IGBT模块参数datasheet名称解释
IGBT模块参数详解
IGBT模块参数详解一-IGBT静态参数
•VCES：集电极-发射极阻断电压
在可使用的结温范围内栅极-发射极短路状态下，允许的断态集电极-发射极最高电压。手册里VCES是规定在25°C结温条件下，随着结温的降低VCES也会有所降低。降低幅度与温度变化的关系可由下式近似描述：.模块及芯片级的VCES对应安全工作区由下图所示：文章来源：/jc/19.html
Collector-emitter voltage of the IGBT
由于模块内部杂散电感，模块主端子与辅助端子的电压差值为，由于内部及外部杂散电感，VCES在IGBT关断的时候最容易被超过。VCES在任何条件下都不允许超出，否则IGBT就有可能被击穿。
•Ptot：最大允许功耗
在Tc=25°C条件下，每个IGBT开关的最大允许功率损耗，及通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。Ptot可由下面公式获得：。
Maximum rating for Ptot
二极管所允许的最大功耗可由相同的方法计算获得。
•IC nom：集电极直流电流
在可使用的结温范围内流过集电极-发射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可以由Ptot的公式计算最大允许集电极电流。因而为了给出一个模块的额定电流，必须指定对应的结和外壳的温度，如下图所示。请注意，没有规定温度条件下的额定电流是没有意义的。
Specified as data code: FF450R17ME3
在上式中Ic及VCEsat @ Ic都是未知量，不过可以在一些迭代中获得。考虑到器件的容差，为了计算集电极额定直流电流，可以用VCEsat的最大值计算。
IGBT模块参数详解
IGBT模块参数详解一-IGBT静态参数
•VCES：集电极-发射极阻断电压
在可使用的结温范围内栅极-发射极短路状态下,允许的断态集电极-发射极最高电压;手册里VCES是规定在25°C结温条件下,随着结温的降低VCES也会有所降低;降低幅度与温度变化的关系可由下式近似描述：.模块及芯片级的VCES对应安全工作区由下
图所示：文章来源：
voltage of the IGBT
由于模块内部杂散电感,模块主端子与辅助端子的电压差值为,由于内部及外部杂散电感,VCES在IGBT关断的时候最容易被超过;VCES在任何条件下都不允许超出,否则IGBT就有可能被击穿;
•Ptot：最大允许功耗
在Tc=25°C条件下,每个IGBT开关的最大允许功率损耗,及通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率;Ptot可由下面公式获得：;
Maximum rating for Ptot
二极管所允许的最大功耗可由相同的方法计算获得;
•IC nom：集电极直流电流
在可使用的结温范围内流过集电极-发射极的最大直流电流;根据最大耗散功率的定义,可以由Ptot的公式计算最大允许集电极电流;因而为了给出一个模块的额定电流,必须指定对应的结和外壳的温度,如下图所示;请注意,没有规定温度条件下的额定电流是没有意义的;
Specified as data code: FF450R17ME3
在上式中Ic及VCEsat Ic都是未知量,不过可以在一些迭代中获得;考虑到器件的容差,为了计算集电极额定直流电流,可以用VCEsat的最大值计算;
计算结果一般会高于手册值,所有该参数的值均为整数;该参数仅仅代表IGBT的直流行为,可作为选择IGBT的参考,但不能作为一个衡量标准;
正确理解IGBT模块规格书参数
正确理解IGBT模块规格书参数
本文将阐述IGBT模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参数、开关参数、二极管参数及热学参数，使大家正确的理解IGBT模块规格书，为器件选型提供依据。本文所用参数数据以英飞凌IGBT模块FF450R17ME3 为例。文章来源：jc/156.html
