IXGH20N60B中文资料

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IXDP20N60B;IXDP20N60BD1;中文规格书,Datasheet资料

J 0.64 1.01 K 2.54 BSC
M 4.32 4.82 N 1.14 1.39
Q 0.35 0.56 R 2.29 2.79
Inches Min. Max.
0.500 0.550 0.580 0.630
0.390 0.420 0.139 0.161
0.230 0.270 0.100 0.125
High Voltage IGBT with optional Diode
High Speed, Low Saturation Voltage
IXDP 20N60 B VCES = 600 V
IXDP 20N60 BD1 IC25
= 32 A
V = CE(sat) typ 2.2 V
C
C
TO-220 AB
1-4
/
IXDP 20N60 B IXDP 20N60 BD1
Symbol
Cies C
oes
Cres Qg td(on) tr td(off) tf Eon Eoff RthJC RthCH
Conditions
Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified) min. typ. max.
easy paralleling q MOS input, voltage controlled q optional ultra fast diode q International standard package
Advantages
q Space savings q High power density
80
RG = 22W
A TJ = 125°C ICM 60

SVF20N60F(PN)说明书_1.1-L

产品规格分类
产品名称封装形式打印名称材料
包装 SVF20N60F TO-220F-3L SVF20N60F 无铅料管 SVF20N60PN
TO-3PN
20N60
无铅
料管
20A 、600V N 沟道增强型场效应管
描述
SVF20N60F/PN 是N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管，采用士兰微电子的F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。

先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导
极限参数(除非特殊说明，T C=25°C)
源-漏二极管特性参数
典型特性曲线
图1. 输出特性图2. 传输特性
0.1110100
漏源电压– V DS(V)0102050
总栅极电荷– Q g(nC)
40
3060
典型特性曲线（续）
图7. 击穿电压vs.温度特性图8. 导通电阻vs.温度特性
255075100125150
壳温– T C(°C)
典型测试电路
12V
栅极电荷量测试电路及波形图
封装外形图
声明：
•士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。

•任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！
•产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！。

GH600、Inconel600高温耐腐蚀合金参数

上海商虎/张工：158 –0185 -9914GH600高温合金相近商标GH 600 的化学成分:GH 600 的物理功能:GH 600 在常温下合金的机械功能的最小值:GH 600 合金具有以下特性：1. 具有很好的耐复原、氧化、氮化介质腐蚀的功能2. 在室温及高温时都具有很好的耐应力腐蚀开裂功能3. 具有很好的耐干燥氯气和氯化氢气体腐蚀的功能4. 在零下、室温及高温时都具有很好的机械功能5. 具有很好的抗蠕变断裂强度，引荐用在700℃以上的工作环境。

GH 600 的金相结构:600 为面心立方晶格结构。

GH 600 的耐腐蚀性:600合金对于各种腐蚀介质都具有耐腐蚀性。

铬的成分使该合金在氧化条件下比镍 99.2 (合金 200) 和镍 99.2（合金 201,低碳）具有更好的耐腐蚀性。

一起，较高的镍含量使合金在复原条件和碱性溶液中具有很好的耐腐蚀性，并且能有效地避免氯-铁应力腐蚀开裂。

600合金在乙酸、醋酸、蚁酸、硬脂酸等有机酸中具有很好的耐蚀性，在无机酸中具有中等的耐蚀性。

在核反应堆中一次和二次循环运用的高纯度水中具有很优秀的耐蚀性。

600特别突出的功能是可以反抗干氯气和氯化氢的腐蚀，运用温度达 650℃。

在高温下，退火态和固溶处理态的合金在空气中具有很好的抗氧化剥落功能和高强度。

该合金也能反抗氨气和渗氮、渗碳气氛，但是在氧化复原条件交替变化时，合金会遭到部分氧化介质的腐蚀（如绿色死亡液）GH 600 运用范围运用范畴有：1.腐蚀气氛中的热电偶套管2.氯乙烯单体生产：抗氯气、氯化氢、氧化和碳化腐蚀3.铀氧化转换为六氟化物：抗氟化氢腐蚀4.腐蚀性碱金属的生产和运用范畴，特别是运用硫化物的环境5.用氯气法制二氧化钛6.有机或无机氯化物和氟化物的生产：抗氯气和氟气腐蚀7.核反应堆8.热处理炉中曲颈瓶及部件，特别是在碳化和氮化气氛中9.石油化工生产中的催化再生器在700℃以上的运用中引荐运用合金600以取得较长的运用寿命。

