模拟电子技术基础(第四版)22模电第十章PPT课件
模电课件模拟电子技术基础第四版童诗白华成英
I V R
。
REF CC
当R取 几k 时, IREF 为mA量级,而
IC2可降至A量级的微电流源,且IC2
的稳定性也比IREF 的稳定性好，
微电流源
三、比例式电流源
在镜象电流源电路的基础上,增加两个发射极电阻 ,使两个发射极电阻中的电流成一定的比例关系,即可 构成比例电流源,
因两三极管基极对地电位 相等，于是有
i i 0 虚断路
Ro 0
放大倍数与负载无关。分析多 个运放级联组合的线性电路时 可以分别对每个运放进行。
4.4 集成电路运算放大器中的电流源
电流源概述
一、电流源电路的特点：这是输出电流恒定的电路,它 具有很高的输出电阻，
1、BJT、FET工作在放大状态时,其输出电流都是具有 恒流特性的受控电流源；由它们都可构成电流源电路， 2、在模拟集成电路中,常用的电流源电路有：
IC2 2
IE
= 1 IB + 2 1+ 1 IB T4 = 1 + 2 1+ 1 IB R2 = IC / IB
= 1 + 2 1+ 1 1 2
集成运放内部结构 举例
极
性
判 断
RC
–
RC T1 T2
第2级
RC3
T5 T6
+
E
RE2
模拟电子技术说课(参考课件)
项目名称
项目6、集成运放 的线性应用
知识目标
①集成运放组成的基本运算放大器 ②集成运放组成的运算电路在实际工程中 的运用
①集成运放组成的基本电压比较器
项目7、集成运放的 ②专用集成电压比较器LM339及其应用
非线性应用
③运算放大器与专用电压比较器的区别
项目8、信号的产生 和波形变换
①正弦波振荡器 ②非正弦波振荡器
学生共同点
排喜思渴自 斥动维望信 传手活成不 统不跃功足 教善但但易 学学缺缺于 模理韧耐放 式论性心弃
2. 教学团队
姓名
性别 年龄
职称 是否双师
王泳
男
38
副教授
是
单海宁
女
53
副教授
是
宣自力
男
47
副教授
是
黄万欣
男
45
副教授
是
张少丹
男
45
副教授
Biblioteka Baidu
是
王晓君
女
44 高级工程师
是
陈中谋
男
43 高级工程师
是
周建中
正确使用方法。
实验2
1、放大器静态工作点的调试方法，分析
晶体管共射级放大器 静态工作点对放大电路影响。
2
2、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻
模电第四版习题解答
模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020
模拟电子技术基础
第四版
清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编
自测题与习题解答
目录
第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3
第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126
第1章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )
(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×)
(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×)
(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其
R大的特点。( √)
GS
U大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的
GS
( ×)
二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄
B.基本不变
模拟电子技术基础课程教学大纲
“模拟电子技术基础"课程教学大纲
课程名称：模拟电子技术基础
教材信息:《模拟电子电路及技术基础（第三版)》，孙肖子XX
主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授）
学时：64学时
一、课程的教学目标与任务
通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握XX种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能.培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容,以及为电子技术在实际中的应用打下基础。
二、课程具体内容及基本要求
（一)、电子技术的与模电课的学习ＭAP图（2学时）
介绍模拟信号特点和模拟电路用途,电子技术简史,本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念.
1。基本要求
（1)了解电子技术的,本课程主要教学内容,模拟信号特点和模拟电路用途。
（２）熟悉放大器模型和主要性能指标.
