大工13秋《模拟电子线路》在线作业一,二,三及答案100分

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大工13春《模拟电子线路》在线作业一、二、三及答案

大工13春《模拟电子线路》在线作业一、二、三及答案大工13春《模拟电子线路》在线作业一及答案一、单选题（共10 道试题，共50 分。

）1. 当温度升高时,三极管的电流放大系数β将( ).A. 增大B. 减小C. 不变D. 不确定满分：5 分答案：A2. 三级放大电路中,各级的放大倍数均为10,则电路将输入信号放大了( )倍.A. 10B. 30C. 100D. 1000满分：5 分答案：D3. 关于BJT的结构特点说法错误的是( ).A. 基区很薄且掺杂浓度很低B. 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C. 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D. 集电区面积大于发射区面积满分：5 分答案：C4. 在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是( ).A. 共射组态B. 共集组态C. 共基组态D. 无法确定满分：5 分答案：C5. 在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位( ).A. 同相B. 反相C. 相差90°D. 不确定满分：5 分答案：A6. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ).A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷满分：5 分答案：C7. BJT处于截止状态的条件是( ).A. 发射结正偏,集电结反偏B. 发射结正偏,集电结正偏C. 发射结反偏,集电结正偏D. 发射结反偏,集电结反偏满分：5 分答案：D8. 小信号模型分析法不能用来求解( ).A. 静态工作点B. 电压增益C. 输入电阻D. 输出电阻满分：5 分答案：A9. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生( ).A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 线性失真满分：5 分答案：A10. 已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为( ).A. 发射极B. 集电极C. 基极D. 无法确定满分：5 分答案：B二、判断题（共10 道试题，共50 分。

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1满分答案

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1-0001试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)【题目】在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。

A.饱和失真B.线性失真C.截止失真D.交越失真正确的选择是:A【题目】温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。

A.增大B.减小C.不确定D.不变正确的选择是:B【题目】反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。

A.越差B.越好C.无变化D.不确定正确的选择是:B【题目】在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。

A.无法确定B.共集组态C.共射组态D.共基组态正确的选择是:D【题目】关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.集电区面积大于发射区面积B.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C.基区很薄且掺杂浓度很低D.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度正确的选择是:B【题目】当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。

A.增大B.减小C.不确定D.不变正确的选择是:A【题目】在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度B.杂质浓度C.晶体缺陷D.掺杂工艺正确的选择是:B【题目】在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。

A.相差90°B.同相C.反相D.不确定正确的选择是:B【题目】引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。

A.静态工作点偏高B.静态工作点偏低C.输出电阻太小D.输入电阻太小正确的选择是:A【题目】已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为【题目】3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。

A.集电极B.无法确定C.基极D.发射极正确的选择是:A二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)1【题目】与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。

正确的选择是:正确1【题目】对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。

大工18秋《模拟电子线路》在线作业2(满分题)

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ (单选题) 1: 放大电路的三种组态()。

A: 都有电压放大作用B: 都有电流放大作用C: 都有功率放大作用D: 只有共射极电路有功率放大作用正确答案:(单选题) 2: PN结外加正向电压时，扩散电流()漂移电流。

A: 大于B: 小于C: 等于D: 无法确定正确答案:(单选题) 3: 交流信号从b、c极之间输入,从e、c之间极输出,c极为公共端的放大电路是()。

A: 共基极放大器B: 共模放大器C: 共发射极放大器D: 共集极放大器正确答案:(单选题) 4: 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。

A: 耦合电容和旁路电容的存在B: 半导体管极间电容和分布电容的存在C: 半导体管的非线性特性D: 放大电路的静态工作点不合适正确答案:(单选题) 5: 适合做高频放大或宽频带放大电路及恒流源的放大组态是()。

A: 共发射极放大电路B: 共集电集放大电路C: 共基极放大电路D: 共模放大电路正确答案:(单选题) 6: 由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真。

