格兰仕C18A-AP1电磁炉原理图

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全面讲解电磁炉的工作原理

全面讲解电磁炉的工作原理

最详细电磁炉原理讲解、原理简介电磁炉是应用电磁感应加热原理, 利用电流通过线圈产生磁场, 该磁场的磁力线通过铁质 锅底部的磁条形成闭合回路时会产生无数小涡流, 使铁质锅体的铁分子高速动动产生热量, 然 后加热锅中的食物。

、电磁炉的原理方块图三、电磁炉工作原理说明1. 主回路220V/50Hz熔断平衡1:3000桥式扼流 输入器滤波互感器整流圈电磁线盘IGBT过欠压 检测功率检测 过流保护浪涌检测同步检 测调整反压抑 制驱动回路18V 至风扇5V 到 CPU18V 至驱动至风机至蜂鸣闭环振 荡回路主控 CPU控制面板PWM 输出功率调整IGBT 过热保护炉面温度检测(LC 回路整流回电压 变换锅具材 质检测图中桥整DB1将工频(50HZ)电流变成直流电流,L1为扼流圈,L2是电磁线圈,IGBT由控制电路发出的矩形脉冲驱动,IGBT导通时,流过L2的电流迅速增加。

IGBT截止时,L2、C12发生串联谐振,IGBT的C 极对地产生高压脉冲。

当该脉冲降至为零时,驱动脉冲再次加到IGBT 上使之导通。

上述过程周而复始,最终产生25KHZ左右的主频电磁波,使陶瓷板上放置的铁质锅底感应出涡流并使锅发热。

串联谐振的频率取之L2、C12 的参数。

C11 为电源滤波电容,CNR1为压敏电阻(突波吸收器)。

当AC电源电压因故突然升在时,即瞬间短路,使保险丝迅速熔断,以保护电路。

2. 副电源开关电源式主板共有+5V,+18V两种稳压回路,其中桥式整流后的+18V供IGBT的驱动回路和供主控IC LM339和风扇驱动回路使用,由三端稳压电路稳压后的+5V供主控MCU使用。

3. 冷却风扇主控IC 发出风扇驱动信号(FAN),使风扇持续转动,吸入外冷空气至机体内,再从机体后侧排出热空气,以达到机内散热目的,避免零件因高温工作环境造成损坏故障。

当风扇停转或散热不良,IGBT表贴热敏电阻将超温信号传送到CPU,停止加热,实现保护。

图解主流电磁炉内部结构_

图解主流电磁炉内部结构_

图解主流电磁炉内部结构_电磁炉越来越受到大众家庭的关注,由于电磁炉小巧、方便等特点已经逐渐走进了普通家庭中去,它已经成为现代家庭烹饪食物的先进电子炊具。

它使用起来非常方便,可用来进行煮、炸、煎、蒸、炒等各种烹调操作。

虽然应用如此广泛,不过多数消费者却并不了解电磁炉,其实电磁灶是应用电磁感应原理进行加热工作的,下面笔者就来为大家简单介绍一下电磁炉的工作原理:电磁炉工作原理示意图电磁炉线圈图解电磁炉特点:效率高、体积小、重量轻、噪音小、省电节能、不污染环境、安全卫生,烹饪时加热均匀、能较好地保持食物的色、香、味和营养素,是实现厨房现代化不可缺少的新型电子炊具。

电磁灶的功率一般在700--1800W左右。

苏泊尔电磁炉内部线圈电磁炉是应用电磁感应原理对食品进行加热的。

电磁炉的炉面是耐热陶瓷板,交变电流通过陶瓷板下方的线圈产生磁场,它利用高频的电流通过环形线圈,从而产生无数封闭磁场力,当磁场那磁力线通过导磁(如:铁质锅)的底部,既会产生无数小涡流(一种交变电流,家用电磁炉使用的是15-30KHZ的高频电流),使锅体本生自行高速发热,达到加热食品的目的。

九阳电磁炉内部线圈电磁炉灶台台面是一块高强度、耐冲击的陶瓷平板(结晶玻璃),台面下边装有高频感应加热线圈(即励磁线圈)、高频电力转换装置及相应的控制系统,台面的上面放有平底烹饪锅。

尚朋堂电磁炉内部线圈其工作过程如下:电流电压经过整流器转换为直流电,又经高频电力转换装置使直流电变为超过音频的高频交流电,将高频交流电加在扁平空心螺旋状的感应加热线圈上,由此产生高频交变磁场。