IRFB9N60中文资料

I D , Drain-to-Source Current (A)
2.5
10
TJ = 150 ° C
2.0
1.5
TJ = 25 ° C
1
1.0
0.5
0.1 4.0
V DS = 50V 20µs PULSE WIDTH 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
0.0 -60 -40 -20
VGS = 10V
VGS 15V 10V 8.0V 7.0V 6.0V 5.5V 5.0V BOTTOM 4.7V TOP
10
1
4.7V
20µs PULSE WIDTH TJ = 25 °C
1 10 100
4.7V
20µs PULSE WIDTH TJ = 150 °C
1 10 100
0.1 0.1
1
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
TJ ≤ 150°C
2

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IRFB9N60A
100
VGS 15V 10V 8.0V 7.0V 6.0V 5.5V 5.0V BOTTOM 4.7V TOP
100
I D , Drain-to-Source Current (A)
10
I D , Drain-to-Source Current (A)
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
3.0
ID = 9.2A
RDS(on) , Drain-to-Source On Resistance (Normalized)

IXDN75N120中文资料

元器件交易网
High Voltage IGBT
Short Circuit SOA Capability Square RBSOA
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM RBSOA
tSC (SCSOA) PC VISOL TJ Tstg Md
M4 screws (4x) supplied
Dim.
A B C D E F G H J K L M N O P Q R S T U V W
Millimeter
Min.
Max.
31.50 7.80
31.88 8.20
4.09
4.29
4.09
4.29
4.09 14.91
4.29 15.11
30.12 37.80
VGE = ±15 V, VCE = VCES, TJ = 125°C RG = 15 W, non repetitive
TC = 25°C
IGBT
50/60 Hz; IISOL £ 1 mA
Mounting torque Terminal connection torque (M4)
IXDN 75N120
200 A
ICM 150
100
50
RG = 15W
TJ = 125°C VCEK < VCES
0 0 200 400 600 800 1000 1200 V VCE
Fig. 9 Reverse biased safe operating area RBSOA
20 mJ Eoff 15
Eoff td(off)
W
2500
V~
-40 ... +150

Inconel600化学成份

Inconel600概述Inconel600合金是镍-铬-铁基固溶强化合金，具有良好的耐高温腐蚀和抗氧化性能、优良的冷热加工和焊接性能，在700℃以下具有满意的热强性和高的塑性。

合金可以通过冷加工得到强化，也可以用电阻焊、溶焊或钎焊连接，适宜制作在1100℃以下承受低载荷的抗氧化零件。

Inconel600具有以下特性●具有很好的耐还原、氧化、氮化介质腐蚀的性能●在室温及高温时都具有很好的耐应力腐蚀开裂性能●具有很好的耐干燥氯气和氯化氢气体腐蚀的性能●在零下、室温及高温时都具有很好的机械性能由于对碳含量和晶粒度的控制具有很好的抗蠕变断裂强度，推荐用在700℃以上的工作环境。

Inconel600应用领域●侵蚀气氛中的热电偶套管●氯乙烯单体生产：抗氯气、氯化氢、氧化和碳化腐蚀●铀氧化转换为六氟化物：抗氟化氢腐蚀●腐蚀性碱金属的生产和使用领域，特别是使用硫化物的环境●用氯气法制二氧化钛●有机或无机氯化物和氟化物的生产：抗氯气和氟气腐蚀●核反应堆●热处理炉中曲颈瓶及部件，尤其是在碳化和氮化气氛中●石油化工生产中的催化再生器在700℃以上的应用中推荐使用合金600H 以获得较长的使用寿命。

Inconel600相近牌号GH3600、GH600（中国）、NC15Fe（法国）、、NiCr15Fe（德国）、NA14（英国）Inconel600、UNS NO6600(美国） NiCr15Fe8(ISO)Inconel600执行标准：UNS N0660 0，DIN/EN ，ASTM B168，ASME SB-168，AMS 5540，NCF 600Inconel600化学成份Inconel600执行标准Inconel600焊接焊接时推荐使用下列填充金属深圳雄鑫隆金属材料有限公司韩琳5。

