值二、判断题(错的打“×”并改正,对的打“√”每题2分,共10分)6、二极管由P区引出的电极为阳极或正极,由N区引出的电极为阴极或负极。

()7、为了使放大电路不失真地放大信号,必须建立合适的静态工作点。

()8、为了解决零漂,人们采取了多种措施,但最有效的措施之一是采用放大电路。

()9、滤波电路的电容是与负载相串联。

()10、异或门的逻辑关系是:输入相同,输出为0,输入相异,输出为1。

()三、简答题(每题5分,共20分)11、什么是“虚短”,什么是“虚断”?12、什么是编码和编码器?13、三极管在使用时,发射极和集电极能否对调使用?14、什么是静态工作点?四、计算题(15题10分, 16、17题各20分,共50分) 15、如下图所示,已知E =3V ,电阻R =500Ω,当输入电压U i 分别为8伏,3V 、-5V 时,求输出电压U 0的大小。

二极管的导通电压忽 略不计。

16、电路如下图,已知三极管U B E=0.7伏。

(1)估算静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ 。

(2)求Au, R i 和R 0。

17、一单相桥式整流电容滤波电路中,已知交流电源的频率f=50HZ,要求输出电压U=30伏,负载电流为250mA,试求流过二极、二极管承受的反向电压U RM和滤波电容C的大小。

电磁场期末考试试卷_桂林电子科技大学(详细答案)

电磁场期末考试试卷_桂林电子科技大学(详细答案)
4、静电场中,如已知电位则求解电场的公式为: E = __ −∇Φ __,无源区域电位满足的拉普 拉斯方程为: ∇ 2ϕ = 0 。 5、理想介质中,均匀平面电磁波垂直入射到无限大理想导体平面上,电磁波将被导体平面 全反射 ,在介质中的合成电磁波为 驻波___。 6、有一振荡频率为 f =10MHz 的电磁波,在空气中的波长为 中波长为 15m 、相速为: 6×108m/s 。 30m 、在理想介质( ε r = 4 )
∂D _, 并说明它的物理意义 ∂t
磁场的旋 场,
;时变电磁场中,随时间变化的磁场可以产生 电 K K ∂B 请写出微分形式麦克斯韦方程的第二式__ ∇ × E = − __。 ∂t
2、在 无 源 静 电 场 中 , 两 种 介 质 交 界 面 上 的 边 界 条 件 为
K K K ___ n ×( E1 − E2 ) = 0 ____。
ρa 3
3r 2
ρa 3 3ε 0 r 2
(3 分)
P = D − ε 0 E = (ε r − 1)ε 0 E =
(ε r − 1) ρ r ρr er = er 3ε r 6
(3 分)
球内极化体电荷密度 极化面电荷密度
−∇i P = −
(ε r − 1) ρ
εr
=−
ρ
2
(3 分) (3 分)
n i P r = a = er i P =
则电场的瞬时值:
(2 分)
π E = e zηH m sin 1010 πt − 66.7πy − 4 π = e z 30π sin 1010 πt − 66.7πy − V / m 4
3)空气中的本征阻抗:η0 = 120π
反射系数 ρ =

