陶杰版材料科学基础--第7章 晶体缺陷
材料科学基础晶体缺陷
第三节 位错的弹性特征 材料科学基础晶体缺陷 位错应变能的大小,以单位长度位错线上的应变能来表示,单位为J•M-1。 在数值上U=αGb2,其中b为柏氏矢量的大小,G为材料的剪切变模量。α为常数,螺位错为0.55—0.73, 常用0.5来简算;刃型位错为0.81—1.09,常用1.0来简算。
由于位错存在应变能,为减小这能量,位错线的分布一方面在可能的情况下尽量减小单位长度上的能量, 由位错结果决定的,只要晶体结构条件容许,柏氏矢量尽量小。另一方面就是减小位错线的长度,两点之间 只要结构容许,以直线分布。好像沿位错线两端作用了一个线张力。线张力和位错的能量在数量上是等价的。
材料科学基础晶体缺陷
一、位错的应变能
位错线周围的原子偏离了平衡位置,处于较高的能量状态,高出的能量称为位错的应变能,或简称位 错能。
来源:位错应变能主要是弹性应变能。弹簧或其他弹性体的弹性位能0.5kx2。同样在单位体积内弹性位能, 正应力引起的为0.5σε,而切应力引起的为0.5τγ。
在位错线的周围存在内应力,例如刃型位错,在多余半原子面区域为压应力,而缺少半原子面的区域存 在着拉应力;在螺位错周围存在的是切应力。所以位错周围存在弹性应变能。可见由于位错的存在,在其周 围存在一应力场,应力场的分布有机会进一步学习时再分析。
第三节 位错的基本概念
材料科学基础晶体缺陷
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长 或缩短,通常把半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。
滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运 动到位错线上的结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无外来原子将在晶体中产生新的 空位。空位的迁移速度随温度的升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另外,温度的变 化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是 无效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
材料科学基础I__第七章__(晶体缺陷)
见§2-3 合金相结构/固溶体/置换固溶体
例:在不同温度时,铜晶体中空位的平衡浓度(空位数/m3)
1mቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ铜中原子 位置总数
8.0×1028
0℃ (273K)
2×1012
250℃ (523K)
1.7×1020
500℃ (773K)
1.1×1023
750℃ (1023K)
3×1024
1000℃ (1273K)
2.2×1025
3、过饱和空位形成
一、晶体缺陷的分类
按照晶体缺陷的几何形态可以分为四类: 点缺陷(point defects)——零维缺陷 线缺陷,又称为位错(dislocation)——一维缺陷 面缺陷——二维缺陷 体缺陷——三维缺陷
二、晶体缺陷对材料的影响
晶体缺陷对晶体材料性能的影响非常大: 力学性能:如,强度、硬度、塑性、韧性等; 物理性能:如,电阻率、扩散系数等、比容、比热容; 化学性能:如,耐蚀性等; 冶金性能:如,固态相变等; 工艺性能:如,锻造性能、冲压性能、切削性能等。
异类间隙原子在一定温度也有一个平衡浓度,称之为固态溶 解度,简称“固溶度”。间隙原子的固溶度通常都很小,但是 对金属强化却起着极其重要的作用。
见§2-3 合金相结构/固溶体/间隙固溶体
置换原子
置换原子是溶入金属晶体并且占据原来基体原子平衡位 置的异类原子。由于置换原子的半径和基体原子的半径总 有些差异,所以也会使其周围原子偏离平衡位置,造成晶 格畸变。
空位形成过程——动画
1、空位的分类
《材料科学基础》教学中的晶体缺陷
《材料科学基础》教学中的晶体缺陷
晶体缺陷是晶体中的异常结构,它可以影响晶体的物理性质和力学性质。
在《材料科学基础》教学中,学生需要了解以下关于晶体缺陷的内容:
1. 晶体缺陷的分类:晶体缺陷可以分为内部缺陷和表面缺陷,内部缺陷包括缺位缺陷、离子缺陷、晶界缺陷、层缺陷等,而表面缺陷则包括裂纹、气孔、氧化物等。
2. 晶体缺陷的形成机制:晶体缺陷的形成可以由晶体原子或离子的迁移、晶体原子或离子的排斥、晶体原子或离子的结晶不足、晶体原子或离子的结晶过度等机制来解释。
3. 晶体缺陷的影响:晶体缺陷可以影响材料的物理性质和力学性质,例如热导率、电导率、磁导率等,以及材料的强度、韧性、硬度等。
4. 晶体缺陷的检测方法:常用的晶体缺陷检测方法包括X射线衍射、扫描电子显微镜、拉曼光谱、热扩散系数测定等。
818材料科学基础
1.《材料科学基础》,陶杰姚正军薛烽主编,化学工业出版社,2006年;
2.《材料科学基础全真试题及解析》,陶杰姚正军薛烽等主编,化学工业出版社,2006年。
考试内容:以金属材料为主线(兼顾高分子与陶瓷相关内容),主要考核材料的结构、相图与相变、晶体缺陷、表面与界面、固体中的扩散以及材料的形变与再结晶等内容。