20号合金高温合金导电磁性介绍

20号合金高温合金导电磁性介绍
1 多腐尼克-20合金介绍
多腐尼克-20合金是一种常用的高温外露合金，它具有优异的耐腐蚀性和耐高温性能。

它由金属钛和非金属介质组成，具有良好的耐磨性能和高温强度，碳化钛在1000摄氏度以下可保持其强度和稳定性。

它通常用于制作复杂的透明结构，例如电子配件，机械配件或高温密封。

2 优异的热性能
多腐尼克-20合金的优点之一是它的优异的热性能。

它具有高温高强力，高抗风化性和耐腐蚀性，能够在高温下工作。

此外，它具有优异的耐热性，可以经常接触1300℃的高温，而不会引起材料的劣化或破坏。

同时，它还具有良好的耐磨性能，可以耐受强大的碰撞，而不会破坏材料的表面。

3 导电磁性
另一个多腐尼克-20合金的特点是具有良好的导电磁性。

由于它包含的钛原子特性，它能够有效吸收外界环境的磁场并转化为电能，其结构具有良好的优点，例如低阻强度和耐腐蚀等，可以有效抑制电磁干扰。

此外，它还具有密度较小，抗冲击性能良好等优点，可以有效使电磁空气更加稳定。

4 应用
多腐尼克-20合金具有多种优点，可用于飞机发动机部件，机械设备元件以及容器等。

电子行业也开始使用它作为复杂的电子结构，广泛用于电机设备，压力容器，电磁阀门和使用热处理的高压设备等。

此外，多腐尼克-20合金的耐高温和耐腐蚀性，使其可以用于外露的高温环境。

5 结论
多腐尼克-20合金是一种常用的高温外露合金，具有优良的耐腐蚀性，耐热性和导电磁性，可以用于飞机发动机部件，机械设备元件，容器等，可为用户提供更可靠的使用体验。

IXEN60N120中文资料

C D E F G H J K L M N O P Q
Symbol
Characteristic Values min. typ. max. 0.1 30 K/W g
R S T U V W
RthCH Weight
with heatsink compound
© 2002 IXYS All rights reserved
110 60 40 200 40
M4 screws (4x) supplied
Component Symbol TVJ Tstg VISOL MD IISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz mounting torque teminal connection torque Conditions (M4) (M4) Conditions Maximum Ratings -40...+150 -40...+150 2500 1.5 1.5 °C °C V~ Nm Nm
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Advanced Technical Information
NPT3 IGBT
in miniBLOC package
IC25 IXEN 60N120 IXEN 60N120D1 VCES VCE(sat) typ.
C C G
= 100 A = 1200 V = 2.1 V
Symbol
Conditions
Characteristic Values (TVJ = 25°C, unless otherwise specified) min. typ. max. 2.1 2.5 4.5 0.1 200 150 60 700 50 7.2 6.0 3.8 500 2.7 6.5 0.1 V V V mA mA nA ns ns ns ns mJ mJ nF nC 0.28 K/W

G20N60资料

Collector Current Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IC25 At TC = 110oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IC110 Average Diode Forward Current at 110oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I(AVG) Collector Current Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ICM Gate to Emitter Voltage Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGES Gate to Emitter Voltage Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGEM Switching Safe Operating Area at TC = 150oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SSOA Power Dissipation Total at TC = 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PD Power Dissipation Derating TC > 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TJ, TSTG Maximum Lead Temperature for Soldering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TL Short Circuit Withstand Time (Note 2) at VGE = 15V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tSC Short Circuit Withstand Time (Note 2) at VGE = 10V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tSC

309605ZAB ZH 说明书 — 零配件 VISCON HP 高压流体加热器

309605ZABZH说明书 — 零配件VISCON ® HP高压流体加热器用于各种流体加热。

仅适合专业用途。

最大工作压力为 7250 磅/平方英寸（50 兆帕，500 巴）有关的型号资料，包括最大工作压力和核准使用情况，请参见第 2 页。

重要安全说明书请阅读本手册的所有警告及说明。

请妥善保存这些说明。

WL D危险场所加热器非危险场所加热器目录型号 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3危险场所加热器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3非危险场所加热器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3警告 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4安装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7典型安装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7组件识别 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8基本信息 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9选择管路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9安装加热器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10流体连接及附件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12电气连接 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13接地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13危险区域布线和导管要求 . . . . . . . . . . . . . . . . .13操作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15泄压步骤 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15首次冲洗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15为系统填料 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15设置加热器控制 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16喷涂调节 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16维护 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17冲洗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17放空加热器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17疏通流体通道 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17故障排除 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18维修 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19主恒温器和探头 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19备用恒温器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19限热传感器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21控制旋钮 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21加热器机体 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21零件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23危险场所加热器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23非危险场所加热器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25附件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27技术规格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29危险场所加热器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29非危险场所加热器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29美国加州第 65 号提案 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29Graco 标准保修 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .30固瑞克信息 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .302309605ZAB型号309605ZAB 3型号危险场所加热器有关安全使用的特殊条件，请参见警告（第 4 页）。