其磁力线穿透灶台的陶瓷台板而作用于金属锅。

在烹饪锅体内因电磁感应就有强大的涡流产生。

涡流克服锅体的内阻流动时完成电能向热能的转换,所产生的焦耳热就是烹调的热源。

微波炉的整机结构及电路工作原理图

微波炉的整机结构及电路工作原理图

微波炉的整机结构及电路工作原理图一、微波炉的外形结构下图所示的是格兰仕微波炉的外形结构,主要由炉门、外壳、操作面板及显示面板组成。

1、炉门炉门由耐高温的钢化玻璃和金属网构成,可以防止微波泄漏,还可以观察微波炉内食物的加热情况,并在炉门四周装有多种防漏保护装置。

炉门采用安全联锁开关,当炉门打开时,联锁开关能将电源可靠切断,从而保证用户使用安全。

2、外壳微波炉的外部件主要包括进风口、散热窗、电源线及金属外壳等。

3、操作面板和显示面板微波炉的操作面板主要供用户根据烹饪要求,事先对微波炉进行功能及烹饪时间的设定, 操作面板上主要包括烹调键、时钟键、数字键、暂停键、微波火力调节键及启动键等。

显示面板主要用于倒计时显示微波炉的加热时间及功能显示等。

二、微波炉的内部结构微波炉内部结构主要由熔断器、热继电器、CPU控制板、联锁开关、炉灯、漏感变压器、高压电容、高压二极管、微波管及散热风扇等组成。

1、熔断器及热继电器微波炉中的熔断器有两个,一个8~10A的延时熔断器(串联在220V交流输入电源电路中),另一个是700-900mA的高压熔断器(串联在高压电源电路中)。

它们的作用是,当电路元器件有短路故障时,保护内部电路不因电流过大而损坏。

热继电器也是串联在220V交流输入电源电路中的,它安装在微波管外壳上,实时检测微波管的温度,当微波管的温度超过其限定温度时,热继电路内部断开,从而切断电源使微波炉停止工作。