《电磁场与电磁波》2009期末考试试卷三及答案详解

《电磁场与电磁波》2009期末考试试卷三及答案详解

长沙理工大学考试试卷………………………………………………………………………………………………………课程名称(含档次) 《电磁场与电磁波A 》课程代号 002587专业 电信、光电 层次(本部、城南) 本部 考试方式(开、闭卷) 闭卷一、选择题(6小题,共18分)(3分)[1]一半径为a 的圆柱形铁棒在均匀外磁场中磁化后,棒内的磁化强度为0z M e ,则铁棒表面的磁化电流密度为A 、0m z J M e =B 、0m J M e ϕ=C 、0m J M e ϕ=-(3分)[2]恒定电流场中,不同导电媒质交界面上自由电荷面密度0σ=的条件是A 、1122γεγε=B 、1122γεγε>C 、1122γεγε< (3分)[3]已知电磁波的电场强度为(,)cos()sin()x y E z t e t z e t z ωβωβ=---,则该电磁波为A 、左旋圆极化波B 、右旋圆极化波C 、线椭圆极化波(3分)[4]比较位移电流与传导电流,下列陈述中,不正确的是:A. 位移电流与传导电流一样,也是电荷的定向运动B. 位移电流与传导电流一样,也能产生涡旋磁场C. 位移电流与传导电不同,它不产生焦耳热损耗(3分)[5]xOz 平面为两种媒质的分界面,已知分界面处z y x e e e H 26101++=, z y e e H 242+=,则分界面上有电流线密度为:A 、10S z J e =B 、104S x z J e e =+C 、10S z J e =(3分)[6]若介质1为完纯介质,其介电常数102εε=,磁导率10μμ=,电导率10γ=;介质2为空气。

平面电磁波由介质1向分界平面上斜入射,入射波电场强度与入射面平行,若入射角/4θπ=,则介质2 ( 空气) 中折射波的折射角'θ为A 、/4πB 、/2πC 、/3π二、填空题(5小题,共20分)(4分)[1]静电比拟是指( ), 静电场和恒定电流场进行静电比拟时,其对应物理量间的比似关系是( )。

华侨大学2009工程电磁场A卷答案

华侨大学2009工程电磁场A卷答案

华侨大学2008-2009学年第二学期工程电磁场试题A 卷答案一.(20分,每题2分) 1、 t ∂∇⨯=+∂D H J ;BE t∂∇⨯=-∂;0B ∇= ;D ρ∇= ; 2、 12E E t t = ; 12D D n n =; 3、 P -∇ ;P e n ; 4、 0; 相等; 平行(或相同);;5、 22111222H B B H μμ或或; 22111222H B VVVB dV H dV dV μμ⎰⎰⎰ 或或 ; 6、 J E γ=;7、 动态矢量位A 、动态标量位φ;B A =∇⨯、AE tϕ∂=-∇-∂; 8、 线圈的几何性质、两个线圈的相对位置、空间介质; 线圈上的电流; 9、 Re[]S E H av *=⨯;通过垂直于波传播方向的单位面积的平均功率。

10、 z ; e y 100377100cos(ωt -20z ); 二、 1.(10分)o图1(5分)(5分)2.(15分)U x)[解]:对常电位系统情况进行计算。

对负极板作虚位移。

常电位系统:对于给定的极板间电压U ,两导体系统的电场能量为221122e S W CU U lε== (5分)负极板受到的电场力为22222ek k e CCW W U S SU F gll l l ϕϕεε==∂∂∂⎛⎫====- ⎪∂∂∂⎝⎭ (8分) 式中负号表示电场力的实际方向与假定正方向(即广义坐标l 增加的方向)相反,所以222x F e SU l ε=-(2分)3.(12分)(6分)(3分)(3分)4.(15分)解:据题意,本工程问题可归结为如图示的半球形接地器的电流场问题:以球半径r 作与半球形接地器同心的半球面S ,并以球心O 为球坐标系原点,则基于该短路电流I 由接地器流入土壤的电场E (r )= E (r),具有球对称分布的特征,因而可得:(5分)故(3分)由此可知,跨步电压为:(7分)5.(8分)μ→∞(2分)22S S SI J dS E dS E dS E r γγγπ====⎰⎰⎰2()2r IE r e rπγ=2211()()225011()91.8210220.6B B A A r r AB r r A BI I U E r dr dr r r r V πγπγπ-===-=-=⨯+⎰⎰(3分)(3分)6.(10分)[解]:极板间的电场由极板上的电荷和时变磁场产生。