IXGH20N120中文资料

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents: 4,835,592 4,850,072 4,881,106 4,931,844 5,017,508 5,034,796 5,049,961 5,063,307 5,187,117 5,237,481 5,486,715 5,381,025 6,306,728B1
元器件交易网
IGBT
Preliminary Data Sheet
IXGH 20N120 VCES IXGT 20N120 IC25 VCE(sat) tfi(typ)
= 1200 V = 40 A = 2.5 V = 380 ns
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) PC TJ TJM Tstg
power supplies discharge
Advantages
• Easy to mount with one screw • Reduces assembly time and cost • High power density
© 2002 IXYS All rights reserved
DS98966 (11/02)
TO-247 (IXGH)
TO-268 (IXGT)
Maximum lead temperature for soldering 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s Maximum tab temperature for soldering Md Weight Mounting torque (TO-247) TO-247 TO-268

IXFH26N60中文资料

Dim. A A1 A2 b b1 b2 c D E e J K L L1 P Q Q1 R R1 S T Millimeter Min. Max. 4.82 2.54 2.00 1.12 2.39 2.90 0.53 25.91 19.81 5.46 0.00 0.00 20.32 2.29 3.17 6.07 8.38 3.81 1.78 6.04 1.57 5.13 2.89 2.10 1.42 2.69 3.09 0.83 26.16 19.96 BSC 0.25 0.25 20.83 2.59 3.66 6.27 8.69 4.32 2.29 6.30 1.83 Inches Min. Max. .190 .202 .100 .114 .079 .083 .044 .056 .094 .106 .114 .122 .021 .033 1.020 1.030 .780 .786 .215 BSC .000 .010 .000 .010 .800 .820 .090 .102 .125 .144 .239 .247 .330 .342 .150 .170 .070 .090 .238 .248 .062 .072
Min. Recommended Footprint
© 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025

IXFH20N60Q中文资料

Maximum Ratings 600 600 ±20 ±30 20 80 20 30 1.5 5 V V V V A A A mJ J V/ns
TO-247 AD (IXFH)
(TAB)
TO-268 (IXFT) Case Style
G S (TAB)
PD TJ TJM Tstg TL Md Weight
IXFH 20N60Q IXFT 20N60Q
VDSS ID25
RDS(on)
= = =
600 V 20 A 0.35 W
trr £ 250ns
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW Continuous Transient TC = 25°C TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C TC = 25°C TC = 25°C IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS, TJ £ 150°C, RG = 2 W TC = 25°C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
98549A (6/99)
© 2000 IXYS All rights reserved
1-2
元器件交易网 IXFH 20N60Q IXFT 20N60Q
Dim. Millimeter Min. Max. A B C D E F G H 19.81 20.32 20.80 21.46 15.75 16.26 3.55 3.65 4.32 5.49 5.4 6.2 1.65 2.13 4.5 1.0 1.4 10.8 11.0 4.7 0.4 5.3 0.8 Inches Min. Max. 0.780 0.800 0.819 0.845 0.610 0.640 0.140 0.144 0.170 0.216 0.212 0.244 0.065 0.084 0.177 0.040 0.055 0.426 0.433 0.185 0.209 0.016 0.031 0.087 0.102