2、CPU控制板CPU控制板是微波炉控制的核心,它能实现微波炉的多种烹饪功能。

用户事先按烹饪要求设置好烹饪程序,给CPU控制板输入指令,CPU根据用户输入的指令发出控制要求, 控制微波管发出微波的时间等。

CPU控制板主要由电源电路、CPU电路、按键显示电路及继电器驱动输出电路组成。

3、联锁开关和炉灯在微波炉中主要有3个联锁开关,它们都是受炉门门扣控制的。

联锁开关S1用于控制主电路的工作;联锁开关S2是短路开关,用于控制高压电路的工作;联锁开关S3用于控制数字程序电路的工作。

电磁炉工作原理电路图

电磁炉工作原理电路图

电磁炉工作原理简介电磁加热原理电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器;在电磁灶内部,由整流电路将 50/60Hz 的交流电压变成直流电压,再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz 的高频电压,高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场,当磁场内的磁力线通过金属器皿导磁又导电材料底部金属体内产生无数的小涡流,使器皿本身自行高速发热,然后再加热器皿内的东西;47 系列筒介47 系列是由正夫人旗下中山电子技术开发制造厂设计开发的全新一代电磁炉 ,面板有LED 发光二极管显示模式、 LED 数码显示模式、 LCD 液晶显示模式、 VFD 莹光显示模式、TFT 真彩显示模式机种;操作功能有加热火力调节、自动恒温设定、定时关机、预约开 / 关机、预置操作模式、自动泡茶、自动煮饭、自动煲粥、自动煲汤及煎、炸、烤、火锅等料理功能机种;额定加热功率有 500W~3400W 的不同机种 , 功率调节范围为额定功率的 90%, 并且在全电压范围内功率自动恒定; 200~240V 机种电压使用范围为 160~260V, 100~120V 机种电压使用范围为 90~135V ;全系列机种均适用于 50 、 60Hz 的电压频率;使用环境温度为 -23 ℃ ~45 ℃;电控功能有锅具超温保护、锅具干烧保护、锅具传感器开 / 短路保护、 2 小时不按键忘钾机保护、 IGBT 温度限制、 IGBT 温度过高保护、低温环境工作模式、 IGBT 测温传感器开 / 短路保护、高低电压保护、浪涌电压保护、 VCE 抑制、 VCE 过高保护、过零检测、小物检测、锅具材质检测;47 系列须然机种较多 , 且功能复杂 , 但不同的机种其主控电路原理一样 , 区别只是零件参数的差异及 CPU 程序不同而己;电路的各项测控主要由一块 8 位 4K 内存的单片机组成 , 外围线路简单且零件极少 , 并设有故障报警功能 , 故电路可靠性高 , 维修容易 , 维修时根据故障报警指示 , 对应检修相关单元电路 , 大部分均可轻易解决;二、电磁炉工作原理分析特殊零件简介2.1.1 LM339 集成电路LM339 内置四个翻转电压为 6mV 的电压比较器 , 当电压比较器输入端电压正向时 + 输入端电压高于 - 入输端电压 , 置于 LM339 内部控制输出端的三极管截止 , 此时输出端相当于开路 ; 当电压比较器输入端电压反向时 - 输入端电压高于 + 输入端电压 , 置于LM339 内部控制输出端的三极管导通 , 将比较器外部接入输出端的电压拉低 , 此时输出端为 0V ;2.1.2 IGBT绝缘双栅极晶体管 Iusulated Gate Bipolar Transistor简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件; 目前有用不同材料及工艺制作的 IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构; IGBT有三个电极见上图, 分别称为栅极G也叫控制极或门极、集电极C 亦称漏极及发射极E也称源极 ; 从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降;IGBT的特点: 1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍; 2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单;3.低导通电阻;在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rceon 不大于MOSFET的Rdson 的10%;4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏;5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~的约、600V级的约, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%; IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件;目前 458 系列因应不同机种采了不同规格的 IGBT, 它们的参数如下 :1 SGW25N120---- 西门子公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃时 46A,100 ℃时25A, 内部不带阻尼二极管 , 所以应用时须配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管 D11使用 , 该 IGBT 配套 10A/1200/1500V 以上的快速恢复二极管 D11 后可代用SKW25N120 ;2 SKW25N120---- 西门子公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃时 46A,100 ℃时25A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120, 代用时将原配套 SGW25N120 的D11 快速恢复二极管拆除不装;3 GT40Q321---- 东芝公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃时 42A,100 ℃时 23A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装;4 GT40T101---- 东芝公司出品 , 耐压 1500V, 电流容量 25 ℃时 80A,100 ℃时 40A, 内部不带阻尼二极管 , 所以应用时须配套 15A/1500V 以上的快速恢复二极管 D11 使用 ,该 IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管 D11 后可代用 SGW25N120 、SKW25N120 、 GT40Q321, 配套 15A/1500V 以上的快速恢复二极管 D11 后可代用GT40T301 ;5 GT40T301---- 东芝公司出品 , 耐压 1500V, 电流容量 25 ℃时 80A,100 ℃时 40A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321 、 GT40T101, 代用 SGW25N120 和 GT40T101 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装;6 GT60M303 ---- 东芝公司出品 , 耐压 900V, 电流容量 25 ℃时 120A,100 ℃时 60A, 内部带阻尼二极管;7 GT40Q323---- 东芝公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃时 40A,100 ℃时 20A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装;8 FGA25N120---- 美国仙童公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃时 42A,100 ℃时23A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装;电路方框图主回路原理分析时间 t1~t2 时当开关脉冲加至 IGBTQ1 的 G 极时 , IGBTQ1 饱和导通 , 电流 i1 从电源流过 L1, 由于线圈感抗不允许电流突变 . 