电磁场与波期终试卷

电磁场与波期终试卷

上海交通大学试卷电磁场与波期终试卷(A 卷)姓名____________班级_____________学号_____________得分____________一.填空题(每小题3分,共30分)1.已知一静止电荷位于圆柱坐标系中的点q ()⎟⎠⎞⎜⎝⎛−=a a p z r p ,3,,,00πϕ处,则此点电荷在直角坐标系中的点()()a a a p z y x p ,,,,11=处产生的电场强度E G 的y 向分量____________________;电场强度=y E E G 在圆球坐标系中的θ向分量=____________________。

θE 2. 矢量场的唯一性定理为_______________________________________________________ _____________________________________________________________________________。

3. 真空中,已知一电磁波的电场强度为()(x t E a x t E a E y z βωβω−+−=sin cos 00)G G G ,则 此电磁波的磁场强度的瞬时表达式为_____________________________________________。

4. 时变场中,有机玻璃和水的交界面处的边界条件为__________________________ ________________________________。

5.在一无限大的理想接地导电平面(xoy 平面)上方(媒质为空气)距离为处有一正电荷,并位于均匀电场中。

当z q z a E G 0=z ________________时,电荷受力为零。

6.真空中,载直流为I 的两根半无限长直导线(垂直于xoy 平面)和一半径为a 的有缺口圆环形导线(处于xoy 平面内)构成回路。

设缺口的张角为α2,则环心点的磁感应强度p =B G __________________________________。

兰州大学信息院2000-2009学年《电磁场与电磁波》期末试题及答案(史上最全)

兰州大学信息院2000-2009学年《电磁场与电磁波》期末试题及答案(史上最全)

2000-2001学年第(1)学期考试试题(A )- 兰州大学信息学院课程名称 电磁场理论 年级98级 专业 无线电、电子学 学号 姓名 . 题 号 一 二 三 四 合 计得 分一. 判断题(每小题4分,5小题,共20分。

正确的打√,不对的打×。

)1. 若半径为a 的导体球表面的电势为φ,则其外部空气中的电场强度是r e ra 2φ( ); 2. 位于Z =0的平面上有一无限大导体平板,在直角坐标(1,2,3)处有一点电荷,则其镜像点电荷位于直角坐标(1,2,-3)处( );3. 自由空间中的电场强度矢量为j t z E E m ωβsin cos =,则其对应的位移电流密度矢量为j t z E J m D ωβεc o s c o s 0=( );4. 由位于平面x = 0, a 和y =0, b 上的四块良导体薄板所构成的矩形波导中为空气,其传输电磁波的电场强度矢量为j z t a x E E )cos(sin 0βωπ-=,则y =b 的导体板内表面上的感应电荷面密度)sin(sin 00z t a x E s βωπερ-=( );5. 磁偶极子的远区辐射场为00200sin Z H e Z rS I E r k j θϕθλπ-==-,其辐射功率是22024320⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛λπS I ( ).二. 选择题(每小题4分,5小题,共20分。

选择一正确答案的字母填上。

)1. 半径为a 、带电荷线密度为l ρ的直导体圆柱外部的电势是( );A . a r l ln 20περ,B . r a l ln 20περ,C . r a l ln 40περ,D .ar l ln 40περ. 2. 同轴电容器中的介质是非理想的,其漏电导率为σ,则其两极板之间单位长的漏电阻是( );A . σπa D ln ,B . πσ2ln12r r , C . 21124r r r r πσ-, D . Sd σ. 3. 正弦电磁场矢量势的达朗贝尔方程是( );A . J A t v μ-=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂-∇22221, B . J A t μεμ-=⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂+∇222, C . ()J A k μ-=+∇22, D . ()J A k μ-=-∇22.4. 沿+Z 方向传播的右旋圆极化波( );A . z k j e j j i E E --=)(0 ,B . z k j e j j i E E -+=)(0 ,C . z k j e j i E E --=)(0 ,D . z k j e j iE E -+=)(0 .5. 对称半波振子的最大方向性系数是( ).A . 1.4 ,B . 1.5 ,C . 1.54 ,D . 1.64 .三. 填空题(每小题4分,6小题,共24分)1. 平行板电容器两极板间的电压为U 、间距为d ,则其间介电常数为ε的介质中电场的能量密度是 ;2. 半径为a 、载有电流I 的非磁性无限长直导体圆柱内磁场的能量密度是 ;3. 无源空间中时变电磁场的能流连续性方程是 ;4. 电场强度的复矢量式z j m e E E β-= 所对应的瞬时值式是;5. 一水平极化的均匀平面电磁波从空气中入射到相对介电常数3=r ε的半无限大非磁性的理想介质平面上,则其无反射全透射的入射角即布儒斯特角为 ;6. 电基本振子辐射场的方向图函数为 。