第1章晶体学基础
晶体点阵和空间点阵,布拉菲点阵,晶向指数和晶面指数,晶带定理,晶体对称性的基本概念。
第2章固体材料的结构
原子键合及其特性,典型金属的晶体结构,合金相的晶体结构;
陶瓷材料的典型结构,硅酸盐的结构;
高分子的近程结构、远程结构及聚集态结构。
第3章固体中的扩散
扩散定律及其应用,扩散微观理论与机制,柯肯达尔效应,影响扩散的因素,反应扩散。
第4章凝固
液态金属的结构,高分子溶液,纯金属的凝固,固溶体合金的凝固,共晶合金的凝固,铸锭组织与凝固技术。
第5章相图
相图基础知识;
二元相图(铁碳相图是重点);
三元相图(三元共晶相图和三元相图小结是重点)。
第6章固态相变的基本原理,不考
第7章晶体缺陷
点缺陷、位错的基本知识,位错的运动,位错的弹性性质与交互作用,位错的生成与增殖,实际晶体中的位错,FCC晶体中位错反应的一般表示
第8章材料表面与界面
晶体中的界面结构,界面能量,晶体中界面的偏聚与迁移
第9章金属材料的变形与再结晶
金属的塑性变形的微观机制,滑移系与滑移的临界分切应力,合金的塑性变形与强化
第10章非金属材料的应力-应变行为与变形机制
陶瓷材料的应力-应变行为,高聚物的分子运动与转变,高聚物的高弹性和粘弹性,高聚物的应力-应变行为。
材料科学基础之《晶体缺陷》讲解
S c 科 i e n c e & 技 T e c h 视 n o l o g y 界 V i s i o n
科技
・
探索 ・ 争鸣
材料科学基础之 《 晶体缺陷》 讲解
Cr y s t a l De t e c t s Ex p l a i n a t i o n a b o u t t h e Co u r s e Ma t e r i a l s S c i e n c e Fo u n a t i o n
1 点 缺 陷 讲 解
柏 氏矢量 与位错线垂直为刃型位错 . 柏 氏矢量与位错线平行则 为螺 型 位错 . 柏 氏矢量与位错线有 O o ~ 9 0 。 夹角则为混合 型位错 。让学 生 自己 总结刃 型位错和螺型位错位错线 、 位错线运动方 向、 切应力方 向、 柏 氏 矢 量方 向及 晶体滑移方 向之 间的关系 ,有助 于学生掌握位错 的运 动。 讲 位错增 殖机制之前先 问学生 “ 随着塑性变形 的进行位错线移 出晶体 内部 . 那 么变形程度越大是不是 晶体 内部 的位错线会越来越少 呢?” , 授课中学生的回答不一 . 部分同学认为 随着塑性 变形进行 晶体内部的 位错会 越来越 少 . 最终消失 , 其他 同学持相反 意见 , 认 为位错 线不会减 少 这时候教师会告诉 大家 . 随着 塑性变形进行 , 晶体 内部的位错密度 不会减小反而越来 越大 . 这 时学生就会产生 疑问 . 让学生带着 疑问来 学习位错的增殖提升他们的学习兴趣 。
点缺 陷是指在结 点上或邻近 的微观 区域 内偏离 晶体结 构 的正常 排列的一种缺陷 。 包括空位 、 间隙原子和置换原子等 。 点缺 陷的存在 提高 了材料 的电阻. 加速原子扩散 , 改变材料 的力学 性能 , 还会形成其 它 的缺陷 点缺陷内容较易理解 . 在讲 解点缺陷时配合播放 F L A S H动 画视频 . 使学生能够理解几种点缺 陷的形成 、 分类 。 点缺 陷的存 在会产 生 晶格畸变 . 使体 系能量升 高, 称为 晶格 畸变 能 , 当有空位存在 时其周 围为拉应 力场 . 这时候 可以给学 生举 排方 队的例子 , 假 如所 有学生都 排好 了队列 , 突然有一个学生跑 到了方 队之外 , 这 就是 肖脱基空位 , 这 时候缺 位的同学周 围就 显得松散 . 方队 队形破 坏 : 假如该 同学挤到其 他 同学 中间就是弗 兰克 尔空位 。 讲解置换 原子 时也可 以举学 生排方 队 的例子 . 尺寸 比溶剂 原子大 的置 换原子产生 的是压应力 场 . 就好像本 来方 队同学 的身材都差 不多 . 这 时候有 一个大胖 子替换 了其 中一名 同 学. 这 时候 他周 围的 同学 的间距 就会缩小 , 产 生一压应力 场 , 队列破 图1 刃型位错 和螺型位错示意 图 坏. 反之 . 如果是 尺寸小的置换原 子就像一 名小朋友替 换了其 中的同 实际 晶体 中的位错 比较 抽象 . 学生反应 理解较 困难 . 讲解 中借助 学. 周 围间距会变 大 . 产 生拉应 力场 , 队列也会破 坏。用这种举例子 的 、 S h o c k l e y )不全位错 、弗兰克 方 法来 讲解点缺 陷学 生听起来津 津有味 . 而且 通俗易懂 . 有助 于学 生 动画视频帮助学生理解什么是 肖克莱 ( ( F r a n k ) 不全位错 , 并 引导学生从 柏氏矢量 、 位错类 型 、 位错线 形状及 更好 的掌 握点缺 陷的内容 位错 的可能运 动方式角度 总结全位错 、 肖克莱不全位错 、 弗 兰克不全 2 线缺 陷讲 解 位错 的异 同点 位错反应是位错一节需要重点掌握的知识 . 历年都有 部分学生在判断位错反应时出现错误 . 应跟学生重点强调判断位错反 线缺 陷是 指在三维空间的一个 方向上的尺寸很 大 ( 晶粒数量级) , 应应该从几何条件和能量条件两个角度进行判断 . 