所以在 t1~t2 时间 i1 随线性上升 , 在t2 时脉冲结束 , IGBTQ1 截止 , 同样由于感抗作用 ,i1 不能立即突变 0, 于是向 C3 充电 , 产生充电电流 i2, 在 t3 时间 ,C3 电荷充满 , 电流变 0, 这时 L1 的磁场能量全部转为 C3 的电场能量 , 在电容两端出现左负右正 , 幅度达到峰值电压 , 在 IGBTQ1 的 CE 极间出现的电压实际为逆程脉冲峰压 + 电源电压 , 在 t3~t4 时间 ,C3 通过 L1 放电完毕 ,i3 达到最大值 , 电容两端电压消失 , 这时电容中的电能又全部转化为 L1 中的磁能 , 因感抗作用 ,i3 不能立即突变 0, 于是 L1 两端电动势反向 , 即 L1 两端电位左正右负 , 由于 IGBT 内部阻尼管的存在 ,C3 不能继续反向充电 , 而是经过 C2 、IGBT 阻尼管回流 , 形成电流 i4, 在 t4 时间 , 第二个脉冲开始到来 , 但这时 IGBTQ1 的 UE 为正 ,UC 为负 , 处于反偏状态 , 所以 IGBTQ1 不能导通 , 待 i4 减小到 0,L1中的磁能放完 , 即到 t5 时 IGBTQ1 才开始第二次导通 , 产生 i5 以后又重复 i1~i4 过程 , 因此在 L1 上就产生了和开关脉冲 f20KHz~30KHz 相同的交流电流; t4~t5 的 i4 是 IGBT 内部阻尼管的导通电流 , 在高频电流一个电流周期里 ,t2~t3 的 i2 是线盘磁能对电容 C3 的充电电流 ,t3~t4 的 i3 是逆程脉冲峰压通过 L1 放电的电流 ,t4~t5 的 i4 是 L1 两端电动势反向时 , 因的存在令 C3 不能继续反向充电 , 而经过 C2 、 IGBT 阻尼管回流所形成的阻尼电流 ,IGBTQ1 的导通电流实际上是 i1 ;IGBTQ1 的 VCE 电压变化 : 在静态时 ,UC 为输入电源经过整流后的直流电源 ,t1~t2,IGBTQ1 饱和导通 ,UC 接近地电位 ,t4~t5, IGBT 阻尼管导通 ,UC 为负压电压为阻尼二极管的顺向压降 ,t2~t4, 也就是 LC 自由振荡的半个周期 ,UC 上出现峰值电压 , 在 t3 时 UC 达到最大值;以上分析证实两个问题 : 一是在高频电流的一个周期里 , 只有 i1 是电源供给 L 的能量 , 所以 i1 的大小就决定加热功率的大小 , 同时脉冲宽度越大 ,t1~t2 的时间就越长 ,i1 就越大 , 反之亦然 , 所以要调节加热功率 , 只需要调节脉冲的宽度 ; 二是 LC 自由振荡的半周期时间是出现峰值电压的时间 , 亦是 IGBTQ1 的截止时间 , 也是开关脉冲没有到达的时间 , 这个时间关系是不能错位的 , 如峰值脉冲还没有消失 , 而开关脉冲己提前到来 , 就会出现很大的导通电流使 IGBTQ1 烧坏 , 因此必须使开关脉冲的前沿与峰值脉冲后沿相同步;振荡电路1 当 PWM 点有 Vi 输入时、 V7 OFF 时 V7=0V, V5 等于 D6 的顺向压降 , 而当 V5<V6 之后 ,V7 由 OFF 转态为 ON,V6 亦上升至 Vi, 而 V5 则由 R20 向 C16 充电;2 当 V5>V6 时 ,V7 转态为 OFF,V6 亦降至 D6 的顺向压降 , 而 V5 则由 C16 、 D6 放电;3 V5 放电至小于 V6 时 , 又重复 1 形成振荡;“ G 点输入的电压越高 , V7 处于 ON 的时间越长 , 电磁炉的加热功率越大 , 反之越小”;IGBT 激励电路振荡电路输出幅度约的脉冲信号 , 此电压不能直接控制 IGBT 的饱和导通及截止 , 所以必须通过激励电路将信号放大才行 , 该电路工作过程如下 :1 V8 OFF 时 V8=0V,V8<V9,V10 为高 ,Q1 导通、 Q4 截止 ,IGBT 的 G 极为 0V,IGBT 截止;2 V8 ON 时 V8=,V8>V9,V10 为低 ,Q81 截止、 Q4 导通 ,+18V 通过 R23 、 Q4 和 Q1 的E 极加至 IGBT 的 G 极 ,IGBT 导通;PWM 脉宽调控电路CPU 输出 PWM 脉冲到由 R30 、 C27 、 R31 组成的积分电路 , PWM 脉冲宽度越宽 ,C28 的电压越高 ,C29 的电压也跟着升高 , 送到振荡电路 G 点的控制电压随着 C29 的升高而升高 , 而 G 点输入的电压越高 , V7 处于 ON 的时间越长 , 电磁炉的加热功率越大 , 反之越小;“ CPU 通过控制 PWM 脉冲的宽与窄 , 控制送至振荡电路 G 的加热功率控制电压,控制了 IGBT 导通时间的长短 , 结果控制了加热功率的大小”;同步电路市电经整流器整流、滤波后的 310V 直流电,由 R15+R14 、 R16 分压产生 V3,R1+R17 、R28 分压产生 V4, 在高频电流的一个周期里 , 在 t2~t4 时间图 1, 由于 C14 两端电压为上负下正 , 所以 V3<V4,V5OFFV5=0V 振荡电路 V6>V5,V7 OFFV7=0V, 振荡没有输出 , 也就没有开关脉冲加至 Q1 的 G 极 , 保证了 Q1 在 t2~t4 时间不会导通 , 在 t4~t6时间 ,C3 电容两端电压消失 , V3>V4, V5 上升 , 振荡有输出 , 有开关脉冲加至 Q1 的G 极;以上动作过程 , 保证了加到 Q1 G 极上的开关脉冲前沿与 Q1 上产生的 VCE 脉冲后沿相同步;加热开关控制1 当不加热时 ,CPU 17 脚输出低电平同时 CPU 10 脚也停止 PWM 输出 , D7 导通 , 将LM339 9 电压拉低 , 振荡停止 , 使 IGBT 激励电路停止输出 ,IGBT 截止 , 则加热停止;开始加热时 , CPU 17 脚输出高电平 ,D7 截止 , 同时 CPU 10 脚开始间隔输出 PWM 试探信号 , 同时 CPU 通过分析电流检测电路和 VAC 检测电路反馈的电压信息、 VCE 检测电路反馈的电压波形变化情况 , 判断是否己放入适合的锅具 , 如果判断己放入适合的锅具 ,CPU10 脚转为输出正常的 PWM 信号 , 电磁炉进入正常加热状态 , 如果电流检测电路、 VAC 及 VCE 电路反馈的信息 , 不符合条件 ,CPU 会判定为所放入的锅具不符2 或无锅 , 则继续输出 PWM 试探信号 , 同时发出指示无锅的报知信息见故障代码表 , 如 30 秒钟内仍不符合条件 , 则关机;VAC 检测电路AC220V 由 D17 、 D18 