升压斩波电路设计..

电力电子技术课程设计报告题目：升压斩波电路设计学院：专业：学号：姓名：指导教师：完成日期：升压斩波电路设计(一) 设计任务书（二）设计说明书目录一matlab仿真原理1 升压斩波电路工作原理1.1主电路工作原理1.2 IGBT驱动电路选择2 仿真实验2.1仿真模型2.2仿真实验结果及分析2.3仿真实验结论2.4 最优参数选择二硬件实验2.1 硬件电路2.1.1整流电路2.1.2斩波信号产生电路2.1.3斩波电路2.1.4总原理图2.1.5元器件列表2.2 PCB印刷电路板2.3 制造输出——final三课程设计总结参考文献摘要本设计是基于SG3525芯片为核心控制的PWM升压斩波电路（Boost chopper）.设计由Matlab仿真和Protel两大部分构成。

Matlab主要是理论分析，借助其强大的数学计算和仿真功能可也很直观的看到PWM控制输出电压的曲线图。

通过设置参数分析输出与电路参数和控制量的关系，最后进行了GUI编程，利用图形可视化界面的直观易懂的特点，使设计摒弃了繁琐难懂的单一波形和控制方式，从而具有友好界面，非常方便的就可进行控制参数输入，和输出图像显示。

第二部分是电路板，它可以通过BluePrint、Kicad 、Protel等软件设计完成，其中Protel原理图设计系统以其分层次的设计环境，强大的元件及元件库的组织功能，方便易用的连线工具，强大的编辑功能设计检验，与印制电路板设计系统的紧密连接，自定义原理图模板高质量的输出等等优点，和丰富的设计法则，易用的编辑环境，轻松的交互性手动布线，简便的封装形式的编辑及组织，高智能的基于形状的自定布线功能，万无一失的设计检验等印制电路板设计系统的优点，使其在我们学生选用PCB电路板设计软件中占了绝大部分比重。

本设计也采用Protel设计原理图，和进行PCB板布线。

它是本设计从理论到实际制作的必进途径，通过设定相应的规则，足以满足设计所要求的规定。

关键字升压斩波; SG3525;SIMULINK ; PWM;Protel引 言直流斩波电路作为将直流电变成另一种固定电压或可调电压的 DC-DC 变换器 ,在直流传动系统、充电蓄电电路、开关电源、电力电子变换装置及各种用电设备中得到普通的应用.随之出现了诸如降压斩波电路、升压斩波电路、升降压斩波电路、复合斩波电路等多种方式的变换电路 . 直流斩波技术已被广泛用于开关电源及直流电动机驱动中，使其控制获得加速平稳、快速响应、节约电能的效果。

全控型电力电子器件IGBT 在牵引电传动电能传输与变换、有源滤波等领域得到了广泛的应用。

但以 IGBT 为功率器件的直流斩波电路在实际应用中需要注意以下问题:（1）系统损耗的问； （2）栅极电阻；（3）驱动电路实现过流过压保护的问题。

一 matlab 仿真原理 1. 升压斩波工作原理1.1 主电路工作原理假设L 值、C 值很大，V 通时，E 向L 充电，充电电流恒为I1，同时C 的电压向负载供电，因C 值很大，输出电压u o 为恒值,记为U o 。

设V 通的时间为ton ，此阶段L 上积蓄的能量为E I 1t o nV 断时，E 和L 共同向C 充电并向负载R 供电。

设V 断的时间为t off ，则此期间电感L 释放能量为稳态时，一个周期T 中L 积蓄能量与释放能量相等 （1-1） 化简得：（1-2）1/≥off t T ，输出电压高于电源电压，故称升压斩波电路。

也称之为boost chooper 变换器。

off t T /——升压比，调节其即可改变U o。

将升压比的倒数记作β，即Tt off =β。

和导通占空比，有如下关系：1=+βα（1-3）因此，式（1-2）可表示为（1-4）()offo on t I E U t EI 11-=E t T E t t t U offoffoffon o =+=( ) off o t I E U 1- E E U o ==11升压斩波电路能使输出电压高于电源电压的原因：① L储能之后具有使电压泵升的作用②电容C可将输出电压保持住1.2 IGBT驱动电路选择IGBT的门极驱动条件密切地关系到他的静态和动态特性。

门极电路的正偏压u GS、负偏压-u GS 和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态电压、开关、开关损耗、承受短路能力及du/dt电流等参数有不同程度的影响。

其中门极正电压u GS的变化对IGBT的开通特性，负载短路能力和du GS/dt电流有较大的影响，而门极负偏压对关断特性的影响较大。

同时，门极电路设计中也必须注意开通特性，负载短路能力和由du GS/dt电流引起的误触发等问题。

根据上述分析，对IGBT驱动电路提出以下要求和条件：(1)由于是容性输出输出阻抗；因此IBGT对门极电荷集聚很敏感，驱动电路必须可靠，要保证有一条低阻抗的放电回路。

(2)用低内阻的驱动源对门极电容充放电，以保证门及控制电压u GS有足够陡峭的前、后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。

另外，IGBT开通后，门极驱动源应提供足够的功率，使IGBT不至退出饱和而损坏。

(3)门极电路中的正偏压应为+12～+15V；负偏压应为-2V～-10V。

(4)IGBT 驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响，RG较大，有利于抑制IGBT 的电流上升率及电压上升率，但会增加IGBT 的开关时间和开关损耗；RG较小，会引起电流上升率增大，使IGBT 误导通或损坏。

RG的具体数据与驱动电路的结构及IGBT 的容量有关，一般在几欧～几十欧，小容量的IGBT 其RG值较大。

(5)驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IGBT 的自保护功能。

IGBT 的控制、驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配，另外，在未采取适当的防静电措施情况下，IGBT的G～E极之间不能为开路。

