低噪声放大器概述.
低噪声放大器的原理
低噪声放大器的原理
低噪声放大器是一种电子设备，用于放大电信号，同时尽量减小噪声的干扰。
其原理主要包括以下几个方面：
1. 输入电路设计：低噪声放大器的输入电路采用高阻抗、低噪声的元件和结构设计，以减小对输入信号的干扰。
常见的设计技巧包括使用高阻抗输入电路、采用薄膜电阻、陶瓷电容等元件，以及合理布局和屏蔽设计等。
2. 放大器结构：低噪声放大器通常采用共基极、共集极或共源极等结构，以提供高增益和低噪声。
其中，共源极结构被广泛应用于射频放大器，其工作原理是利用场效应管的高输入阻抗和低噪声系数。
3. 负反馈设计：通过引入负反馈，可以有效降低放大器的噪声系数。
负反馈可以利用输出与输入之间的比例关系来抵消放大器内部的噪声。
常见的负反馈设计技巧包括采用电阻网络、差分输入等。
4. 电源噪声抑制：低噪声放大器需要通过设计合理的电源滤波电路来减少电源噪声的影响。
这可以通过使用电源滤波电容、电感等元件来实现。
总体来说，低噪声放大器通过合理的电路设计和结构选择，以及负反馈和电源噪声抑制等技术手段，目的是尽量减小放大器本身引入的噪声，从而提供纯净的放大信号。
低噪声放大器 原理符号
低噪声放大器原理符号低噪声放大器（LowNoiseAmplifier，LNA）是无线通信设备中的关键组件，它负责提升信号的强度，以便于后续的信号处理。
在电路符号表示中，低噪声放大器通常以一种特定的形式进行表示。
一、原理低噪声放大器的工作原理主要是通过放大微弱的信号电流，同时抑制噪声和干扰。
它的输入信号通常来自天线或其他接收器，其输出信号经过处理后可以进一步传递到下一级电路。
在放大信号时，低噪声放大器的一个重要指标是噪声系数（NoiseFactor），它表示放大器输入端的噪声与输出端的噪声之比。
低噪声放大器的噪声系数通常应该尽可能的小，以确保放大后的信号强度更高，而干扰和噪声的影响更小。
二、符号表示在电路图中，低噪声放大器通常以特定的符号进行表示。
其基本形式通常是一个简单的二极管加一个放大器，下面我们来详细解释这个符号的含义：1.放大器部分：通常是一个开环的差分放大器，用于放大微弱的信号电流。
2.二极管：表示低噪声放大器的输入端，它接收来自天线的微弱信号。
3.箭头：表示信号的流向，即输入端的信号被放大后，输出到下一级电路。
4.环绕箭头：表示噪声的抑制，这个符号的含义是低噪声放大器能够有效地抑制干扰和噪声，从而提升信号的质量。
此外，在一些具体的电路图中，可能还会在符号旁边添加一些其他的参数和标注，例如放大器的增益、带宽、噪声系数等。
三、应用低噪声放大器在无线通信系统中有着广泛的应用，例如在移动电话、无线路由器、无线基站等设备中都扮演着重要的角色。
通过提高信号的强度和降低干扰和噪声的影响，低噪声放大器使得无线通信设备能够更好地工作，提供更稳定、更可靠的通信服务。
四、总结低噪声放大器是无线通信设备中的关键组件，通过放大微弱的信号电流并抑制干扰和噪声，它对于提高通信质量和稳定性具有重要作用。
在电路符号表示中，低噪声放大器通常以特定的形式进行表示，包括一个简单的二极管加一个放大器，以及一些其他的参数和标注。
低噪声放大器..
5） C
C 0 VBC 1 0
n
反偏集电结电容
6） 7）
Ccs 集电结与衬底间的势垒电容
rbb ' 、ree 、 rcc 为各极的体电阻
大倍数下降为 1 时的频率
8） 特征频率 fT 定义为共射输出短路电流放
gm gm fT 2 (C C ) 2 C
3） 有源偏置电路
有源偏置电路具有相 当出色的温度稳定性，但 同时也带来了元件数目增 多，电路结构复杂等缺点。 在放大器的温度稳定性要 求比较高的时候，可以考 虑采用这种偏置电路。
有源偏置电路
3）传输线偏置电路
传输线偏置电路
传输线偏置法可以抑制偶次谐波，并且还可以 改善放大器的稳定性。
固定基流偏置电路
IIP3
Input VSWR
－11.1dBm
1.5
－3dBm
1.2
Output VSWR
隔 离
3.1
21dB
1.4
21dB
从表中可以看出，低噪声放大器的主要指标为： 噪声系数 增益 线性范围
输入输出阻抗的匹配
功耗
输入输出的隔离
以上各项指标并不独立，是相互关联的，在 设计中如何折中，兼须各项在指标，是设计的 重点也是难点。
C gd ---漏极与源极电容
rG 、 rS 、 rD 分别为各极的欧姆电阻，rds 是漏源电
阻， R 是串联栅极电阻 i
对于GaAs FET ，这些参数的典型值为
Ri 7
C gs 0.3 pF
rds 400 Cds 0.12 pF
gm 40mS
C gd 0.01 pF
基极分压射极偏置电路
低噪声放大器 核心参数