（3）了解反馈基本概念和反馈分类。
（二）、集成运算放大器的线性应用基础(8学时）
主要介绍XX种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积／微分、V－I和I-V 变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及XX应用中器件选择的依据和方法。
《模拟电子技术基础教学课件》模电复习要点总结
---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 《模拟电子技术基础教学课件》模电复习要点总结
一. 半1. 半2. 特3. 本4. 两5. 杂 *P P * *6. 杂
* 载 * 体 * 转7. P P * * * * 8. 二. 8. 二. * * * * * * * *3. 分若若1）图该式
半导体的基础半导体---导电特性---光敏、本征半导体--- -
两种载流子 - -杂质半导体--- -P P 型半导体: * * N 型半导体:
杂质半导体的载流子的浓度体电阻---通常转型---通过改P
P N 结 * * PN 结的接触* * PN 结的单向PN 结的伏安半导体
二极管* * 单向导电性- -* * 二极管伏安特* * 正向导通压* * 死
区电压--- -分析方法----- -若 V 阳阳 V 阴阴 ( 正若 V
阳阳 V 阴阴 ( 图解分析法式与伏安特性础知识电能力
介于导热敏和掺杂能力介于导热敏和掺杂- - -纯净的具有- - ---
带有正、- - -在本征半导在本征半导在本征半的特性
度 ---多子浓度常把杂质半导改变掺杂浓度触电位差--- 硅
向导电性--- 正安特性管 - - -----正向导特性----同Ｐ降
------硅管- - ---硅管 0.5 5- - -将二极管断正偏 )，二极反
模电讲义
− 1)
(常温下U T = 26mV)
材料 硅Si 锗Ge 开启电压 0.5V 0.1V
击穿 电压
导通电压 0.5~0.8V 0.1~0.3V
反向饱 和电流
开启 电压
0
？
Q
温度的 电压当量
uV
反向饱和电流 1µA以下 几十µA
V
图解法： u D = V - iR
应根据不同情况选择不同的等效电路，采用不同方法！
值得纪念的几位科学家！
第一只晶体管的发明者 （by John Bardeen , William Schockley and Walter Brattain in Bell Lab） 他们在1947年11月底发明了晶 体管，并在12月16日正式宣布“晶 体管”诞生。1956年获诺贝尔物理 学奖。巴因所做的超导研究于1972 年第二次获得诺贝尔物理学奖。
§2 半导体二极管
一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态 平衡，就形成了PN结。
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn
PN 结的单向导电性 一、二极管的组成
将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。
对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线 可以取代UCE 大于1V的所有输入特性曲线。
模电-童诗白(第四版)课后题全解
模拟电子技术（第四版）童诗白
课后习题答案
第一章 半导体基础知识
自测题
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V
五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。
六、1、
V
2V mA
6.2 μA
26V C C CC CE B C b
BE
BB B =-====-=
R I U I I R U I β
U O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以
Ω
≈-=
==
=-=
k 4.45V μA
6.28mA
86.2V B
BE
BB b C
B c CES
CC C I U R I I R U I β
七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当
端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
t
t
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝
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模电童诗白第五版pdf是一套最新版的高等物理学习电子课本。本书籍在继承了第四版内容的基础上，新增了不少的物理学重点教程知识。内容讲解的比较通俗化，可以适用于学生、教师用户学习。网友们下载后请使用pdf阅读器进行浏览！
电子图书内容介绍
《模拟电子技术基础（第5 版十二五普通高等教育本科***规划教材）》是普通高等教育“十二五”***规划教材，是总结首届 ***精品课程——清华大学“电子技术基础”的十年教学实践和资源共享课的建设工作，在第四版的基础上修订而成的。
主要内容包括:绪论、常用半导体器件、基本放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放大电路中的反馈、信号运算与处理、波形产生与信号变换、功率放大电路、DC电源和模拟电子电路阅读。
模拟电子技术第五版pdf图书目录：
第0章绪论
第1章常用半导体器件
第2章基本放大电路
第3章集成运算放大电路
第4章放大电路的频率响应
第5章放大电路中的反馈
第6章信号的运算和处理
第7章波形的发生和信号的转换
第8章功率放大电路
第9章直流电源
第10章模拟电子电路读图
附录
部分自测题和习题答案
参考文献
索引
电子书内容特色
全书以导言开篇，以读图结尾；每章以本章讨论的问题开始，以小结结束；基本知识内容系统、精炼、深入。力图使读者站在电子系统的高度认识电路，以便学以致用；从设计的角度讲述部分电路，以便学习科学的思维方法；从结构特点阐明基本电路，以便掌握其精髓和“根本”；从具体电子电路应用的局限性获得重构电路的思路，以便学会自己发现问题、研究问题和解决问题；例题、思考题、自测题、习题层次分明，具有基础性、启发性、灵活性和实践性，特别增加了故障诊断和具有设计性质的问题，以提高综合应用基本知识的能力及理论指导实践的能力。