整流的脉动直流电压通过 R40 限流再经过, C33 、 R39 C32 组成的π型滤波器进行滤波后的电压,经 R38 分压后的直流电压,送入 CPU 6 , 根据监测该电压的变化 ,CPU 会自动作出各种动作指令;1 判别输入的电源电压是否在充许范围内 , 否则停止加热 , 并报知信息见故障代码表 ;2 配合电流检测电路、 VCE 电路反馈的信息 , 判别是否己放入适合的锅具 , 作出相应的动作指令见加热开关控制及试探过程一节 ;3 配合电流检测电路反馈的信息及方波电路监测的电源频率信息 , 调控 PWM 的脉宽 ,令输出功率保持稳定;“电源输入标准220V ± 1V 电压 , 不接线盘 L1 测试 CPU 第 6 脚电压 , 标准为± ”;电流检测电路电流互感器 CT1 二次测得的 AC 电压 , 经 D1~D4 组成的桥式整流电路整流、 R12 、 R13 分压, C11 滤波 , 所获得的直流电压送至 CPU 5 脚 , 该电压越高 , 表示电源输入的电流越大 , CPU 根据监测该电压的变化 , 自动作出各种动作指令 :1 配合 VAC 检测电路、 VCE 电路反馈的信息 , 判别是否己放入适合的锅具 , 作出相应的动作指令见加热开关控制及试探过程一节 ;2 配合 VAC 检测电路反馈的信息及方波电路监测的电源频率信息 , 调控 PWM 的脉宽 ,令输出功率保持稳定;VCE 检测电路将 IGBTQ1 集电极上的脉冲电压通过 R1+R17 、 R28 分压 R29 限流后,送至 LM339 6 脚 , 在 6 脚上获得其取样电压 , 此反影了 IGBT 的 VCE 电压变化的信息送入 LM339, LM339 根据监测该电压的变化 , 自动作出电压比较而决定是否工作;1 配合 VAC 检测电路、电流检测电路反馈的信息 , 判别是否己放入适合的锅具 , 作出相应的动作指令见加热开关控制及试探过程一节 ;2 根据 VCE 取样电压值 , 自动调整 PWM 脉宽 , 抑制 VCE 脉冲幅度不高于 1050V 此值适用于耐压 1200V 的 IGBT, 耐压 1500V 的 IGBT 抑制值为 1300V ;3 当测得其它原因导至 VCE 脉冲高于 1150V 时此值适用于耐压 1200V 的 IGBT, 耐压1500V 的 IGBT 此值为 1400V, LM339 立即停止工作见故障代码表 ;浪涌电压监测电路当正弦波电源电压处于上下半周时 , 由 D17 、 D18 和整流桥 DB 内部交流两输入端对地的两个二极管组成的桥式整流电路产生的脉动直流电压,当电源突然有浪涌电压输入时 ,此电压通过 R41 、 C34 耦合 , 再经过 R42 分压, R44 限流 C35 滤波后的电压,控制 Q5 的基极,基极为高电平时 , 电压 Q5 基极 ,Q5 饱和导通 ,CPU 17 的电平通过 Q5 至地 ,PWM 停止输出,本机停止工作 ; 当浪涌脉冲过后 , Q5 的基极为低电平 ,Q5 截止 , CPU 17 的电平通过 Q5 至地 , CPU 再重新发出加热指令;过零检测当正弦波电源电压处于上下半周时 , 由 D17 、 D18 和整流桥 DB 内部交流两输入端对地的两个二极管组成的桥式整流电路产生的脉动直流电压通过 R40 限流再经过, C33 、 R39 C32 组成的π型滤波器进行滤波后的电压,经 R38 分压后的电压,在 CPU 6 则形成了与电源过零点相同步的方波信号 ,CPU 通过监测该信号的变化 , 作出相应的动作指令;锅底温度监测电路加热锅具底部的温度透过微晶玻璃板传至紧贴玻璃板底的负温度系数热敏电阻 , 该电阻阻值的变化间接反影了加热锅具的温度变化温度 / 阻值祥见热敏电阻温度分度表 , 热敏电阻与 R4 分压点的电压变化其实反影了热敏电阻阻值的变化 , 即加热锅具的温度变化 , CPU 8 脚通过监测该电压的变化 , 作出相应的动作指令 :1 定温功能时 , 控制加热指令 , 另被加热物体温度恒定在指定范围内;2 当锅具温度高于 270 ℃时 , 加热立即停止 , 并报知信息见故障代码表 ;3 当锅具空烧时 , 加热立即停止 , 并报知信息见故障代码表 ;4 当热敏电阻开路或短路时 , 发出不启动指令 , 并报知相关的信息见故障代码表 ; IGBT 温度监测电路IGBT 产生的温度透过散热片传至紧贴其上的负温度系数热敏电阻 TH, 该电阻阻值的变化间接反影了 IGBT 的温度变化温度 / 阻值祥见热敏电阻温度分度表 , 热敏电阻与 R8 分压点的电压变化其实反影了热敏电阻阻值的变化 , 即 IGBT 的温度变化 , CPU 通过监测该电压的变化 , 作出相应的动作指令 :1 IGBT 结温高于 90 ℃时 , 调整 PWM 的输出 , 令 IGBT 结温≤ 90 ℃ ;当 IGBT 结温由于某原因例如散热系统故障而高于 952 ℃时 , 加热立即停止 , 并报知信息祥见故障代码表 ;3 当热敏电阻 TH 开路或短路时 , 发出不启动指令 , 并报知相关的信息祥见故障代码表 ;4 关机时如 IGBT 温度 >50 ℃ ,CPU 发出风扇继续运转指令 , 直至温度 < 50 ℃继续运转超过 30 秒钟如温度仍 >50 ℃ , 风扇停转 ; 风扇延时运转期间 , 按 1 次关机键 , 可关闭风扇 ;5 电磁炉刚启动时 , 当测得环境温度 <0 ℃ ,CPU 调用低温监测模式加热 1 分钟 ,30 秒钟后再转用正常监测模式 , 防止电路零件因低温偏离标准值造成电路参数改变而损坏电磁炉;散热系统将 IGBT 及整流器 BG 紧贴于散热片上 , 利用风扇运转通过电磁炉进、出风口形成的气流将散热片上的热及线盘 L1 等零件工作时产生的热、加热锅具辐射进电磁炉内的热排出电磁炉外;CPU 15 脚发出风扇运转指令时 , 15 脚输出高电平 , 电压通过 R27 送至 Q3 基极 ,Q3 饱和导通 ,VCC 电流流过风扇、 Q3 至地 , 风扇运转 ; CPU 发出风扇停转指令时 , 15 脚输出低电平 ,Q3 截止 , 风扇因没有电流流过而停转;主电源AC220V 50/60Hz 电源经保险丝 FUSE, 再通过由 RZ 、 C1 、共模线圈 L1 组成的滤波电路针对 EMC 传导问题而设置 , 祥见注解 , 再通过电流互感器至桥式整流器 BG, 产生的脉动直流电压通过扼流线圈提供给主回路使用 ;AC1 、 AC2 两端电压除送至辅助电源使用外 , 另外还通过印于 PCB 板上的保险线 . 送至 D1 、 D2 整流得到脉动直流电压作检测用途;注解 : 由于中国大陆目前并未提出电磁炉须作强制性电磁兼容 EMC 认证 , 基于成本原因 , 内销产品大部分没有将 CY1 、 CY2 装上 ,L1 用跳线取代 , 但基本上不影响电磁炉使用性能;辅助电源AC220V 50/60Hz 电压接入变压器初级线圈 , 次级两绕组分别产生、 12V 和 18V 交流电压;12V 交流电压由 D19~D22 组成的桥式整流电路整流、 C37 滤波 , 在 C37 上获得的直流电压 VCC 除供给散热风扇使用外 , 还经由 V8 三端稳压 IC 稳压、 C38 滤波 , 产生+5V 电压供控制电路使用;18V 交流电压由 D15 组成的半波动整流电路整流、 C26 滤波后 , 再通过由 Q9 、 R33 、DW9 、 C27 、 C28 组成的串联型稳压滤波电路 , 产生 +18V 电压供 IC2 和 IGBT 激励电路使用;报警电路电磁炉发出报知响声时 ,CPU1 脚输出幅度为 5V 、频率 4KHz 的脉冲信号电压至蜂鸣器BZ1, 令 BZ1 发出报知响声;下篇:。