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(1)写出良导体的集肤深度公式。为什么良导体可以屏蔽高频时变电磁场?
(2)写出能流密度矢量的瞬时值及复能流密度矢量的计算公式,并说明两者之间的联系。
(3)写出电介质的结构方程(本构方程),并说明其中非矢量参数的取值范围。
三、解答题(共
(1)若带电球的内外区域中的电场强度为 ,以无穷远处为电位0参考点,试求球内外各点的电位。(10分)
3反射波的电场强度瞬时值表达式 和复数表达式 ,并判定反射波的极化状态(如果可能,同时判定旋转方向);
4反射波的磁场强度瞬时值表达式 和复数表达式 .(17分)
图2无限大的电流薄片
(4)频率f=108Hz的均匀平面波从理想介质(ε=9ε0,μ=μ0,σ=0)中沿 方向垂直入射到位于z=0处的理想导体平面上,已知入射波电场强度最大值复矢量为
V/m
试求:
1入射波的相速vp、波长λ、相位常数k和波阻抗Z;
2判定入射波的极化状态(如果可能,同时判定旋转方向),简要写出判定理由;
(3)在均匀介质中发生极化后,极化电荷的体密度_____0。(填大于、小于或等于)
(4)处于静电平衡状态的导体,其内部的电位梯度 =______。
(5)时变电场的方向与时变磁场的方向处处相互______。
(6)在恒定电流场中,电流密度通过任一闭合面的通量为______。
(7)根据静电比拟,用电容 、介电常数 、电导率 表示电阻为 =______。
(8)当运动电荷垂直磁通密度的方向运动时,受到的磁场力大小为______。
(9)在抗磁性介质中,磁化后合成磁场的强度______外加磁场的强度。(填:大于、小于或等于)
(10)理想导体与介质的分界面上,自由电荷的面密度的大小等于分界面上介质一侧的______的大小。
(11)复能流密度矢量的______表示能量的交换。(填:实部或虚部)
试题样卷
2010年~2011年第二学期
课程名称:电磁场与电磁波专业年级:电子信息工程2009级
考生学号:考生姓名:
试卷类型:A卷■B卷□考试方式:开卷□闭卷■
………………………………………………………………………………………………………
一、填空题(每空
(1)已知 ,则 =______。
(2)圆球坐标系中,沿 方向的有向面元 ______。(用 表示为矢量的形式)
(2)如图1,已知圆柱型电容器的长度为L,内外半径为a和b,填充的媒质分为两层,界面的半径为c,在a<r<c的区域中,媒质的参数为ε1和σ1,在c<r<b的区域中,媒质的参数为ε2和σ2。如果内导体上电位为V,外导体上电位为0,试求两种媒质中,各自的电流密度。(15分)
图1圆柱型电容器的截面图
(3)如图2所示,有一面密度 的无限大电流薄片置于y=0的平面上,周围媒质为空气。试求场中各点的磁感应强度。(10分)
(12)已知真空中平面波的波长为 ,则平面波在相对磁导率 =9,相对介电常数 =16的介质中波长为_度 ______。
(14)已知一平面波的磁场方程为 ,该平面波的传播方向为沿______方向。
(15)驻波的相位与______无关。
二、简答题(每题
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