低噪声放大器核心参数低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）是一种用于增加信号幅度而又尽量减小噪声的放大器。
在无线通信、雷达、卫星通信和其他接收系统中，低噪声放大器起到了至关重要的作用。
为了设计出性能优越的低噪声放大器，需要对其核心参数有深入的了解。
在本文中，我们将详细介绍低噪声放大器的核心参数，并对其进行分析和讨论。
1. 噪声指标低噪声放大器最为重要的参数之一就是噪声指标。
噪声指标通常用于描述放大器在增益条件下的噪声性能。
常见的噪声指标包括噪声系数（Noise Figure，NF）、噪声温度（Noise Temperature，Tn）、噪声系数与增益的乘积（Gain Bandwidth Product，GBP）等。
噪声系数是描述放大器引入信号噪声的指标，一般以分贝（dB）为单位，数值越小代表噪声性能越好。
而噪声温度描述了放大器引入的噪声相当于理想传输线路引入的噪声温度，单位为开尔文（K）。
噪声系数与增益的乘积则是评价放大器噪声性能的综合指标。
2. 增益增益是低噪声放大器的另一个核心参数。
增益表示放大器输出信号与输入信号的幅度比值，通常用分贝（dB）表示。
增益越大意味着放大器输出信号的幅度增加的越多，但也需要注意，在增益增大的同时可能会伴随着噪声的增加。
低噪声放大器需要在保证足够增益的前提下尽量减小噪声。
3. 带宽低噪声放大器的带宽也是一个重要参数。
带宽指的是在放大器工作范围内的频率范围，通常用赫兹（Hz）表示。
低噪声放大器需要具有足够的带宽，以确保对输入信号的覆盖范围足够广，同时也需要避免出现频率失真等问题。
4. 饱和输入功率饱和输入功率也是低噪声放大器的重要参数之一。
饱和输入功率指的是在放大器输出的信号出现压制之前，输入信号的功率大小。
通常用分贝毫瓦（dBm）来表示。
饱和输入功率越大，意味着放大器能够承受更大的输入信号功率而不至于出现失真等问题。
5. 稳定性低噪声放大器的稳定性也是一个重要的核心参数。
《低噪声放大器设计》课件
低噪声放大器（LNA）是一种专门设计的电子器件，主要用于接收微弱信号并 进行放大。在无线通信、雷达、电子战等领域中，低噪声放大器被广泛应用于 提高信号的信噪比，从而提高接收系统的灵敏度和性能。
低噪声放大器的性能指标
总结词
低噪声放大器的性能指标主要包括增益、噪声系数、线性度等。
详细描述
增益是低噪声放大器的重要指标，表示放大器对输入信号的放大倍数。噪声系数是衡量低噪声放大器性能的重要 参数，表示信号在放大过程中引入的噪声量。线性度则表示放大器在放大信号时保持信号不失真的能力。
采取电磁屏蔽、滤波等措施， 减小外部噪声对放大器性能的 影响。
降低闪烁噪声
采用适当的偏置条件和频率补 偿，降低闪烁噪声的影响。
03
CATALOGUE
低噪声放大器的电路设计
晶体管的选择
总结词
晶体管的选择是低噪声放大器设计的关 键，需要考虑其噪声性能、增益、稳定 性等参数。
VS
详细描述
在选择晶体管时，需要考虑其噪声性能， 通常选用低噪声晶体管以减小放大器的噪 声。同时，需要考虑晶体管的增益，以保 证放大器能够提供足够的增益。此外，稳 定性也是需要考虑的一个重要参数，以确 保放大器在工作时不会发生振荡或失真。
匹配网络的设计
总结词
匹配网络的设计对于低噪声放大器的性能至 关重要，其主要作用是减小信号反射和减小 噪声。
详细描述
匹配网络是低噪声放大器中不可或缺的一部 分，其主要作用是减小信号反射和减小噪声 。设计时需要考虑阻抗匹配和噪声匹配，以 使信号尽可能少地反射回源端，同时减小放 大器的噪声。常用的匹配网络有LC匹配网络 、微带线匹配网络等。
《低噪声放大器设 计》ppt课件
目 录
低噪声放大器
低噪声放大器1. 引言低噪声放大器（Low-Noise Amplifier，LNA）是一种广泛应用于无线通信系统中的重要电路器件。
它的主要功能是将来自天线的微弱信号放大到一个足够强度，以便后续电路可以有效地处理。
在无线通信系统中，LNAs通常作为接收链路的第一级放大器，承担着放大微弱信号、增加系统灵敏度、提高信噪比的关键任务。
本文将介绍低噪声放大器的工作原理、性能指标以及常见的设计技术，希望能帮助读者更好地理解和应用低噪声放大器。
2. 工作原理低噪声放大器的工作原理与一般放大器相似，都是通过引入外部直流电源，利用放大元件（例如晶体管）的放大特性，将输入信号放大到所需的幅度。
与一般放大器不同的是，低噪声放大器在设计上注重将输入端的噪声最小化。
这是因为在无线通信系统中，接收链路中的噪声是非常重要的考量因素。
LNAs需要尽可能地放大微弱信号，同时不引入过多的噪声，以保持系统的信噪比。
为了实现低噪声的放大，低噪声放大器采用了一系列的设计技术和电路拓扑。
接下来，我们将介绍一些常见的设计技术。