则这种失真为()。

A: 饱和失真B: 截止失真C: 交越失真D: 频率失真正确答案:(单选题) 7: NPN型和PNP型三极管的主要区别是()。

A: 由两种不同材料构成B: 掺入的杂质不同C: P区和N区的位置不同D: 放大倍数不同------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 正确答案:(单选题) 8: 在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。

大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案

大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案大工18秋《模拟电子线路》在线作业1PN结加正向电压时,()。

A.扩散运动大于漂移运动B.扩散运动小于漂移运动C.扩散运动与漂移运动平衡D.没有运动正确答案:A发光二极管发光时,其工作在()。

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.反向饱和区正确答案:A当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。

A.前者反偏、后者反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者正偏D.前者反偏，后者正偏正确答案:AXXX工作在放大区的工作条件是:()。

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏精确答案:A稳压管的稳压区是其事情在()。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.反向饱和精确答案:C用万用表鉴别放大电路中处于正常事情的某个晶体管的类型(指NPN型照旧PNP型),以测出()最为方便。

A.各极间电阻B.各极对地电位C.各极电流D.各极间的电压正确答案:B在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。

A.五价B.四价C.三价D.二价精确答案:A整流的目的是()。

A.将交流变成直流B.将高频变成低频C.将正弦波变成XXXD.以上均正确正确答案:APN结加正向电压时,空间电荷区将()。

A.变窄B.基本不变C.变宽D.完全不变精确答案:A共发射极放大电路输入输出电压相位关系是()。

A.同相B.反相C.不确定D.随机正确答案:B三极管构成的放大电路首要有:共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路。

A.对B.错正确答案:A因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

T.对F.错正确答案:B晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。

T.对F.错正确答案:A杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。

T.对F.错精确答案:A在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

大工20秋《模拟电子线路》在线作业1答卷

16.如果输入信号的幅度过大,即使静态工作点的大小设置合理,也会产生失真。
答案:正确
17.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
答案:错误
18.晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。
答案:正确
19.集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
D.线性失真
答案:A
7.当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A.前者反偏、后者反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者正偏
D.前者反偏，后者正偏
答案:A
8.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
大工20秋《模拟电子线路》在线作业1
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.半导体二极管的重要特性之一是()。
A.温度稳定性
B.单向导电性
C.放大作用
流放大系数β将()。
A.增大
B.减小
答案:错误
20.温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
答案:错误
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积
答案:C
9.PN结加反向电压时,空间电荷区将()。
A.变窄
B.不变
C.变宽
D.不确定
答案:C
10.当温度升高时,三极管的反向饱和电流ICBO将()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.不确定
答案:A

大工13秋《测量学》在线作业1 2 3题目及答案

大工13秋《测量学》在线作业1 单选题：ABBAA DBCBC判断题：BBBAA BAABB大工13秋《测量学》在线作业2 单选题：BABAD BBCAC判断题：BBABA AABBB大工13秋《测量学》在线作业3 单选题：DBDAA CCCCB判断题：AAAAB BBAAA大工13秋《测量学》在线作业1一、单选题（共 10 道试题，共 60 分。

）V1. 使用水准仪进行水准测量的操作程序为（）。

A. 粗平-瞄准-精平-读数B. 粗平-精平-瞄准-读数C. 瞄准-粗平-精平-读数D. 以上均不对满分：6 分2. 大地水准面可定义为（）。

A. 处处与重力方向相垂直的曲面B. 通过静止的平均海水面的曲面C. 把水准面延伸包围整个地球的曲面D. 通过地球大地的曲面满分：6 分3. 地面点到高程基准面的垂直距离称为该点的（）。

A. 相对高程B. 绝对高程C. 高差D. 以上均不对满分：6 分4. 水准测量时，如用双面水准尺，观测程序采用“后-前-前-后”，其目的主要是消除（）。

A. 仪器下沉误差的影响B. 视准轴不平行于水准管轴误差的影响C. 水准尺下沉误差的影响D. 水准尺刻划误差的影响满分：6 分5. DS1水准仪的观测精度要( )DS3水准仪。

A. 高于B. 接近于C. 低于D. 等于满分：6 分6. 高斯平面直角坐标系（）。

A. X轴是赤道的投影,Y轴是投影带中央经线B. X轴是测区的中央经线,Y轴垂直于X轴C. X轴是投影带中央经线,Y轴是赤道D. X轴是投影带中央经线,Y轴是赤道的投影满分：6 分7. 在水准测量中，若后视点A的读数大，前视点B的读数小，则有( )。