IGBT驱动电路分类驱动电路分为：分立插脚式元件的驱动电路；光耦驱动电路；厚膜驱动电路；专用集成块驱动电路。

本文设计的电路采用的是专用集成块驱动电路。

IGBT驱动电路分析随着微处理技术的发展(包括处理器、系统结构和存储器件)，数字信号处理器以其优越的性能在交流调速、运动控制领域得到了广泛的应用。

一般数字信号处理器构成的控制系统，IGBT驱动信号由处理器集成的PWM模块产生的。

而PWM接口驱动能力及其与IGBT的接口电路的设计直接影响到系统工作的可靠性。

因此本文采用SG3525设计出了一种可靠的IGBT驱动方案。

2. matlab仿真实验物理仿真需要进行大量的设备制造、安装、连接及调试工作，其投资大、周期长、灵活性差、改变参数难、模型难以重用，且实验数据处理也不方便。

但是计算机仿真却可以很好的解决这个问题。

只要有一台计算机就可以对不同的控制系统进行仿真和研究，而且进行一次仿真实验研究的准备工作也比较简单，主要是控制系统的建模、控制方式的确立和计算机编程。

本系统采用Matlab自带的动态仿真集成环境-Simulink进行仿真。

Simulink是一个用来对动态系统进行仿真和分析的软件包。

它支持连续、离散、及两者混合的线性和非线性系统。

它为用户提供了一个图形化得用户界面（GUI）。

它与用微分方程和差分方程建模的传统仿真相比具有更直观、更方便、更灵活的优点。

2.1 仿真模型Mdl文件是simulinkg仿真工具箱仿真所设计的文件。

它具有功能强大，而且包含了常用的大部分元器件仿真数学模型，形象易懂，便于设计。

该设计的仿真模型如图1所示：图1 simulink 仿真模型图simulink 仿真模型图中DC voltage source 是电压源，提供50V点直流电压。

L为电感。

Diode 为电力二极管，单项导通，阻止电流反向流动。

C为电容。

IGBT为斩波器件，R为负载。

Current Measurement1 用来测量流经L的电流。

Current Measurement2用来测量负载电流。

Current Measurement3用来测量流经电容C的电流。

current 为流经IGBT的电流，IGBT voltage 为IGBT两段的电压。

Scope 为示波器。

Pulse Generator 为PWM 脉冲发生器，调节其占空比就可以控制输出电压的大小。

2.2 仿真实验结果及分析⑴ 周期设为1KHz ,占空比为50%,电感为10mH,电容为2200uF,负载为100Ω时进行仿真，仿真结果如下：图2-0-1 负载电压98.2V图2-0-2 流经电感L 的电流值为0.982A由图2-0-1中V1可以看到负载两端的电压与输入电压基本上成2倍的关系。

即11*501001150%outin V V α===--（V ）满足理论计算公式（ 1-4 ），由仿真结果知，原理图设计是对的。

⑵ 负载不变为100Ω，频率1KHz ，占空比从5%到95%以等百分比递增时，输出电压，与输入电压和电路参数之间的关系。

① 占空比5%图2-1-1 负载电压51.8V图2-1-2 流经电感L 的电流值为0.518A从图2-1-1负载电压可以看出负载电压约为51.8V ，基本上符合理论计算：（V ）② 占空比15%图2-2-1 负载电压57.4V11*5052.6115%out in V V α===--图2-2-2 流经电感L 的电流值为0.57A从图2-2-1负载电压可以看出负载电压约为51.8V ，基本上符合理论计算：（V ）④ 占空比25%图2-3-1负载电压65.5V图2-3-2 流经电感L 的电流值为0.65A从图2-３-1负载电压可以看出负载电压约为65.5V ，基本上符合理论计算：11*5058.81115%out in V V α===--（V ）④占空比35%图2-4-1 负载电压75.6V图2-4-2 流经电感L 的电流值为0.75A从图2-4-1负载电压可以看出负载电压约为75.6V ，基本上符合理论计算：（V ）⑤ 占空比45%图2-5-1 负载电压89.3V11*5076.91135%out in V V α===--11*5066.61125%outin V V α===--图2-5-2 流经电感L 的电流值为0.89A从图2-5-1负载电压可以看出负载电压约为89.3V ，基本上符合理论计算：（V ）⑥ 占空比55%图2-6-1 负载电压109.1V图2-6-2 流经电感L 的电流值为1.09A从图2-6-1负载电压可以看出负载电压约为109.1V ，基本上符合理论计算：11*50911145%out in V V α===--（V ）⑦ 占空比65%图2-7-1负载电压140.2V图2-7-2 流经电感L 的电流值为1.042A从图2-7-1负载电压可以看出负载电压约为140.2V ，基本上符合理论计算：（V ）⑧占空比75%图2-8-1 负载电压196.2V11*501111155%outin V V α===--11*50142.51165%out in V V α===--图2-8-2 流经电感L 的电流值为1.962A从图2-8-1负载电压可以看出负载电压约为196.2V ，基本上符合理论计算：（V ）⑨ 占空比85%图2-9-1 负载电压325V图2-9-2 流经电感L 的电流值为3.25A从图2-9-1负载电压可以看出负载电压约为325V ，基本上符合理论计算： 11*502001175%outin V V α===--( 1-5 )（V ）⑩ 占空比为95%图2-10-1 负载电压942V图2-10-2 流经电感L 的电流值为9.42A从图2-10-1负载电压可以看出负载电压约为942V ，基本上符合理论计算：（V ）2.3 仿真实验结论由图（图2-0），在占空比为50%时，输出电压可以看到负载两端的电压与输入电压基本上成2倍的关系。