3. 设计技术3.1 硅锗杂化放大器硅锗杂化放大器是一种常见的低噪声放大器设计技术。
它采用硅和锗两种材料的结合，兼具硅和锗的优点。
硅材料具有良好的集成性能和工艺制造能力，而锗材料具有较高的迁移率和较低的噪声系数。
因此，硅锗杂化放大器能够在保持良好集成性能的同时，实现较低的噪声指标。
3.2 噪声系数优化噪声系数是衡量低噪声放大器性能的重要指标之一。
为了优化噪声系数，设计者可以采用一系列的技术手段，例如：•尽量采用低噪声的放大元件，例如高迁移率的晶体管；•优化电源的供电电压和电流，以减小噪声；•使用电流源对放大电路进行偏置，以提高放大器的线性度。
3.3 反馈放大器设计反馈放大器是一种常用的放大器设计技术，也可以应用于低噪声放大器的设计中。
通过适当选择反馈回路的参数和拓扑结构，可以有效地减小放大器的噪声系数。
在反馈放大器中，一部分输出信号经过反馈回路与输入信号相叠加，形成反馈信号，从而减小噪声。
低噪声放大器原理
低噪声放大器原理
低噪声放大器是一种用于增强电信号的电子设备，同时尽量减小噪声的影响。
其工作原理主要包括以下几个方面：
1. 输入缓冲器：低噪声放大器的第一阶段通常是一个输入缓冲器，用于隔离外部电路和后续放大器之间的电路功率。
输入缓冲器通常由晶体管、场效应管等构成，并具有高输入阻抗和低输出阻抗。
2. 增益放大器：增益放大器是低噪声放大器的核心部分，其作用是放大输入信号的幅度。
为了实现低噪声的目标，通常采用高品质因数的放大器，如共栅放大器、共源放大器等。
此外，为了进一步降低噪声，还可以利用负反馈技术，通过引入一个衰减信号对输入信号进行抵消。
3. 输出缓冲器：输出缓冲器用于隔离后续电路和放大器之间的输出功率。
其输出阻抗应尽量小，以保证放大器的输出信号能够有效地驱动后续电路。
4. 噪声抑制技术：在设计低噪声放大器时，需要采取一系列的措施来降低噪声的影响。
例如，采用低噪声元件、降低输入电阻、最小化电路布线上的耦合噪声等。
此外，还可以通过优化放大器的频率响应特性和增益特性来进一步降低噪声。
综上所述，低噪声放大器通过采用合适的电路结构和增益技术，以及优化电路参数和噪声抑制措施，实现对输入信号的高增益放大同时尽量减小噪声的影响。
低噪声放大器 核心参数
低噪声放大器核心参数摘要：1.低噪声放大器的概念和重要性2.低噪声放大器的核心参数3.如何评价低噪声放大器的性能4.低噪声放大器的应用领域5.我国在低噪声放大器领域的发展状况和前景正文：一、低噪声放大器的概念和重要性低噪声放大器是一种电子放大器，主要用于放大微弱信号，降低噪声干扰，以便系统解调出所需的信息数据。
在通讯、雷达、遥感等领域，低噪声放大器起着至关重要的作用。
随着科学技术的发展，对低噪声放大器的性能要求越来越高，因此在设计低噪声放大器时，需要考虑多方面的因素。
二、低噪声放大器的核心参数低噪声放大器的核心参数主要包括增益、噪声系数、输入和输出阻抗、工作频率范围等。
其中，增益是低噪声放大器的基本性能指标，表示放大器对输入信号的放大程度；噪声系数是评价低噪声放大器性能的重要参数，反映了放大器对输入信号的噪声抑制能力；输入和输出阻抗是低噪声放大器的匹配性能指标，关系到信号在传输过程中的反射和衰减；工作频率范围则决定了低噪声放大器在不同频段的性能。
三、如何评价低噪声放大器的性能评价低噪声放大器的性能主要从以下几个方面进行：1.增益：增益越高，表明放大器对输入信号的放大程度越大，信号传输过程中的衰减越小。
2.噪声系数：噪声系数越低，表明放大器对输入信号的噪声抑制能力越强，输出信号的质量越高。
3.输入和输出阻抗：输入和输出阻抗应与系统的其他部件相匹配，以保证信号在传输过程中的反射和衰减最小。
4.工作频率范围：工作频率范围越宽，表明低噪声放大器在各个频段的性能越好，应用领域越广泛。
四、低噪声放大器的应用领域低噪声放大器广泛应用于通讯、雷达、遥感、精密测量等领域。
在射频通信系统中，低噪声放大器可以放大天线接收到的微弱信号，降低噪声干扰，提高信号质量；在雷达系统中，低噪声放大器可以提高雷达接收机的灵敏度，增强对目标的探测能力；在遥感领域，低噪声放大器可以放大卫星接收到的地表信号，提高遥感数据的精度和可靠性。
lna的原理
lna的原理低噪声放大器（Low Noise Amplifier，简称LNA）是一种用于放大电信号并且尽量不引入噪声的电子元件。
它可以被广泛应用于无线通信系统中，如手机通信、卫星通信、射频识别（RFID）等。
LNA的主要原理是通过提供高增益且低噪声的放大器来放大输入信号。
为了实现这个目标，LNA通常需要具备以下几个关键特点：1. 低噪声系数：LNA需要具备尽可能低的噪声系数，以确保输入信号的有效性。
噪声系数是指输入与输出之间噪声功率的比值。
通常，噪声系数越低，LNA越能够保持信号的纯净性。