一、电流参数
1. 额定电流（IC nom）
大功率IGBT模块一般是由内部并联若干IGBT芯片构成，FF450R17ME3内部是3个150A芯片并联，所以标称值为
450A
额定电流可以用以下公式估算：
Tjmax–TC= VCEsat·IC nom·RthJC
VCEsat 是IC nom的函数，见规格书后图1，采用线性近似VCEsat=(IC nom+287)/310
Tjmax=150℃,TC=80℃,RthJC =0.055K/W
计算得：IC nom=500A
2. 脉冲电流（Icrm 和Irbsoa）
Icrm是可重复的开通脉冲电流（1ms仅是测试条件，实际值取决于散热情况）
Irbsoa 是IGBT可以关断的最大电流
所有模块的的Icrm和Irbsoa都是2倍额定电流值
3. 短路电流ISC
短路条件:t<10μs,Vge<15V,Rg>Rgnom(规格书中的值)，Tj<125℃
短路坚固性
IGBT2为平面栅IGBT:5-8倍IC
IGBT3/IGBT4为沟槽栅IGBT:4倍IC
二、电压参数
1. 集电极-发射极阻断电压Vces
测量Vces时，G/E两极必须短路
Vces为IGBT模块所能承受的最大电压，在任何时候CE 间电压都不能超过这一数值，否则将造成去器件击穿损坏Vces和短路电流ISC一起构成了IGBT模块的安全工作区：RBSOA图
BIP60015 datasheet
参数
工作条件
VPN
电源电压
施加在P-NU, NV, NW之间
VPN(surge) VCES
电源（浪涌） 集电极-发射极之间电压
施加在P-NU, NV, NW之间 VGE=0V,ICES=100uA,TJ=25°C
±IC
单只IGBT集电极电流
TC = 25°C
±ICP 单只IGBT集电极电流（峰值） TC = 25°C，持续1ms的脉冲宽度
产品特性
采用陶瓷覆铜板（DBC），低热阻设计 600V、15A三相IGBT逆变器，内置门极驱动和
功率器件保护用控制IC 分立的三相直流负端，可独立检测线电流 内置高压集成电路(HVIC)，可采用单电源驱动 绝缘等级为2500Vrms/min
BIP60015
应用领域
智能功率模块
空调、洗衣机等变频家电 小功率变频器 伺服控制系统 小功率交流电机传动系统使用的三相逆变器
20.18
11.49
21 NU 22 NV 23 NW
24 U
壳温TC检测点
25 V
26 W
27 P
引脚描述
图 2.引脚布局图(top view)
引脚号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Datasheet
IGBT模块参数详解
IGBT模块参数详解一-IGBT静态参数
•VCES：集电极-发射极阻断电压
在可使用的结温围栅极-发射极短路状态下，允许的断态集电极-发射极最高电压。手册里VCES是规定在25°C结温条件下，随着结温的降低VCES也会有所降低。降低幅度与温度变
化的关系可由下式近似描述：.模块及芯片级的VCES对应安全工作区由下图所示：文章来源：.igbt8./jc/19.html
Collector-emitter voltage of the IGBT
由于模块部杂散电感，模块主端子与辅助端子的电压差值为，由于部及外部杂散电感，VCES在IGBT关断的时候最容易被超过。VCES在任何条件下都不允许超出，否则IGBT就有可能被击穿。
•Ptot：最大允许功耗
在Tc=25°C条件下，每个IGBT开关的最大允许功率损耗，及通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。Ptot可由下面公式获得：。
Maximum rating for Ptot
二极管所允许的最大功耗可由相同的方法计算获得。