FKPF12N60中文资料

FKPF12N60 / FKPF12N80FKPF12N60 / FKPF12N80Electrical Characteristics T C =25°C unless otherwise notedNotes:1.Gate Open2.Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit3.The critical-rate of rise of the off-state commutating voltage is shown in the table below4.The contact thermal resistance R TH(c-f) in case of greasing is 0.5 °C/WQuadrant Definitions for a TriacSymbol ParameterTest ConditionMin.Typ.Max.Units I DRM Repetieive Peak Off-State Current V DRM applied--20µA V TMOn-State VoltageT C =25°C, I TM =17AInstantaneous measurement-- 1.5V V GTGate Trigger Voltage (Note 2)I V D =6V, R L =6Ω, R G =330ΩT2(+), Gate (+)-- 1.5V II T2(+), Gate (-)-- 1.5V IIIT2(-), Gate (-)-- 1.5V I GT Gate Trigger Current (Note 2)I V D =6V, R L =6Ω, R G =330ΩT2(+), Gate (+)--30mA II T2(+), Gate (-)--30mA IIIT2(-), Gate (-)--30mA V GD Gate Non-Trigger Voltage T J =125°C, V D =1/2V DRM 0.2--V I H Holding Current V D = 12V, I TM = 1A 50mA I L Latching Current I, III V D = 12V, I G = 1.2I GT 50mA II70mA dv/dt Critical Rate of Rise of Off-State VoltagV DRM = Rated, T j = 125°C,Exponential Rise300V/µs (dv/dt)CCritical-Rate of Rise of Off-State Commutating Voltage (Note 3)10--V/µsV DRM (V)Test ConditionCommutating voltage and current waveforms(inductive load)FKPF12N601. Junction Temperature T J =125°C2. Rate of decay of on-state commutating current (di/dt)C = - 6.0A/ms3. Peak off-state voltage V D = 400VFKPF12N80Supply VoltageMain CurrentMain VoltageTimeTimeTime V D(dv/dt)C(di/dt)CT2 Positive+-T2 NegativeQuadrant IIQuadrant IQuadrant IIIQuadrant IVI GT -+I GT(+) T2(+) I GT GATET1(+) T2(+) I GT GATET1(+) T2(+) I GT GATET1(+) T2(+) I GT GATET1FKPF12N60 / FKPF12N80FKPF12N60 / FKPF12N80FKPF12N60 / FKPF12N80FKPF12N60 / FKPF12N80DISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:TRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.1. Life support devices or systems are devices or systemswhich, (a) are intended for surgical implant into the body,or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to performwhen properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.FACT™FACT Quiet series™FAST ®FASTr™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I 2C™ImpliedDisconnect™ISOPLANAR™LittleFET™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™MSX™MSXPro™OCX™OCXPro™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerTrench ®QFET™QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™RapidConfigure™RapidConnect™SILENT SWITCHER ®SMART START™SPM™Stealth™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TinyLogic™TruTranslation™UHC™UltraFET ®VCX™ACEx™ActiveArray™Bottomless™CoolFET™CROSSVOLT ™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™Across the board. Around the world.™The Power Franchise™Programmable Active Droop™。

IXEH40N120SN中文资料

40Features•NPT 3 IGBT- low saturation voltage- positive temperature coefficient for easy paralleling - fast switching- short tail current for optimized performance in resonant circuits •optional HiPerFRED TM diode - fast reverse recovery- low operating forward voltage - low leakage current •TO-247 package- industry standard outline - epoxy meets UL 94V-0Applications•AC drives•DC drives and choppers•Uninteruptible power supplies (UPS)•switched-mode and resonant-mode power supplies•inductive heating, cookersSymbol Conditions Maximum RatingsV CES T VJ = 25°C to 150°C1200V V GES ± 20V I C25T C = 25°C 60A I C90T C = 90°C40At SCV CE = 900V; V GE = ±15 V; R G = 39 Ω; T VJ = 125°C 10µs (SCSOA)non-repetitive P totT C = 25°C 300WSymbol ConditionsCharacteristic Values(T VJ = 25°C, unless otherwise specified)min.typ.max.I C25= 60 AV CES= 1200 V V CE(sat) typ.= 2.4 VNPT 3 IGBTIXEH 40N120IXEH 40N120D1TO-247 ADG EC C (TAB)GG40Symbol Conditions Maximum Ratings T VJ -55...+150°C T stg -55...+150°C M dmounting torque 0.8...1.2NmSymbol ConditionsCharacteristic Values min.typ.max.R thCH with heatsink compound0.25K/W Weight6gDiode [D1 version only ]Symbol Conditions Maximum RatingsI F25T C = 25°C 60A I F90T C = 90°C35ASymbol ConditionsCharacteristic Values40Fig. 1Typ. output characteristics Fig. 2Typ. output characteristicsFig. 3Typ. transfer characteristics Fig. 4Typ. forward characteristics of free wheeling diodeFig. 5Typ. turn on gate charge Fig. 6Typ. transient thermal impedance012345671200408012016020051015200123456720406080100120V CEV V CEA V nC Q GVV GEA46810121416020406080100120V V GEAI C01234153045607590V V FI FA V GE40Fig. 9Typ. turn on energy and switching Fig.10Typ. turn off energy and switchingtimes versus gate resistor times versus gate resistor04812162002468E onmJ E onmJtd(on)Fig. 11Typ. turn off characteristicsFig. 12Typ. turn off characteristicsof free wheeling diode of free wheeling diode。

