一晶体管组成的单回路中频放大器

一晶体管组成的单回路中频放大器，如图所示。已知f°=465kHz,晶体管经中和后的参数为：gje=0.4mS,Cje=142pF, g°e=55 卩S, CO e=18pF, Yg =36.8mS,Y re =0，回路等效电容

C=200pF,中频变压器的接入系数p1=N1/N=0.35 , p2=N2/N=0.035,回路无载品质因

数C0=80，设下级也为同一晶体管，参数相同。试计算：（1）回路有载品质因

数Q L和3 dB带宽B07 ; （2）放大器的电压增益；（3）中和电容值。（设q，c=3 pF）

解3-2 :

根据已知条件可知，能够忽略中和电容和y re的影响。得：

回路总电容为

C C p,2C oe p：C ie 200 0.352 18 0.0352 142 202 pF

固有谐振电导为

回路总电导为

2 2 g P1 g oe p2g ie g0

0.352 55 10 60.0352 0.4 10 37.374 10 614.6 S

答：品质因数Q为40.4,带宽为11.51kHz,谐振时的电压增益为30.88,中和电容值为1.615pF

3-3高频谐振放大器中，造成工作不稳定的王要因素是什么？它有哪些不良影响？为使放大器稳定工作，可以采取哪些措施？

g。

2 f°c

Q0

2 465 10

3 202 10-12

80

7.374 S

品质因数Q L

3dB带宽B0.7

谐振增益K0

中和电容C n

2 f°C 2 465 10320210-12

40.4

g14.610 6

f o 465 Q L

40.4

11.51kHz

p p2 | y fe |0.35 0.03536.810330.88

g14.610 6

C bc

p1

1 p

C bc

陛3

0.65

1.615pF

题3- 1图

答 3-3 集电结电容是主要引起不稳定的因素，它的反馈可能会是放大器自激振荡；环境温度的

改变会使晶体管参数发生变化，如 Ge 、C e 、g ie 、g oe . y 、引起频率和增益的不稳定。 负载阻抗过大，增益过高也容易引起自激振荡。 一般采取提高稳定性的措施为：

（1） 采用外电路补偿的办法如采用中和法或失配法 （2） 减小负载电阻，适当降低放大器的增益 （3 ）选用f T 比较高的晶体管

（4）选用温度特性比较好的晶体管，或通过电路和其他措施，达到温度的自动补偿。

集中选频放大器和谐振式放大器相比， 有什么优点？设计集中选频放大器时， 主要任务是什 么？

3－7 什么叫做高频功率放大器？它的功用是什么？应对它提出哪些主要要求？为什么高频

功放一般在B 类、C 类状态下工作？为什么通常采用谐振回路作负载？ 答3-7 高频功率放大器是一种能将直流电源的能量转换为高频信号能量的放大电路， 其主要功 能是放大放大高频信号功率， 具有比较高的输出功率和效率。 对它的基本要有选频作用、 输 出功率大、自身损耗小、效率高、所以为了提高效率，一般选择在 B 或 C 类下工作，但此时 的集电极电流是一个余弦脉冲， 因此必须用谐振电路做负载， 才能得到所需频率的正弦高频 信号。

3－8 高频功放的欠压、临界、过压状态是如何区分的？各有什么特点？当

四个外界因素只变化其中的一个时，高频功放的工作状态如何变化？ 答 3-8

当晶体管工作在线性区时的工作状态叫欠压状态，此时集电极电流随激励而改变，电压 利用率相对较低。 如果激励不变， 则集电极电流基本不变， 通过改变负载电阻可以改变输出 电压的大，输出功率随之改变；该状态输出功率和效率都比较低。 当晶体管工作在饱和区时的工作状态叫过压状态， 此时集电极电流脉冲出现平顶凹陷， 输出 电压基本不发生变化，电压利用率较高。

过压和欠压状态分界点， 及晶体管临界饱和时， 叫临界状态。 此时的输出功率和效率都比较

3－9 已知高频功放工作在过压状态，现欲将它调整到临界状态，可以改变哪些外界因素来

实现，变化方向如何？在此过程中集电极输出功率如何变化？ 答 3-9

可以通过采取以下措施

1. 减小激励U,集电极电流I C1和电压振幅U C 基本不变，输出功率和效率基本不变。

2. 增大基极的负向偏置电压， 集电极电流I ci 和电压振幅U C 基本不变，输出功率和效率

基本不变。

3. 减小负载电阻 R,集电极电流I ci 增大，I co 也增大，但电压振幅

U C 减小不大，因此

输出功率上升。

4. 增大集电极电源电压，I ci 、I co 和U C 增大，输出功率也随之增大，效率基本不变。

3－1o 高频功率放大器中提高集电极效率的主要意义是什么？ 答 3-1o

主要意义在于提高了电源的利用率，将直流功率的更多的转换为高频信号功率，减小晶 体管的功率损耗，可降低对晶体管的最大允许功耗

的要求，提高安全可靠性。

第一章 高频功率放大电路

E C 、 E b 、 U b 、 R L

高。

?当单独改变 ?当单独改变 ?当单独改变 ?当单独改变 R L

时, 民时, E b 时, U 随着 随着 随着 随着 R L 的增大，工作状态的变化是从欠压逐步变化到过压状态。 E C 的增大，工作状态的变化是从过压逐步变化到欠压状态。 丘的负向增大，工作状态的变化是从过压逐步变化到欠压状态。 U