二者缺一不可 另 外两个方 向上 的尺 寸很小f 原子 尺寸大小1 的晶体缺 陷 . 线缺 陷主要 位错一节是本章的重 中之重 .要让学生尽可能的掌握重点 内容 , 是 位错 。 位错 是本 章讲解 的重点 . 它与材料的许多行为息息相关 , 对 材 为 了提 升学 生的学 习兴趣 . 在授课过程 中给学生布置 了任务 . 让学生 料 的力 学行为如塑性 变形、 强度 、 断裂等起 着决定性 的作用 , 对 材料 的 就“ 晶体 中位错多 了好还是少 了好 ” 为题 目举行辩 论赛 . 学生 自己组 扩散、 相变过程有 较大影 响。 位错部分内容较多 . 讲解 时一定要突出重 队. 分 出正方和反方 . 利用 课余时 间查 资料找论据从而支撑 各 自的论 点 和难 点 . 引导学 生掌握 主要内容 点. 其他不 参赛 的 同学 当评 委 . 评 出最佳 团队 , 最佳辩手等 , 获奖的选 位 错主要有 刃型位错 、 螺 型位错和混合 型位错 . 讲 解位错类 型时 手和 团队都有奖励 通过这种活动调动学生的学习积极性 , 参赛的学 给学生播 放 c o Y n c o b玉米 的视频 . 有助 于学生理解各种位错 。 图 1为刃 生能够 自主的进行学 习 . 带着疑问听讲会 更加集 中注意力 . 学习效果 型位错 和螺型位错的直观玉米示意图。 较好 由图 1的玉米模 型学生们 很容易区分 刃型位错和螺型位错 . 刃型 位 错在滑移面上方多出一个 半原子面 . 螺型位错的位错线 附近为螺旋 3 面 缺 陷 讲 解 形 扭曲 引导学生利用柏氏矢量和位错线关系来判断位错类 型 . 如果 面缺陷是指在三维空间的两个方向上的尺寸很 ( 下转第 2 9 7页 )
晶体缺陷习题与答案
·晶体缺陷习题与答案1 解释以下基本概念肖脱基空位、弗仑克尔空位、刃型位错、螺型位错、混合位错、柏氏矢量、位错密度、位错的滑移、位错的攀移、弗兰克—瑞德源、派—纳力、单位位错、不全位错、堆垛层错、汤普森四面体、位错反应、扩展位错、表面能、界面能、对称倾侧晶界、重合位置点阵、共格界面、失配度、非共格界面、内吸附。
2 指出图中各段位错的性质,并说明刃型位错部分的多余半原子面。
3 如图,某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b 的位错环,并受到一均匀切应力τ。
(1)分析该位错环各段位错的结构类型。
(2)求各段位错线所受的力的大小及方向。
(3)在τ的作用下,该位错环将如何运动(4)在τ的作用下,若使此位错环在晶体中稳定不动,其最小半径应为多大4 面心立方晶体中,在(111)面上的单位位错]101[2a b =,在(111)面上分解为两个肖克莱不全位错,请写出该位错反应,并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出πγ242Gb s d ≈(G 切变模量,γ层错能)。
'5 已知单位位错]011[2a 能与肖克莱不全位错]112[6a相结合形成弗兰克不全位错,试说明:(1)新生成的弗兰克不全位错的柏氏矢量。
(2)判定此位错反应能否进行(3)这个位错为什么称固定位错6 判定下列位错反应能否进行若能进行,试在晶胞上作出矢量图。
(1)]001[]111[]111[22a aa →+ (2)]211[]112[]110[662a a a +→ (3)]111[]111[]112[263a a a →+7 试分析在(111)面上运动的柏氏矢量为]101[2a b 的螺位错受阻时,能否通过交滑移转移到(111),(111),(111)面中的某个面上继续运动为什么8 根据晶粒的位向差及其结构特点,晶界有哪些类型有何特点属性9 直接观察铝试样,在晶粒内部位错密度为5×1013/m 2,如果亚晶间的角度为5o,试估算界面上的位错间距(铝的晶格常数a=×10-10m)。
(NEW)陶杰《材料科学基础》笔记和典型题(含考研真题)详解
③ 高级晶族是指对称型中高次轴多于一个。 3.微观对称元素 微观对称元素是指微观特有的对称元素,主要有如下几种: (1)点阵沿着点阵中某一方向上任何两点的矢量进行平移,点阵可 以复原,则该方向的轴线称为平移轴 (2)晶体内部的相同部分绕一轴线周期转动,并且附以轴向平移可 以得到重复,改轴线称为螺旋轴。。 (3)滑移面是指晶体内部的相同部分沿平行于该面的直线方向平移 后再反演而会得到重复的面。 4.空间群 空间群是指把宏观对称元素的点群与微观对称元素的螺旋轴、滑移 面结合作为一部分,将其与平移再组合而形成的对称群。 六、极射投影 1.参考球和极射投影 (1)将一很小的晶体或晶胞置于一大圆球的中心,这个圆球称为参 考球。 (2)极射投影法是指一种由球面直角坐标系,即经纬网通过投影转 绘而成平面网的方法。 2.吴氏网 吴氏网是指球网坐标的极射赤面投影。 3.标准投影图 标准投影图是指以晶体的某个晶面平行于投影面作出全部主要晶面
目 录
第一部分 复习笔记 第1章 晶体学基础 第2章 固体材料的结构 第3章 固体中的扩散 第4章 凝 固 第5章 相 图 第6章 固态相变的基本原理 第7章 晶体缺陷 第8章 材料表面与界面 第9章 金属材料的变形与再结晶 第10章 非金属材料的应力-应变行为与变形机制