格兰仕微波炉工作原理电路图分析

格兰仕微波炉工作原理电路图分析

格兰仕微波炉工作原理电路图分析格兰仕微波炉电路图中FU保险是防止微波炉在为关闭炉门的状态下工作;RY2热保护器是对微波炉起到一个温度的保护;SW2是一个定时器开关,当旋动定时器的时候,灯一定亮着。

微波炉电路图中的T、SW2是一个连锁开关,微波炉电路图中的T、SW2是功率控制器内部连个独立的开关,单独受控,进行串联工作;RY1是微波炉中的火力力调节电机,而M2是一个风扇电机,M3是转盘电机。

我们再来看看格兰仕微波炉电路图的工作原理,主要是利用格兰仕微波炉工作时,发出的微波,在穿透含水分子的物品时,让水分子产生"共振"现象,水分子之间发生激烈的摩擦和碰撞,所以产生了热量,这样就加热了含水的物品。

经过对格兰仕电路图的分析,看看格兰仕微波炉的工作原理,由于微波属于"高频率交变电流产生的电磁波"所以按交变电流的性质,当微波停止发射后,微波就会立即消失,无法"储存",所以也不会对物品和食物产生任何的"残余",是安全的。

格兰仕微波炉工作原理电路图分析关闭炉门,S1闭合,S3从AC点转换到AB点,S2闭合接地,Q3因b极变为低电位而正偏导通,+5V经Q3的e、c极,R7、R8分压加至CPU(TMP47CA00BN-RH31)的13脚,CPU检测到关门信号后,处于等待工作指令状态。

当通过键盘控制使CPU的15脚由高阻状态(高电平)变为低阻状态(低电平),Q4的b极由高电位变为低电位而正偏导通;与此同时,CPU的14脚也输出一脉冲信号,经D11整流,R23、R20分压加至Q13的b极,触发Q13导通,Q13导通又使Q14正偏导通,+14V电压经Rll、R18分压后从Q14的e、c加至Q13的b极,这一结果又使Q13进一步导通,也即Q13、Q14与CPU的16脚共同构成锁定状态。