2. 高增益：LNA需要提供足够的增益来保证信号的强度能够达到足够的水平，使其能够被后续电路捕获和处理。
增益是指输出信号与输入信号的功率比值。
一般来说，LNA的增益应该较高，但也要避免引入过多的噪声。
3. 宽带：因为不同应用场景下的输入信号频率有所不同，LNA需要具备宽带性能，以适应不同频段的信号放大需求。
宽带特性可以通过采用设计优化的无源元件和匹配网络来实现。
为了满足上述要求，LNA通常采用低功耗的晶体管作为放大器的放大元件。
晶体管可以通过适当的偏置方式来实现低噪声放大。
常用的晶体管类型包括二极管结型晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。
这些晶体管具有较低的内部噪声，可以提供高增益和宽带特性。
基于晶体管的LNA通常包括以下几个关键组件：1. 输入匹配网络：输入匹配网络用于保证输入电路与信号源的匹配，以最大程度地转移并放大输入信号。
这个网络通常由电容、电感和变压器组成。
2. 稳定偏置电路：稳定偏置电路通过提供适当的偏置电压和电流来确保晶体管在工作过程中的稳定性。
它通常由电源、电阻和电容组成。
3. 输出匹配网络：输出匹配网络用于匹配放大电路与负载之间的特性阻抗，以最大限度地转移功率。
输出匹配网络通常由电容和电感组成。
通过合理地设计和优化以上组件，LNA可以实现高增益、低噪声、宽带的特性，从而有效地放大输入信号并尽量减小噪声的引入。
低噪声放大器
特点
相噪低 相噪高 功率小 功率小 相噪低
适用电路
放大振荡 功率放大 小信号放 大 小信号放 大 放大振荡
价格
低 中 高 高 高
2-10 2-40 2-40
HBT
1-40
关于放大管（续）
根据要求选定放大管后，首先要做的事情就是根据管子 提供的参数经过计算判断他的稳定性，一个稳定的系统才能 正常工作。那么怎么判断晶体管的稳定性呢？ 我们从反射系数的角度出发，那就是当反射系数的模小于1的 时，系统才是稳定的。（？）经过一些计算最终我们得到下 面判别条件：
直流偏置电路设计（续）
选择静态电流 的原则
直流偏置电路设计（续）
直流偏置电路设计（续）
直流偏置电路设计（续）
直 流 偏 置 电 路 设 计 （续 ）
直流偏置电路设计（续）
4、微波控制电路
根据我们的实际，微波控制电路主要采用反馈控制方式， 我们主要介绍ALC（Automatic Level Control），它的常见应 用就是AGC（ Automatic Gain Control ），其他的反馈控制还 有AFC（ Automatic Frequency Control ）和PLL（Phase Lock Loop），下面以功率控制为例介绍ALC电路原理应用。
低噪声放大器 核心参数
低噪声放大器核心参数摘要：低噪声放大器核心参数I.引言- 低噪声放大器简介- 低噪声放大器在通信系统中的重要性II.低噪声放大器核心参数- 噪声系数- 增益- 频率响应- 线性度III.噪声系数- 定义及作用- 影响因素- 降低噪声系数的措施IV.增益- 定义及作用- 影响因素- 提高增益的措施V.频率响应- 定义及作用- 影响因素- 优化频率响应的措施VI.线性度- 定义及作用- 影响因素- 提高线性度的措施VII.总结- 低噪声放大器核心参数的重要性- 各参数间的平衡与优化正文：低噪声放大器核心参数低噪声放大器（Low Noise Amplifier, LNA）在通信系统中具有至关重要的作用，它能够放大天线接收到的微弱信号，降低噪声干扰，从而确保通讯质量。
为了实现高性能的低噪声放大器，必须关注并优化其核心参数。
本文将详细介绍低噪声放大器核心参数，包括噪声系数、增益、频率响应和线性度。
首先，噪声系数是衡量低噪声放大器性能的关键参数。
噪声系数是指输入信号与输出信号之间的噪声功率比，通常用分贝（dB）表示。
较低的噪声系数意味着放大器具有较低的噪声水平，从而提高整个通信系统的性能。
影响噪声系数的因素包括放大器的结构、材料、工艺等。
为了降低噪声系数，可以采取选用低噪声元件、优化电路拓扑等措施。
其次，增益是低噪声放大器另一个重要参数。
增益是指放大器对输入信号的放大程度，通常用分贝（dB）或倍数表示。
较高的增益有利于提高信号传输距离和抗干扰能力，但同时也会增加噪声放大。
因此，在设计低噪声放大器时，需要在增益与噪声之间寻求平衡。
影响增益的因素包括偏置电流、偏置电压等。
通过合理地选择偏置电流和电压，可以提高放大器的增益。
接下来，频率响应是衡量低噪声放大器在不同频率下性能的参数。
频率响应是指放大器在某一频率范围内的增益、相位等特性。
理想的低噪声放大器应具有平坦的频率响应，以保证在整个频率范围内具有稳定的性能。
影响频率响应的因素包括元件参数、电路拓扑等。
低噪声放大器
