升压斩波电路设计..
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电力电子技术课程设计报告题目:升压斩波电路设计
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完成日期:
升压斩波电路设计(一) 设计任务书
(二)设计说明书
目录一matlab仿真原理
1 升压斩波电路工作原理
1.1主电路工作原理
1.2 IGBT驱动电路选择
2 仿真实验
2.1仿真模型
2.2仿真实验结果及分析
2.3仿真实验结论
2.4 最优参数选择
二硬件实验
2.1 硬件电路
2.1.1整流电路
2.1.2斩波信号产生电路
2.1.3斩波电路
2.1.4总原理图
2.1.5元器件列表
2.2 PCB印刷电路板
2.3 制造输出——final
三课程设计总结
参考文献
摘要
本设计是基于SG3525芯片为核心控制的PWM升压斩波电路(Boost chopper).设计由Matlab仿真和Protel两大部分构成。Matlab主要是理论分析,借助其强大的数学计算和仿真功能可也很直观的看到PWM控制输出电压的曲线图。通过设置参数分析输出与电路参数和控制量的关系,最后进行了GUI编程,利用图形可视化界面的直观易懂的特点,使设计摒弃了繁琐难懂的单一波形和控制方式,从而具有友好界面,非常方便的就可进行控制参数输入,和输出图像显示。第二部分是电路板,它可以通过BluePrint、Kicad 、Protel等软件设计完成,其中Protel原理图设计系统以其分层次的设计环境,强大的元件及元件库的组织功能,方便易用的连线工具,强大的编辑功能设计检验,与印制电路板设计系统的紧密连接,自定义原理图模板高质量的输出等等优点,和丰富的设计法则,易用的编辑环境,轻松的交互性手动布线,简便的封装形式的编辑及组织,高智能的基于形状的自定布线功能,万无一失的设计检验等印制电路板设计系统的优点,使其在我们学生选用PCB电路板设计软件中占了绝大部分比重。本设计也采用Protel设计原理图,和进行PCB板布线。它是本设计从理论到实际制作的必进途径,通过设定相应的规则,足以满足设计所要求的规定。
关键字升压斩波; SG3525;SIMULINK ; PWM;Protel
引 言
直流斩波电路作为将直流电变成另一种固定电压或可调电压的 DC-DC 变换器 ,在直流传动系统、充电蓄电电路、开关电源、电力电子变换装置及各种用电设备中得到普通的应用.随之出现了诸如降压斩波电路、升压斩波电路、升降压斩波电路、复合斩波电路等多种方式的变换电路 . 直流斩波技术已被广泛用于开关电源及直流电动机驱动中,使其控制获得加速平稳、快速响应、节约电能的效果。全控型电力电子器件IGBT 在牵引电传动电能传输与变换、有源滤波等领域得到了广泛的应用。但以 IGBT 为功率器件的直流斩波电路在实际应用中需要注意以下问题:(1)系统损耗的问; (2)栅极电阻;(3)驱动电路实现过流过压保护的问题。
一 matlab 仿真原理 1. 升压斩波工作原理
1.1 主电路工作原理
假设L 值、C 值很大,V 通时,E 向L 充电,充电电流恒为I1,同时C 的电压向负载供电,因C 值很大,输出电压u o 为恒值,记为U o 。设V 通的时间为ton ,此阶段L 上积蓄的能量为E I 1t o n
V 断时,E 和L 共同向C 充电并向负载R 供电。设V 断的时间为t off ,则此期间电感L 释放能量为
稳态时,一个周期T 中L 积蓄能量与释放能量相等 (1-1) 化简得:
(1-2)
1/≥off t T ,输出电压高于电源电压,故称升压斩波电路。也称之为boost chooper 变换器。
off t T /——升压比,调节其即可改变U o
。将升压比的倒数记作β,即T
t off =
β。
和导通
占空比,有如下关系:
1
=+βα
(1-3)
因此,式(1-2)可表示为
(1-4)
()off
o on t I E U t EI 11-=E t T E t t t U off
off
off
on o =
+=
( ) off o t I E U 1
- E E U o =
=
1
1
升压斩波电路能使输出电压高于电源电压的原因:
① L储能之后具有使电压泵升的作用
②电容C可将输出电压保持住
1.2 IGBT驱动电路选择
IGBT的门极驱动条件密切地关系到他的静态和动态特性。门极电路的正偏压u GS、负偏压-u GS 和门极电阻RG的大小,对IGBT的通态电压、开关、开关损耗、承受短路能力及du/dt电流等参数有不同程度的影响。其中门极正电压u GS的变化对IGBT的开通特性,负载短路能力和du GS/dt电流有较大的影响,而门极负偏压对关断特性的影响较大。同时,门极电路设计中也必须注意开通特性,负载短路能力和由du GS/dt电流引起的误触发等问题。根据上述分析,对IGBT驱动电路提出以下要求和条件:
(1)由于是容性输出输出阻抗;因此IBGT对门极电荷集聚很敏感,驱动电路必须可靠,要保证有一条低阻抗的放电回路。
(2)用低内阻的驱动源对门极电容充放电,以保证门及控制电压u GS有足够陡峭的前、后沿,使IGBT的开关损耗尽量小。另外,IGBT开通后,门极驱动源应提供足够的功率,使IGBT不至退出饱和而损坏。
(3)门极电路中的正偏压应为+12~+15V;负偏压应为-2V~-10V。
(4)IGBT 驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响,RG较大,有利于抑制IGBT 的电流上升率及电压上升率,但会增加IGBT 的开关时间和开关损耗;RG较小,会引起电流上升率增大,使IGBT 误导通或损坏。RG的具体数据与驱动电路的结构及IGBT 的容量有关,一般在几欧~几十欧,小容量的IGBT 其RG值较大。
(5)驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IGBT 的自保护功能。IGBT 的控制、驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配,另外,在未采取适当的防静电措施情况下,IGBT的G~E极之间不能为开路。
IGBT驱动电路分类驱动电路分为:分立插脚式元件的驱动电路;光耦驱动电路;厚膜驱动电路;专用集成块驱动电路。本文设计的电路采用的是专用集成块驱动电路。
IGBT驱动电路分析随着微处理技术的发展(包括处理器、系统结构和存储器件),数字信号处理器以其优越的性能在交流调速、运动控制领域得到了广泛的应用。一般数字信号处理器构成的控制系统,IGBT驱动信号由处理器集成的PWM模块产生的。而PWM接口驱动能力及其与IGBT的接口电路的设计直接影响到系统工作的可靠性。因此本文采用SG3525设计出了一种可靠的IGBT驱动方案。