【新版】FOSAN富信科技MOS管FX FS2300M产品规格书

安徽富信半導體科技有限公司

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD

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FS2300M=2300

FS2300M

SOT-23場效應晶體管(SOT-23Field Effect Transistors)

N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs N 沟道增强型MOS 场效应管

■MAXIMUM

RATINGS 最大額定值

■DEVICE

MARKING

打標

Characteristic 特性參數

Symbol 符號Max 最大值Unit 單位Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓BV DSS 20V Gate-Source Voltage 栅極-源極電壓

V GS +12V Drain Current (continuous)漏極電流-連續I D 6A Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲

I DM 20A Total Device Dissipation 總耗散功率

T A =25℃環境溫度爲25℃P D

1400

mW

Junction 結溫

T J 150℃Storage Temperature 儲存溫度

T stg

-55to+150

℃

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD FS2300M

■ELECTRICAL CHARACTERISTICS電特性

(T A=25℃unless otherwise noted如無特殊說明，溫度爲25℃)

Characteristic 特性參數Symbol

符號

Min

最小值

Typ

典型值

Max

最大值

Unit

單位

Drain-Source Breakdown Voltage

漏極-源極擊穿電壓(I D=250uA,V GS=0V)

BV DSS2022—V Gate Threshold Voltage

栅極開启電壓(I D=250uA,V GS=V DS)

V GS(th)0.4— 1.2V Diode Forward Voltage Drop

内附二極管正向壓降(I S=0.75A,V GS=0V)

V SD—— 1.5V

Zero Gate Voltage Drain Current

零栅壓漏極電流(V GS=0V,V DS=16V) (V GS=0V,V DS=16V,T A=55℃)I DSS——1

10

u A

Gate Body Leakage

栅極漏電流(V GS=+8V,V DS=0V)

I GSS——+100n A

Static Drain-Source On-State Resistance

静态漏源導通電阻(I D=5A,V GS=4.5V)

R DS(ON)—2325mΩStatic Drain-Source On-State Resistance

静态漏源導通電阻(I D=2A,V GS=2.5V)

R DS(ON)—3235mΩStatic Drain-Source On-State Resistance

静态漏源導通電阻(I D=1A,V GS=1.8V)

R DS(ON)—4550mΩ

Input Capacitance輸入電容

(V GS=0V,V DS=10V,f=1MHz)

C ISS—650—pF Output Capacitance輸出電容

(V GS=0V,V DS=10V,f=1MHz)C OSS—120—pF Turn-ON Time开启時間(V DS=

10V,I D=3A,R GEN=6Ω)

t(on)—20—ns

Turn-OFF Time关断時間

(V DS=10V,I D=3A,R GEN=6Ω)t(off)—60—ns Pulse Width<300μs;Duty Cycle<2.0%

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD FS2300M

■DIMENSION外形封裝尺寸

單位(UNIT)：mm