•IC nom：集电极直流电流
在可使用的结温围流过集电极-发射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可以由Ptot的公式计算最大允许集电极电流。因而为了给出一个模块的额定电流，必须指定对应的结和外壳的温度，如下图所示。请注意，没有规定温度条件下的额定电流是没有意义的。
Specified as data code: FF450R17ME3
在上式中Ic及VCEsat Ic都是未知量，不过可以在一些迭代中获得。考虑到器件的容差，为了计算集电极额定直流电流，可以用VCEsat的最大值计算。
正确理解IGBT模块规格书参数
正确理解IGBT模块规格书参数
本文将阐述IGBT模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参数、开关参数、二极管参数及热学参数，使大家正确的理解IGBT模块规格书，为器件选型提供依据。本文所用参数数据以英飞凌IGBT模块FF450R17ME3 为例。
一、电流参数
1. 额定电流（IC nom）
大功率IGBT模块一般是由内部并联若干IGBT芯片构成，FF450R17ME3内部是3个150A 芯片并联，所以标称值为450A
额定电流可以用以下公式估算：
Tjmax–TC= VCEsat·IC nom·RthJC
VCEsat 是IC nom的函数，见规格书后图1，采用线性近似VCEsat=(IC nom+287)/310 Tjmax=150℃,TC=80℃,RthJC =0.055K/W
计算得：IC nom=500A
2. 脉冲电流（Icrm 和Irbsoa）
Icrm是可重复的开通脉冲电流（1ms仅是测试条件，实际值取决于散热情况）
Irbsoa 是IGBT可以关断的最大电流
所有模块的的Icrm和Irbsoa都是2倍额定电流值
3. 短路电流ISC
短路条件:t<10μs,Vge<15V,Rg>Rgnom(规格书中的值)，Tj<125℃
短路坚固性
ØIGBT2为平面栅IGBT:5-8倍IC
ØIGBT3/IGBT4为沟槽栅IGBT:4倍IC
二、电压参数
1. 集电极-发射极阻断电压Vces
测量Vces时，G/E两极必须短路
Vces为IGBT模块所能承受的最大电压，在任何时候CE间电压都不能超过这一数值，否则将造成去器件击穿损坏
IGBT模块参数详解
IGBT模块参数详解一-IGBT固态参数之阳早格格创
做
•VCES：集电极-收射极阻断电压
正在可使用的结温范畴内栅极-收射极短路状态下，允许的断态集电极-收射极最下电压.脚册里VCES是确定正在25°C 结温条件下，随着结温的落矮VCES也会有所落矮.落矮幅度与温度变更的闭系可由下式近似形貌：
Collector-emitter voltage of the IGBT
由于模块内里纯集电感，模块主端子与辅帮端子的电压好值为，由于内里及中部纯集电感，VCES正在IGBT闭断的时间最简单被超出.VCES正在所有条件下皆不允许超出，可则IGBT便有大概被打脱.
•Ptot：最大允许功耗
正在Tc=25°C条件下，每个IGBT启闭的最大允许功率耗费，及通过结到壳的热阻所允许的最大耗集功率.Ptot可由底下公式赢得：.
Maximum rating for Ptot
二极管所允许的最大功耗可由相共的要领估计赢得.
•IC nom：集电极直流电流
正在可使用的结温范畴内流过集电极-收射极的最大直流电流.根据最大耗集功率的定义，不妨由Ptot的公式估计最大允许集电极电流.果而为了给出一个模块的额定电流，必须
指定对付应的结战中壳的温度，如下图所示.请注意，不确定温度条件下的额定电流是不意思的.
Specified as data code: FF450R17ME3
正在上式中Ic及VCEsat @ Ic皆是已知量，不过不妨正在一些迭代中赢得.思量到器件的容好，为了估计集电极额定直流电流，不妨用VCEsat的最大值估计.