A. A点比B点高B. A点比B点低C. A点与B点可能同高D. A点和B点的高低取决于仪器高度满分：6 分8. 水准测量时，长水准管气泡居中说明（）。

A. 视准轴水平且与仪器竖轴垂直B. 视准轴与水准管轴平行C. 视准轴水平D. 视准轴与圆水准器轴垂直满分：6 分9. 已知A点高程为62.118m，水准仪观测A点标尺的读数为1.345m，则仪器视线高为( )m。

大工13秋《机械工程测试技术》在线作业1,2,3

大工13秋《机械工程测试技术》在线作业1,2,3大工13秋《机械工程测试技术》在线作业1,2,3 大工13秋《机械工程测试技术》在线作业1试卷总分：100 测试时间：--单选题判断题、单选题（共10 道试题，共60 分。

）1.矩形窗函数的时域窗宽T越大，主瓣宽度（）.A. 不变B. 越小C. 越大D. 不定满分：6分2.周期信号是由一个或几个、乃至无穷多个（）的谐波叠加而成.A. 不同频率B. 相同频率C. 不同幅值D. 相同幅值满分：6分3.测量器具的计量特性随时间的慢变化称为（）.A. 标称范围B. 量程C. 测量范围D. 漂移满分：6分4.对于高频信号来说，当传输距离与信号波长可比时，应考虑（）.A. 信道通道元器件噪声干**B. 长线传输干**C. 信号通道中信号的窜**D. 电磁场干**满分：6分5.理论上，一阶系统的响应当t趋向于（）时达到稳态.A. 0B. 1C. 无穷大D. ω满分：6分6.对于二阶装置，通常通过（）估计其动态特性参数.A. 幅频曲线p10.随机信号样本函数在有限时间区间上的部分称为（）.A. 样本记录B. 平稳随机过程C. 非平稳随机过程D. 各态历经随机过程满分：6分大工13秋《机械工程测试技术》在线作业1试卷总分：100 测试时间：--单选题判断题、判断题（共10 道试题，共40 分。

）1.影响二阶系统动态特性的参数是固有频率和阻尼比.A. 错误B. 正确满分：4分2.描述随机信号必须用概率和统计的方法.A. 错误B. 正确满分：4分3.用阶跃响应法求测量装置的动态特性是一种时域测试的易行方法.A. 错误B. 正确满分：4分4.灵敏度没有量纲.A. 错误B. 正确满分：4分5.在有一定传输长度的数字信号的传输中采用双绞线不能降低电磁干**的影响.A. 错误B. 正确满分：4分6.离散信号只能用离散图形表示.A. 错误B. 正确满分：4分7.工程中常见的周期信号，其谐波幅值总的趋势是随谐波次数的增高而增大的.A. 错误B. 正确满分：4分8.每个信号有其特有的幅频谱和相频谱.A. 错误满分：4分9.几个简谐信号的叠加，一定是周期信号.A. 错误B. 正确满分：4分10.信号时域描述能反映信号幅值随时间变化的关系.A. 错误B. 正确满分：4分大工13秋《机械工程测试技术》在线作业2试卷总分：100 测试时间：--单选题判断题、单选题（共10 道试题，共60 分。