第二部分 典型例题 第三部分 名校考研真题
c.所选取单胞的体积要最小。 (2)点阵常数 点阵常数,又称晶格参数是指单胞的三个棱边长度a、b、c及其夹 角α、β、γ这6个点阵常数,或者说3个点阵矢量a、b、c。 2.七大晶系和14种布拉菲点阵
表1-1 七大晶系和14种布拉菲点阵
三、晶向指数与晶面指数 1.晶向指数的确定步骤 (1)以晶胞的某一阵点为原点,三个基矢为坐标轴,并以点阵基矢
《晶体缺陷》PPT课件
晶体中空位
4
原子作热振动,一定温度下原子热振动能量一定,呈统计分布, 在瞬间一些能量大的原子克服周围原子对它的束缚,迁移至别处, 形成空位。
空位形成引起点阵畸变,亦会割断键力,故空位形成需能量, 空位形成能(ΔEV)为形成一个空位所需能量。
5
6.1.1 空位的热力学分析
点缺陷是热力学稳定的缺陷:点缺陷与线、面缺陷的区别 之一是后者为热力学不稳定的缺陷。在一定温度下,晶体中
空位与位错
1、点缺陷 2、线缺陷
2.1 柏氏矢量 2.2 位错的运动 2.3 位错的应力场 2.4 位错的应变能 2.5 位错的受力 2.6 位错与晶体缺陷的相互作用 2.7 位错的萌生与增值 2.8 实际晶体中的位错组态 2.9 位错的观测
晶体缺陷--点缺陷
2
6.1 空位
空位和间隙原子经常是同时出现和同时存在的两类点缺 陷,如图
22
2.柏氏矢量b的物理意义
1) 表征位错线的性质 据b与位错线的取向关系可确定位错线性质,如图6-16
2)b表征了总畸变的积累 围绕一根位错线的柏氏回路任意扩大或移动,回路中
包含的点阵畸变量的总累和不变,因而由这种畸变 总量所确定的柏氏矢量也不改变。 3)b表征了位错强度 同一晶体中b大的位错具有严重的点阵畸变,能量高且 不稳定。 位错的许多性质,如位错的能量,应力场,位错受力 等,都与b有关。
10
6.1.4 空位对金属性能的影响
1.对电阻的影响 空位引起点阵畸变,使传导电子受到散射,产生附加电阻
2.对力学性能的影响
3.对高温蠕变的影响
6.1.5 空位小结
• 1、空位是热力学稳定的缺陷 2、不同金属空位形成能不同。 3、空位浓度与空位形成能、温度密切相关
材料科学基础_第7章_陶杰_主编_化学工业出版社
位错 Dislocations
Dislocations in Titanium alloy TEM 51450 x
线缺陷就是各种类型的位错。它 是指晶体中的原子发生了有规律的 错排现象。
其特点是原子发生错排的范围只 在一维方向上很大,是一个直径为
3~5个原子间距,长数百个原子间 距以上的管状原子畸变区。
平衡时自由能最小,即对T求导,即
(
F n
)T
0
则空位在T温度时的空位平衡浓度C为:
C
n N
exp
Sf k
exp
Ev kT
A
exp
Ev kT
其中, k为波尔兹曼常数(1.38x10-23 J/K或8.62x10-5 ev/K)
类似地,间隙原子平衡浓度C’ :
C' n' exp S'f exp E'v A'exp E'v
晶体缺陷的种类: 1 点缺陷(point defects):空位、间隙原子等
the defects that associate with one or two atomic positions
2 线缺陷(linear defects):位错 dislocation is a linear or one-dimensional defect around
材料科学基础
理想金属
BCC FCC HCP
规则排列
实际金属材料中,由于原子(分子或离子)的热运动、 晶体的形成条件、加工过程、杂质等因素的影响,使 得实际晶体中原子的排列不再规则、完整,存在各种 偏离理想结构的情况
晶体缺陷 defects or imperfections
材料科学基础4-7讲 晶格缺陷
1
晶体缺陷提出的起因
20世纪30年代,W.Schottky为了解释用 离子晶体的电介电导率问题,提出了晶体中 可能由于热起伏而产生间隙和空位而且发现 食盐的电介电导率与这些缺陷的数目有关。 随后,Taylor、Polanyi和Orowan为了解决晶 体屈服的实验数值与理论计算值之间的巨大 差别,三人几乎同时引入位错这一晶体缺陷。 晶体缺陷是现代金属强度的微观理论基础。
面缺陷 (plane defect) 在一个方向上尺寸很小
二维缺陷 (two-dimensional defect)
6
点缺陷
• 点缺陷:空位、间隙原子、溶质原子、和杂质原子、 +复合体(如:空位对、空位-溶质原子对)
点缺陷的形成 (The production of point defects)
(1)热运动:强度是温度的函数 能量起伏=〉原子脱离原来的平衡位臵而迁移别处 Schottky 空位,-〉晶体表面 =〉空位(vacancy) Frenkel 空位,-〉晶体间隙 (2)冷加工 (3)辐照
* 畸变区是狭长的管道, 故位错可看成是线缺陷。
22
23
刃型位错 edge dislocation
空能谷旁边的原子由 于热起伏而跳入空能谷, 其它部分原子位置稍作 调整就相当于位错移动 了1个原子间距b。如果 外加1个切应力,位垒曲 线对于位错中心就不对 称,从而更有利于原子 定向跳入空能谷,这样, 位错在滑移面上容易运 动就不难理解了。 小宝移大毯!