噪声系数 越小越好，说明放大器内部噪声越小
噪声系数
只适用于线性放大器 。 因为非线性系统会产生信
NF
(S / N )i (S / N )o
Psi / Pni Pso / Pno
号和噪声的频率变换，噪 声系数不能反映系统的附 加的噪声性能。
设线性放大器的功率增益为
Ap
Pso Psi
放大器本身噪声在输出端产生的噪声功率为 PnA
绝缘栅场效应管的主要为 1/f 噪声 一般场效应管的噪声比晶体管的小
2.4.2 放大器的噪声系数与等效噪声温度
一、信噪比和噪声系数
S Ps N Pn
NF
(S / N )i (S / N )o
Psi / Pni Pso / Pno
N F（dB
）
10lg
Psi Pso
/况下＝1
这种由于自由电子的热运动所 产生的噪声，称为热噪声。
电阻热噪声电压的平均值为零。但热运动要消耗功率， 故有噪声功率，且温度一定时噪声功率一定。
电阻热噪声有极宽频谱(0~1014Hz),且各频率分量强度相等， 频谱与白光谱类似。这种具有均匀连续频谱的噪声称为白噪声。
只有位于放大器通频带内的那部分噪声才能通过，所以电阻 噪声是很小的，只有有用信号很小时，它才成为影响信号质量的 重要因素。频带越宽、温度越高、阻值越大，产生的噪声也越大
则
NF
Pno
Pso Psi
Pni
Pno Ap Pni
Pno A p Pni PnA
NF
1
PnA Ap Pni
二、等效噪声温度
把放大器的内部噪声折算到输入端，看成温 度为Te的信号源内阻RS所产生，则Te就称为该放大 器的输入端等效噪声温度。
《低噪声放大器》课件
作用：提高信号 的信噪比，降低 噪声对信号的影 响
应用场景：无线 通信、雷达、电 子测量等领域
特点：高增益、 低噪声系数、高 线性度、高稳定 性等
工作原理
低噪声放大器是一种用于放大微弱信号的电子设备 工作原理主要是通过放大微弱信号，同时抑制噪声信号 低噪声放大器通常采用低噪声晶体管作为放大元件 低噪声放大器广泛应用于通信、雷达、电子测量等领域
未来发展方向与展望
技术发展趋势：集成化、小型化、低功耗 应用领域拓展：5G通信、物联网、汽车电子等 挑战与机遇：市场竞争激烈、技术更新快、成本压力 创新与突破：新材料、新工艺、新设计 发展趋势预测：市场需求持续增长，技术不断进步，市场竞争加剧
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汇报人：
医疗领域：用于 医疗仪器，如心 电图、脑电图等
军事领域：用于 雷达、声纳等设 备，提高探测距 离和精度
科研领域：用于 科学研究，如天 文观测、地震监 测等
05
低噪声放大器性能测试与评估
测试方法与标准
测试环境：温度、湿度、电磁干扰等
测试标准：IEEE、ITU、3GPP等国际 标准
测试设备：信号源、频谱分析仪、噪 声分析仪等
低噪声放大器设 计实例3：采用 集成电路作为放 大器，实现低噪 声放大
低噪声放大器设 计实例4：采用 混合信号电路作 为放大器，实现 低噪声放大
04
低噪声放大器应用
通信系统应用
移动通信：提高信号接收质量，降低噪声干扰 卫星通信：增强信号接收能力，提高通信质量 无线局域网：提高信号接收灵敏度，扩大覆盖范围 广播电视：提高信号接收质量，改善图像和声音效果
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低噪声放大器PPT课件大
纲
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目录
模拟电路低噪声放大器
模拟电路低噪声放大器低噪声放大器是模拟电路中非常重要的一种电路，其功能是将信号放大而不引入额外的噪声。
在许多应用中，特别是在通信系统和传感器领域，低噪声放大器的性能对于提高系统的灵敏度至关重要。
本文将介绍低噪声放大器的基本原理以及其设计和优化方法。
1. 低噪声放大器的基本原理低噪声放大器的基本原理是将输入信号放大到合适的电平，同时尽量减小额外引入的噪声。
根据信号放大的方式，低噪声放大器可以分为两大类：分别是磁控管放大器和晶体管放大器。
（这里以晶体管放大器为例进行介绍）晶体管是一种具有放大功能的半导体器件。
在低噪声放大器中，常用的晶体管有双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
BJT和FET在放大信号时都会引入噪声，因此需要采取一系列优化措施来减小噪声。
2. 低噪声放大器的设计方法低噪声放大器的设计需要考虑多个因素，包括放大系数、带宽、噪声系数等。
下面将逐一介绍这些因素的设计方法。
（第一段：放大系数的设计方法）放大系数是低噪声放大器的一个重要性能指标，表示信号在放大器中的放大倍数。