模电基础
ID =0.1mA 0.03mA
解:(2) VDD =1 V 解:(2) VV =1 VV 解:(2) DD =1 DD •折线模型 •恒压降模型 •理想模型 Vth= 0.5 V rd =(0.7-0.5)/1=200 VDD== 0 V • VD 0.7 V ID = (VDD - Vth )/(R+ rd) IDI = = (V - VV)/R (VDD - D )/R D DD D =(1V-0.5)/(10k+0.2 k) =(1V-0.7)/10k =1V/ 10k =0.1mA =0.049mA =0.03mA VD = Vth+ ID rd =0.51V
功率放大器
扬声器
集成
基本功能电路是电子技术基础课程学习的主要内容。
２、信号
生产过程中的各种物理量包含了生产过程必需的生 产信息。通过传感器可将其转换为电信号（电压或电 流）。对其进行处理后可控制生产过程。 信号分为模拟信号和数字信号： 模拟信号：电压或电流是时间的连续函数。
正弦信号，三角波等
数字信号：电压或电流是时间的不连续函数。 矩形信号，脉充信号等 v t v t
2。5。3。3 激光二极管 光活性的半导体形成光谐振腔，LED发出的光经过 光谐振腔产生单色光---激光。
2. 反向击穿电压 VBR=VZ/2 3.反向电流 IR 4. 极间电容 (1) 势垒电容 CB VZ
模电课件共射极放大电路
最大不失真输出电压是指在保证信号不失真的前提下，放大电路能够输出的最大电压值。在共射极放 大电路中，最大不失真输出电压越大，说明电路的输出能力越强，能够更好地驱动后级负载。
噪声系数
总结词
噪声系数是衡量共射极放大电路噪声性能的指标，它表示了电路内部噪声对信号的影响 程度。
详细描述
噪声系数是指放大电路输出信号的信噪比与输入信号的信噪比之间的比值。在共射极放 大电路中，噪声系数越低，说明电路的噪声性能越好，能够更好地抑制内部噪声对信号
输出电阻
特点
输入电阻越大，对输入信号的阻碍越 小，电路越容易得到激励；输出电阻 越小，对输出信号的负载能力越强， 电路带负载能力越强。
反映电路对输出信号的负载能力，由 集电极电阻和晶体管输出电阻并联组 成。
04
性能指标
带宽增益乘积
总结词
带宽增益乘积是衡量共射极放大电路性能的重要指标之一，它表示了电路的频率响应特性。
模电课件共射极放大电路
• 引言 • 工作原理 • 电路分析 • 性能指标 • 应用和扩展 • 结论
01
引言
目的和背景
目的
共射极放大电路是模拟电子技术中的 基础电路之一，学习共射极放大电路 对于理解模拟电子技术的基本原理和 电路设计至关重要。
背景
共射极放大电路具有高电压放大倍数 、良好的输入输出电阻等特点，因此 在各种电子设备和系统中得到广泛应 用。
模拟电子技术基础(完整课件)
返回
自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了 一个空位，这个空位为空穴。
本征激发
或热激发 +4 空穴 +电4 子空穴+对4
+4
+4 自由电子 +4
+4
+4
+4
+4
Baidu Nhomakorabea+4
+4
动画1-1
1959年2月6日， 基尔比向美国专利局申报专利 ， 这种由元件组合的微型固体被叫做“半导体集 成电路”（Integrated Circuit），缩写IC。
在基尔比发明集成电路不久后的1961年，德 州仪器公司研制出第一台用集成电路组装的计 算机，标志着电脑从此进入它的第三代历史。 该机共有587块集成电路，重不过300克，体积 不到100立方厘米，功率只有16瓦。——基尔 比是发明人之一。
NPN Ge晶体管
W. Schokley J. Bardeen W. Brattain
获得1956年 Nobel物理奖
从结型晶体管诞生到第一个晶体管商用产品 的推出只有3年的时间——助听器。
1954年10月18日，有了第一台投入市场晶 体管收音机Regency TR1，这个产品采用了 4只晶体管。
模电第四版习题解答
模拟电子技术基础
第四版
清华大学电子学教研组编
童诗白华成英主编
自测题与习题解答
目录
第1章常用半导体器件 (3)
第2章基本放大电路 (14)
第3章多级放大电路 (31)
第4章集成运算放大电路 (41)
第5章放大电路的频率响应 (50)
第6章放大电路中的反馈 (60)
第7章信号的运算和处理 (74)
第8章波形的发生和信号的转换 (90)
第9章功率放大电路 (114)
第10章直流电源 (126)
第1章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用次”和V”表示判断结果填入空内。
(1) 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(V )
(2) 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(X )
(3) PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。(V )
(4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。(X )
(5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。(V )
⑹若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。(X )
二、选择正确答案填入空内。
(1) PN结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄
B.基本不变
C.变宽
(2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
(3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C 。
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UO(AV) 0.45U