大工14秋《模拟电子线路》在线作业2答案

模拟电子线路大工14秋《模拟电子线路》在线作业2一,单选题1. 通用型集成运放的输入级大多采用()。

A. 共射极放大电路B. 射极输出器C. 差分放大电路D. 互补推挽电路?正确答案：C2. 长尾型差分放大电路中，电阻Re的主要作用是()。

A. 提高输入电阻B. 提高共模抑制比C. 提高共模电压增益D. 提高差模电压增益?正确答案：B3. 与甲类功率放大电路相比，乙类互补对称功率放大电路的主要优点是()。

A. 失真度小B. 效率高C. 管耗低D. 无交越失真?正确答案：B4. 集成运放中，由于温度变化引起的零输入对应非零输出的现象称为()。

A. 交越失真B. 失调C. 零点漂移D. 饱和失真?正确答案：C5. 设采用双电源互补对称电路，如果要求最大输出功率为5W，则每只功率BJT的最大允许管耗至少应大于()。

A. 1WB. 2.5WC. 5WD. 10W?正确答案：A6. 对于结型场效应管，栅源极之间的PN结()。

A. 必须正偏B. 必须零偏C. 必须反偏D. 可以任意偏置?正确答案：C7. 题目见图片A.B.C.D.?正确答案：C8. 乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值约等于()时，管子的功耗最大。

A. 0B. 电源电压C. 0.64倍的电源电压D. 2倍的电源电压?正确答案：C9. 设采用双电源互补对称电路，如果要求最大输出功率为Pom，则每只功率BJT的最大允许管耗至少应大于()。

A. 0.2PomB. 0.5PomC. PomD. 2Pom?正确答案：A10. 乙类互补对称功率放大电路的效率在理想情况下可达到()。

A. 60%B. 78.5%C. 89.5%D. 99%?正确答案：B二,判断题1. 电流源电路的特点是端口电流恒定，交流等效电阻大，直流等效电阻大。

A. 错误B. 正确?正确答案：B2. 差分式放大电路对共模信号具有很强的抑制能力。

A. 错误B. 正确?正确答案：B3. 典型的差分放大电路是利用电路的对称性和发射极公共电阻的负反馈作用来克服温漂。

大工14秋《模拟电子线路》在线作业3答案

模拟电子线路大工14秋《模拟电子线路》在线作业3 一,单选题1. 同相比例运算电路中，电路引入了()负反馈。

A. 电压串联B. 电压并联C. 电流并联D. 电流串联?正确答案：A2. 迟滞比较器有()个门限电压。

A. 1B. 2C. 3D. 4?正确答案：B3. 构成反馈通路的元器件是()。

A. 只能是电阻元件B. 只能是三极管、集成运放等有源器件C. 只能是无源器件D. 可以是无源器件，也可以是有源器件?正确答案：D4. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是()。

A. 输入信号所包含的干扰和噪声B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声?正确答案：B5. 反馈放大电路的含义是()。

A. 输出与输入之间有信号通路B. 电路中存在反向传输的信号通路C. 除放大电路以外还有信号通路D. 电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路?正确答案：B6. 电压比较器通常工作在()状态。

A. 开环B. 正反馈C. 负反馈D. A或B?正确答案：D7. 直流稳压电源中滤波电路的目的是()。

A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将交直流混合量中的交流成分滤掉D. 将交直流混合量中的直流成分滤掉?正确答案：C8. 欲使振荡电路能自行建立振荡，必须满足()的条件。

A. |AF|>1B. |AF|=1C. |AF|<1D. |AF|≤1?正确答案：A9. 串联型线性稳压电路中的放大环节放大的对象是()。

A. 基准电压B. 取样电压C. 基准电压与取样电压之差D. 以上均不对?正确答案：C10. 以下关于负反馈对放大电路性能的影响说法错误的是()。

A. 放大电路的闭环增益Af增加B. 放大电路增益的稳定性提高C. 放大电路的通频带得到了扩展D. 负反馈对放大电路所有性能的影响程度均与反馈深度(1+AF)有关?正确答案：A二,判断题1. 门限电压就是把比较器输出电压从一个电平跳变到另一个电平时相应的输入电压值。