IGBT数据手册
IGBT数据手册
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种广泛应用于电力电
子设备中的功率半导体器件。为了帮助用户更好地理解和使用IGBT，
以下是一个详细的IGBT数据手册。
1. 引言
IGBT数据手册旨在为用户提供有关IGBT的详细信息。本手册包括IGBT的基本原理、结构、特性参数以及使用和应用建议。
2. IGBT基本原理
在本节中，我们将解释IGBT的基本工作原理，包括PN结、COMFET效应、串联二极管等。此外，还会描述IGBT在电路中的应
用方式。
3. IGBT结构
该节详细介绍了IGBT的结构，包括P型衬底、N型衬底、漂移区、栅极氧化层、表面耐压区和金属化层等组成部分。每个组成部分的功
能和特点也会在此展开介绍。
4. IGBT特性参数
在这一部分，我们列出了IGBT数据手册中常见的特性参数，如最
大耐压、最大电流、导通压降、关断特性等。每个参数的含义和测量
方法也会详细说明。
5. IGBT使用指南
本节将提供有关IGBT的使用和应用建议。包括IGBT的散热、驱
动电路设计、保护电路设置以及注意事项等方面的内容。这些指南将
帮助用户更好地应用和操作IGBT。
6. IGBT应用示例
为了更好地理解IGBT的实际应用，我们将在本节中提供一些
IGBT在不同领域的应用示例，如交流调速、电力变换器、电机驱动等。每个示例将简要介绍应用场景和IGBT在其中的作用。
7. 总结
在最后一节中，我们将对整个IGBT数据手册进行总结，并再次强
调IGBT的重要性和广泛应用领域。如果读者有任何疑问或需要进一步了解，也可以参阅其他相关资料或直接联系我们的技术支持团队。
FF300R12KE中文Datasheet
T = 25°C V = 19V V GE = 13V V = 11V 567
89101112
T = 25°C 0100200
300400500600
E , T = 125°C
E , T = 125°C Z thJC : IGBT
i: 1 2 3 4
200
400
6008001000
1200
1400
I , Modul 0,00,20,40,60,81,01,21,41,61,82,02,22,4
T = 25°C
E, T = 125°C E, T = 125°C
Z thJC : Diode
i: 1 2 3 4
0,0010,010,1110
IGBT基本参数详解解读
IGBT基本参数详解解读
第一部分 IGBT模块静态参数
1,,集射极阻断电压
在可使用的结温范围内,栅极和发射极短路状况下,集射极最高电压。手册里一般为25?下的数据,随着结温的降低,会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电
感,IGBT在关断时最容易超过限值。
2,,最大允许功耗
在25?时,IGBT开关的最大允许功率损耗,即通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。
其中,为结温,为环境温度。二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。
在这里,顺便解释下这几个热阻,
结到壳的热阻抗,乘以发热量获得结与壳的温差,
芯片热源到周围空气的总热阻抗,乘以发热量获得器件温升,
芯片结与PCB间的热阻抗,乘以单板散热量获得与单板的温差。
3,集电极直流电流
在可以使用的结温范围流集射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义,可以由最大耗散功率算出该值。所以给出一个额定电流,必须给出对应的结和外壳的温度。
)
4,可重复的集电极峰值电流
规定的脉冲条件下,可重复的集电极峰值电流。
5,RBSOA,反偏安全工作区
IGBT关断时的安全工作条件。如果工作期间的最大结温不被超过,IGBT在规定的阻断电压下可以驱使两倍的额定电流。
6, 短路电流
短路时间不超过10us。请注意,在双脉冲测试中,上管GE之间如果没有短路或负偏压,就很容易引起下管开通时,上管误导通,从而导致短路。
7, 集射极导通饱和电压
在额定电流条件下给出,Infineon的IGBT都具有正温度效应,适宜于并联。随集电极电流增加而增加,随着增加而减小。
可用于计算导通损耗。根据IGBT的传输特性,
正确理解IGBT模块规格书参数
正确理解IGBT模块规格书参数
本文将阐述IGBT模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参数、开关参数、二极管参数及热学参数，使大家正确的理解IGBT模块规格书，为器件选型提供依据。本文所用参数数据以英飞凌IGBT模块FF450R17ME3 为例。
一、电流参数
1. 额定电流（IC nom）
大功率IGBT模块一般是由内部并联若干IGBT芯片构成，FF450R17ME3内部是3个150A芯片并联，所以标称值为450A
额定电流可以用以下公式估算：
Tjmax–TC= VCEsat·IC nom·RthJC
VCEsat 是IC nom的函数，见规格书后图1，采用线性近似VCEsat=(IC nom+287)/310
Tjmax=150℃,TC=80℃,RthJC =0.055K/W
计算得：IC nom=500A
2. 脉冲电流（Icrm 和Irbsoa）
Icrm是可重复的开通脉冲电流（1ms仅是测试条件，实际值取决于散热情况）Irbsoa 是IGBT可以关断的最大电流
所有模块的的Icrm和Irbsoa都是2倍额定电流值
3. 短路电流ISC
短路条件:t<10μs,Vge<15V,Rg>Rgnom(规格书中的值)，Tj<125℃
短路坚固性
ØIGBT2为平面栅IGBT:5-8倍IC
ØIGBT3/IGBT4为沟槽栅IGBT:4倍IC
二、电压参数
1. 集电极-发射极阻断电压Vces
测量Vces时，G/E两极必须短路
Vces为IGBT模块所能承受的最大电压，在任何时候CE间电压都不能超过这一数值，否则将造成去器件击穿损坏
SGL50T120SFD_datasheetIGBT数据手册
SGL50T120SFD
1200V 50A FieldStop Trench IGBT
Features
• FieldStop Trench Technology, Positive temperature coefficient
• V CE(sat)=2.2V@I
C =50A • t rr =80ns(typ.)