② Load Current Average
IO(AV)
0.45
U RL
D
io
+
~ Tr
u
RL
uｏ
–
用来描述输出电 压整中流，输交出流电分压量的与基直波 流峰分值量U的O1比M 例与关输系出，电 从压而平对均整值流UO输（出AV）电之压比
给予评价
③ Ripple factor of output voltage
Transformer Rectifier Filter Regulator
AC Power
Load
u
u
u
u
u
O
tO
tO
tO
tO
t
Chapter 10 DC Power Supply
10.1 Block Diagram of DC Power Supply 10.2 Rectifier Circuit 10.3 Filter Circuit
UDRmax 2U
URM 1.1 2U
4．Half-wave Rectifier Circuit Summary
D
io
+
~ Tr
u
RL
uｏ
–
优点：结构简单，所用二极管数量少 缺点：脉动系数大，直流成分低，电源利
用效率低
10.2 Rectifier Circuit
1st Single phase half-wave rectifier Circuit 2st Single Phase bridge rectifier Circuit
Single phase bridge Rectifier
最常用的整流电路 由四个二极管 构成
D4
+
~
u
D3
D1
io
+
RL uo
D2
1. Working Principle
+ D4
+
~
u
–
D3
D1
io
+
uo
RL
D2
UDRmax 2U
1. Working Principle：
+
–
D4
+
~
u
D3
2 3 t
S 2 0.67 3
2U uD2 uD1 uD4 uD3
3 Rectifying Diode Choosing in Bridge rectifier
io
Im iO
o uD
o
2 t 2 t
Average forward Current of diode
2U
uD2 uD1 uD4 uD3
把四只二极管封装在一起
~~
+
~
u
RL
Chapter 10 DC Power Supply
10.1 Block Diagram of DC Power Supply 10.2 Rectifier Circuit 10.3 Filter Circuit
10.3 Filter Circuit
• Capacitance Filter Circuit • Inductance Filter Circuit • Compound Filter Circuit
S UO1M 1.57
UO( AV )
3．Rectifying Diode Choosing
D
io
+
~ Tr
u
RL
uｏ
–
Average forward Current of rectifying Diode
U
ID(AV)
IO(AV)
0.45 RL
IF 1.1IO(AV)
Peak inverse Voltage of rectifying Diode
10.2 Rectifier Circuit
1st Single phase half-wave rectifier Circuit 2st Single Phase bridge rectifier Circuit
1 single phase half-wave rectifier
u
D
io
u 2U sin t
Chapter 10 DC Power Supply
Chapter 10 DC Power Supply
10.1 Block Diagram of DC Power Supply 10.2 Rectifier Circuit 10.3 Filter Circuit
10.1 Block Diagram of DC Power Supply
D1
io
+
RL uo
D2
UDRmax 2U
2 Performance Parameter u 2U
–+
o
＋
－
uO
2U
–+ Output Voltage Average
o Im iO
UO (A V ) 10 2Usin(t)d(t)
o uD
o
2 3 t
2 3 t 2 3 t 2 3 t
0.9U
10.3.1 Bridge Rectifier and Capacitance
Filter Circuit 电容
电容
充电
放电
D4
D1
+
~
u
D3
D2
C
RL
+
uo= uc
uO u
2U 2U
o
2
t
O
2
t
10.3.1 Bridge Rectifier and Capacitance
Filter Circuit 电容
2U uD2 uD1 uD4 uD3
2 Performance Parameter u 2U o
2 3 t
uO
2U
Load Current Average
IO(AV)
UO(AV) RL
0.9U
RL
Ripple factor of output voltage
o iO百度文库
2
3
t
Im
o uD
2
3 t
o
1
U
ID(AV)
2IO(AV)
0.45 RL
Peak inverse voltage of Diode
IF
1.1 IO(AV ) 2
UDRmax 2U
UR 1.1 2U
Brachylogy of Bridge Rectifier
+
D4
~
u
D3
D1
io
+
RL uo
D2
+
~
u
io
+ RL uo
整流桥堆
电容
充电
放电
D4
D1
+
~
u
D3
D2
C
RL
+
uo= uc
2 Performance Parameters of BR CF
Output Voltage Average UO(AV)
U O (A V)U O m axU O m ax2 U O m in
UO(AV)
UOmaxUOmin 2
-
~ Tr
u
＋
+
RL
uｏ
–
O
2
3
t
uO
UO
1 2
0
2U sin td(t)
O
t
0.45U
iD= iO
ID
IO
0.45
U RL
UDRmax 2U
O
t
uD
O
t
2U
2．Performance Parameter of half-wave Rectifier
① Output Voltage Average