放大系数的设计需要根据实际应用需求来确定。
一般而言，放大系数越高，系统的灵敏度就越高，但同时也会引入更多的噪声。
因此在设计过程中需要进行权衡。
（第二段：带宽的设计方法）带宽是指放大器能够放大的频率范围。
在低噪声放大器设计中，带宽的选择需要根据应用需求来确定。
如果应用中需要放大的信号频率范围较宽，那么带宽应选择相对较宽的放大器。
然而，较宽的带宽通常会导致噪声系数的增加，因此在设计过程中需要进行噪声和带宽的平衡。
（第三段：噪声系数的设计方法）噪声系数是衡量低噪声放大器性能的重要指标。
噪声系数越低，表示放大器引入的额外噪声越少，系统的信噪比就越高。
在设计过程中，可以采用多种方法来降低噪声系数，例如使用高质量的元器件、采用合适的电路结构等。
3. 低噪声放大器的优化方法为了进一步提高低噪声放大器的性能，可以采取一些优化方法。
2.4低噪声放大器
2.4 低噪声放大器
接收机的灵敏度是指保证必要的输出信噪比 条件下，接收机输入 端所需的最小有用信号功 率，该信号功率越低，则接收机灵敏度越高，表 示接收微弱信号的能力越强。
EXIT
高频电子线路
2.4 低噪声放大器
2.4.3低噪声放大器的设计
一、对低噪声放大器的要求 （1）噪声系数小。 （2）功率增益高。 （3）动态范围大。 （4）与信号源很好地匹配。 （5）足够的带宽，工作稳定可靠。
电阻热噪声有极宽频谱(0~1014Hz),且各频率分量强度相等， 频谱与白光谱类似。这种具有均匀连续频谱的噪声称为白噪声。
只有位于放大器通频带内的那部分噪声才能通过，所以电阻 噪声是很小的，只有有用信号很小时，它才成为影响信号质量的 重要因素。频带越宽、温度越高、阻值越大，产生的噪声也越大
EXIT
高频电子线路
二、晶体管的噪声
散粒噪声
2.4 低噪声放大器
由于基区中IC 、 IB 分配比例的随机变化， 分配噪声 造成IC 在静态值上下起伏变化所引起的噪声。
闪烁噪声 热噪声
表现为IE的起伏。一般认为由于晶体管清洁处 理不好或有缺陷引起。
其频谱集中在约1kHz以下，且功率谱密度与 频率成反比。因此，也称为低频噪声或1/f噪声。
EXIT
高频电子线路
2.4 低噪声放大器
三、多级放大器的噪声系数
NF
NF1
NF2 1 Apm1
NF3 1 Apm1Apm2
NFn 1 Apm1Apm2 Apm(n-1)
多级放大器的噪声系数主要由前级的噪声系 数所确定，前级噪声系数越小，额定功率增益越 高，则多级放大器的噪声系数就越小。
EXIT
高频电子线路
第二章_低噪声放大器
(1 Cgd Cgs
gmRD )Cgs
DCgs
• 主极点值为
p
1 RS Ce q
• 上限角频率ωH为 • 电压增益
H
p
1 RS Ce q
1 Rs DC gs
Aus
(s)
Uout (s) U s (s)
AI
1 s/p
AI
1 sRSCeq
gmRD 1 sRS DC gs
2.5 集成宽带低噪声放大器 2.5.1 组合LNA电路
gm RL'
Cb'c Cb'e
]Cb'e
DCb'e
•主极点值为
p
1 ReqCeq
•中频区电压增益
AI
Rs
RL'
rbb' rb'e
Ceq两端并联等效电阻
Req
(Rs
rbb' ) // rb'e
rb'e (Rs rbb' ) Rs rbb' rb'e
•上限角频率
H
p
1 ReqCeq
Rs rbb' rb'e
2.3 LNA主要指标——动态范围
DR f
Pin,max Pin ,m in
下限输入信号为灵敏度Pin,min，输入信号的上限Pin,max 规定为此输入信号在输出端引起的三阶互调失真分量
PO3折合到输入端恰好等于基底噪声（即Ft=PO3/GP，GP 是功率增益)
由系统的基底噪声Ft和所要求的输出信噪比(SNR)O,min 可求出灵敏度
第二章 低噪声放大器
李芹
第二章 低噪声放大器
2.1 引言 2.2 晶体管高频小信号模型 2.3 LNA主要指标 2.4 单管低噪声放大器 2.5 集成宽带低噪声放大器 2.6 LNA的噪声匹配 2.7 LNA设计举例
低噪声放大器介绍
低噪声放大器低噪声放大器是一种具有优良噪声特性而增益较高的小信号放大器，一般位于接收机的前端，是决定整个接收系统噪声特性的关键部件。
目前常见的低噪声放大器有以下几种：低温制冷参量放大器、常温恒温参量放大器、微波场效应晶体管放大器和高电子迁移率晶体管放大器等。
参量放大器采用变容电抗元件（变容二极管）对信号进行放大，可以获得满意的低噪声性能，进一步降低其工作的环境温度（例如环境温度达20K），会大幅度改善其噪声性能。
然而随着金属半导体场效应晶体管性能的改善与提高，低噪声场效应放大器的噪声性能已接近于常温参量放大器的水平。
同时，由于FET放大器具有性能稳定、结构紧凑、价格低廉等优点，它已逐步取代了参量放大器。