模拟电子线路基础考试题库含答案

模拟电子线路基础考试题库含答案1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

()正确错误(正确答案)2.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。

()正确荀吴(正确选项)3.N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

() 正确(V)琢吴4•放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

()正确(正确选项)琢吴5.晶体管的参数不随温度变化。

()正确荀吴(正确答案)6•集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。

（）正确葡吴（正确选项）7•理想运放的共模抑制比为无穷大。

（）正确（正确答案）荀吴8•产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（）正确（正确选项）琢吴9.运算放大电路中一般引入正反馈（）正确荀吴3）10电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。

（）正确荀吴（正确答案）口.本征半导体遍度升高后,两种载流子浓度还是相等。

（）正确（V）琢吴12•参数理想对称的差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。

（）正确（正确选项）荀吴13•放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）正确（正确选项）撕吴14•运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。

（）正确葡吴3）15•放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

（）正确（正确答案）荀吴16.负反馈越深，电路的性能越稳定。

（）正确葡吴（正确答案）17•使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。

（）正确荀吴（正确选项）18•利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

（）正确（正确选项）琢吴19•集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（）正确（正确选项）琢吴20•零点漂移就是静态工作点的漂移。

（）正确（正确答案）荀吴21.本征半导体遍度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（）正确（正确答案）23.场效应管的工作原理是输入电压控制输出电流。

（）正确（V）間天24.三极管放大电路共有两种组态，分别为共基组态和共射组态。

大工13秋《建筑施工》在线测试1及答案

大工13秋《建筑施工》在线测试1,大工13秋《建筑施工》在线测试1试卷总分：100 测试时间：--单选题多选题、单选题（共20 道试题，共60 分。

）1.在冬期施工中，拌合砂浆用水的温度不得超过（D）。

A. 30℃B. 40℃C. 50℃D. 80℃满分：3分2.某沟槽宽度为10m，拟采用轻型井点降水，其平面布置宜采用（B）形式。

A. 单排B. 双排C. 环形D. U形满分：3分3.只有当所有的检验数（D）时，该土方调配方案为最优方案。

A. ≤0B. ＜0C. ＞0D. ≥0满分：3分4.砖砌体水平灰缝的砂浆饱满度不得低于（C）。

A. 60%B. 70%C. 80%D. 90%满分：3分5.砂浆的保水性以（C）表示。

A. 坍落度B. 最佳含水率C. 分层度D. 稠度满分：3分6.砖砌体的砖块之间要错缝搭接，错缝长度一般不应小于（B）。

A. 30mmB. 60mmC. 120mmD. 180mm满分：3分7.砖砌体的转角处及交接处应同时砌筑，当不能同时砌筑时，应砌成斜槎，斜槎长度不得小于高度的（B）。

A. 1/3B. 2/3C. 1/2D. 3/4满分：3分8.烧结普通砖砌体中，一般8块砖长加上8个灰缝的长度为（C）。

A. 1000mmB. 1500mmC. 2000mmD. 800mm满分：3分9.明沟集水井排水法最不宜用于边坡为（D）的工程。

A. 黏土层B. 砂卵石土层C. **细砂土层D. **土层满分：3分10.某基坑开挖土层为**砂，地下水位线低于地面10m，开挖深度18m,降水方法宜采用（D）。

A. 集水井B. 轻型井点C. 管井井点D. 深井井点满分：3分11.可进行场地平整、基坑开挖、填平沟坑、松土等作业的机械是（C）。

A. 平地机B. 铲运机C. 推土机D. 摊铺机满分：3分12.作为检验填土压实质量控制指标的是（A）。

A. 土的干密度B. 土的压实度C. 土的压缩比D. 土的可松性满分：3分13.等高式砖基础大放脚是每砌两皮砖，两边各收进（D）砖长。

大工13秋《模拟电子线路》复习题库精华版

1、如何用万用表判断三极管的集电极和发射极？解答：判断集电极和发射极的基本原理是把三极管接成单管放大电路，利用测量管子的电流放大系数β值的大小来判定集电极和发射极。