3
位错理论的研究历史
1907年意大利数学家沃尔泰拉(V. Volterra)提出了弹性体连续介质中线缺 陷的概念和模型,但并未引入到晶体中。 1934年英国人G. I. Taylor、德国人E. Orowan和M. Polanyi提出晶体中的位 错模型。 1939年荷兰的J. M. Burgers建立了确定伯氏矢量的方法。 1947年R. W. Cahn将他发现的并由他的导师E. Orowan命名的“多边形化 过程”称为第一次用实验演示了位错的存在。 1953年Vogel 等在锗晶体中用浸蚀坑法展示了小角度亚晶界的分布,确 定了位错密度与两晶粒间取向差的关系。 1956年W. C. Dash报道用铜揭示了硅中的弗兰克-里德(Frank-Read)位错源 (红外线法)。 1956年P. Hirsch于在剑桥大学Cavendish实验室的决定性工作是用透射电 1956—1962年A. Seeger、J. Lothe和J. P. Hirth等在研究了弯结的形核和生 长镜在变形的铝薄膜中直接观察到位错线。
材料科学基础晶体结构缺陷课后答案
3-1纯金属晶体中主要点缺陷类型有肖脱基空位和弗兰克空位,还有和弗兰克空位等量的间隙原子。
点缺陷附近金属晶格发生畸变,由此会引起金属的电阻增加,体积膨胀,密度减小;同时可以加速扩散,过饱和点缺陷还可以提高金属的屈服强度。
3-2答:在一定的温度下总是存在一定浓度的空位,这是热力学平衡条件所要求的,这种空位浓度为空位平衡浓度。
影响空位浓度的主要因素有空位形成能和温度。
3-3解:由exp(/)E V C A E kT =-138502201exp(/)111051000exp[()] 6.9510exp(/)29311238.31E V E V C A E kT C A E kT -⨯==-⨯=⨯- 3-4解:6002300112exp(/)11exp[()]exp(/)E V V E V C A E kT E C A E kT kT kT -==-⨯- 56600300121111ln/()8.61710(ln10)/() 1.98573873E V E C E eV C kT kT -=-=⨯⨯-=或190kJ/mol 3-5解:exp(/)e V C A E kT =-exp(/)i i C A E kT '=-由题设,A A '=,0.76, 3.0v i E eV E eV ==, 所以当T=293K 时538exp(/)exp()/exp[(3.00.76)/(8.61710293)] 3.3910exp(/)e V i V i i C A E kT E E kT C A E kT --==-=-⨯⨯=⨯'-当T=773K 时514exp(/)exp()/exp[(3.00.76)/(8.61710773)] 4.0210exp(/)e V i V i i C A E kT E E kT C A E kT --==-=-⨯⨯=⨯'-3-6答:1为左螺旋位错,2为负刃型位错,3为右螺旋位错,4为正刃型位错。
东南大学材料科学基础-第7章晶体缺陷讲义
7.2 位错的基本知识
假定t是x的正弦函数:
2x t t m sin( ) a
其中tm对应正弦函数的振幅,a是周期。
tm估计:
一方面,考虑位移很小(x<<a)的情况:
2x t tm a
另一方面,形变很小时,应力和应变满足虎克定律,即:
t = Gg = Gx/b
G为切变模量,g为切应变。
7.2 位错的基本知识
以上的位错称为正刃型位错,用“┻”表示正,反之为负刃
型位错,用“┳”表示;(正负是相对的还是绝对的?)
点阵发生畸变,产生压缩和膨胀,形成应力场,随着远离
中心而减弱;(何处发生压缩?何处发生膨胀?) 位错是狭长型的,是线缺陷; 每根位错的滑移面唯一确定。
7.2 位错的基本知识
考虑一下,还 可以采用什么 方式构造出一 个刃型位错?
短程性),计算出的τ m仍有约G/30,与实验值相差依然很大。
7.2 位错的基本知识
1934年M.Polanyi,E.Orowan和G.Taylor差不多同时提出了 位错的局部滑移理论:
此后一段时间内由于缺乏实验手段验证,存在争议。 1956 年门特 (J.W.Menter) 用电子显微镜 (TEM) 直接观察到铂 钛花青晶体中的位错。
7.1 点缺陷(Point Defect)
( N n)! W N !n! ( N n)! SC k ln Ω N !n!