由于Q14的导通,也使Q6的b极由高电位变为低电位而正偏导通;此时,电流经继电器J2,R42,Q4的e、c极,Q6的e、c极,D10、S2到地,J2吸合,RY2触点接通,变压器TH得电工作。

全面讲解电磁炉的工作原理(修正排版)

全面讲解电磁炉的工作原理(修正排版)

最详细电磁炉原理讲解一、原理简介电磁炉是应用电磁感应加热原理,利用电流通过线圈产生磁场,该磁场的磁力线通过铁质锅底部的磁条形成闭合回路时会产生无数小涡流,使铁质锅体的铁分子高速动动产生热量,然后加热锅中的食物。

二、电磁炉的原理方块图三、电磁炉工作原理说明1.主回路220V/50Hz 输入熔断器平衡滤波1:3000互感器桥式整流扼流圈电磁线盘(LC回路)IGBT功率检测过流保护浪涌检测锅具材质检测同步检测调整反压抑制驱动回路闭环振荡回路IGBT过热保护PWM输出功率调整主控CPU炉面温度检测控制面板至风机至蜂鸣电压变换整流回18V至风扇5V到CPU18V至驱动过欠压检测图中桥整DB1将工频(50HZ)电流变成直流电流,L1为扼流圈,L2是电磁线圈,IGBT由控制电路发出的矩形脉冲驱动,IGBT导通时,流过L2的电流迅速增加。

IGBT截止时,L2、C12发生串联谐振,IGBT的C极对地产生高压脉冲。

当该脉冲降至为零时,驱动脉冲再次加到IGBT 上使之导通。

上述过程周而复始,最终产生25KHZ左右的主频电磁波,使陶瓷板上放置的铁质锅底感应出涡流并使锅发热。

串联谐振的频率取之L2、C12的参数。

C11为电源滤波电容,CNR1为压敏电阻(突波吸收器)。

当AC电源电压因故突然升在时,即瞬间短路,使保险丝迅速熔断,以保护电路。

2.副电源开关电源式主板共有+5V,+18V两种稳压回路,其中桥式整流后的+18V供IGBT的驱动回路和供主控IC LM339和风扇驱动回路使用,由三端稳压电路稳压后的+5V供主控MCU使用。

3.冷却风扇主控IC发出风扇驱动信号(FAN),使风扇持续转动,吸入外冷空气至机体内,再从机体后侧排出热空气,以达到机内散热目的,避免零件因高温工作环境造成损坏故障。

当风扇停转或散热不良,IGBT表贴热敏电阻将超温信号传送到CPU,停止加热,实现保护。

通电瞬间CPU会发出一个风扇检测信号,以后整机正常运行时CPU发出风扇驱动信号使其工作。

电磁炉原理

电磁炉原理

電磁爐原理當電流通過線圈時,會產生磁場。

如果這磁場不停地隨著時間改變,便會在金屬內感應產生電場。

金屬內的電子會受著這電場影響進行運動。

由於金屬有電阻,電子運動時會產生熱能,這些熱能便可用作煮食。

但是,如果鍋子材質的電阻太小,會導致產生的熱能不足,而無法煮熟食物LED線圈發亮:電磁爐的內部是利用交流電(實例為週期1.5kHz)通過線圈時於周圍產生磁場變化,依法拉利定律(Faraday's law)此磁場變化於漆包線線圈迴路所產生的感應電動勢可點亮LED.圖為電磁爐內部線圈。

鋁片飛翔:鋁箔片漂浮導因於鋁箔受到電磁爐的磁場變化而產生感應渦電流(Eddy currents)。

依愣次定律(Lenz's law)此感應電流的方向與電磁爐線圈電流方向相反,而所受到電磁爐磁場所作用的磁力為斥力,故而向上漂浮。

微波爐原理(a)(b)(c) (d)微波是每秒數一次的電磁波震盪,形成一電磁場。

因此將具極性物質(如食品中之水、脂肪、蛋白質)置於磁場中,分子會隨著磁場的振盪而來回碰撞,互相摩擦而產生熱。

微波爐中產生微波的元件稱為磁控管(magnetron),它發射的微波頻率為2450 MHz,功率約介於500 至100 Watts 之間。

微波爐的磁控管將電能轉化為微波能,當磁控管以2450MHZ的頻率發射出微波能時,置於微波爐爐腔內的水分子以每秒鐘24.5億千次的變化頻率進行振盪運行,分子間相互碰撞、磨擦而產生熱能,結果導致食物被加熱。

