FOSAN富信电子 三极管 2SC945-产品规格书
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安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
2SC945
TO-92Bipolar Transistor双极型三极管
▉Features特点
NPN General Purpose通用
▉Absolute Maximum Ratings最大额定值
Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位
Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO60V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO50V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO5V Collector Current集电极电流I C150mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)400mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA313℃/W
Junction and Storage Temperature
T J,T stg-55to+150℃
结温和储藏温度
■Device Rank产品分档
Rank档位O Y GR BL
H FE Range70-140120-240200-400350-700
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
2SC945
■Electrical
Characteristics 电特性
(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic 特性参数
Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage 集电极基极击穿电压(I C =100uA ，I E =0)
BV CBO
60
—
—
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =1mA ，I B =0)
BV CEO 50——V
Emitter-Base Breakdown V oltage 发射极基极击穿电压(I E =100uA ，I C =0)
BV EBO 5——V
Collector-Base Leakage Current 集电极基极漏电流(V CB =60V ，I E =0)
I CBO ——100nA Emitter-Base Leakage Current 发射极基极漏电流(V EB =5V ，I C =0)I EBO
—
—
100
nA
DC Current Gain 直流电流增益
(V CE =6V ，I C =1mA)
H FE 70—700
Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =100mA ，I B =10mA)
V CE(sat)——0.3V
Base-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =100mA ，I B =10mA)V BE(sat)——1V Transition Frequency 特征频率
(V CE =6V ，I C =10mA)f T
200——MH Z Noise Figure 噪声系数
(V CE =6V ，I C =0.1mA,f=1KH Z )NF
—
—
10
dB
Output Capacitance 输出电容
(V CB =10V ，I E =0,f=1MH Z )
C ob
——3pF
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
2SC945■Typical Characteristic Curve典型特性曲线
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2SC945■Dimension外形封装尺寸。