由于 (N+n)!/(N!n!) 中各项的数目都很大 (N>>n>>1) ,可用斯 特林(Stirling)近似公式lnx!=xlnx-x (x>>1时)将上式简化:
材 料 科 学 基 础
薛 烽
晶体结构缺陷材料科学基础课件
(一)、刃位错
形成及定义(图3-11) :
晶体在大于屈服值的切应力作用下,以ABCD面
为滑移面发生滑移。EF是晶体已滑移部分和未滑移 部分的交线,犹如砍入晶体的一把刀的刀刃,即刃 位错(或棱位错)。
几何特征:位错线与原子滑移方向相垂直;滑移面上 部位错线周围原子受压应力作用,原子间距小于正 常晶格间距;滑移面下部位错线周围原子受张应力 作用,原子间距大于正常晶格间距。
(5)自由电子及电子空穴:
有些情况下,价电子并不一定属于某个特定位置的原子,在 光、电、热的作用下可以在晶体中运动,原固定位置称次自 由电子(符号e/ )。同样可以出现缺少电子,而出现电子空 穴(符号h. ),它也不属于某个特定的原子位置。
第11页/共93页
(6)带电缺陷
不同价离子之间取代如Ca2+取代Na+——Ca
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2 书写点缺陷反应式的规则 (1)位置关系: 对于计量化合物(如NaCl、Al2O3),在缺陷反应式中
作为溶剂的晶体所提供的位置比例应保持不变,但每类位置 总数可以改变。
例:
CaCl2 (s) KClCaK• VK 2ClCl
K : Cl = 2 : 2
对于非化学计量化合物,当存在气氛不同时,原子之间的比 例是改变的。
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把离子化合物看作完全由离子构成(这里不考虑化学
键性质),则在 NaCl晶体中,如果取走一个Na+ 晶格中 多了一个e, 因此VNa 必然和这个e/相联系,形成带电的空 位——
VNa
写作 VNa e VNa
同样,如果取出一个Cl- ,即相当于取走一个Cl原子加 一个e,那么氯空位上就留下一个电子空穴(h. )即
《材料科学基础》教学中的晶体缺陷
《材料科学基础》教学中的晶体缺陷作者:徐香刘清芝代辉王强来源:《教育教学论坛》2015年第40期摘要:晶体缺陷是材料科学基础课中的重点和难点。
本章节内容比较抽象复杂,属于比较难理解和掌握的章节。
如何讲好讲清楚本章内容,使学生理解起来更容易、掌握起来更透彻,笔者就自身的课堂教学及具体知识点从多媒体教学的直观优势、将抽象概念与实际晶体相联系、加强师生间的互动及不可摒弃的板书四个方面进行了探讨。
关键词:晶体缺陷;多媒体教学;互动;教学体会中图分类号:G642.0 文献标志码:A 文章编号:1674-9324(2015)40-0223-02《材料科学基础》是高等学校材料化学相关专业的一门重要的专业基础课,主要研究材料的微观结构、微观过程,使学生掌握研究材料微观的方法,建立微观和宏观特性与性能间的联系及对应关系,并掌握材料成分、结构与性能之间的关系及其变化规律。
本课程是多学科知识的交叉与渗透,为后续专业课学习的基础,同时也是学生将来从事材料研究的理论基础。
“晶体缺陷”与前面章节“晶体结构”紧密相连,同时也是后续章节“材料的形变与再结晶”学习的基础,在《材料科学基础》课程内容中起到承上启下的作用。
此外,由于本章节涉及到晶体的内部微观,内容相对来说比较抽象,是历届学生反映最难理解掌握的章节。
如何清楚讲解该部分内容,使学生理解起来更容易、掌握起来更透彻,笔者就自身的课堂教学及具体知识点的讲解谈一些切身体会。
一、充分利用多媒体教学多媒体教学是目前比较普遍和先进的教学手段。
利用多媒体进行材料科学基础的教学,能够优化教学过程。
由于内容可以丰富多彩,多媒体教学也能从一定程度上激发学生的学习兴趣,从而充分调动了学生的积极性,并能提高教学质量。
多媒体教学具有非常好的直观优势,可以在很大程度上弥补学生在学习晶体缺陷时三维空间想象力的不足。
材料科学基础中,对晶体缺陷的定义是“在实际材料的微观结构中原子的排列或多或少地存在离开理想的区域,出现不完整性,通常把这种偏离完整性的区域称为晶体缺陷”。
(整理)材料科学基础——晶体缺陷下专业课
一、单选题(共 7 小题,每题 5 分)1、面心立方结构,柏氏矢量为a/2<110>,则数量为?DA、3B、4C、5D、62、由于位错的能力(C )于位错的柏氏矢量b2,因此有:Σ|b前|?=|Σb后|?。
A、大B、小C、正比D、反比3、简单立方结构,柏氏矢量为a<100>,则数量为?CA、1B、2C、3D、44、抽出型层错有几层?AA、1B、2C、3D、45、如果有溶质原子存在,那么材料的强度往往都会(C )。
A、减小B、不变C、增加D、无规律6、肖克莱位错的柏氏矢量(A )于层位错。
A、平行B、垂直C、斜交D、以上都不对7、刚球受力各项同性,那么它的畸变是(A )。
A、球面对称B、球面不对称C、体对称D、体不对称二、多选题(共 6 小题,每题 5 分)1、下列哪项的位错类型包括刃、螺、混?ABA、全位错B、肖克莱位错C、弗兰克位错D、层位错2、下列哪项为本节课题内容?ABCA、位错滑移的动力B、位错滑移的点阵阻力C、位错的线张力D、位错概念的产生3、以下哪项是科垂耳简化模型的假定?ACDA、晶体为连续弹性介质B、晶体存在点阵缺陷C、溶质原子为刚球D、溶质原子所引起的畸变是球面对称的4、在生长及冷却过程中,由于以下哪项将导致局部应力集中,从而导致位错产生?ABCA、温度梯度B、成分不均C、晶体结构变化D、晶体间隙5、塞积群的长度()于n,反比于t。
ADA、正比B、反比C、bD、t6、若()和()允许,溶质原子和位错将向位错附近聚集。
ACA、时间B、空间C、温度D、滑移力三、判断题(共 7 小题,每题 5 分)1、一般来讲,材料当中有微裂纹材料就会扩张。