微波爐正是利用這一加熱原理來進行食物的烹飪。

燈泡和日光燈發光:試著考慮一個良導體(如金屬),我們在導體外面設置一電場(一種可以推動帶電粒子的東西)。

在導體內帶負電的電子會被電場反方向推到導體的一端,而另一端剩下帶正電的粒子。

燈泡之所以會發光,是因為有電流經過燈絲,那麼在這個事件中到底是什麼推動了電子呢?答案就是微波。

微波是電磁波的一種,波長範圍在 1 mm 到 1 m 之間,也就是說它是一種會不停變化方向的電場。

全面讲解电磁炉的工作原理

全面讲解电磁炉的工作原理

最详细电磁炉原理讲解一、原理简介原理简介电磁炉是应用电磁感应加热原理,利用电流通过线圈产生磁场,该磁场的磁力线通过铁质锅底部的磁条形成闭合回路时会产生无数小涡流,使铁质锅体的铁分子高速动动产生热量,然后加热锅中的食物.二、电磁炉的原理方块图三、磁炉工作原理说明1、主回路图中桥整DB1将工频(50HZ)电流变成直流电流,L1为扼流圈,L2是电磁线圈,IGBT由控制电路发出的矩形脉冲驱动,IGBT导通时,流过L2的电流迅速增加。

IGBT截止时,L2、C12发生串联谐振,IGBT的C极对地产生高压脉冲。

当该脉冲降至为零时,驱动脉冲再次加到IGBT上使之导通。

上述过程周而复始,最终产生25KHZ左右的主频电磁波,使陶瓷板上放置的铁质锅底感应出涡流并使锅发热。

串联谐振的频率取之L2、C12的参数。

C11为电源滤波电容,CNR1为压敏电阻(突波吸收器)。

当AC电源电压因故突然升在时,即瞬间短路,使保险丝迅速熔断,以保护电路。

2、副电源220V/50HZ输入熔断器平衡滤波1:3000互感器桥式整流扼流圈电磁线盘(LCIGBT功率检测浪涌检测锅具材同步检反压抑驱动回路闭环振IGBT过热保护PWM输出主控CPU炉面温度检测控制面板至风机至蜂鸣电压变换整流18V至风扇5V到CPU18V至驱动过欠压开关电源式主板共有+5V,+18V两种稳压回路,其中桥式整流后的+18V供IGBT的驱动回路和供主控IC LM339和风扇驱动回路使用,由三端稳压电路稳压后的+5V供主控MCU使用。

3、冷却风扇主控IC发出风扇驱动信号(FAN),使风扇持续转动,吸入外冷空气至机体内,再从机体后侧排出热空气,以达到机内散热目的,避免零件因高温工作环境造成损坏故障。

当风扇停转或散热不良,IGBT表贴热敏电阻将超温信号传送到CPU,停止加热,实现保护。

通电瞬间CPU会发出一个风扇检测信号,以后整机正常运行时CPU发出风扇驱动信号使其工作4、定温控制及过热保护电路该电路主要功能为依据置于陶板下方的热敏电阻(RT1)和IGBT上的热敏电阻(负温度系数)探测温度而改变电阻的一随温度变化的电压单位传送至主控IC(CPU),CPU经A/D转后对照温度设定值比较而作出运行或停止运行信号。

电磁炉原理图和工作原理

电磁炉原理图和工作原理

目录一、简介1.1 电磁加热原理1.2 458系列简介二、原理分析2.1 特殊零件简介2.1.1 LM339集成电路2.1.2 IGBT2.2 电路方框图2.3 主回路原理分析2.4 振荡电路2.5 IGBT激励电路2.6 PWM脉宽调控电路2.7 同步电路2.8 加热开关控制2.9 VAC检测电路2.10 电流检测电路2.11 VCE检测电路2.12 浪涌电压监测电路2.13 过零检测2.14 锅底温度监测电路2.15 IGBT温度监测电路2.16 散热系统2.17 主电源2.18辅助电源2.19 报警电路三、故障维修3.1 故障代码表3.2 主板检测标准3.2.1主板检测表3.2.2主板测试不合格对策3.3 故障案例3.3.1 故障现象1一、简介1.1 电磁加热原理电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。

在电磁灶内部,由整流电路将50/60Hz的交流电压变成直流电压,再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压,高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场,当磁场内的磁力线通过金属器皿(导磁又导电材料)底部金属体内产生无数的小涡流,使器皿本身自行高速发热,然后再加热器皿内的东西。

1.2 458系列简介458系列是由建安电子技术开发制造厂设计开发的新一代电磁炉,界面有LED发光二极管显示模式、LED数码显示模式、LCD液晶显示模式、VFD莹光显示模式机种。

操作功能有加热火力调节、自动恒温设定、定时关机、预约开/关机、预置操作模式、自动泡茶、自动煮饭、自动煲粥、自动煲汤与煎、炸、烤、火锅等料理功能机种。

额定加热功率有700~3000W的不同机种,功率调节范围为额定功率的85%,并且在全电压范围内功率自动恒定。

200~240V机种电压使用范围为160~260V, 100~120V机种电压使用范围为90~135V。

全系列机种均适用于50、60Hz的电压频率。

使用环境温度为-23℃~45℃。

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