目前，Ku频段以下的低噪声放大器普遍采用低噪声FET放大器。
继低噪声MESFET之后，高电子迁移率晶体管（High Electron Mobiliey Transistor），简称HEMT器件，获得了迅速的发展。
它在低噪声、高工作频率方面比FET更优越，已广泛投入使用。
目前广泛使用的是金属半导体场效应管低噪声放大器。
它的核心部件是金属半导体场效应管（MESFET）。
金属半导体场效应管是用本征砷化镓作为基片的衬底，用特殊工艺形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）三个电极；通过栅极电压来控制漏极电流，从而实现对小信号的放大功能。
微波场效应管的主要参数有：特征频率、单向功率增益和最大振荡频率、最大输出功率和噪声特性。
微波场效应管低噪声放大器设计主要考虑的问题是计算输入、输出匹配网络和选择工作点。
通常第一、二级按最小噪声系数设计，中间级按高增益设计，末级则保持良好的线性，满足系统互调特性的要求。
微波场效应管低噪声放大器的设计步骤：1、 选择适当的电路形式一般采用共源极电路形式，并尽可能选用f T 高的管子。
一般0)5~3(f f T =。
2、 确定工作点和偏置电路小信号管做低噪声放大时，漏极电流很小，一般为10mA 左右。
第1节 低噪声放大器指标
第1节低噪声放大器指标第1节低噪声放大器指标第1节低噪声放大器指标低噪声放大器（LNA ）是射频接收机前端的主要部分。
它主要有四个特点。
1）它位于接收机的最前端，这就要求它的噪声越小越好。
为了抑制后面各级噪声对系统的影响，这要求有一定的增益，但为了不使后面的混频器过载，产生非线性失真，它的增益又不能过大。
放大器在工作频段内应该是稳定的。
2）它所接收的信号是很微弱的，所以低噪声放大器必定是个小信号放大器。
而且由于受传输路径的影响，信号的强弱又是变化的，在接收信号的同时又可能伴随着很多强信号的干扰，因此要求放大器有足够大的线性范围，而且增益最好是可以调节的。
3）低噪声放大器一般通过传输线直接和天线或者天线的滤波器相连，放大器的输入端必须和它们很好的匹配，以达到功率最大传输或者最小的噪声系数，并能保证滤波器的性能。
4）低噪声放大器应该具有一定的选频功能，抑制带外和镜像频率干扰，因此它一般是频带放大器。
低噪声放大器的所有指标都是互相牵连的，甚至是相互矛盾的。
这些指标不仅取决于电路的结构，对集成电路来说，还取决于工艺技术。
在设计中如何采用折衷的原则，兼顾各项指标，是很重要的。
LNA 是小信号放大器，必须给它设置一个静态偏置。
而降低功耗的根本办法是采用低电源电压、低偏置电流，但伴随的结果是晶体管的跨导减小，从而引起晶体管及放大器的一系列指标的变化。
2）工作频率放大器所能允许的工作频率和晶体管的特征频率Ft 有关。
减小偏置电流的结果会使晶体管的特征频率降低。
在集成电路中，增大晶体管的面积会使极间电容增加，这也降低了特征频率。
任何一个线性网络的噪声系数可以表示为：对于共射组态的单管双极型晶体管放大器的噪声系数又可以表示为：和是网络的输入端的等效噪声电压源和等效噪声电流源。
对于单管共源MOS 场效应管放大器，当仅考虑沟道噪声时，场效应管放大器噪声系数为：由此可见两点：a. 放大器的噪声系数和工作点有关，为了降低功耗而采用小电流偏置，结果是增大了噪声系数。
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放大器理论基础
晶体管技术
E Si
发 射 结
B SiGe
集 电 结
C Si/ SiGe
图1、HBT结构示意图
如果集电结使用Si 为单异质结晶体管 如果集电结使用SiGe 为双异质结晶体管
图2、HEMT 结构示意图
放大器理论基础
晶体管技术
HBT 异质结双极性晶体管 HBT
基本原理：
发射区和基区采用不同的半导体材料，且发射区为宽能隙材料 发射区注入基区的载流子效率提高
放大器理论基础
噪声系数
定义：
输入信噪比和输出信噪比的比值
SNR In F SNR Out
双极型晶体管：
FMin 1
1 g m rbb ‘
场效应管
FMin 1
4Cgs 3g m
放大器理论基础
线性放大器 何为线性放大器？
增益角度：
增益不随输入信号强度变化而变化；
放大器理论基础
噪声
噪声定义：
一切随机的、非期望的信号均可看作是噪声 噪声分类： 1、内部产生 2、外部产生
放大器理论基础
噪声
BJT FET
热噪声
基区体电阻产生；
沟道噪声
比 BJT的闪烁噪声大 FET总的噪声 比BJT小
散粒噪声
PN结电流的随机起伏
放大器理论基础
放大器非线性
三阶互调
w 1 w2 w
互调产生示意图
w1 w2 w 2 w1 w2 2 w2 w1