• High Speed Switching & Low Power Loss • High Input Impedance
Applications
• PFC, UPS, Inverter
The device is designed by advanced FieldStop Trench technology process. This IGBT offer low V CE(sat), high switching performance and excellent quality for application such as PFC,UPS, inverter and other switching applications.
Package Type & Internal Circuit
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter
Ratings Unit V CES Collector to Emitter Voltage
1200 V V GES Gate to Emitter Voltage ±20 V I C Collector Current T C =25℃ 95 A T C =100℃
IGBT模块的参数及特性曲线的解读
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11
COMPANY CONFIDENTIAL
RBSOA（反偏安全工作区）
RBSOA表征的是安全关断一个IGBT需要满足的条件。如下图所示，这是 一个600A/1700V的IGBT模块。
图中虚线部分为IGBT芯片的安全工作区，在开关 状态下，在最大结温以内，芯片可以在最大VCE电压 下和2倍的额定集电极电流内安全地关断。
允许的RGext值的范围在开关损耗曲线图中给出，见下页图； 门极的峰值驱动电流可由此式计算：IGdr,peak=(VGE(on)-VGE(off))/ RGtot 。实际应用中，由于 驱动回路杂散电感等的影响，实际的电流峰值达不到上式计算出的值，根据经验，
上面的式子再乘以一个0.7的折算系数。
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13
COMPANY CONFIDENTIAL
短ห้องสมุดไป่ตู้特性
IGBT的短路特性强烈依赖于应用中的具体参数，如温度、杂散电感水平、驱动电 路以及短路路径的阻抗等； 图a)为短路测试的电路，图b)为短路时的典型电压和电流波形；
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14
600A/1200V IGBT
IGBT规格书解释
正确理解IGBT模块规格书参数
本文将阐述IGBT模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参数、开关参数、二极管参数及热学参数，使大家正确的理解IGBT模块规格书，为器件选型提供依据。本文所用参数数据以英飞凌IGBT模块FF450R17ME3为例。文章来源：/jc/156.html
一、电流参数
1.额定电流（IC nom）
大功率IGBT模块一般是由内部并联若干IGBT芯片构成，FF450R17ME3内部是3个150A芯片并联，所以标称值为450A
额定电流可以用以下公式估算：
Tjmax–TC=VCEsat·IC nom·RthJC
VCEsat是IC nom的函数，见规格书后图1，采用线性近似VCEsat=(IC nom+287)/310
Tjmax=150℃,TC=80℃,RthJC=0.055K/W
计算得：IC nom=500A
2.脉冲电流（Icrm和Irbsoa）
Icrm是可重复的开通脉冲电流（1ms仅是测试条件，实际值取决于散热情况）
Irbsoa是IGBT可以关断的最大电流
所有模块的的Icrm和Irbsoa都是2倍额定电流值
3.短路电流ISC
短路条件:t<10μs,Vge<15V,Rg>Rgnom(规格书中的值)，Tj<125℃
短路坚固性
ØIGBT2为平面栅IGBT:5-8倍IC
ØIGBT3/IGBT4为沟槽栅IGBT:4倍IC
二、电压参数
1.集电极-发射极阻断电压Vces
测量Vces时，G/E两极必须短路
Vces为IGBT模块所能承受的最大电压，在任何时候CE间电压都不能超过这一数值，否则将造成去器件击穿损坏
IGBT Datasheet
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The present product data is exclusively subscribed to technically experienced staff. This Data Sheet is describing the specification of the products for which a warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. Changes to the Data Sheet are reserved.
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