对错2、形成堆垛层错后,仅仅改变原子间的此紧邻关系。
对错3、科垂耳气团使位错的运动受到限制。
对错4、如果堆垛层错不是发生在整个晶面上,二三终止在晶体内部,则层错与完整晶体的交界处就存在柏氏矢量b不等于点阵矢量的不全位错。
对错5、弗兰克不全位错能够通过点缺陷的运动沿层错面进行攀移。
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§7.1 点缺陷
三、点缺陷对材料性能的影响
无论那种点缺陷的存在,都会使其附近的原子稍微偏离原结点位置才能 平衡,即造成小区域的晶格畸变。点缺陷引起晶格畸变,能量升高,结构不 影响: 稳定,易发生转变。
(1)提高材料的电阻:定向流动的电子在点缺陷处受到非平衡力,增加了阻力,加 速运动提高局部温度(发热)。如铜中每增加1%的空位,电阻率约增1.5μΩcm。 (2)使晶体体积膨胀,密度减小。如肖脱基空位。假设一个空位形成后体积将增加 v,v为原子体积,n个空位形成后,晶体体积增加V=nv,由此而将引起密度的减小。 (3)加快原子的扩散迁移。 空位可作为原子运动的周转站。 (4)形成其他晶体缺陷 过饱和的空位可集中形成内部的空洞,集中一片的塌陷形 成位错。 (5)改变材料的力学性能 空位移动到位错处可造成刃位错的攀移,间隙原子和异 类原子的存在会增加位错的运动阻力。会使强度提高,塑性下降。 (6)空位对金属的许多过程有着影响,特别是对高温下进行的过程起着重要的作用。 显然,这与高温时空位的平衡浓度急剧增高有关。诸如金属的扩散、高温塑性变形 的断裂、退火、沉淀、表面化学热处理、表面氧化、烧结等过程都与空位的存在和 运动有着密切的联系。
(3)置换原子:位于晶体点阵位置的异类原子。
空位与间隙原子的形成与温度有关,随着温 度的升高,空位或间隙原子的数目也增多。因此, 点缺陷又称为热缺陷。
11
§7.1 点缺陷
二、点缺陷的类型
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§7.1 点缺陷
三、点缺陷的产生及其运动
(1)点缺陷的产生 a) 热平衡点缺陷:热振动中的能量起伏促使原子脱 离点阵位置而形成了点缺陷。
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§7.1 点缺陷
二、点缺陷的平衡浓度
( N n)! SC k ln Ω k ln 所以,晶体组态熵增加为: N !n!
由于 (N+n)!/(N!n!) 中各项的数目都很大 (N>>n>>1),可用斯特 林近似公式lnx!=xlnx-x (x>>1时)将上式简化为:
Sc k[(N n) ln(N n) N ln N n ln n]
二、点缺陷的平衡浓度 F 0 在平衡态,自由能应为最小,即: n T
N n E f kT ln TS v 0 n
可得空位平衡浓度:
E f kT [( N n) ln( N n) N ln N n ln n] TSv n
如 果 将 上 式 中 指 数 的 分 子 分 母 同 乘 以 阿 伏 加 德 罗 常 数 NA (6.023×1023)则, C = Aexp(-NAEv/kNAT) = Aexp(-Qf/RT)
式中,Qf=N0Ef为形成空位的激活能,即形成1mol空位所需作的功,
R为气体常数(8.31J/mol)。 按照类似的方法,也可求得间隙原子的平衡浓度: n' C' A' exp[ E f ' / kT ] N' 上面的公式表明: 在一定温度下,存在一个平衡空位浓度,此时晶体的自由焓最小, 因而最稳定。 平衡浓度随温度升高而呈指数地急剧增加。
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§7.1 点缺陷
五、杂质缺陷
外来原子进入主晶格(即原有晶体点阵)而产生的结 构为杂质缺陷。
点缺陷杂质原子无论进入晶格间隙的位置或取代主晶 格原子,都必须在晶格中随机分布,不形成特定的结 构。杂质原子在主晶格中的分布可以比喻成溶质在溶 剂中的分散,称之为固溶体。 晶体的杂质缺陷浓度仅取决于加入到晶体中的杂质含 量,而与温度无关,这是杂质缺陷形成(非本征缺陷) 与热缺陷形成(本征缺陷)的重要区别。
b) 过饱和点缺陷:外来作用(如高温淬火、高能粒 子辐照、冷加工变形)使得点缺陷数量超过其平衡浓度。
空位形成引起点阵畸变,亦会割断键力,故空位形 成需能量。 空位形成能(Δ Ef):形成一个空位所需能量。
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§7.1 点缺陷
三、点缺陷的产生及其运动 (2)点缺陷的运动
a:热激活,原子跳跃到空位上。 b:热运动,间隙原子迁移到另一个间隙位置。 也可以迁移到另一个空位,使两者消失,称为复位。 C:能量起伏,产生新空位和间隙原子。 晶体中的原子正是由于空位和间隙原子不断的产生与复合,才 导致原子不停的由一处向另一处做无规则的布朗运动,这是扩散、 固态相变、表面处理、蠕变、烧结等物理化学的基础。
4
晶体结构缺陷
§7.1 点缺陷 §7.2 线缺陷 §7.3 面缺陷 §7.4 体缺陷
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本章要求掌握的主要内容