IXSQ20N60B2D1;IXSH20N60B2D1;中文规格书,Datasheet资料

GCEDS99174(10/04)Features•International standard package •Guaranteed Short Circuit SOA capability •Low V CE(sat)-for low on-state conduction losses •High current handling capability •MOS Gate turn-on -drive simplicity•Fast fall time for switching speeds up to 20 kHz Applications•AC motor speed control•Uninterruptible power supplies (UPS)•Welding Advantages •High power densityIXSH 20N60B2D1High Speed IGBTShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum RatingsV CES T J = 25°C to 150°C600V V CGR T J = 25°C to 150°C; R GE = 1 M Ω600V V GES Continuous ± 20V V GEM Transient ± 30V I C25T C = 25°C 35A I C110T C = 110°C20A I F(110)21A I CMT C = 25°C, 1 ms60A SSOA V GE = 15 V, T J = 125°C, R G = 82Ω I CM = 32A(RBSOA)Clamped inductive load @ 0.8 V CESt SCV GE = 15 V, V CE = 360 V, T J = 125°C 10µs (SCSOA)R G = 82 Ω, non repetitive P C T C = 25°C190W T J -55 ... +150°C T JM 150°C T stg -55 ... +150°CWeight2 g Maximum lead temperature for soldering 300°C 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 sMaximum tab temperature for soldering for 10s 260°CSymbolTest Conditions Characteristic Values(T J = 25°C, unless otherwise specified)min.typ.max.BV CES I C = 250 µA, V GE = 0 V 600V V GE(th)I C= 750 µA, V CE = V GE3.56.5V I CES V CE = V CES 85µA V GE = 0 VT J = 125°C0.6mA I GES V CE = 0 V, V GE = ± 20 V ± 100nA V CE(sat)I C= 16A, V GE = 15 V2.5VPreliminary Data SheetV CES =600 V I C25=35 A V CE(sat)= 2.5 VG = Gate C = Collector E = Emitter TAB = CollectorTO-247 (IXSH)D1© 2004 IXYS All rights reservedReverse Diode (FRED)Characteristic Values(T J = 25°C, unless otherwise specified)SymbolTest Conditions min.typ.max.V F I F = 15A, V GE = 0 VT J =150°C1.35V2.10V I RM I F = 25A, V GE = 0 V, -di F /dt = 100 A/µs T J =100°C 4.5A t rr V R = 100 VT J =100°C 110ns t rr I F = 1 A; -di/dt = 100 A/µs; V R = 30 V 30ns R thJC1.6K/WSymbolTest ConditionsCharacteristic Values(T J = 25°C, unless otherwise specified)min. typ. max.g fs I C = 16A; V CE = 10 V, Note 13.57.0S C ies 800pF C oes V CE = 25 V, V GE = 0 V 110pF C res f = 1 MHz28pF Q g 33nC Q ge I C = 16A, V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES 12nC Q gc 12nC t d(on)30ns t ri 30ns t d(off)116ns t fi 126ns E off 380600µJ t d(on)30ns t ri 30ns E on 0.52mJ t d(off)180ns t fi 210ns E off 970µJR thJC 0.66K/WR thCS0.25K/WInductive load, T J = 25°CI C = 16A, V GE = 15 VV CE = 0.8 V CES , R G = 10 ΩSwitching times may increase for V CE (Clamp) > 0.8 • V CES , higher T J or increased R GInductive load, T J = 125°C I C = 16 A, V GE = 15 VV CE = 0.8 V CES , R G = 10 ΩSwitching times may increase for V CE (Clamp) > 0.8 • V CES , higher T J or increased R GNote 1: Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,5924,931,8445,049,9615,237,4816,162,6656,404,065 B16,683,3446,727,585 one or moreof the following U.S. patents:4,850,0725,017,5085,063,3075,381,0256,259,123 B16,534,3436,710,405B26,759,6924,881,1065,034,7965,187,1175,486,7156,306,728 B16,583,5056,710,4630.00.40.81.21.6010203040I FA t fr µsFig. 3. Peak reverse current I RM versus -di F /dtFig. 2. Reverse recovery charge Q r versus -di F /dtFig. 1. Forward current I F versus V FF /dtFig. 6. Peak forward voltage V FR and t fr versus di F /dt Fig. 7Transient thermal resistance junction-to-caseConstants for Z thJC calculation:i R thi (K/W)t i (s)10.9080.005220.350.000330.3420.017分销商库存信息:IXYSIXSQ20N60B2D1IXSH20N60B2D1。