将指针式万用表欧姆挡置"R ×100"或"R ×1k" 处，以NPN管为例，把黑表笔接在假设的集电极c上，红表笔接到假设的发射极e上，并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触)，通过人体，相当b、c之间接入偏置电阻，读出表头所示的阻值，然后将两表笔反接重测。

若第一次测得的阻值比第二次小，说明原假设成立，因为 c 、e 间电阻值小说明通过万用表的电流大，偏置正常。

2、集成运算放大器为什么要在输入级采用差分放大电路？解答：集成运算放大器是一个多级放大电路，其电压增益很高，如果第一级放大电路出现了零点漂移，那么经过多级放大，在输出端就会产生很高的干扰电压，严重的可使电路无法正常工作。

差分放大电路能很好的抑制零点漂移，所以集成运算放大器要在输入级采用差分放大电路。

（单选题）1. PN结加正向电压时，空间电荷区将（A.变窄）。

2. 半导体二极管的重要特性之一是（B.单向导电性）。

3.当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A.增大）。

4. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（C.明显增加）。

5. 硅二极管的完全导通后的管压降约为（0.7V）。

6.在掺杂半导体中，少子的浓度受（温度）的影响很大。

1.测量三极管三个电极对地电位如图所示，则该三极管工作在（放大状态）。

2.BJT处于放大状态的条件是（A.发射结正偏，集电结反偏）。

3.NPN型BJT处于放大状态时，各极电位关系为（）。

A.Vc>Vb>VeB.Vc<Vb<VeC.Vc>Vb<VeD.Vc<Vb>Ve1. 小信号模型分析法不适合用来求解（）。

A.静态工作点C.输入电阻B.电压增益D.输出电阻2.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过低，容易产生（）。

《模拟电路》练习册及答案

《模拟电子电路》练习册（答案）第一讲练习题填空1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（扩散）运动，另一种称为（漂移）运动。