一.需掌握的概念和术语 1、点缺陷、Schottky空位、Frankel空位、间隙原子、置换原子 2、线缺陷、刃型位错、螺型位错、混合型位错、柏氏矢量、位错 运动、滑移、(双)交滑移、多滑移、攀移、交割、割价、扭折、塞 积;位错应力场、应变能、线张力、作用在位错上的力、位错密度、 位错源、位错生成、位错增殖、位错分解与合成、位错反应、全位 错、不全位错、堆垛层错 3、关于位错的应力场、位错的应变能、线张力等可作为一般了解 二.本章重点及难点 1、点缺陷的平衡浓度公式 2、位错类型的判断及其特征、柏氏矢量的特征 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、交割 4、关于位错的应力场、位错的应变能、线张力等可作为一般了解 5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
Cu 0.15
Pt 0.10
Al 0.12
W 0.3
15
迁移能 0.14 -19 (×10 J)
§7.1 点缺陷
四、热缺陷的类型
按照离开平衡位置原子进入晶格内的不同位置,热缺陷可分为 两类: 1.肖特基缺陷 离开平衡位置的原子迁移至晶体表面的正常格点位置,而晶体 内仅留有空位,晶体中形成了肖特基缺陷。晶体表面增加了新的原 子层,晶体内部只有空位缺陷。肖特基缺陷的特点晶体体积膨胀, 密度下降。 2.弗伦克尔缺陷 离开平衡位置的原子进入晶格的间隙位置,晶体中形成了弗伦 克尔缺陷。弗伦克尔缺陷的特点是空位和间隙原子同时出现,晶体 体积不发生变化,晶体不会因为出现空位而产生密度变化。
空位缺陷
间隙原子
小置换原子
大置换原子
§7.1 点缺陷
一、点缺陷的定义及分类
定义:是结点上或临近的微观区域内偏离晶体结构正常排列 的一种缺陷。 类型:空位、间隙原子、杂质或溶质原子以及它们组成的复 杂点缺陷(如:空位对、空位团、空位-溶质原子对)。
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§7.1 点缺陷
二、点缺陷的类型
(1)空位:在任何瞬间,总有一些原子的能量大到足以克服周围原子对它的 束缚,可能摆脱原来的平衡位置而迁移到别处,结果在原来晶格结点的位置 上出现了空结点,即空位。 a)肖脱基空位-离位原子进入其它空位或迁移至晶界或表面。 b)弗兰克尔空位-离位原子进入晶体点阵的间隙。 c) 原子跑到其它空位。 d)晶体表面原子可能跑到晶体内部的间隙位置. (2)间隙原子:位于晶体点阵间隙的原子。
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①晶体缺陷的定义
理想晶体所有质点都在自己的结点位臵,质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体与理想的点阵结构发生偏离(位臵、组成),存在着各种各样的结构的不完整性。
晶体缺陷:实际晶体中偏离理想点阵结构的区域。
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②晶体缺陷的分类
按 缺 陷 的 几 何 形 态 按 缺 陷 产 生 的 原 因
点缺陷(零维缺陷)--原子尺度的偏离 例:空位、间隙原子、杂质原子 线缺陷(一维缺陷)--原子行列的偏离 例:位错 面缺陷(二维缺陷)--表面、界面处原子排列混乱 例:表面、晶界、相界、层错、镶嵌结构等 体缺陷(三维缺陷)--局部的三维空间偏离理想晶体的周期性 例:异相夹杂物、孔洞、亚结构等 热缺陷(本征缺陷)-----由热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷。 缺陷浓度与温度有关。 杂质缺陷(组成缺陷)-----由外加杂质的引入所产生的缺陷。 缺陷浓度主要与掺杂量、固溶度有关。 非化学计量缺陷(非整比化合物) -----指组成上偏离化学中的定比定律 所形成的缺陷。缺陷浓度主要与气氛性质、压力有关。 其它原因:电荷缺陷,辐照缺陷等
第7章 晶体缺陷
第7章 晶体缺陷
维纳斯‚无臂‛ 之美更深入人心
处处留心皆学问
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晶体缺陷赋予材料丰富内容
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一、晶体中的缺陷
晶体结构特点是长程有序。 构成物体的原子、离子或分子等完全按照空间点阵规 则排列的,将此晶体称为理想晶体。 在实际晶体中,原子的排列不可能这样规则和完整, 而是或多或少地存在着偏离理想结构的区域,出现了 不完整性。 通常把实际晶体中偏离理想点阵结构的区域称为晶体 缺陷。
N0 Cu 6.023 1023 8.96 106 28 N 8.49 10 M Cu 63.54m3
1)将N代入空位平衡浓度公式,计算空位数目nv
EV 1.44 1019 28 nv N exp 8.49 10 exp kT 1.38 1023 773 8.49 1028 e13.5 8.49 1028 1.37 106 1.2 1023 / m3 19 2)计算空位浓度 C nv exp 1.44 10 13.5 6 e 1.4 10 V N 1.38 1023 773
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§7.1 点缺陷
二、点缺陷的平衡浓度 例:Cu晶体的空位形成能Ef=1.44x10-19J/atom, 系数A=1,玻尔兹曼常数k=1.38x10-23J/k。 计算:
1)在500℃以下,每立方米Cu中的空位数字? 2)500℃下的平衡空位浓度?
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解:首先确定1m3体积内Cu原子的总数(已知Cu的摩尔质量为MCu= 63.54g/mol,500℃下Cu的密度ρ Cu=8.96×106g/m3
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§7.1 点缺陷