IXYS IGBT选型参考

Ic Ic (25益)(90益)
/A /A
Vce (sat) /V
tfi
If
(25益)(110益)
/ns /A
封装形式
IXGC16N60B2D1 600 28 13 2.3 80 10 ISOPLUS220
IXGA16N60B2D1 600 40 16 2.3 80 11 TO-263
IXGH16N60B2D1 600 40 16 2.3 80 11 TO-247 IXGP16N60B2D1 600 40 16 2.3 80 11 TO-220
Ic Ic (25益) (90益)
/A /A
Vce (sat) /V
tfi (25益)
/ns
封装形式
IXGH60N60 600 75
IXGK60N60 600 75
IXGT60N60
600 75
IXGN60N60 600 100
IXGN200N60A2 600 200
IXGA8N100 1000 16
IXGX35N120B 1200 70 35 3.3 160 PLUS247
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3、中速系列集成快恢复二极管的 IGBT 单管
(可适用 15kHz-40kHz 的硬开关)
型号
Vces /V
IXYS IGBT 选型参考
IGBT 是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的缩写，即“绝缘栅双极晶体管”，在结构和性能上都可以把它等效成一个沟道型场效应管和一个双极性晶体管的组合，从输入端看，是一个高阻的 VMOS，从输出端看，是一个大功率的双极型。IGBT 主要用于工业控制，如电机驱动、高频感应电源等。高压供电条件下，20 ～ 50kHz 的硬开关是 IGBT 的主要应用领域。最常见的应用是电磁炉。

富凌(FULING)DZB60J简易型说明书

第一章到货检查1第九章品质保证34第二章安全注意事项3第三章安装与配线6第四章操作面板说明11第六章参数功能详解16第七章报警内容及处理方法31第八章保养和维护32第五章试运行13附录35DZB系列变频器在出厂之前，均经严格的质检，并做了防撞、防震等包装处理。

客户收到所订购的变频器后，请即刻进行以下各项检查：1.1拆箱时的检查:1）检查内部DZ B变频器一台，使用手册一本，装箱明细卡一张。

2）检查纸箱和变频器侧面的铭牌，以确定在您手上的产品就是你所订购的产品。

3）变频器在运输过程中是否造成损伤。

4）如果发现与您要订购的变频器不符，或质量问题，请您及时与经销商或厂方联系。

第一章到货检查1.2铭牌说明:MO DEL :D ZB 60J 0015L2A I NPUT :2PH220V 50/60HZ OUT PUT :3P H220V 0~400.0H Z PO WE R:1.5K W 7.0A 功能级别代码:A—带制动B—不带制动输入电压等级:2—220V 4—400V 频率范围:L:0-400.0Hz H :0-2000Hz 适配功率:0015为1.5KW 系列代号:B:通用型P:风机水泵型D :变频电源K:空调专用S :注塑机J:简易型A :中频技术升级代码00070.75KW；为1.3型号命名规则:DZ B 60J0015L2ADZB系列变频器使用手册到货检查-1-S/N:FL26/05090001TAIZHOU FULING ELECTOMOTOR CO.,LTD生产序号生产月份生产年份机型：FL26-26FL 28-28FL31-31T -铁壳00010905261.4出厂编号命名：系列代号DZ B70B DZ B70P DZ B70S DZ B70K DZ B60A DZ B60J DZ B70D系列名称通用变频器风机水泵变频器注塑机专用变频器空调专用变频器高速电机专用变频器简易型变频器变频电源功率范围0.75~280KW 7.5~315K W 7.5~280K W 3.7~220K W 3.7~45KV A 0.55~1.5KW 15~220K VA1.5产品系列说明：DZB系列变频器使用手册到货检查-2-！错误使用时，可能导致人身轻度或中度的伤害或设备的损坏。