2．半导体中有两种载流子：一种是（自由电子）、另一种是（空穴）。

3．半导体中的扩散运动是由于载流子（浓度的不均匀）而引起的。

4．半导体中的漂移运动是由于载流子（在电场的作用下）而引起的。

5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（少）。

6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成（N ）型半导体。

7．在本征半导体中加入三价元素后, 将形成（P ）型半导体。

8．N型半导体中空穴是（少数）载流子。

9．P型半导体中空穴是（多数）载流子。

10．P型半导体中自由电子是（少数）载流子。

11．N型半导体中自由电子是( 多数）载流子。

12．PN结中的电流当温度升高时将会（增加）。

13．二极管的主要特性是它的（单向导电性）。

14．二极管的正向电阻比反向电阻（小）得多。

15．二极管的伏安特性是I = Is（e x p V / Vt —1 ）。

16．硅管的门限电压约为( 0.6 ) V 。

17．锗管的门限电压约为( 0.2 ) V 。

18．稳压二极管稳压时应工作于( 反向击穿区) 。

选择 ( 黑体字为答案 )21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体）。

22.半导体中的扩散运动是由于（载流子浓度的不均匀）而形成。

23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大) 得多。

24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用)而产生的。

25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻( 大得多)。

26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽），流过PN结的电流(很小）。

27. P型半导体中空穴是(多数载流子）。

28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。

29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴），形成(P ) 型半导体。

30.P型半导体中空穴是(多数载流子)。

31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。

大工13秋《数控技术》在线作业1,2,3

大工13秋《数控技术》在线作业1,2,3 大工13秋《数控技术》在线作业1试卷总分：100 测试时间：--单选题判断题、单选题（共10 道试题，共50 分。

）1.单独的主运动（）形成各种不同的加工表面。

A. 能B. 不能C. 以上选项都对D. 以上选项都不对满分：5分2.坐标联动数（）机床所具有的坐标轴数。

A. 等于B. 不等于C. 以上选项都对D. 以上选项都不对满分：5分3.冲床属于（）。

A. 点位控制B. 轮廓控制C. 圆周控制D. 以上均不对满分：5分4.闭环伺服系统内（）位置检测反馈装置。

A. 有B. 没有C. 有的有，有的没有D. 以上都不对满分：5分5.数控机床按（）可分为普通数控机床和加工中心。

A. 工艺特点B. 加工路线C. 有无检测装置D. 可联动的坐标轴数满分：5分6.数控机床（）完成普通机床不能完成的复杂表面加工。

A. 能B. 不能C. 以上选项都对D. 以上选项都不对满分：5分7.数控车床属于（）。

A. 点位控制B. 轮廓控制C. 圆周控制D. 以上均不对满分：5分8.机床出厂时已确定的坐标系是（）。

A. 机床坐标系B. 工件坐标系C. 直角坐标系D. 右手直角笛**尔坐标系满分：5分9.下列运动中属于进给运动的是（）。

A. 数控机床的坐标运动B. 车床主轴的转动C. 钻头的转动D. 铣**的转动满分：5分10.（）用来选**具。

A. F代码B. G代码C. T代码D. S代码满分：5分大工13秋《数控技术》在线作业1试卷总分：100 测试时间：--单选题判断题、判断题（共10 道试题，共50 分。

）1.数控系统的组成部分不包括排屑装置。

A. 错误B. 正确满分：5分2.G代码用来规定主轴转速。

A. 错误B. 正确满分：5分3.数控铣床属于轮廓控制机床。

A. 错误B. 正确满分：5分4.数控机床按工艺用途可分为点位控制数控机床和轮廓加工数控机床。

A. 错误B. 正确满分：5分5.数控编程时用的坐标系是工件坐标系。

大工13秋《模拟电子线路》在线作业一,二,三及答案100分

大工13秋《模拟电子线路》在线作业一一、单选题（共10 道试题，共60 分。

）V1. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是()放大电路。

A. 共射极B. 共集电极C. 共基极D. 不确定满分：6 分2. 对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，()极的电位最低。

A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 不确定满分：6 分3. 在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷满分：6 分4. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V，则该管()。

A. 处于饱和状态B. 处于放大状态C. 处于截止状态D. 已损坏满分：6 分5. 温度升高，晶体管的管压降│Ube│()。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 不确定满分：6 分6. 硅二极管完全导通后的管压降约为()。

A. 0.1VB. 0.3VC. 0.5VD. 0.7V满分：6 分7. 引起共射放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。

A. 输入电阻太小B. 静态工作点偏低C. 静态工作点偏高D. 输出电阻太小满分：6 分8. 晶体管能够放大的外部条件是()。

A. 发射结正偏，集电结反偏B. 发射结正偏，集电结正偏C. 发射结反偏，集电结正偏D. 发射结反偏，集电结反偏满分：6 分9. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为()。

A. NPN型锗管B. PNP型锗管C. PNP型硅管D. NPN型硅管满分：6 分10. 反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能()。

A. 越好B. 越差C. 无变化D. 不确定二、判断题（共10 道试题，共40 分。

）V1. 温度升高，晶体管输入特性曲线右移。

A. 错误B. 正确满分：4 分2. 射极输出器无放大功率的能力。

A. 错误B. 正确满分：4 分3. 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。

A. 错误B. 正确满分：4 分4. 阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。

模拟电子线路答案

模拟电子线路（B ）参考答案与评分标准一、填空（10分，每格1分）1. 正偏；反偏；2. 共集电极；3. 直流, 电压4. 积分 ,5. 放大，抑制6. 1; 2 。

二、单选题（10分. 每小题2分）1. B;2.A;3. D;4. B;5.D三. 简答题（１０分, 每小题5分）1. 答: 对电压增益有削弱作用、提高其增益稳定性、减少失真、展宽通频带、改变输入电阻和输出电阻等（每小点各1分）2. 答：零点漂移是直接耦合放大电路最大的问题。