两个强干扰信号时，但是它们经过非线性器件后形成的 组合频率分量有可能落在有用信号信道内，降低原有SNR 从而干扰有用信号。这种由于干扰信号互相调制产生组合 频率形成的干扰就叫着互调干扰。 IP3：三阶互调功率和基波功率达到相等的点， 对应的输入信号电平为IIP3 对应的输出信号电平为OIP3
放大器理论基础
放大器动态范围
如果静态工作点Q偏高产生饱和失真，如图6 如果静态工作电Q偏低产生截至失真，如图7
放大器理论基础
放大器非线性
谐波失真
在放大器进入非线性区后，其谐波产生的负面 影响不能再忽略尤其是在零中频系统中fc/2、fc/3 等均为接收机的杂散频率，经过LNA后其二次、 三次谐波形成同频干扰。所以在零中频系统中会 对LNA的谐波指标有所要求
目录
1
放大器基础理论
2
LNA设计
3
Checklist
基础知识
放大器理论基础
半导体材料
硅和锗
材料成熟 制作工艺简单 成本低廉
GaAs、InP等
光电性能好 工作频率高 功率效率高 工作温度高
GaN
更好的光电性能 更好的功率特性 更高的结温 更高的击穿电压
第一代
第二代
第三代
放大器理论基础
半导体材料
禁带宽度
特点：
放大倍数由发射区和基区材料的禁带宽度之差决定 发射区和基区参杂浓度设计更灵活 基区电阻小，噪声性能比普通BJT好 载流子速度更高，fT 频率比普通BJT高
应用
SiGe HBT 主要应用于射频前端LNA、小功率放大、振荡器等
放大器理论基础
晶体管技术
HEMT 高电子迁移率场效应管
HEMT
Pout G （常数） Pin
频谱角度：
输入频谱成份和输出频谱成份一致
由于BJT输入输出成指数关系以及 FET输入输出成平方律关系 实际不存线性放大器，只存在满足工程要求的线性区和非线性区
放大器理论基础
放大器动态范围
VCC RC RE
V1 R b1 Q1 R b2 R c VC C
ic
放大器理论基础
晶体管技术
pHEMT（赝高电子迁移率晶体管 ）
• • • pHEMT是HEMT的一种改进结构 普通HEMT存在一种所谓DX中心，阈值电压不稳定 非掺杂的InGaAs层
pHEMT优点：
• • • • • 工作频率更高 输出电阻高 跨导大 噪声更低 更高的功率转换效率
图3、pHEMT结构示意图
基本原理：
同HBT一样，引入异质结。在控制区（gate）使用宽能隙材料且掺杂， 沟道使用窄能隙本征半导体材料（不掺杂）。在异质结表面形成具有高 电子迁移率的二维电子气，二维电子气提供导电通道
特点：
高的截止频率fT； 高的工作速度； 短沟道效应较小； 噪声性能好
应用
AlGaAs/GaAs 微波低噪声放大、高速数字集成电路 、功率放大、 微波震荡
• • • 被束缚的电子要成为自由电子所需要的最小能量 Ge＜Si＜GaAs ＜InP ＜GaN 禁带宽度越大 工作温度上限越高 耐压越高
影响要素
电子迁移率
• • • •
电子在单位电场下的平均漂移速度 电子迁移率越高，极限频率越高 电子迁移率越高 噪声越小 Si ＜GaN ＜ InP ＜ GaAs
放大器理论基础
Q
IC
+
I CQ
I cm
I CEO VCES
I BQ
IB V b e
IE
—
Vce _ R e
O
VCEQ
VCC
vce
图4、常用BJT放大器的直流偏置电路
Vcem
输出回路直流电压方程：
图5、BJT放大器动态范围
VCC VCE I C RC I E RE VCE I C ( RC RE )
增益压缩
仅考虑到三次方项，基波输出电流与输出电压的关系
放大器理论基础
放大器非线性
大信号平均跨导：
基波信号电流：
总结：
①、大信号平均跨导与输入信号幅度相关，增益与输入信号幅度相关 ②、在大信号输入是，a3小于0，gm随输入信号增大而减小，出现增益压缩
P-1dB：随着输入信号增大，增益比线性放大预期下降1dB对应的输入信号电平
晶体管技术
体积更小、更易于集成
BJT
更 优 的 噪 声 性 能 更 高 的 电 子 迁 移 率 更 优 的 噪 声 性 能
FET
更 高 的 电 子 迁 移 率
HBT
HEMT、pHEMT
HBT：异质结双极晶体管（Heterojunction Bipolar Transistor） HEMT：高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor）
感应栅级噪声
栅级电容耦合沟道噪声
分配噪声
基区复合电流
闪烁噪声
晶格陷阱效应
闪烁噪声
载流子复合
放大器理论基础
噪声 噪声影响因数
噪声与材料
电子迁移率越高的材料，等 效的热阻越小，噪声性能好
噪声与工艺
HBT噪声性能优于BJT HEMT噪声性能优于FET
器件直流工作点
双极型晶体管 静态电流越大， 噪声性能越差 场效应管 电流越大，噪声性 能越好