上海汇信20-60KW说明书第二版

一级菜单
二级菜单
参数模式
参数代码（格式：FXXX)
FXXX 的值
监控模式
监控代码（格式：D-XX)
D-XX 的值
按 PRG 键可以在参数模式和监控模式之间进行转换，按 Enter 键可以进入相应的的二级菜单。在二级菜单的情况下，可以按 PRG 键可以退出二级菜单。
感应加热电源的综合技术特性输入电压范围：300VAC~440VAC 输入频率范围：50Hz/60Hz
0
1
0
1
0
启动前是否需要做负载有效性检测
F-003 (0: 不需要; 1 要检测)
0
1
1
1
0
F-004
负载有效性测试模式(0: 不检测; 1 检测)
0
1
1
1
0
F-005 负载有效性参数
0
2000
70
1
0
-7-
上海汇信能源科技有限公司
上海市浦东杨高南路 6168 号电话： 021-61992237 传真：021-60853212
当心指出潜在的危险情况，如果不避免，可能会导致人身强度或中度的伤害和设备损坏。这也可用来对不安全操作进行警戒。
操作面板
面板示意图
按键功能说明
键
名称
功能说明
键
编程键
一级菜单切换
在键盘操作模式下，运行键
按该键盘启动运行
名称确定键
功能说明
菜单进入或设定确定
停止/ 在键盘操作模式下，复位键按该键盘停止运行
其他
120%一分钟 150%瞬间保护 <0.2S >95% >85%
>50000Hrs <10μ S

IXYS IGBT参数资料大全

深圳德意志库存2.4V @15V ，40A2.5V @15V ，20A4V @15V ，10A 2.35V @15V ，110A 2V @15V ，60A2.4V @15V ，40A 2V @15V ，75A 不同 Vge、Ic 时的Vce(on)5.2V @15V, 30A 5V @15V ，21A 3.2V @15V ，20A2.6V @15V ，5A1.6V @4V ，10A2V @15V ，27A1200V600V1200V390V600V1200V1000V650V650V电压 - 集射极击穿（最大值）3000V1700V3000V600VPT PT 沟道和场截止沟道和场截止沟道和场截止IGBT 类型-NPT ----PT -管件管件管件管件管件管件散装管件管件管件20020019006001400314 -880 -价格咨询960100880560770220 -IGBT 1200V80A 483WTO247-3IGBT 600V80A 428WTO247-3IGBT 1200V80A 483WTO247-3IGBT 390V46A 250WTO220AA-3IGBT 600V55A 200WTO247AC IGBT 1200V 40A 180W TO247IGBT 1000V 20A 100W TO247AD IGBT 650V 234A 880W TO247AD IGBT 650V 116A 380W TO247AD基本参数IGBT 3000V18A 100WTO247AD IGBT 1700V 32A 350W TO247IGBT 3000V 50A 250W TO247IGBT 600V8.5A 38WTO220AB IXYSIXYSInfineon Technologie s Infineon Technologie s Infineon Technologie s 品牌IXYSIXYSIXYSInternationalRectifierFairchild Semiconduc tor InternationalRectifierIXYSIXYSIKW40N120H3IXGH20N120A3IXGH10N100AU1IXXH110N65C4IXXH60N65B4H1IGW40N120H3IKW75N60T 型号IXGH10N30IXGH32N170AIXBH20N30IRG4BC10U DPBF ISL9V5036P3_F085IRG4PC50U DPBF IXYS IGBT参数资料大全图片包装管件散装管件带卷 (TR)可替代的包装剪切带 (CT)可替代的包装Digi-Reel®可替代的包装2.2V @15V ，12A2.1V @15V ，110A 1.7V @15V ，160A1.9V @4.5V ，20A1.9V @4.5V ，20A1.9V @4.5V ，20A2.5V @15V ，10A3.6V @15V ，25A2.3V @15V ，36A3.15V @15V ，50A 1.8V @15V ，160A 2V @15V ，60A440V600V600V650V600V650V650V440V440V1200V600V600V---沟道沟道PT NPT PT -PT PT NPT 管件管件管件散装管件管件管件管件管件2500120058045614005505001088700140022001400IGBT 440V20A 125WDPAK IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL IGBT 600V 25A 27.2W TO220FLIGBT 650V 310A 940W TO264IGBT 600V85A 350WSUPER247IGBT 650V 240A 880W TO264IGBT 650V 370A 1150W TO264IGBT 440V20A 125WDPAK IGBT 440V20A 125WDPAK IGBT 1200V46A 313WTO247-3IGBT 600V 100A 600W TO247AD IGBT 600V 93A 415W TO247ON Semiconduc tor ON Semiconduc tor ON Semiconduc tor RenesasElectronicsAmerica RenesasElectronicsAmericaIXYSMicrosemiPower ProductsGroup IXYSInternationalRectifierIXYSIXYSInfineon Technologie s RJH60D2DPP-M0#T2IXXK110N65B4H1IXXK200N65B4NGD8201ANT4GNGD8201ANT4GNGD8201ANT4GRJH60D1DPP-M0#T2SKW25N12IXXH50N60C3D1APT50GS60BRDQ2G IXXK160N65B4IRG4PSC71UDPBF。