（3分）最根本的解决方法是用差分放大器（2分）四. (12分) 解: 1. V .3212b b b B =⨯+=CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U UmA 15.1ReE E C ==≈U I I (1分) uA I I 23E B ==β v I R R V U 1.5)(C E C CC CE =⨯+-=(1分)2. 图 (2分)3. Ω=⨯+=135315.12651200r be (1分) 74)//(beL C -≈-=r R R A u β (1分) Ω≈=1353////be B2B1i r R R R (1分) Ω==k 4C O R R (1分) 4. 分）2(53.1031020001530)1(1)1(//Ω=+=++=-=++=k R r R R r R Rc Av e be i e be L βββ (2分)五、（10分）.1. V oH =6v; (1分) V oL =－0.7v, (1分) 门限电平 V I =4 v (1分)（3分）2.(4分)六、 (12分). 1. 电压－串联负反馈、(3分)2. 增大(2分)、宽(2分)3. 733R R R k f +=A uu =1/k f =1+R 7/R 3 =21 （5分)七.(12分) 解：1． A 1反向放大器(1分) , A 2过零比较器(1分)，A 3跟随器(1分) 2．A 1 A 3 线性区(2分) ， A 2非线性区(1分)3. u 01=－10v (2分)U 02=±１２v (2分)U 03= ± 6v 或±6.7v (2分)八.(12分)分）（分），2 mA 52.02(2 mA 04.10EE C2C1EE EEBE(on)EE ====--=I I I R V V I 分）（分）（分）（分）（2472///22.10227.1022535026)1(3001-=-=Ω==Ω==Ω=++=beL c vd c od be id c be r R R A k R R k r R I r ββ (6)分九、（12分）（4分）选R F1=100k, R F2=140kR 1=20K Ω（2分），R 3=25K Ω（2分），R 2=20K Ω（2分），R 4=140K Ω，（2分）R ’1=10K Ω，R ’2=15.6K Ω，九解：（1）最大输出功率和效率分别为%8.694πW 5.242)(CCCES CC L 2CES CC om ≈-⋅==-=V U V R U V P η（2）晶体管的最大功耗W4.622.02.0L2CC oM Tmax =⨯=≈R V P P （3）输出功率为P o m 时的输入电压有效值 V 9.92CESCC om i ≈-≈≈U V U U。

模拟电子线路试题

模拟电子线路试题（第一部分）一判断题：1.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而不发生变化。

（）2.以自由电子为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

( )3.P、N型半导体都不带电。

（）4.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。

（）5.如果二极管的正反向电阻都很小或为零，则该二极管断路。

( )6.二极管正反向电流值大，说明其单向导电性能差，且受温度影响大。

（）7.单相半波整流电路中，流过二极管的平均电流只有负载电流的一半。

( )8.在常温下，锗二极管的死区电压约为0.5V，正向导通电压为0.7V。

（）9.单相全波整流电路中，二极管承受的最高反向电压U M=√2U2 。

（）10.在单相桥式整流电路中，若变压器次级电压有效值为150V，则输出电压平均值为135V。

（）11.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。

（）12.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。

（）13.用万用表欧姆档粗测2AP9时用R×100档。

（）14.单向桥式整流电路在输入交流电压时没半周内两只二极管都有可能导通。

（）15.全波整流电路中，二极管与负载串联，流过二极管的电流和负载电流不相等。

（）16. PN结反向偏置时，电阻大，正向电流小，处于截止状态。

（）17.桥式整流电路中，流过二极管的平均电流等于负载电流。

（）18.二极管加反向电压时，处于截止状态，此时没有电流流过二极管。

（）19.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。

（）20.二极管的电压和电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。

（）21.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而发生变化。

（）22.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

( )23.P型半导体带负电。

（）24.PN结处于反向偏置时，处于导通状态，说明正向电流大，电阻小，。

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